金属 钚 氧化
本专题涉及金属 钚 氧化的标准有88条。
国际标准分类中，金属 钚 氧化涉及到金属的腐蚀、电工器件、有色金属、有色金属产品、航天系统和操作装置、耐火材料、分析化学、半导体分立器件、陶瓷、输电网和配电网、长度和角度测量、核能工程、集成电路、微电子学、热力学和温度测量、表面处理和镀涂、音频、视频和视听工程、光学和光学测量、电子元器件综合、无机化学、管道部件和管道。
在中国标准分类中，金属 钚 氧化涉及到金属化学性能试验方法、电工合金零件、稀有金属及其合金分析方法、贵金属矿、基础标准与通用方法、航天器综合、耐火材料综合、材料防护、避雷器、基础标准与通用方法、半导体三极管、特种陶瓷、硅质耐火材料、高电压设备成套装置、核材料、核燃料及其分析试验方法、输变电设备综合、半导体分立器件综合、半导体集成电路、混凝土制品、温度与压力仪表、核材料、核燃料综合、其他电真空器件、录制设备、光学计量仪器、电子元件综合、继电保护及自动装置、管路附件、日用五金制品、金属物理性能试验方法。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于金属 钚 氧化的标准
- GB/T 38430-2019 金属和合金的腐蚀 金属材料在高温腐蚀条件下的等温暴露氧化试验方法
- GB/T 38231-2019 金属和合金的腐蚀 金属材料在高温腐蚀条件下的热循环暴露氧化试验方法
国家质检总局，关于金属 钚 氧化的标准
- GB/T 13397-2008 合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件
- GB/T 16480.1-1996 金属钇及氧化钇化学分析方法 氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱和氧化镥量的测定
- GB/T 15917.3-1995 金属镝及氧化镝化学分析方法 对氯苯基荧光酮-溴化十六烷基 三甲基胺分光光度法测定钽量
- GB/T 15917.2-1995 金属镝及氧化镝化学分析方法 电感耦合等离子发射光谱法 测定金属镝中铜、钼、镍和钛量
- GB/T 15917.1-1995 金属镝及氧化镝化学分析方法 发射光谱法测定氧化钆、氧化铽、氧化钬、氧化铒和氧化钇量
- GB 13397-1992 合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件
- GB/T 12690.7-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法 X射线荧光光谱法测定金属钕和氧化钕中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钐和氧化钇量
- GB/T 12690.8-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法 发射光谱法测定金属钕及氧化钕中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钐和氧化钇量
- GB/T 12690.3-1990 稀土金属及其氧化物化学分析方法 发射光谱法测定金属铈及氧化铈中氧化镧、氧化镨、氧化钕、氧化钐和氧化钇量
工业和信息化部，关于金属 钚 氧化的标准
- YS/T 3033-2018 黄金选冶金属平衡技术规范 生物氧化工艺
美国材料与试验协会，关于金属 钚 氧化的标准
- ASTM C1817-16 采用重量测定法测定烧结混合氧化 ((U, Pu)O
2 ) 球团中氧金属比 (O/M) 的标准试验方法 - ASTM C1817-15 采用重量测定法测定烧结混合氧化 ((U, Pu)O2) 球团中氧金属比 (O/M) 的标准试验方法
- ASTM F996-11 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界面性能产生的电离辐射感生金属氧化物半导体场应晶体管临界电压偏移分量的标准试验方法
- ASTM F996-10 利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
- ASTM C1430-07(2011)e1 用大气平衡法测定烧结的二氧化铀和氧化钆-二氧化铀颗粒中铀,氧铀比(O/U)和氧金属比(O/M)的标准试验方法
- ASTM C1430-07 用大气均衡法测定烧结的二氧化铀和氧化钆-二氧化铀颗粒中铀、氧铀比(O/U)和氧金属比(O/M)的标准试验方法
- ASTM E1652-00 金属屏蔽的铂电阻温度表、基金属热电耦和贵金属热电偶制造中使用的氧化镁,铝氧化粉和压扁绝缘物的标准规范
- ASTM C1430-00 用大气均衡法测定烧结的二氧化铀和氧化钆-二氧化铀颗粒中铀、氧铀比(O/U)和氧金属比(O/M)的标准试验方法
- ASTM F996-98(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
- ASTM F996-98 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
- ASTM F1330-91(1996) 金属研磨法除去管内氧化皮
- ASTM F1330-91(2006) 金属研磨法除去管内氧化皮
- ASTM F1330-91(2012) 用金属研磨法除去管内氧化皮的标准指南
- ASTM B487-85(2007) 用横断面显微观察法测定金属及氧化层厚度的标准试验方法
- ASTM B487-85(2002) 用横断面显微观察法测定金属及氧化层厚度的标准试验方法
- ASTM B487-85(2013) 用横断面显微观察法测定金属及氧化层厚度的标准试验方法
德国标准化学会，关于金属 钚 氧化的标准
- DIN EN 16602-70-03-2015 航天产品保证. 使用无机染料对金属进行黑色阳极氧化; 英文版本EN 16602-70-03-2014
- DIN EN ISO 21068-3:2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第3部分:氮、氧和金属及氧化成分的测定
- DIN EN 62373-2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
英国标准学会，关于金属 钚 氧化的标准
- BS EN 16602-70-03-2014 航天产品保证. 使用无机染料对金属进行黑色阳极氧化
- BS ISO 21608:2012 金属和合金的腐蚀.金属材料高温腐蚀条件下等温接触氧化测试 用检测方法
- BS DD ISO/TS 25138:2011 表面化学分析.辉光放电发射光谱法分析金属氧化膜
- BS EN ISO 21068-3:2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.氮、氧和金属及氧化成分的测定
- BS EN 62373-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- BS 2569-2-1965 金属喷覆层的规范.高温下钢和铁的抗腐蚀和氧化保护
欧洲标准化委员会，关于金属 钚 氧化的标准
- EN 16602-70-03-2014 航空产品质量保证.金属沾染无机染料出现的阳极氧化
- EN ISO 21068-3:2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第3部分:氮,氧和金属及氧化成分的测定
- prEN 60099-4-1993 避雷器.第4部分:交流系统用无火花隙氧化金属避雷器
韩国科技标准局，关于金属 钚 氧化的标准
- KS L ISO 21068-3:2012 含有碳化硅原材料和耐火制品的化学分析.第3部分:氮、氧和金属及氧化成分的测定
- KS C 4808-2011 配电线路无隙氧化聚合金属避雷器
，关于金属 钚 氧化的标准
- UNI 6404-1969 P 化学和电化表面处理．金属沉淀物和氧化层的局部厚度的测量，取代UNI 4237．微观法
- UNI 5821-1966 粉末冶金．氢重量损失的金属粉末氧化作用程度测定
法国标准化协会，关于金属 钚 氧化的标准
- NF A05-120-2012 金属与合金的腐蚀. 金属材料在高温腐蚀条件下等温暴露氧化试验方法.
- NF B49-423-3-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第3部分:氮、氧和金属及氧化成分的测定
- NF C96-051-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- NF C65-101-1993 电涌放电器.第4部分:交流电系统用无火花隙氧化金属电涌放电器
- NF A91-401-1966 金属表面处理.铝和铝合金的阳极处理.(阳极氧化).试验方法的名称
- NF A91-411-1966 金属表面处理.铝和铝合金的阳极处理（阳极氧化).耐腐蚀的检验
- NF A91-404-1966 金属表面处理.铝和铝合金的阳极处理.(阳极氧化).厚度的测量
国际标准化组织，关于金属 钚 氧化的标准
- ISO 21608:2012 金属和合金的腐蚀.金属材料高温腐蚀条件下等温接触氧化测试 用检测方法
- ISO 21068-3:2008 含有碳化硅原材料和耐火制品的化学分析.第3部分:氮、氧和金属及氧化成分的测定
- ISO 2767:1973 金属表面处理.铝及其合金的阳极氧化.45度镜面反射.总反射.图像清晰度
行业标准-建材，关于金属 钚 氧化的标准
- JC/T 2024-2010 陶瓷金属卤灯用半透明氧化铝管
行业标准-核工业，关于金属 钚 氧化的标准
- EJ/T 1212.1-2008 烧结氧化钆-二氧化铀芯块分析方法.第1部分:烧结氧化钆-二氧化铀芯块氧金属比的测定.平衡气氛法
美国国家标准学会，关于金属 钚 氧化的标准
- ANSI/IEEE C62.11a:2008 交流电源电路(大于1kV)用金属氧化电涌放电器的标准.修改件:电站、中间装置和配电放电器用短路试验
- ANSI/ASTM F1330:1991 金属研磨法除去管内氧化皮指南
美国国防后勤局，关于金属 钚 氧化的标准
- DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 硅单片金属氧化半导体时钟脉冲驱动器,数字微型电路
欧洲电工标准化委员会，关于金属 钚 氧化的标准
- EN 62373-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006
(美国)海军，关于金属 钚 氧化的标准
- NAVY GG-P-455 B NOTICE 4-2003 (感光铝阳极氧化膜)摄影板和金属箔片
- NAVY GG-P-455 B (3)-1995 (感光铝阳极氧化膜)摄影板和金属箔片
- NAVY GG-P-455 B-1967 (感光铝阳极氧化膜)摄影板和金属箔片
国际电工委员会，关于金属 钚 氧化的标准
- IEC 60099-4 AMD 1:1998 电涌放电器.第4部分:交流系统用无火花隙氧化金属电涌放电器.第1次修订
- IEC 60099-4:1991 电涌放电器.第4部分:交流系统用无火花隙氧化金属电涌放电器
行业标准-电子，关于金属 钚 氧化的标准
- SJ/Z 9177-1995 录像机用0.5W、1W、3W金属氧化膜电阻器认定规范
- SJ/T 10619-1995 电子元器件详细规范.功率型固定电阻器.RYG2型金属氧化膜电阻器.评定水平E
- SJ/T 10618-1995 电子元器件详细规范.功率型固定电阻器.RYG1型金属氧化膜电阻器.评定水平E
行业标准-兵工民品，关于金属 钚 氧化的标准
- WJ 461-1995 金属覆盖层.光学仪器用黑色金属氧化层规范
丹麦标准化协会，关于金属 钚 氧化的标准
- DS/EN ISO 8403:1995 金属覆盖层．基材的阳极氧化层．腐蚀试验用的试样等级
- DS/EN ISO 4518:1995 金属和氧化覆盖层．覆盖层厚度测量．表面光度仪法
- DS/EN ISO 1463:1994 金属和氧化覆盖层．覆盖层厚度测量．显微镜法
台湾地方标准，关于金属 钚 氧化的标准
- CNS 12114-1987 金属镀层与金属氧化层用横截面显微镜式厚度测定法
行业标准-轻工，关于金属 钚 氧化的标准
- QB/T 3816-1999 轻工产品金属镀层和铝氧化膜的厚度测试方法.测重法
