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基于金属氧化物的赝电容器

本专题涉及基于金属氧化物的赝电容器的标准有93条。

国际标准分类中，基于金属氧化物的赝电容器涉及到电工器件、输电网和配电网、电学、磁学、电和磁的测量、工业自动化系统、半导体分立器件、无线通信、光纤通信、阀门。

在中国标准分类中，基于金属氧化物的赝电容器涉及到避雷器、电子测量与仪器综合、半导体分立器件综合、继电保护及自动装置、广播、电视发送与接收设备、光通信设备、阀门。

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于基于金属氧化物的赝电容器的标准

• IEEE C62.11-2012 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器
• IEEE C62.11-2005 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器标准
• IEEE PC62.11/D2.0-2019 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器标准草案

美国电气电子工程师学会，关于基于金属氧化物的赝电容器的标准

• ANSI/IEEE Std C62.11-1987 用于交流电源电路的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准
• IEEE Std C62.11-1987 用于交流电源电路的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准
• IEEE PC62.11/D6.0 September 2019 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
• IEEE PC62.11/D2.0, January 2018 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
• IEEE PC62.11/D12A, August 2012 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
• IEEE PC62.11/D11, February 2012 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
• IEEE PC62.11/D7.0, November 2019 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
• IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
• IEEE Unapproved Draft Std PC62.11a_D9F, Jan 2008 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物避雷器的 IEEE 标准草案 修正案：电站、中间和配电避雷器的短路测试
• IEEE Std PC62.11/D3C 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准批准草案（IEEE C62.11-1999 的修订版）由 C62.11-1999 取代
• IEEE PC62.22a/D6, February 2013 用于交流电系统修正案的金属氧化物电涌放电器应用的 IEEE 草案指南：考虑能量处理能力的补充
• IEEE Unapproved Std PC62.11a/D9D, Mar 2007 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的未经批准的 IEEE 草案标准 修正案：电站、中间和配电放电器的短路测试
• IEEE Std PC62.22/D8 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器的未经批准的 IEEE 标准草案（IEEE C62.11-1999 的修订版）由 C62.11-1999 取代

韩国科技标准局，关于基于金属氧化物的赝电容器的标准

• KS C 4808-2011(2016) 聚合物 - 容纳金属氧化物避雷器而不对配电线路上的间隙

丹麦标准化协会，关于基于金属氧化物的赝电容器的标准

• DS/EN 60099-4/A2:2009 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
• DS/EN 60099-4/A1:2007 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
• DS/EN 60099-4:2005 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
• DS/EN 60099-8:2011 电涌放电器 第8部分：用于 1 kV 以上交流系统的架空输电和配电线路的带外部串联间隙（EGLA）的金属氧化物电涌放电器

法国标准化协会，关于基于金属氧化物的赝电容器的标准

• NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 电涌放电器 第9部分：用于 HVDC 换流站的无间隙金属氧化物电涌放电器
• NF C65-100-8*NF EN IEC 60099-8:2018 电涌放电器 第8部分：用于 1 kV 以上交流系统的架空输电和配电线路的带外部串联间隙（EGLA）的金属氧化物电涌放电器

立陶宛标准局，关于基于金属氧化物的赝电容器的标准

• LST EN 60099-4-2004/A1-2006 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器（IEC 60099-4:2004/A1:2006）
• LST EN 60099-4-2004/A2-2009 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器（IEC 60099-4:2004/A2:2009）
• LST EN 60099-4-2004 避雷器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器（IEC 60099-4:2004，已修改）
• LST EN 60099-8-2011 避雷器 第8部分：用于 1 kV 以上交流系统架空输配电线路的带外部串联间隙（EGLA）的金属氧化物避雷器（IEC 60099-8:2011）

英国标准学会，关于基于金属氧化物的赝电容器的标准

• BS EN 60099-8:2011 避雷器.用于1 kV以上交流系统架空输配电线路的设有外间隙(EGLA)的金属氧化物避雷器
• BS EN IEC 60099-8:2018 避雷器 用于1kV以上交流系统架空输配电线路的带外部串联间隙的金属氧化物避雷器（EGLA）

美国国防后勤局，关于基于金属氧化物的赝电容器的标准

• DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 互补金属氧化物半导体,16-BIT的25欧姆串联电阻器母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96761-1996 双极的互补金属氧化物半导体,1行到8行时钟驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 双极的互补金属氧化物半导体,计时和等待状态发生器电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,9-BIT奇偶发生器或监测器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 双极的互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角母线接收器和寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96586 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或线路驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96587 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或线路驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94673 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或25欧姆线路激励器串联电阻器,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94697 REV C-1998 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或25欧姆线路激励器串联电阻器,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的3到8阵列译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,8-BIT连续平行转换寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,4-BIT上下二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT到9-BIT三状态输出母线收发器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的缓冲器或钟驱动器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-96547 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,双重2行到4行解码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96747-1997 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT双向的数据总线扫描路径选择器晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 互补金属氧化物半导体数字的三状态输入八进制D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95663 REV C-2000 抗辐射高速互补金属氧化物半导体数字的8-BIT连续或平行改变寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 硅单块 八进制D型边沿触发的触发器,晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96555 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,可预先设置同步4-BIT二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的四重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95742 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95743 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步可预先调整的4-BIT二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91724-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,带三态输出的双互补金属氧化物半导体的八进制总线接收器和自动记录器,数字微型电路
• DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT母线接口和双稳态多谐振荡器转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入和三态输出的八进制接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的八进制接收器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95756 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可预先调整的同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的双重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95771 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步二进制编码的十进制上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96563 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96565 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94698-1996 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发和寄存器自主式自动导航系统,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的双1选4数据收集器和多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90938 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带开放式控制器输出的八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带预设置和清除的双D型双稳态多谐振荡器触发器,高级互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 硅单块 可锁的晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转行驱动线或缓冲器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带设置和重设置的双J-K双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的倒转八进制行驱动线或缓冲器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角阳性触发的D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置的八比特诊断式自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,可预设置的同步4比特二进制升值或降值计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的18比特总线收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入
• DLA SMD-5962-86853 REV A-2003 硅单块 带预设置D型双稳态多谐振荡器触发器和带终端开关晶体管-晶体管逻辑电路闭回路鉴定与报告兼容输入的,高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-87628 REV D-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制不可倒转的D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于基于金属氧化物的赝电容器的标准

• QC 300401/ZA 0003 IS 1.1-1989 详细规范：用于电子设备的微型环氧树脂浸渍电容器固定金属化聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜介电直流电容器评估等级 E

国际电工委员会，关于基于金属氧化物的赝电容器的标准

• IEC 60099-8:2011 电涌放电器.第8部分:高于1 kV的直流系统的高架输电和配电用带有外部串联火花间隙(EGLA)的金属氧化物电涌放电器

欧洲电工标准化委员会，关于基于金属氧化物的赝电容器的标准

• EN IEC 60099-8:2018 电涌放电器 第8部分：用于 1 kV 以上交流系统的架空输电和配电线路的带外部串联间隙（EGLA）的金属氧化物电涌放电器
• EN 60099-8:2011 电涌放电器.第8部分:高于1 kV的直流系统高架输电和配电用带有外部串联火花间隙(EGLA)的金属氧化物电涌放电器

ES-UNE，关于基于金属氧化物的赝电容器的标准

• UNE-EN IEC 60099-8:2018 电涌放电器 第8部分：用于 1kV 以上交流系统架空输电和配电线路的具有外部串联间隙的金属氧化物电涌放电器(EGLA)

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