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极片阻抗
本专题涉及极片阻抗的标准有60条。
国际标准分类中，极片阻抗涉及到电灯及有关装置、半导体分立器件、有色金属产品、电工和电子试验、表面处理和镀涂、橡胶、电子管、钢铁产品、集成电路、微电子学、绝缘流体、电信设备用部件和附件、复合增强材料、航空航天制造用材料、电磁兼容性(EMC)。
在中国标准分类中，极片阻抗涉及到、电子技术专用材料、半导体二极管、重金属及其合金、半导体三极管、材料防护、橡胶制品综合、医用和食品工业用橡胶制品、电真空器件综合、微电路综合、电缆及其附件、半导体集成电路、航空与航天用金属铸锻材料。
中国团体标准，关于极片阻抗的标准
- T/CSA 047-2019 发光二极管热阻抗测试方法
- T/CEMIA 028-2022 片式电阻用面电极浆料规范
- T/CEMIA 027-2022 片式电阻用背电极浆料规范
行业标准-电子，关于极片阻抗的标准
- SJ 20788-2000 半导体二极管热阻抗测试方法
- SJ 2139-1982 硅稳流二极管动态阻抗的测试方法
- SJ 2148-1982 硅稳流三极管动态阻抗的测试方法
- SJ/Z 9010.9-1987 电子管电性能的测试 第9部分：阴极中间层阻抗的测试
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于极片阻抗的标准
- JEDEC JESD24-12-2004 绝缘双极晶体管的热阻抗测量
- JEDEC JESD24-6-1991 JESD24的补遗－绝缘双极晶体管的热阻抗测量
- JEDEC JESD51-51-2012 用于测量带暴露冷却的发光二极管的实际热阻和阻抗的电气测试方法的实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于极片阻抗的标准
- GB/T 33970-2017 电阻焊电极用Al2O3弥散强化铜片材
美国材料与试验协会，关于极片阻抗的标准
- ASTM B457-67(1998) 铝阳极镀层阻抗测定的标准试验方法
- ASTM B457-67(2008)e1 用于测量铝阳极涂层阻抗的标准测试方法
- ASTM B457-67(2003) 用于测量铝阳极涂层阻抗的标准测试方法
- ASTM B457-67(2018) 用于测量铝阳极涂层阻抗的标准测试方法
- ASTM B457-67(2013) 铝表面阳极镀层阻抗测定的标准试验方法
- ASTM B114-07(2018) 分流器和精密电阻片材温度抗性常数的标准试验方法
台湾地方标准，关于极片阻抗的标准
- CNS 7012-1981 晶体管集基时间常数与共射极输入阻抗电阻部分检验法
RU-GOST R，关于极片阻抗的标准
- GOST 19656.12-1976 超高频混频半导体二极管.输入阻抗测定方法
国际标准化组织，关于极片阻抗的标准
- ISO 2883:1980 硫化橡胶 工业用抗静电和导电制品 极限电阻值
- ISO 2882:1979 硫化橡胶 医院用的抗静电和导电制品 极限电阻值
- ISO 2931:1983 铝和铝合金的阳极氧化 用导纳或阻抗测量法评定阳极氧化膜的封孔质量
国家质检总局，关于极片阻抗的标准
- GB/T 18864-2002 硫化橡胶 工业用抗静电和导电产品 电阻极限范围
PT-IPQ，关于极片阻抗的标准
- NP 2908-1987 阳极化铝．镀层的检验．电阻抗或者透射能力的测量
CEN - European Committee for Standardization，关于极片阻抗的标准
- EN ISO 2931:2018 铝和铝合金.阳极氧化用导纳或阻抗测量法评定阳极氧化膜的封孔质量
ZA-SANS，关于极片阻抗的标准
- SANS 2931:1983 铝及铝合金阳极氧化．用导纳或阻抗测量法评定阳极氧化膜的卦孔质量
CH-SNV，关于极片阻抗的标准
- SNV 81113-1942 铝及铝合金阳极氧化．用导纳或阻抗测量法评定阳极氧化膜的封孔质量
YU-JUS，关于极片阻抗的标准
- JUS N.R1.112-1977 电子管．电气特性测量．电极阻抗、跨导、放大因数、变阻和变频跨导的测量方法
- JUS N.B2.762-1990 低压电气设备．电源自动断路条件的检验．接地电极阻抗测量
上海市标准，关于极片阻抗的标准
- DB31/ 514-1992 硫化橡胶--麻醉机用抗静电和导电橡胶产品--电阻极限值
美国国防后勤局，关于极片阻抗的标准
- DLA SMD-5962-95688 REV D-2007 抗辐射多种频率的高输入阻抗运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-00520 REV E-2010 微电路，数字线性，抗辐射，8 通道源极驱动器，单片硅
- DLA SMD-5962-00520 REV F-2013 微电路，数字线性，抗辐射，8 通道源极驱动器，单片硅
- DLA SMD-5962-00523 REV G-2008 微电路，线性，抗辐射，2.5 V 并联二极管稳压器，单片硅
- DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 微电路，线性，抗辐射，2.5 V 并联二极管稳压器，单片硅
- DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 微电路，线性，抗辐射，2.5 V 并联二极管稳压器，单片硅
- DLA SMD-5962-97512 REV D-2005 抗辐射双多种频率的高输入阻抗未补偿运算放大器,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 微电路、线性、抗辐射、噪声极低的四通道、运算放大器、单片硅
- DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 微电路、线性、抗辐射、噪声极低的四通道、运算放大器、单片硅
- DLA SMD-5962-95671 REV B-2006 抗辐射多种频率的高电阻运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重互补加法变极器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96616 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体旋转六角变极器或缓冲器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95718 REV B-2007 数字的互补金属氧化物半导体闭锁阻抗优先级中段控制器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96774 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位总线收发器，带 25 欧姆串联电阻和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96685 REV C-2003 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16BIT缓冲器或驱动器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-93250 REV A-2005 硅单片,装有三态输出及25欧姆下拉电阻的八位缓冲器/驱动器,改进型肖脱基TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-95606 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路收发器/线路驱动器，带 25 O 系列电阻器和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-05211 REV C-2012 微电路，数字，抗辐射，低压 CMOS，带总线保持的 16 位 D 型锁存器，串联输出电阻器和三态输出，单片硅
- DLA SMD-5962-94587 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、带串联电阻器和三态输出的 16 位同相缓冲器/线路驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96686 REV C-2003 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT三状态输出母线收发器,硅单片电路数字微电路
丹麦标准化协会，关于极片阻抗的标准
- DS/ISO 2931:1988 铝和铝合金的阳极氧化.用测定导纳或阻抗评定封闭的阳极氧化镀层的质量
SE-SIS，关于极片阻抗的标准
- SIS SS-ISO 2931:1984 铝及其合金的阳极氧化．通过测量导纳或阻抗对密封阳极氧化涂层质量的评估
- SIS SS 11 70 34-1980 铝及其合金的阳极氧化．通过测量导纳或阻抗对密封阳极氧化涂层质量的评估
TR-TSE，关于极片阻抗的标准
- TS 3180-1978 铝和铝合金的阳极氧化．用导纳或阻抗测量法评定阳极氧化膜的封孔质量标准
- TS 2449-1976 电子管和电子阀电气性能的测试．第9部分：阴极中间层阻抗的测试
欧洲标准化委员会，关于极片阻抗的标准
- EN ISO 2931:2010 铝和铝合金.阳极氧化用导纳或阻抗测量法评定阳极氧化膜的封孔质量［代替:CEN EN 12373-5］
RO-ASRO，关于极片阻抗的标准
- STAS SR CEI 404-11-1995 磁性材料．第11部分：测定表面的试验方法：磁片和磁条的绝缘抗阻性
国际电工委员会，关于极片阻抗的标准
- IEC TR 62064:1999 射频电缆 表面传输阻抗和屏蔽衰减关系(IEC 61196-1第14章中推荐极限值的背景文件)
河北省标准，关于极片阻抗的标准
- DB13/T 5026.3-2019 石墨烯导电浆料物理性质的测定方法 第3部分：浆料极片电阻率的测定 四探针法
英国标准学会，关于极片阻抗的标准
- BS IEC 62153-4-10:2015 金属通信电缆试验方法. 电磁兼容性 (EMC). 馈通和电磁垫片的传输阻抗和屏蔽衰减. 双同轴试验方法
