EN
RU
ES
金属氧化
本专题涉及金属氧化的标准有500条。
国际标准分类中，金属氧化涉及到涂料配料、半导体分立器件、电工器件、建筑物的防护、绝缘、输电网和配电网、阀门、电气工程综合、电子元器件综合、光纤通信、集成电路、微电子学、铁路车辆、开关装置和控制器、表面处理和镀涂、光学和光学测量、电站综合、电阻器、音频、视频和视听工程、物理学、化学、环境保护、分析化学、电工和电子试验、空气质量、半导体材料、电学、磁学、电和磁的测量、航空航天制造用材料、纺织产品、电气设备元件、滤波器、牙科、无线通信。
在中国标准分类中，金属氧化涉及到颜料、半导体分立器件综合、电工合金零件、避雷器、、电站、电力系统运行检修、机械量仪表、自动秤重装置与其他检测仪表、敏感元器件及传感器、高电压设备成套装置、基础标准和通用方法、光通信设备、低压配电电器、电工绝缘材料及其制品、电源设备、输变电设备综合、光学计量仪器、材料防护、电力系统设备安装测试、录制设备、基础标准与通用方法、低压电器综合、电阻器、半导体集成电路、其他、微电路综合、电子测量与仪器综合、航空与航天用金属铸锻材料、半导体三极管、铁路通信设备、其他电真空器件、计算机应用、电容器、阀门、通信网技术体制、化学、通信设备综合、计算机设备、继电保护及自动装置、口腔科器械、设备与材料、广播、电视发送与接收设备。
US-CFR，关于金属氧化的标准
- CFR FED FCGS 07140-1979 金属氧化物防水
US-FCR，关于金属氧化的标准
- FCR UFGS-07 16 19-2007 金属氧化物防水
- FCR FED GSA/PBS 07140-1980 金属氧化物防水
- FCR FED FCGS 07140-1979 金属氧化物防水
- FCR COE CEAGS 07140A-1992 金属氧化物防水，NOTICE 1-4（1995）INCORPORATED
- FCR COE CWGS 16340-1993 户外站级金属氧化物型避雷器
行业标准-化工，关于金属氧化的标准
- HG/T 4749-2014 金属氧化物混相颜料
美国国防后勤局，关于金属氧化的标准
- DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
- DLA A-A-55564/3 B-2004 金属氧化物,径向引线压敏电阻
- DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 芯片压敏电阻(金属氧化物可变电阻)
- DLA A-A-55562 A-2001 芯片压敏电阻(金属氧化物可变电阻)
- DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片
- DLA A-A-55564/2 B-2012 电阻器，电压敏感（变阻器），金属氧化物，高能量
- DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
- DLA MIL-PRF-83530 C-2008 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），一般规范
- DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），片式，0603 型
- DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，0805 型
- DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，1206 型
- DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，1210 型
- DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 电阻器，电压敏感（变阻器，金属氧化物），芯片，0402 型
- DLA A-A-55564/3 C-2012 电阻器，电压敏感（变阻器），金属氧化物，径向引线
- DLA A-A-55562/2 A-2001 类型为0805的片状压敏(压敏电阻,金属氧化物)电阻器
- DLA QPL-83530-7-2004 电压敏感(压敏电阻器,金属氧化物)电阻器 一般规格
- DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 硅单块 16X16倍增器互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 硅单块 互补金属氧化物半导16X16乘数,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 硅单块 总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 硅单片金属氧化半导体时钟脉冲驱动器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 硅单块 真实时钟,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
- DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 硅单片沟道金属氧化物半导体中断发生器数字微电路
- DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 硅单块 8X8倍增器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 硅单块 八进制高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92026-1992 硅单块 定点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87744-1987 硅单片1M(64K X 16) BIT,沟道金属氧化物半导体,UVEPROM数字微电路
- DLA SMD-5962-92103-1992 硅单块 浮点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 硅单片信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-85528-1986 硅单块 总线调停器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 硅单片8 X 8乘数互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 硅单块 互补金属氧化物半导体总线界面直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 硅单片精密定时器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 硅单块 八进制总线接收器,互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,万能中断控制器微型电路
- DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
- DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 硅单块 多路调制器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-92106-1993 硅单块 地址处理器2,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 硅单片数字数据处理器沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88599-1988 硅单片时序控制组件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 硅单片四方模拟开关互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体与非硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96803-1996 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 硅单片,16位微型控制器,沟道金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91513-1993 硅单块 是或倒转门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 硅单块 图像系统处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 硅单块 操作放大器,互补金属氧化物半导体,双直线式微型电路
- DLA SMD-5962-94688 REV A-1996 数字互补金属氧化物可编程逻辑装置硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88568-1988 硅单片8位微机单一组装沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 可编程陈列4000GATES互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 硅单片处理器接口电路互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 硅单块 浮点协同处理机,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 硅单片远程终端多协议互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88653-1989 硅单片缓冲收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86032 REV H-2005 硅单块 32比特微处理器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 硅单片8位互补型金属氧化物半导体闪光转换器线性微电路
- DLA SMD-5962-86846 REV C-2001 硅单块 互补金属氧化物半导体64X5平行先进先出,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88758-1991 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86864-1988 可编程逻辑设备互补金属氧化物半导体可擦除数字微型电路
- DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 硅单片总线收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89508-1989 硅单片1/4译码器高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体发生器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91532 REV C-2004 硅单块 稳压器,低功率双互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 硅单块 互补金属氧化物半导体,可兼容时间钟,微处理器微型电路
- DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-87685-1987 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,8比特微处理器芯片,微型电路
- DLA SMD-5962-92009 REV B-1995 硅单块 VME总线地址控制器,互补金属氧化物半导体,,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92010 REV B-2001 硅单块 VME总线地址控制器,互补金属氧化物半导体,,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87723-1987 硅单块 13输入是非门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92093 REV C-2005 硅单块 操作放大器,互补金属氧化物半导体,四列直线式微型电路
- DLA SMD-5962-92104-1993 硅单块 地址处理器1,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-95557 REV A-1997 带电可变编程逻辑装置互补金属氧化物硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87805 REV A-2005 硅单片双多谐振荡器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88566 REV C-1994 硅单片双异步接收器/发送器沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86809 REV C-2004 硅单块 16比特微控制器N沟道金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88740 REV D-2007 硅单片2K X 8静态RAM 互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-86824 REV A-1987 硅单块 4比特计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90864 REV A-1993 硅单块 高速互补金属氧化物半导体多功能边缘的数字微型电路
- DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 硅单片16位片状微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89546-1989 硅单片可编程同步状态机互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 互补金属氧化物半导体微功率定相锁环硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96683-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体4BIT位运算硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 128K X 8-BIT数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 四重互补金属氧化物半导体线路激励器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 硅单片微处理器优化数字信号处理互补型金属氧化物半导体微电路
- DLA SMD-5962-91605-1992 硅单块 平行D允许登记,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87611 REV D-2006 硅单块 三倍三输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87614 REV G-2007 硅单块 四列二输入或门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87615 REV E-2007 硅单块 四列二输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87623 REV B-2004 硅单块 双1选4译码器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 互补金属氧化物半导体,双重单刀单掷(开关)硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87713 REV A-1991 硅单块 系列控制器多协议高性能金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87722 REV A-2005 硅单块 三倍三输出或门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87734 REV B-1992 硅单片准备接口时钟发生器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-92057-1993 硅单块 1KX18平行先进先出,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-92101 REV A-1995 硅单块 512X18平行先进先出,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89971-1992 硅单片,远程通用外围接口,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94734-1995 16 MEG X 1 DRAM数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88574 REV A-1994 硅单片H互补型金属氧化物半导体8位输入或无通道数字微电路
- DLA SMD-5962-88576 REV A-2005 硅单片双4输入和通道超速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 硅单片256 X 4静态记忆体复位沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88628 REV E-2007 硅单片总线控制器远程终端互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 紫外线擦除可编程逻辑器件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86009 REV C-1991 硅单块 高速互补金属氧化物半导体,双二进制计数器数字微型电路
- DLA SMD-5962-86012 REV C-2005 硅单块 七态波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88713 REV A-2006 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-90901-1992 硅单块 八进制记名的收发器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86862 REV B-1989 硅单块 万能移位寄存器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89481 REV A-2004 硅单片12位乘法D/A转换器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89497 REV B-2006 硅单片256K X 4 视频内存互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 硅单片56位数字信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89514 REV A-2006 硅单片并行输入/输出控制器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89532 REV C-2006 硅单片双异步接收器/发送器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89536 REV F-2006 硅单片1K X 9先进先出互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89552 REV A-1997 硅单片四方D型触发器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重与非门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 抗辐射互补金属氧化物半导体母线控制器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 互补金属氧化物半导体,超电压防护多路器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96786-1996 8-BIT双向互补金属氧化物半导体或转换器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95715-1996 数字的互补金属氧化物半导体时钟驱动器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90996 REV B-1996 硅单块 12 X 12倍增器或蓄压器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91501 REV D-2005 硅单块 32比特综合微型控制器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91554 REV A-1992 硅单块 八进制记名收发器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87549 REV F-2007 硅单块 四列二输入是非门,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91585 REV C-2006 硅单块 1K X9平行先进先出,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-87610 REV C-2004 硅单块 三倍三输入是非门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87612 REV E-2007 硅单块 四列二输入非与门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91639 REV C-2005 硅单块 互补金属氧化物半导体四列差异总线驱动器,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-91640 REV C-2005 硅单块 互补金属氧化物半导体四列差异总线驱动器,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-87646 REV B-2006 硅单块 六进制接触回弹消除器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87665 REV E-2005 硅单块 MIL-STD-1750微处理器,16比特互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87680 REV C-2006 硅单块 14步二进制计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87691 REV A-2005 硅单块 8输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87704 REV C-1993 硅单块 9和10比特总线接收器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 数字互补金属氧化物半导体可编程电池排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 硅单片数位类比转换器双12位互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-95521 REV B-2006 10,000 GATE可编程逻辑陈列互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 硅单片误差检测与校正的单位互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 硅单片高性能奇偶总线收发器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 静电噪声的随机数字存储存储器混合互补金属氧化物半导体微电路
- DLA SMD-5962-88637 REV C-2005 硅单片字段可编程门阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 硅单块 4比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88655-1989 硅单片八进制D型触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90704-1990 硅单块 16比特数字单一处理器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88699-1988 16通道/差分8通道互补型金属氧化物半导体模拟复用器线性微电路
- DLA SMD-5962-90715 REV B-2007 硅单块 互补金属氧化物半导体4K X9先进先出,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 硅单块 八比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88733 REV D-1997 硅单片16 X 16位乘法器累加器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90803 REV C-2007 硅单块 互补金属氧化物半导体8K X8比特程序,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-86821 REV C-2004 二十进制到十进制译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89445 REV A-2006 硅单片可编程N分计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90888-1993 硅单块 曼彻斯特编码和解码器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 硅单块 8比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89483 REV D-1996 硅单片四方通用滤波器数据块互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89516-1989 硅单片双串行输入/输出控制器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89518 REV A-2002 硅单片A/D转换跑道/搁置8位互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 硅单块 8比特量值比较器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87518 REV D-2005 硅单块 可编程序中断控制器N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87519 REV A-1991 硅单块 通用接口总线控制器N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89533-1989 硅单片10位扬声器收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体二元比率乘数硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96615 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT闭锁装置硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重排外与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96671 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导,8-BIT优先编码器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96672 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体可编程定时器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96694 REV A-1996 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体1K X 4静态随机存储器微电路
- DLA SMD-5962-96695 REV A-1996 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体1K X 4静态随机存储器微电路
- DLA SMD-5962-96701 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,四重双向开关硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96816-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96820 REV B-1999 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96822-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96825-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体16-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,明渠六角硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95824-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90525 REV C-2008 由互补金属氧化物半导体制成的单硅数字微电路,带通用异步收发器
- DLA SMD-5962-85133-1986 硅单块 80比特扩展数字处理器,高性能金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91603 REV A-1998 硅单块 4态同步双向计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87625 REV B-2006 硅单块 双4输入多路复用器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 硅单块 双极金属氧化物半导体技术中断接口闩锁设备,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-91692 REV A-2002 硅单块 交直流转换器,20 KHZ16比特互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-91740-1992 硅单块 16比特数字到模拟倍增转换器,互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-91762 REV B-1993 硅单块 4X8比特多级流水线寄存器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92124 REV A-2004 硅单块 倒转转换控制器,低功率互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-92153 REV M-2006 硅单块 32K X8静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95525-1995 带电可消除编程分压计互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92156 REV J-2007 硅单块 800门场可编程门阵列,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入排外硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94730 REV D-2002 数字的互补金属氧化物半导体可编程逻辑排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94733-1995 数字的互补金属氧化物半导体1200配置逻辑排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88613 REV B-1991 硅单片16位误码检测与校正部件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88638 REV C-1996 硅单片可编程逻辑单元阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-85519 REV C-2005 硅单块 8比特可寻址锁存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 硅单块 无缓冲六位变换电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86011 REV C-2005 硅单块 译码计数器或分离器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88652-1989 硅单片高速向前进行发电机高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90727 REV A-1993 硅单块 数字互补金属氧化物半导体图形处理系统处理器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90731 REV E-2004 硅单块 单刀单掷模拟开关,互补金属氧化物半导体四列,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-86810 REV A-1988 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,双万能系列交流控制器数字微型电路
- DLA SMD-5962-86854-1987 硅单块 4比特二进制计数器 高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
- DLA SMD-5962-88775 REV A-1991 硅单片八进制缓冲器/线路驱动器互补型金属氧化物半导体快速微电路
- DLA SMD-5962-89446-1991 硅单片8位可变长度移位寄存器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89463 REV D-2005 硅单片浮点运算的协处理器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89505 REV A-2005 硅单片内存管理数据块保护部件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90969 REV B-2007 硅单块 第功率电压比较器,四列互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89523 REV C-2006 硅单片64K X 4平行先进先出互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89534 REV C-1991 硅单片80位数字处理器扩建工程互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96526 REV C-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96596 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96602 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体先入先出寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96610 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96611 REV C-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体四重排外或与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96617 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体18部静态寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96625 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体计数器或分配器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96632 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重互补缓冲器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96669 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重向上计数器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96682 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体4X4多端口寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96684 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体4X4多端口寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96708 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,9-BIT奇偶发生器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,8-BIT数量比较器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95682 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95717-1995 数字的互补金属氧化物半导体八角母线接收器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95720 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
国家军用标准-总装备部，关于金属氧化的标准
- GJB 3794-1999 电接触银基金属氧化物合金规范
- GJB 3794A-2018 电接触银基金属氧化物加工材规范
国家质检总局，关于金属氧化的标准
- GB/T 13397-2008 合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件
- GB 13397-1992 合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件
- GB 11032-2010 交流无间隙金属氧化物避雷器
- GB/T 11032-2010 交流无间隙金属氧化物避雷器
- GB 11032-2000 交流无间隙金属氧化物避雷器
- GB/T 25083-2010 ±800kV直流系统用金属氧化物避雷器
- GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范
- GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
- GB/T 28547-2012 交流金属氧化物避雷器选择和使用导则
- GB/Z 43032-2023 纳米技术 水样中金属与金属氧化物纳米物体表征 样品制备方法
- GB/T 22389-2008 高压直流换流站无间隙金属氧化物避雷器导则
- GB/T 27746-2011 低压电器用金属氧化物压敏电阻器(MOV)技术规范
- GB/Z 24845-2009 1000kV交流系统用无间隙金属氧化物避雷器技术规范
- GB/T 24845-2018 1 000 kV交流系统用无间隙金属氧化物避雷器技术规范
- GB/T 18802.331-2007 低压电涌保护器元件 第331部分：金属氧化物压敏电阻（MOV）规范
- GB/T 41917-2022 纳米技术 电子自旋共振（ESR）法检测金属氧化物纳米材料产生的活性氧（ROS）
行业标准-机械，关于金属氧化的标准
- JB/T 9670-1999 金属氧化物避雷器阀片用氧化锌
- JB/T 10492-2011 金属氧化物避雷器用监测装置
- JB/T 9670-2014 金属氧化物避雷器电阻片用氧化锌
- JB/T 9672.1-1999 直流有串联间隙金属氧化物避雷器
- JB/T 9672.2-2005 串联间隙金属氧化物避雷器.第2部分:35kV及以下交流系统用有串联间隙金属氧化物避雷器
- JB/T 9672.1-2013 串联间隙金属氧化物避雷器 第1部分:3 kV及以下直流系统用有串联间隙金属氧化物避雷器
- JB/T 7617-1994 六氟化硫罐式无间隙金属氧化物避雷器
- JB/T 5894-1991 交流无间隙金属氧化物避雷器使用导则
- JB/T 10492-2004 交流无间隙金属氧化物避雷器用监测器
- JB/T 8444-2015 粉末冶金法银金属氧化物电触头技术条件
- JB/T 8444-1996 粉末冶金法银金属氧化物电触头技术条件
- JB/T 10496-2005 交流三相组合式无间隙金属氧化物避雷器
- JB/T 8952-2005 交流系统用复合外套无间隙金属氧化物避雷器
- JB/T 10609-2006 交流三相组合式有串联间隙金属氧化物避雷器
- JB/T 6479-2014 交流电力系统阻波器用有串联间隙金属氧化物避雷器
- JB/T 56206.2-1999 交流无间隙金属氧化物避雷器产品质量分等（内部使用）
- JB/T 10497-2005 交流输电线路用复合外套有串联间隙金属氧化物避雷器
- JB/T 8952-1999 35kV及以下交流系统用复合外套无间隙金属氧化物避雷器
- JB/T 6479-1992 交流电力系统线路阻波器用有串联间隙金属氧化物避雷器
中国团体标准，关于金属氧化的标准
- T/CECA 35-2019 金属氧化物半导体气体传感器
- T/CAB 0156-2022 智能家电用金属氧化物MEMS气体传感器
- T/ZZB 0790-2018 动车组用交流无间隙金属氧化物避雷器
- T/CECA 27-2017 有可靠性指标的金属氧化物压敏电阻器总规范
- T/CPCIF 0033-2020 绿色设计产品评价技术规范 金属氧化物混相颜料
- T/CEC 348-2020 1000kV交流系统用复合外套无间隙金属氧化物避雷器
- T/CEC 221-2019 高梯度及低残压金属氧化物电阻片通用技术标准
- T/GDC 143-2022 无组织排放废气挥发性有机物的测定 金属氧化物法
- T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
- T/QGCML 911-2023 10kV交流输电线路用复合外套无间隙金属氧化物避雷器
- T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
- T/CASME 460-2023 10kV交流输电线路用复合外套带串联固定间隙金属氧化物避雷器
- T/CSEE 0001-2015 1000KV交流电线路用带串联间隙复合外套金属氧化物避雷器技术规范
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于金属氧化的标准
- GB/T 11032-2020 交流无间隙金属氧化物避雷器
行业标准-电力，关于金属氧化的标准
- DL/T 1702-2017 金属氧化物避雷器状态检修导则
- DL/T 1703-2017 金属氧化物避雷器状态评价导则
- DL/T 1156-2012 串联补偿装置用金属氧化物限压器
- DL/T 804-2002 交流电力系统金属氧化物避雷器使用导则
- DL/T 804-2014 交流电力系统金属氧化物避雷器使用导则
- DL/T 815-2012 交流输电线路用复合外套金属氧化物避雷器
- DL/T 815-2002 交流输电线路用复合外套金属氧化物避雷器
- DL/T 613-1997 进口交流无间隙金属氧化物避雷器技术规范
- DL/T 1294-2013 交流电力系统金属氧化物避雷器用脱离器使用导则
- DL/T 2623-2023 1000kV特高压交流系统用开关型可控金属氧化物避雷器技术规范
- DL/T 2109-2020 直流输电线路用复合外套带外串联间隙金属氧化物避雷器选用导则
CN-QIYE，关于金属氧化的标准
- Q/GDW 453-2010 金属氧化物避雷器状态检修导则
- Q/GDW 276-2009 ±800kV换流站用金属氧化物避雷器技术规范
- Q/GDW 1307-2014 1000kV交流系统用无间隙金属氧化物避雷器技术规范
行业标准-电子，关于金属氧化的标准
- SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
- SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
- SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
- SJ/Z 9177-1995 录像机用0.5W、1W、3W金属氧化膜电阻器认定规范
- SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
行业标准-水电，关于金属氧化的标准
- SD 179-1986 低压交流无间隙金属氧化物避雷器
- SD 176-1986 3～500 kV交流电力系统金属氧化物避雷器技术条件
- SD 177-1986 3～500 kV交流电力系统金属氧化物避雷器使用导则
工业和信息化部，关于金属氧化的标准
- YD/T 2972-2015 通信保护用金属氧化物压敏电阻器
- HG/T 5873-2021 绿色设计产品评价技术规范 金属氧化物混相颜料
美国电气电子工程师学会，关于金属氧化的标准
- IEEE Std C62.11-2020 交流电源电路金属氧化物电涌放电器
- IEEE Std C62.11-1999 交流电源电路金属氧化物电涌放电器
- IEEE Std C62.11-1993 交流电源电路金属氧化物电涌放电器
- IEEE Std C62.22-1997 IEEE 交流电系统金属氧化物避雷器应用指南
- IEEE Std C62.22-1991 交流系统中金属氧化物电涌放电器应用指南
- IEEE Std C62.11-2005 交流电源电路金属氧化物电涌放电器（大于1 kV）
- IEEE Std C62.22-2009 交流系统金属氧化物电涌放电器应用的IEEE指南
- IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE Std C62.11-2012) 交流电源电路 (> 1 kV) 金属氧化物避雷器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D8.0, December 2019 交流电源电路 (> 1 kV) 金属氧化物避雷器的 IEEE 标准草案
- IEEE Std C62.11-2012 交流电(AC)电源电路用金属氧化物放电管IEEE标准(
1 kV) - ANSI/IEEE Std C62.11-1987 用于交流电源电路的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准
- IEEE Std C62.11-1987 用于交流电源电路的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准
- IEEE Std C62.33-2016 金属氧化物变阻器电涌保护元件测试方法和性能值的 IEEE 标准
- IEEE PC62.11/D6.0 September 2019 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D2.0, January 2018 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D12A, August 2012 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D11, February 2012 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D7.0, November 2019 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
- IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE 用于交流电源电路（> 1 kV）的金属氧化物电涌放电器的 IEEE 标准草案
韩国科技标准局，关于金属氧化的标准
- KS C 4616-2011(2021) 交流系统用无间隙金属氧化物避雷器
- KS C 4616-2011(2016) 交流系统用无间隙金属氧化物避雷器
- KS C 4616-2011 用于交流系统的无隙金属氧化物避雷器
- KS C IEC 60099-4:2019 避雷器第4部分:无间隙的金属氧化物避雷器 系统
- KS C 4808-2011(2021) 配电线路用无间隙聚合物外壳金属氧化物避雷器
- KS C IEC 60099-4:2012 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- KS C IEC 60099-8-2014(2019) 避雷器第8部分:架空t型外串联间隙金属氧化物避雷器
- KS C 4808-2011(2016) 聚合物 - 容纳金属氧化物避雷器而不对配电线路上的间隙
- KS C IEC 61643-331-A:2014 低压电涌保护器元件第331部分:金属氧化物压敏电阻器（MOV）规范
- KS C IEC 61643-331-2006(2019) 低压浪涌保护器元件第331部分:金属氧化物压敏电阻器（MOV）规范
- KS C IEC 61643-331-A:2015 低压电涌保护装置用元件.第331部分:金属氧化物压敏电阻(MOV)规范
- KS C IEC 61643-331:2006 低压电涌保护装置用元件.第331部分:金属氧化物压敏电阻(MOV)规范
- KS C IEC 60099-4:2021 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
国家能源局，关于金属氧化的标准
- NB/T 42153-2018 交流插拔式无间隙金属氧化物避雷器
- NB/T 42152-2018 非线性金属氧化物电阻片通用技术要求
- NB/T 10282-2019 交流无间隙金属氧化物避雷器试验导则
- NB/T 10089-2018 25kV铁道交流系统用无间隙金属氧化物避雷器
(美国)军事条例和规范，关于金属氧化的标准
- ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63320 A-1981 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
- ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
- ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48632-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48634-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63321 A-1981 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A-1981 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于金属氧化的标准
- IEEE C62.22-1991 交流系统用金属氧化物避雷器应用导则
- IEEE C62.11-1993 交流电源电路用金属氧化物避雷器标准
- IEEE C62.22-1997 交流系统用金属氧化物避雷器应用导则
- IEEE C62.11-1999 交流电源电路用金属氧化物避雷器标准（> 1kV）
- IEEE C62.11-1987 交流电源电路用金属氧化物电涌放电器标准
- IEEE C62.11-2012 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器
- IEEE C62.11-2005 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器标准
- IEEE C62.33-2016 金属氧化物变阻器浪涌保护元件的测试方法和性能值
- IEEE PC62.11/D2.0-2019 用于交流电源电路（>1 kV）的金属氧化物电涌放电器标准草案
美国国家标准学会，关于金属氧化的标准
- ANSI/IEEE C62.11:2005 交流电源电路用金属氧化物避雷器标准
- ANSI/IEEE C62.22:2009 交流系统中金属氧化物电涌放电器应用指南
行业标准-能源，关于金属氧化的标准
- NB/T10282-2019 交流无间隙金属氧化物避雷器试验导则
- NB/T 42059-2015 交流电力系统金属氧化物避雷器用脱离器
- DL/T 815-2021 交流输电线路用复合外套金属氧化物避雷器
- NB/T 42049-2015 3kV及以下直流系统用无间隙金属氧化物避雷器
行业标准-兵工民品，关于金属氧化的标准
- WJ 461-1995 金属覆盖层.光学仪器用黑色金属氧化层规范
工业和信息化部/国家能源局，关于金属氧化的标准
- JB/T 8444-2014 粉末冶金法银金属氧化物电触头技术条件
国际标准化组织，关于金属氧化的标准
- ISO/TS 5094:2023 纳米技术.金属和金属氧化物纳米颗粒过氧化物酶样活性的评估
- ISO/TR 20489:2018 纳米技术.水样中金属和金属氧化物纳米材料表征的样品制备
- ISO/TS 25138:2019 表面化学分析 - 通过辉光放电发射光谱法分析金属氧化物膜
- ISO/TS 25138:2010 表面化学分析.用辉光放电发射光谱测定法分析金属氧化物薄膜
- ISO 17299-5:2014 纺织品. 除臭性能的测定. 第5部分: 金属氧化物半导体传感器法
- ISO/TS 18827:2017 纳米技术. 金属氧化物纳米材料产生活性氧(ROS)的电子自旋共振(ESR)测量方法
英国标准学会，关于金属氧化的标准
- PD ISO/TS 5094:2023 纳米技术 金属和金属氧化物纳米粒子的过氧化物酶样活性评估
- BS EN 61643-331:2003 低压电涌保护装置.金属氧化物变阻器(MOV)规范
- BS EN 60099-4:2004 避雷器.交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- BS EN 60099-4:2014 避雷器.交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- BS EN 60099-4:2004+A2:2009 避雷器.交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- PD ISO/TR 20489:2018 纳米技术 用于表征水样中金属和金属氧化物纳米物体的样品制备
- BS DD ISO/TS 25138:2011 表面化学分析.辉光放电发射光谱法分析金属氧化膜
- BS EN 60099-9:2014 避雷装置. 高压直流换流站无间隙金属氧化物避雷装置
- PD ISO/TS 25138:2019 表面化学分析 辉光放电发射光谱法分析金属氧化物薄膜
- BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- BS EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
- BS ISO 17299-5:2014 纺织品 除臭剂性能的测定 金属氧化物半导体传感器方法
- BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
- BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
- BS EN IEC 61643-331:2020 低压浪涌保护元件金属氧化物压敏电阻（MOV）的性能要求和测试方法
台湾地方标准，关于金属氧化的标准
- CNS 12114-1987 金属镀层与金属氧化层用横截面显微镜式厚度测定法
- CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
- CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法
欧洲电工标准化委员会，关于金属氧化的标准
- EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
- EN 60099-4:2014 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- EN 60099-9:2014 避雷器 第9部分：用于 HVDC 换流站的无间隙金属氧化物避雷器
- EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于金属氧化的标准
- GB/T 34869-2017 串联补偿装置电容器组保护用金属氧化物限压器
- GB/T 32996-2016 表面化学分析 辉光放电发射光谱法分析金属氧化物膜
澳大利亚标准协会，关于金属氧化的标准
- AS 1307.2:1996(R2015) 避雷器 用于交流系统的无间隙金属氧化物避雷器
- AS 1307.2:1996 电涌放电器.第2部分:交流系统用无火花隙金属氧化物电涌放电器
KR-KS，关于金属氧化的标准
- KS C IEC 60099-4-2019 避雷器第4部分:无间隙的金属氧化物避雷器 系统
- KS C IEC 61643-331-A-2014 低压电涌保护器元件第331部分:金属氧化物压敏电阻器（MOV）规范
- KS C IEC 60099-4-2021 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
SE-SIS，关于金属氧化的标准
- MNC 60-1981 铁合金、金属和氧化物．合金材料．概述
- MNC 60 E-1981 铁合金、金属和氧化物．铝合金材料．概述
国际电工委员会，关于金属氧化的标准
- IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- IEC 60099-4:1998 避雷器 第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- IEC 60099-4:2009 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- IEC 60099-4:2004 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- IEC 60099-9:2014 避雷装置. 第9部分: HVDC换流站无间隙金属氧化物避雷装置
- IEC 60099-4:2014 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- IEC 61643-331:2003 低压电涌保护装置用元件.第331部分:金属氧化物压敏电阻(MOV)规范
- IEC 60099-4/AMD2:2001 避雷器 第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器 修改2
- IEC 60099-4:2004+AMD1:2006+AMD2:2009 CSV 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
- IEC 60099-4:2004+AMD1:2006 CSV 电涌放电器第4部分:交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
- IEC 60099-4:2004/AMD1:2006 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器.修改件1
行业标准-铁道，关于金属氧化的标准
- TB/T 1844-1987 25kV交流电气化铁道用无间隙金属氧化物避雷器技术条件
法国标准化协会，关于金属氧化的标准
- NF C65-101/A2:2009 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验
- NF C65-100-4*NF EN 60099-4:2015 避雷器 第4部分：交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- NF C65-101:2005 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
- NF EN 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
- NF EN 60099-4:2015 避雷器 - 第 4 部分：交流网络用不带火花隙的金属氧化物避雷器
- NF EN 60099-9:2015 避雷器 - 第 9 部分：高压直流换流站无火花隙金属氧化物避雷器
- NF C61-743-331:2003 低压电涌保护装置用元部件.第331部分:金属氧化物变阻器规范(MOV)
- NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
- NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 电涌放电器 第9部分：用于 HVDC 换流站的无间隙金属氧化物电涌放电器
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于金属氧化的标准
- EN 60099-4:1993 避雷器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物避雷器
德国标准化学会，关于金属氧化的标准
- DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- DIN EN 61643-331:2004 低压电涌保护装置元件.第311部分:金属氧化物变阻器规范
- DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
- DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
- DIN EN 60099-4:2010 电涌放电器.第4部分:交流电系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
AENOR，关于金属氧化的标准
- UNE-EN 61643-331:2004 低压电涌保护器元件 第331部分：金属氧化物变阻器（MOV）规范
丹麦标准化协会，关于金属氧化的标准
- DS/EN 61643-331:2007 低压电涌保护器元件 第331部分：金属氧化物变阻器（MOV）规范
- DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试
- DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
- DS/EN 60099-4/A2:2009 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
- DS/EN 60099-4/A1:2007 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
- DS/EN 60099-4:2005 电涌放电器 第4部分：用于交流系统的无间隙金属氧化物电涌放电器
美国材料与试验协会，关于金属氧化的标准
- ASTM F1153-92(1997) 用电容-电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法
- ASTM E2864-13 采用氪气吸附法测量吸入暴露室中气载金属和金属氧化物纳米颗粒表面面积的标准试验方法
CZ-CSN，关于金属氧化的标准
- CSN 70 0641 Cast.3-1976 玻璃的化学分析．测定碱金属氧化物．火焰光度法（使用合成溶液）
- CSN 65 1410-1961 碱金属氢氧化物，技术．技术提供代码
国际电信联盟，关于金属氧化的标准
- ITU-T K.77-2009 用于电信装置保护的金属氧化物电阻片的特性.5号研究组
- ITU-T K.77 CORR 1-2011 通信设备保护用金属氧化物压敏电阻的特性.勘误表1.5号研究组
ES-UNE，关于金属氧化的标准
- UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
- UNE-EN 60099-9:2014 电涌放电器 第9部分：HVDC 换流站无间隙金属氧化物电涌放电器
- UNE-EN 60099-4:2016 电涌放电器 第4部分：交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
- UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
ZA-SANS，关于金属氧化的标准
- SANS 60099-4:2007 电涌放电器．第4部分：交流系统用无间隙金属氧化物电涌放电器
美国通用公司（北美），关于金属氧化的标准
- GM GM6078M-1989 固体膜润滑剂涂层树脂粘合的金属氧化物半导体和聚四氟乙烯
日本工业标准调查会，关于金属氧化的标准
- JIS C 5381-331:2006 低压电涌保护装置用元件.第331部分:金属氧化物变阻器(MOV)用规范
NL-NEN，关于金属氧化的标准
- NEN 10099-4-1993 IEC 99-4-1991 避雷器．第4部分：交流电系统用物间隙金属氧化物避雷器
立陶宛标准局，关于金属氧化的标准
- LST EN 61643-331-2004 低压电涌保护器元件 第331部分：金属氧化物变阻器（MOV）规范（IEC 61643-331:2003）
- LST EN 62373-2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试（IEC 62373:2006）
美国国防部标准化文件（含MIL标准），关于金属氧化的标准
- DOD A-A-51838-1987 牙科研磨的带分类(金属铝氧化物)
