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金属 氧化 设备
本专题涉及金属 氧化 设备的标准有24条。
国际标准分类中，金属 氧化 设备涉及到电阻器、半导体分立器件、集成电路、微电子学、输电网和配电网、绝缘流体、铁合金。
在中国标准分类中，金属 氧化 设备涉及到电容器、半导体集成电路、通信设备综合、避雷器、绝缘油、计算机应用。
日本工业标准调查会，关于金属 氧化 设备的标准
- JIS C 6409:1994 电子设备用氧化金属膜固定电阻器
韩国科技标准局，关于金属 氧化 设备的标准
- KS C 6371-1995(2000) 电子设备的氧化金属膜固定电阻使用
- KS C 6371-1990 电子设备的氧化金属膜固定电阻使用
- KS C 6371-1995 电子设备的氧化金属膜固定电阻使用
HU-MSZT，关于金属 氧化 设备的标准
- MSZ 18092/2-1971 没有氧化膜的铝生产和他的合金金属设备色阳极氧化，检测
立陶宛标准局，关于金属 氧化 设备的标准
- LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
美国国防后勤局，关于金属 氧化 设备的标准
- DLA SMD-5962-86864-1988 可编程逻辑设备互补金属氧化物半导体可擦除数字微型电路
- DLA SMD-5962-97504-1997 互补金属氧化物半导体双8设备安全检查过滤器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 硅单块 紫外擦拭可编程逻辑设备,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-92121-1992 硅单块 电可擦拭可编程逻辑设备,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-91760 REV D-2007 硅单块 一次可编程逻辑设备,双互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89476-1992 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
英国标准学会，关于金属 氧化 设备的标准
- BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
国际电信联盟，关于金属 氧化 设备的标准
- ITU-T K.77 CORR 1-2011 通信设备保护用金属氧化物压敏电阻的特性.勘误表1.5号研究组
加拿大标准协会，关于金属 氧化 设备的标准
- CSA C233.1-87-CAN/CSA-1987 交流无间隙金属氧化物避雷器 电力系统与设备.第1版.通用指令第1号
行业标准-电力，关于金属 氧化 设备的标准
- DL/T 1432.3-2016 变电设备在线监测装置检验规范 第3部分：电容型设备及金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
- DL/T 1498.3-2016 变电设备在线监测装置技术规范 第3部分:电容型设备及金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
- DL/T 2145.2-2020 变电设备在线监测装置现场测试导则 第2部分：电容型设备与金属氧化物避雷器绝缘在线监测装置
印度尼西亚标准，关于金属 氧化 设备的标准
- SNI 07-1057-1989 二氧化硅金属
US-CFR，关于金属 氧化 设备的标准
- CFR FED FCGS 07140-1979 金属氧化物防水
US-FCR，关于金属 氧化 设备的标准
- FCR UFGS-07 16 19-2007 金属氧化物防水
- FCR FED GSA/PBS 07140-1980 金属氧化物防水
- FCR FED FCGS 07140-1979 金属氧化物防水
