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负极极片
本专题涉及负极极片的标准有500条。
国际标准分类中，负极极片涉及到导体材料、电池和蓄电池、钢铁产品、道路工程、半导体材料、半导体分立器件、机床、工业自动化系统、石蜡、沥青材料和其他石油产品、集成电路、微电子学、冶金设备、铺地非织物、电学、磁学、电和磁的测量、光电子学、激光设备、电气工程综合、有色金属、航天系统和操作装置、无屑加工设备、电阻器、粉末冶金、复合增强材料、电灯及有关装置、货物的包装和调运综合、电气设备元件、轴和联轴器、化工生产、土方工程、挖掘、地基构造、地下工程、有色金属产品、建筑工业、试验条件和规程综合、机床装置、电子电信设备用机电元件、电容器、润滑剂、工业油及相关产品、分析化学、医疗设备、环境保护、废物、焊接、钎焊和低温焊、金属的腐蚀、纸和纸板、金属材料试验、信息技术应用、挠性传动和传送、无机化学、无线通信、光学和光学测量、建筑物的防护、建筑物中的设施、数据存储设备、农业机械、工具和设备、航空航天用电气设备和系统、运输、铁路车辆、航空航天制造用材料、道路车辆装置、电工器件、橡胶和塑料制品。
在中国标准分类中，负极极片涉及到、人造板、化学电源、化合物半导体材料、石墨材料、半导体集成电路、数字显示仪表、半导体发光器件、其他电工生产设备、稀土金属及其合金、燃油系统及其附件、微波、毫米波二、三极管、基础标准和通用方法、粉末冶金材料与制品、电光源产品、旋转电机综合、电子技术专用材料、通用零部件综合、半导体光敏器件、地基、基础工程、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、电子测量与仪器综合、特殊炭素材料、金属结构工程、能源综合、机床综合、电子元件综合、半导体二极管、重金属及其合金、开关、电容器、医用射线设备、焊接与切割、金属物理性能试验方法、微电路综合、混凝土制品、数据媒体、医用电子仪器设备、电子束管、无机盐、广播、电视发送与接收设备、加工专用设备、建筑物理、量具、蓄电能装置、交直流电源装置、农机具、照相机与照相器具、电气系统与设备、铁路车辆综合、半导体分立器件综合、车用电子、电气设备与仪表综合、筑路材料、钢板、钢带、航空与航天用金属铸锻材料、继电器、斩波器、合成树脂、塑料基础标准与通用方法。
CZ-CSN，关于负极极片的标准
- CSN 42 3103-1985 铜负极 铜99.90
- CSN 72 5124-1978 粗陶器．在最大负荷下测定极限负荷承受能力
- CSN 73 6190-1980 公路的土壤及路基的静板极负载试验
- CSN 42 8302-1986 热轧铜及铜合金片；板和阳极．尺寸
- CSN 42 1316-1986 铜及铜合金片，板，阳极，带，条，盘和箔片．技术提供代码
- CSN 42 1332-1984 镍和镍合金．片，带和阳极．技术交付代码
- CSN 42 1360-1984 锡和锡合金带；条；阳极和金属箔片．技术提供代码
中国团体标准，关于负极极片的标准
- T/NAIA 0173-2022 硬碳负极材料
- T/ZZB 1302-2019 锂离子电池正极/负极水性粘结剂
- T/QGCML 308-2022 钠离子电池负极材料
- T/NAIA 0172-2022 锂离子电池硅碳负极材料
- T/QGCML 411-2022 锂电池负极材料智能生产线
- T/CPCIF 0251-2023 锂离子电池负极材料用沥青
- T/QGCML 1765-2023 锂离子电池负极材料用沥青
- T/IFP 005-2023 锂离子电池负极用球形石墨
- T/SSEA 0202-2022 锂电池极片轧机轧辊
- T/QDAS 050-2020 二极管扩散片研发规程
- T/HBZXL 011-2023 电池极片辊压机技术条件
- T/CI 051-2023 铝基负极锂离子电池通用技术规范
- T/HEBQIA 197-2023 锂电池石墨负极材料石墨化技术规范
- T/CAS 455-2020 锂离子电池自动极片刮涂机
- T/QGCML 097-2021 二极管扩散片包装技术规范
- T/QGCML 030-2020 二极管扩散片常规电性标准
- T/CEMIA 028-2022 片式电阻用面电极浆料规范
- T/CEMIA 027-2022 片式电阻用背电极浆料规范
- T/SSEA 0201-2022 锂电池极片轧机轧辊用辊坯
- T/FSYY 0055-2021 废锂电池回收技术规范 石墨类负极材料
- T/HEBQIA 094-2022 锂离子电池石墨负极材料生产技术规范
- T/ZZB 1912-2020 多层片式陶瓷电容器电极镍粉
- T/CASME 901-2023 锂电池极片冲切模具技术要求
- T/CSTM 01112-2022 锂离子电池负极材料回收 技术规范 石墨类
- T/LZBX 005-2019 极地工况 工程机械带负载冷起动试验方法
- T/XYXCLM 0002-2022 锂离子电池回收利用 回收及修复石墨负极
- T/SPSTS 004-2018 锂离子电池负极材料回收技术规范（石墨类）
- T/CPCIF 0250-2023 锂离子电池人造石墨类负极材料用原料焦
- T/QDAS 070-2021 二极管扩散片硼扩散液态源配方
- T/COEMA 004LCD-2022 电视用有机发光二极管（OLED）偏光片
- T/ZZB 2332-2021 发光二极管用蓝宝石衬底抛光片
- T/DZJN 74-2022 锂离子电池负极材料企业绿色工厂评价要求
- T/SQIA 058-2023 碳足迹评价技术要求 锂电池正负极功能材料
- T/QGCML 1631-2023 报废锂离子电池负极石墨修复再生技术工艺
- T/DZJN 119-2022 废旧锂离子电池 碳负极材料再生利用技术规范
- T/CIAPS 0027-2023 电池行业能效对标实施指南 第4部分 负极材料
- T/COEMA 003LCD-2022 中小型有机发光二极管（OLED）显示用偏光片
- T/DZJN 114-2022 废旧锂离子电池 极片材料回收技术规范
- T/WHAS 050-2023 双极电凝镊镊片模具成型制作工艺规范
- T/HPAE 0027-2023 绿色设计产品评价技术规范 锂离子电池石墨负极材料
美国国防后勤局，关于负极极片的标准
- DLA SMD-5962-98641 REV B-2009 微电路，线性，稳压器，15 伏，负极，固定，单片硅
- DLA SMD-5962-98642 REV B-2009 微电路，线性，稳压器，5 伏，负极，固定，单片硅
- DLA SMD-5962-98642 REV C-2012 微电路，线性，稳压器，5 伏，负极，固定，单片硅
- DLA SMD-5962-05219 REV D-2011 微电路，混合，双稳压器，正极和负极，可调
- DLA SMD-5962-09206-2009 微电路，混合型，稳压器，正极和负极，可调
- DLA SMD-5962-09206 REV A-2012 微电路，混合型，稳压器，正极和负极，可调
- DLA SMD-5962-05219 REV C-2008 微电路，混合，双稳压器，正极和负极，可调
- DLA MIL-PRF-1/1429 J VALID NOTICE 1-2011 负栅极电子管（微波）7815 型
- DLA MIL-PRF-1/868 F-2008 电子管，负栅极（微波）2C40A 型
- DLA MIL-PRF-1/484 E-2008 电子管，负栅极（微波）6299 型
- DLA MIL-PRF-1/1633 B VALID NOTICE 1-2009 电子管，负栅极（微波）7211 型
- DLA MIL-PRF-1/1470 E-2009 电子管，微波（负栅极）7698 型
- DLA MIL-PRF-1/1657 E-2009 电子管，负栅极（微波）8727 型
- DLA MIL-PRF-1/1330 G NOTICE 1-2012 电子管，负栅极（微波）7486 型
- DLA MIL-PRF-1/1335 H NOTICE 1-2012 电子管，负栅极（微波）7462 型
- DLA MIL-PRF-1/1203 K NOTICE 2-2012 电子管，负栅极（微波）7077 型
- DLA SMD-5962-09201-2009 微电路，混合型，双稳压器，正极和负极，低压差，可调
- DLA SMD-5962-09201 REV A-2009 微电路，混合型，双稳压器，正极和负极，低压差，可调
- DLA SMD-5962-95583 REV B-2008 微电路，数字，双极，TTL，并联负载 8 位移位寄存器，单片硅
- DLA SMD-5962-10213-2012 微电路，混合，双稳压器，3 安培，正极和负极，低压差，可调
- DLA SMD-5962-10213 REV A-2013 微电路，混合，双稳压器，3 安培，正极和负极，低压差，可调
- DLA SMD-5962-88677 REV B-2004 硅单片4位双极微处理器片
- DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 硅单片双极高性能10位缓冲双极数字微电路
- DLA SMD-5962-89490 REV C-2006 双正极和负极的15伏,12伏和5伏的调节器线性混合微电路
- DLA SMD-5962-88677 REV C-2009 微电路，数字，4 位双极微处理器片，单片硅
- DLA SMD-5962-88598 REV A-1990 硅单片双极时钟发生器/微循环长度控制双极化数字微电路
- DLA DSCC-DWG-04052-2006 多阳极高分子钽芯片固定电容器
- DLA MIL-M-38510/10 D VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、TTL、解码器单片硅
- DLA MIL-M-38510/13 G VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、TTL、计数器单片硅
- DLA SMD-5962-86727 REV B-2011 微电路，数字，双极，BCD 计数器单片硅
- DLA MIL-M-38510/210 F-2013 微电路，数字，16,384 位肖特基二极管，双极，可编程只读存储器（PROM），单片硅
- DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 微电路，数字，32,768 位肖特基二极管，双极性，可编程只读存储器（PROM），单片硅
- DLA MIL-M-38510/161 A-2005 单片硅双极TTL普通或门数字微电路
- DLA SMD-5962-87791 REV B-1989 硅单片先入先出两极化数字微电路
- DLA MIL-M-38510/3 G VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、TTL、Nand 缓冲器单片硅
- DLA MIL-M-38510/503 B VALID NOTICE 4-2010 微电路，数字，双极，可编程逻辑，单片硅
- DLA MIL-M-38510/505 C VALID NOTICE 1-2010 微电路，数字，双极可编程逻辑，单片硅
- DLA SMD-5962-86715 REV C-2011 微电路，数字，双极，D 型寄存器，单片硅
- DLA SMD-5962-86728 REV B-2011 微电路，数字，双极，高速寄存器，单片硅
- DLA SMD-5962-87755 REV C-2011 微电路、数字、双极、缓冲寄存器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/3 G (1)-2012 微电路、数字、双极、TTL、NAND 缓冲器单片硅
- DLA SMD-5962-87683 REV D-2013 微电路，数字，双极 ALS TTL，解码器，单片硅
- DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 带小功率肖肯特晶体管,正极与非门及单硅片的高级双极数字微电路
- DLA SMD-5962-85065 REV A-1988 硅单片可编程逻辑,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-87755 REV B-2005 硅单片缓冲记数器两极化数字微电路
- DLA SMD-5962-88515-1988 硅单片可编程逻辑两极化数字微电路
- DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 硅单片,双极追踪稳压器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-88604 REV B-2007 硅单片双向收发器双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-88666-1988 硅单片中断处理程序双极数字微电路
- DLA SMD-5962-88763-1990 硅单片双极性跟踪稳压器线性微电路
- DLA SMD-5962-89549-1989 硅单片阴影调节管道双极数字微电路
- DLA SMD-5962-86023 REV D-2011 微电路、存储器、数字、双极 256 位 RAM、单片硅
- DLA SMD-5962-86051 REV D-2011 微电路、存储器、数字、双极 64 位 RAM、单片硅
- DLA MIL-M-38510/9 E VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极 TTL、移位寄存器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/150 D VALID NOTICE 1-2009 微电路，数字，双极，TTL，幅度比较器，单片硅
- DLA SMD-5962-86725 REV B-2009 微电路，数字，双极，八进制缓冲器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/22 D VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、高速 TTL、触发器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/80 F VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、肖特基 TTL 和门、单片硅
- DLA SMD-5962-78015 REV J-2010 微电路，数字，双极，存储器，64 位 RAM，单片硅
- DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 微电路，线性，双极性跟踪稳压器，单片硅
- DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 微电路，线性，双极性跟踪稳压器，单片硅
- DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 微电路，线性，双极性跟踪稳压器，单片硅
- DLA SMD-5962-81035 REV E-1988 硅单片可编程序逻辑双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-78017 REV G-2006 硅单片微程序控制器,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-87769 REV A-2001 硅单片双线路驱动器两极化数字微电路
- DLA SMD-5962-87772-1988 硅单片加法器收发器两极化数字微电路
- DLA SMD-5962-95567 REV A-2002 闭环极速缓冲器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-98640 REV B-2009 微电路，线性，稳压器，15 伏，正极，固定，单片硅
- DLA SMD-5962-98643 REV C-2012 微电路，线性，稳压器，5 伏，正极，固定，单片硅
- DLA SMD-5962-91523 REV C-2013 微电路，线性，稳压器，正极，20 V 固定，单片硅
- DLA SMD-5962-87671 REV F-2008 微电路、存储器、数字、双极、编程逻辑、单片硅
- DLA SMD-5962-86714 REV C-2009 微电路，数字，双极，四路总线收发器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/25 E VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、TTL、低功率、计数器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/21 F VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、TTL、低功率、触发器、单片硅
- DLA SMD-5962-87534 REV D-2011 微电路，数字，双极，四路总线收发器，单片硅
- DLA SMD-5962-96843 REV D-2008 微电路，线性，电压参考二极管，1.2 伏，单片硅
- DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 微电路、线性、双极、RF/IF 放大器，带 AGC，单片硅
- DLA DSCC-DWG-13008-2013 电容器，固定，多阳极钽，芯片，保形涂层外壳
- DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 硅单片高速电压比较器,双极线性微型电路
- DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 硅单片可编程逻辑,双极数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-88507 REV A-2001 硅单片现场可编程序器两极化数字微电路
- DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 硅单片双极十六进制NTDS驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 硅单片双极十六进制NTDS接收器线性微电路
- DLA SMD-5962-98647 REV B-2010 微电路，线性，稳压器，正极，可调，低压差，单片硅
- DLA SMD-5962-98648 REV B-2011 微电路，线性，稳压器，正极，可调，低压差，单片硅
- DLA SMD-5962-98650 REV B-2011 微电路，线性，稳压器，正极，可调，低压差，单片硅
- DLA SMD-5962-98649 REV C-2012 微电路，线性，稳压器，正极，可调，低压差，单片硅
- DLA SMD-5962-02524 REV G-2013 微电路，线性，正极，可调，低压差，稳压器，单片硅
- DLA SMD-5962-81036 REV M-2010 微电路、存储器、数字、双极、可编程逻辑、单片硅
- DLA SMD-5962-88541 REV C-2010 微电路、存储器、数字、双极、512 X 4 位 PROM、单片硅
- DLA SMD-5962-87791 REV D-2012 微电路、存储器、数字、双极、先进先出（FIFO）、单片硅
- DLA SMD-5962-87788 REV E-2013 微电路、存储器、数字 256 X 4 位、双极 PROM、单片硅
- DLA SMD-5962-03202 REV A-2008 微电路，存储器，数字，1024 X 8 位双极 PROM，单片硅
- DLA SMD-5962-03203 REV A-2008 微电路，存储器，数字，2048 X 8 位双极 PROM，单片硅
- DLA SMD-5962-84129 REV F-2009 微电路、存储器、数字、双极、可编程逻辑、单片硅
- DLA SMD-5962-87791 REV C-2010 微电路、存储器、数字、双极、先进先出（FIFO）、单片硅
- DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 1-2008 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，或门，单片硅
- DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 微电路，数字，双极高性能 10 位缓冲器，单片硅
- DLA SMD-5962-87542 REV C-2009 微电路、数字、双极、三态优先级编码器、单片硅
- DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 微电路，数字，双极性，8 位等于比较器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/75 C VALID NOTICE 1-2010 微电路，数字，双极，肖特基 TTL，专用或门，单片硅
- DLA SMD-5962-86868 REV C-2011 微电路、数字、双极、八进制总线收发器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/600 VALID NOTICE 4-2012 微电路、数字、双极、半定制（门阵列）设备、单片硅
- DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，或门，单片硅
- DLA SMD-5962-89520 REV D-2008 微电路，线性，可调正极，低压差，稳压器，单片硅
- DLA SMD-5962-89521 REV F-2008 微电路，线性，可调，正极，低压差，稳压器，单片硅
- DLA SMD-5962-88646 REV G-2008 微电路，线性，可调，正极，低压差，稳压器，单片硅
- DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 硅单片,集电极开路输出,八位总线收发器,低功率改进型肖特基TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 硅单片,装有集电极开路输出八位缓冲器/驱动器,改进型肖脱基TTL双极数字微型电路
- DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 固定极化电解质氧化铝及SNAP安装薄片电容器
- DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 硅单片可编程序逻辑双极数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90513-1990 硅单片,奇偶位总线收发器,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 硅单片,四重肖脱基二极管阵列,线性微型电路
- DLA SMD-5962-90573-1991 硅单片,ECL可编程逻辑设置,双极记忆微型电路
- DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 硅单片动态记忆体控制器双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-93226 REV H-2006 硅单片,双信道总线收发器,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-97548 REV A-2006 同步4-BIT计数器硅单片电路数字双极微电路
- DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL、与非门、单片硅
- DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、解码器、单片硅
- DLA SMD-5962-01507 REV A-2008 微电路、数字、双极、高速前瞻进位发生器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/12 J VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、TTL、单稳态多谐振荡器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/81 D VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、肖特基 TTL、线路驱动器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/82 C VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、肖特基 TTL、幅度比较器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/74 C VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、肖特基 TTL 和/或反相门、单片硅
- DLA MIL-M-38510/310 D VALID NOTICE 2-2012 微电路、数字、双极低功耗肖特利 TTL 和单片硅门
- DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL、与非门、单片硅
- DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、解码器、单片硅
- DLA SMD-5962-88550 REV D-2008 单片硅D型触发器,边沿触发双极数字微电路
- DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 硅单片,集电极开路输出及八位总线收发器,低功率改进型肖特基TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-00516 REV B-2002 单片硅线性微电路正极的5V可调精密电压基准
- DLA SMD-5962-02534 REV D-2006 单片硅线性微电路正极固定的2.5V低压降稳压器
- DLA SMD-5962-02535 REV D-2006 单片硅线性微电路正极固定的3.3V低压降稳压器
- DLA SMD-5962-02536 REV D-2006 单片硅线性微电路正极固定的 5V低压降稳压器
- DLA SMD-5962-95527-1994 7通道共源极功率陈列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88550 REV C-2001 硅单片D型触发器边缘触发两极化数字微电路
- DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 硅单片双极十六进制NTDS快速驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-89479 REV C-2002 硅单片正极10伏可调精密电压基准线性微电路
- DLA SMD-5962-97572 REV A-2006 四重2输入排外的硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-85065 REV B-2010 微电路、存储器、数字、双极、可编程逻辑阵列、单片硅
- DLA SMD-5962-87528 REV A-2011 微电路、存储器、数字、双极可编程逻辑阵列、单片硅
- DLA SMD-5962-87530 REV A-2011 微电路、存储器、数字、双极可编程逻辑阵列、单片硅
- DLA SMD-5962-85527 REV C-2010 微电路、存储器、数字、双极、2K x 8 位、注册 PROM、单片硅
- DLA SMD-5962-87794 REV C-2008 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，NOR 驱动器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 1-2009 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，专用或门，单片硅
- DLA SMD-5962-87711 REV B-2009 微电路，数字，双极，TTL，双单稳态多谐振荡器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/151 B VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、TTL、施密特触发器与非门、单片硅
- DLA SMD-5962-76020 REV H-2010 微电路，数字，双极低功耗肖特基 TTL，与非门，单片硅
- DLA MIL-M-38510/230 A VALID NOTICE 4-2010 微电路、数字、双极 256 位随机存取存储器（RAM）单片硅
- DLA SMD-5962-86726 REV C-2011 微电路，数字，双极，12 输入奇偶校验/发生器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/302 D VALID NOTICE 2-2012 微电路、数字、双极低功耗肖特基 TTL、缓冲器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/327 B VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、计数器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，专用或门，单片硅
- DLA MIL-S-83731/21 A-1987 开关杆和开关屏密封的小型扳钮开关,4极逻辑负载5安培
- DLA SMD-5962-87767 REV B-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、八路缓冲器和具有集电极开路输出的线路驱动器、单片硅
- DLA SMD-5962-87767 REV A-2001 硅单片八进制缓冲器和线路驱动器与开放式集电极输出TTL肖特基促进两极化数字微电路
- DLA SMD-5962-76018 REV H-2005 硅单片锁存器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-76032 REV E-2005 硅单片计算器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-76036 REV E-2006 硅单片计算器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-77001 REV G-2005 硅单片计算器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-77010 REV G-2005 硅单片计数器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-00523 REV F-2006 单片硅辐射硬化线性微电路 2.5V并联二极管调节器
- DLA SMD-5962-94676 REV F-2005 极速的硅单片电路电流反馈(回授)放大线型微电路
- DLA SMD-5962-88504 REV D-2006 硅单片现场可编程逻辑阵列(FPLA)两极化数字微电路
- DLA SMD-5962-92319 REV A-2004 硅单片,异或门,低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-96756 REV B-2007 极可调整电流反馈放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 四重2输入阳性与门硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 四重2输入阳性与门硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 三重3输入阳性与门硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-86025 REV F-2011 微电路、存储器、数字、双极、16 字、4 位、2 端口、RAM、单片硅
- DLA SMD-5962-90573 REV A-2012 微电路、存储器、数字、双极、ECL、可编程逻辑器件、单片硅
- DLA SMD-5962-88731 REV B-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基、TTL、六角驱动器、单片硅
- DLA SMD-5962-95580 REV B-2008 微电路、数字、双极、TTL、数据选择器/多路复用器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL、八路缓冲器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 1-2008 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，与或反相门，单片硅
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- DLA SMD-5962-88707 REV D-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、PI-BUS 收发器、单片硅
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- DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL 和/或反相门、单片硅
- DLA SMD-5962-00520 REV F-2013 微电路，数字线性，抗辐射，8 通道源极驱动器，单片硅
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- DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 微电路，线性，抗辐射，2.5 V 并联二极管稳压器，单片硅
- DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 微电路，线性，抗辐射，2.5 V 并联二极管稳压器，单片硅
- DLA MIL-DTL-83731/21 B-2010 开关、拨动开关、微型、杠杆密封、面板密封、四极逻辑负载至 5 安培
- DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 硅单片双极场效应晶体管运算扬声器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-01507-2001 单片硅两极化的数字微电路高速率预测进位发生器
- DLA SMD-5962-89558 REV A-2005 硅单片肖特基TTL促进接收器/调节器双极数字微电路
- DLA SMD-5962-88555 REV C-2001 硅单片D型调节器肖特基TTL促进双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 双极晶体管四倍2输入阳性硅单片电路线型微电路
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- DLA SMD-5962-88707 REV C-1992 硅单片PI总线收发器肖特基TTL促进双极数字微电路
- DLA SMD-5962-89525 REV B-2004 硅单片总线接口触发器肖特基促进双极数字微电路
- DLA SMD-5962-97547 REV A-2006 低功率4-BIT数量比较器硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 单稳多谐振荡器晶体管硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 8输入阳性与门晶体管硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-91761 REV A-2008 微电路.数字发射极耦合逻辑200MHz 10/11单片双模分频器
- DLA SMD-5962-88507 REV B-2011 微电路、存储器、数字、双极、现场可编程序列器（FPLS）、单片硅
- DLA MIL-M-38510/202 B VALID NOTICE 3-2010 微电路，数字，1024 位双极可编程只读存储器（P-ROM），单片硅
- DLA MIL-M-38510/329 B VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、奇偶校验器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/338 B VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、算术逻辑单元、单片硅
- DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 微电路、数字、双极性、高级肖特基、TTL、D 型寄存器、单片硅
- DLA SMD-5962-86838 REV D-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、或非门、单片硅
- DLA MIL-M-38510/341 F VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级、肖特基 TTL、触发器、可级联、单片硅
- DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、二进制计数器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/344 A VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、十进制计数器、单片硅
- DLA SMD-5962-76037 REV G-2009 微电路，数字，双极，低功耗肖特基 TTL，多路复用器，单片硅
- DLA SMD-5962-88709 REV A-2010 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，2 输入或非门，单片硅
- DLA SMD-5962-88712 REV A-2010 微电路，数字，双极，高级肖特基，8 位身份比较器，单片硅
- DLA SMD-5962-86840 REV F-2011 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、计数器、单片硅
- DLA SMD-5962-88774 REV C-2011 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，双与或反相门，单片硅
- DLA SMD-5962-89438 REV B-2012 微电路，数字，双极，高级肖特基，TTL，10 同相寄存器，单片硅
- DLA SMD-5962-89558 REV B-2012 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、收发器/寄存器、单片硅
- DLA SMD-5962-86844 REV E-2013 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、或非门、单片硅
- DLA SMD-5962-86865 REV E-2013 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、与非门、单片硅
- DLA SMD-5962-86866 REV D-2013 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、解码器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/329 B VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、奇偶校验器、单片硅
- DLA SMD-5962-87544 REV D-2013 微电路，数字，双极同步四位二进制增减计数器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/341 F VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级、肖特基 TTL、触发器、可级联、单片硅
- DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、二进制计数器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/344 A VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、十进制计数器、单片硅
- DLA MS90311 REV K (1)-2010 开关，肘节，正断路，微型肘节密封，焊片，双极，.469 安装套管
- DLA SMD-5962-76014 REV G-2005 硅单片先行加法器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-76016 REV J-2005 硅单片多路复用器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-76019 REV H-2005 硅单片多路复用器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-76037 REV F-2003 硅单片多路复用器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 硅单片64比特双极随机存取存储器,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-83022 REV J-2005 硅单片计数器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-84013 REV F-2005 硅单片收发器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-84154 REV D-2005 硅单片自记器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-88710-1988 硅单片8位身份比较器肖特基TTL促进双极数字微电路
- DLA SMD-5962-88752 REV C-2003 硅单片十六进制逆变器肖特基TTL促进双极数字微电路
- DLA SMD-5962-88774 REV B-2005 硅单片双或反转通道肖特基TTL促进双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-88729 REV B-2008 单片硅六反相驱动器改进的肖特基TTL双极数字微电路
- DLA SMD-5962-95575 REV B-2008 微电路、数字、双极、TTL、带预设和透明单片硅的双 JK 触发器
- DLA SMD-5962-95581 REV B-2008 微电路、数字、双极、TTL、4 线至 16 线解码器/解复用器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/320 D (1)-2008 微电路，数字，双极低功耗肖特基 TTL，计数器，可级联，单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/09610-2008 微电路，数字，三重缓冲器/驱动器，带漏极开路输出，单片硅
- DLA MIL-M-38510/335 C VALID NOTICE 1-2008 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，四路，2 输入或门，单片硅
- DLA SMD-5962-88522 REV B-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、2 输入和驱动器单片硅
- DLA SMD-5962-87543 REV C-2009 微电路，数字，双极，九输入奇偶校验检查器/发生器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/301 F VALID NOTICE 1-2009 微电路，数字，双极低功耗肖特基 TTL，触发器，可级联，单片硅
- DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 1-2009 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，8 位身份比较器，单片硅
- DLA SMD-5962-88710 REV A-2010 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，8 位身份比较器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/331 A VALID NOTICE 4-2012 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、触发器、可级联、单片硅
- DLA SMD-5962-89553 REV B-2012 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、八路总线收发器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/320 D VALID NOTICE 1-2013 微电路，数字，双极低功耗肖特基 TTL 计数器，可级联，单片硅
- DLA MIL-M-38510/316 E VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、可级联锁存器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/325 D VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、低功耗、肖特基 TTL、触发器、可级联、单片硅
- DLA MIL-M-38510/335 C VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，四路，2 输入或门，单片硅
- DLA MIL-M-38510/301 F VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极低功耗肖特基 TTL，触发器，可级联，单片硅
- DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，8 位身份比较器，单片硅
- DLA MS90310 REV J (1)-2012 开关，肘节，主动断开，微型，肘节密封，焊片，单极，.469 安装套管
- DLA MS90311 REV M (1)-2012 开关，肘节，主动断开，微型肘节密封，焊片，双极，.469 安装套管
- DLA SMD-5962-77009 REV E-2005 硅单片十进制计数器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-78026 REV D-2004 硅单片十进制计数器,肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-84145 REV D-2005 硅单片或驱动器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-00507 REV A-2004 单片硅数字微电路两极化TTL / DTL兼容可编程定时器/计数器
- DLA SMD-5962-89573 REV D-2006 硅单片,8位通用寄存器,改进型肖特基双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-89754 REV B-2004 硅单片,收发器/寄存器,改进型肖特基TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-88522 REV A-2001 硅单片2输入和驱动器促进肖特基TTL两极化数字微电路
- DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 硅单片512 X 4位双极可编程序的只读存储器数字微电路
- DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 硅单片双极四方十六进制NTDS快速/重新接收器线性微电路
- DLA SMD-5962-88709-1988 硅单片2输入与非无通道肖特基TTL促进双极数字微电路
- DLA SMD-5962-88722-1988 硅单片缓冲器/线路驱动器肖特基促进双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-89438 REV A-2004 硅单片10倍放大镜调节肖特基TTL促进双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-89553 REV A-2005 硅单片八进制总线收发器肖特基TTL促进双极数字微电路
- DLA SMD-5962-89555 REV B-1992 硅单片八进制调节收发器肖特基TTL促进双极数字微电路
- DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 四重2输入阳性与门晶体管硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 三重3输入阳性与门晶体管硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-90937 REV C-2008 TTL兼容单片硅四总线缓冲门三态输出双极CMOS数字微电路
- DLA MIL-M-38510/204 F-2009 微电路，数字，2048 位，肖特基，双极，可编程只读存储器（PROM），单片硅
- DLA MIL-M-38510/209 E VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、8192 位肖特基、双极、可编程只读存储器（Prom）、单片硅
- DLA MIL-M-38510/210 E VALID NOTICE 1-2011 微电路、数字、16,384 位肖特基、双极、可编程只读存储器（PROM）单片硅
- DLA MIL-M-38510/203 E VALID NOTICE 1-2012 微电路，数字，1024 位肖特基，双极，可编程只读存储器（Prom），单片硅
- DLA MIL-M-38510/209 G-2013 微电路，数字，8192 位，肖特基，双极，可编程只读存储器（PROM），单片硅
- DLA SMD-5962-88718 REV C-2013 微电路、数字、高速 CMOS、带漏极开路输出的六角反相器、单片硅
- DLA SMD-5962-95582 REV B-2008 微电路、数字、双极、TTL、双 2 线至 4 线解码器/解复用器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、移位寄存器、可级联、单片硅
- DLA SMD-5962-89555 REV C-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基、TTL、八进制寄存收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-88627 REV C-2009 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，8 位二进制计数器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/502 A VALID NOTICE 1-2010 微电路，数字，双极场可编程逻辑阵列（FPLA）16 x 48 x 8，单片硅
- DLA SMD-5962-88556 REV B-2011 微电路，数字，高速 CMOS，模拟复用器/解复用器，双极四位，单片硅
- DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 微电路、数字、双极性、高级肖特基、TTL、总线接口触发器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、移位寄存器、可级联、单片硅
- DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 微电路、线性、抗辐射、噪声极低的四通道、运算放大器、单片硅
- DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 微电路、线性、抗辐射、噪声极低的四通道、运算放大器、单片硅
- DLA MS14003 REV J-2011 开关，肘节，主动断开，环境密封，焊片，四极，0.469 安装套管，25 安培
- DLA SMD-5962-89950 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有同步复位清除键的双重负边缘触发型JK触发器,改进型肖脱基TTL,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-84000 REV D-2005 硅单片J-K触发器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-84012 REV G-2005 硅单片透明锁存器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-84030 REV E-2005 硅单片总线接收器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-84135 REV E-2005 硅单片多路复用器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-84143 REV F-2005 硅单片多路复用器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 极速的硅单片输出箝位电路电流反馈(回授)放大线型微电路
- DLA SMD-5962-89757 REV B-2004 硅单片,8位量值比较器,改进型肖特基TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-87794 REV B-2001 硅单片无驱动器TTL驱动程序肖特基促进两极化数字微电路
- DLA SMD-5962-90503 REV C-2004 硅单片,8位存储寄存器,低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 硅单片阳性NAND通道低功率肖特基TTL促进双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 硅单片阳性NAND通道低功率肖特基TTL促进双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-88596 REV C-2001 硅单片缓冲/驱动器低功率肖特基TTL促进双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-88621 REV B-2000 硅单片2输入独占或通道肖特基TTL促进双极化数字微电路
台湾地方标准，关于负极极片的标准
- CNS 7218-1981 磁极用硅钢片
- CNS 13808-1997 发光二极管磊芯片
- CNS 12214-1988 齿轮油于齿轮箱内之负荷及极压试验法（高速及陡震负荷试验）
- CNS 13806-1997 发光二极管磊芯片发光波长与亮度量测法
- CNS 12213-1988 齿轮油于齿轮箱内之负荷及极压试验法（高速–低扭矩，低速–高扭矩试验）
韩国科技标准局，关于负极极片的标准
- KS F 2310-2000 路面板极负载测试方法
- KS F 2310-1985 路面板极负载测试方法
- KS C 2712-2001 负极温度系数热敏电阻器测试方法
- KS C IEC 60613:2003 医疗诊断用旋转阳极X射线管的电、热和负载性能
- KS C IEC 60613:2017 医疗诊断用旋转阳极X射线管的电、热和负载性能
- KS F 2339-2007 飞机场及公路评估及设计用土和柔性路面非反复板极负载测量方法
- KS F 2338-2007 飞机场及公路评估及设计用土和柔性路面反复性板极负载测量方法
- KS F 2339-1982 飞机场及公路评估及设计用土和柔性路面非反复板极负载测量方法
- KS F 2338-1982 飞机场及公路评估及设计用土和柔性路面反复性板极负载测量方法
HU-MSZT，关于负极极片的标准
- MSZ 11026-1964 纤维板，木片负债表，资产负债表摘要及其检查人工原材料耐火极限
- MNOSZ 10538-1953 运输设备以及钢索施工极点内的1－16吨，直到绳负荷
- MSZ 10906/4.lap-1963 电动管道电力标志尺寸模式．相对于网格阴极产生负面潜在的计量
行业标准-轻工，关于负极极片的标准
- QB/T 2459.2-1999 LR6、LR03碱性锌锰电池.负极底
- QB/T 2459.2-2011 碱性锌-二氧化锰电池零配件 第2部分：负极底
- QB/T 2459.2-2022 碱性锌-二氧化锰电池零配件 第2部分：负极底
行业标准-电子，关于负极极片的标准
- SJ/T 11470-2014 发光二极管外延片
- SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法
- SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
- SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
- SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
- SJ/T 31210-1994 阴极圆片焊接机完好要求和检查评定方法
- SJ/T 11869-2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范
- SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范
- SJ/T 11818.2-2022 半导体紫外发射二极管 第2部分：芯片规范
- SJ/T 11867-2022 硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范
- SJ/T 31321-1994 极片冲切机、盖组合铆接机完好要求和检查评定方法
- SJ/T 31212-1994 阴极外套管与瓷片铆接机完好要求和检查评定方法
河北省标准，关于负极极片的标准
- DB13/T 1513-2012 电池极片辊压设备
RO-ASRO，关于负极极片的标准
- STAS 11200/6-1978 图形符号．负极性的图形符号
国家质检总局，关于负极极片的标准
- GB/T 24533-2009 锂离子电池石墨类负极材料
- GB/T 24533-2019(英文版) 锂离子电池用石墨负极材料
- GB/T 26412-2010(英文版) 镍氢电池负极用稀土基AB5储氢粉
- GB/T 30836-2014 锂离子电池用钛酸锂及其炭复合负极材料
- GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范
- GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范
- GB/T 31963-2015 金属氢化物-镍电池负极用稀土镁系超晶格贮氢合金粉
- GB/T 26412-2010 金属氢化物-镍电池负极用稀土系AB<下标5>型贮氢合金粉
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于负极极片的标准
- GB/T 24533-2019 锂离子电池石墨类负极材料
- GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法
- GB 24427-2021 锌负极原电池汞镉铅含量的限制要求
美国材料与试验协会，关于负极极片的标准
- ASTM F970-07 静态负载极限的标准测试方法
- ASTM F970-00 静态负载极限的标准测试方法
- ASTM F970-17 静态负载极限的标准测试方法
- ASTM F970-22 静态负载极限的标准测试方法
ECIA - Electronic Components Industry Association，关于负极极片的标准
- 535ABAE-1987 带非固体电解质和多孔阳极银外壳的固定钽电容器 轴向引线 弹性密封 极化 镍正极 铜负极引线 绝缘
福建省地方标准，关于负极极片的标准
- DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片
- DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法
工业和信息化部，关于负极极片的标准
- JB/T 14230-2022 锂离子电池极片涂布机
- XB/T 702-2022 金属氢化物-镍电池负极用稀土系贮氢合金粉电化学性能的测试 三电极体系测试法
江西省标准，关于负极极片的标准
- DB36/T 690-2012 镍氢电池负极材料用贮氢合金粉
- DB36/T 816-2014 镍氢电池负极材料用AB3型贮氢合金粉
(美国)海军，关于负极极片的标准
- NAVY MIL-P-17689 NOTICE 3-2003 N-5型双基极片状推进剂
- NAVY MIL-P-17689 VALID NOTICE 1-1975 N-5型双基极片状推进剂
- NAVY MIL-P-17689-1953 N-5型双基极片状推进剂
- NAVY GG-P-455 B NOTICE 4-2003 (感光铝阳极氧化膜)摄影板和金属箔片
- NAVY GG-P-455 B (3)-1995 (感光铝阳极氧化膜)摄影板和金属箔片
- NAVY GG-P-455 B-1967 (感光铝阳极氧化膜)摄影板和金属箔片
广东省标准，关于负极极片的标准
- DB44/T 1630-2015 3528/5050封装型片式发光二极管
- DB44/T 1372-2014 电动汽车用锂离子动力蓄电池正负极材料通用技术要求
德国标准化学会，关于负极极片的标准
- DIN 42026-4:1982 永磁换向片.可见缺陷极限值
- DIN 743-4:2012 轴和柄负载能力的计算.第4部分:疲劳极限、持久极限.等效破坏连续应力
- DIN 18134:2012 土壤.试验程序和试验设备.板极负载试验
- DIN 18134:2001 土壤.试验程序和试验设备.板极负载试验
- DIN 804:1977 机床.机床的负荷转数.标称值、极限值、传动比
- DIN 743-4:2012-12 轴和车轴负载能力的计算 第4部分：疲劳极限、持久极限 等效破坏性连续应力
- DIN 41618-1:1966 刀片接触面2.5mm×1mm多极连接器.尺寸
- DIN 804:1977-03 机械工具;机床的负载速度；标称值、极限值、传动比
- DIN 41622-1:1965-01 带片状触点 3 × 1 mm 的多极连接器；方面
- DIN 41618-1:1966-10 带刀片触点 2.5 mm × 1 mm 的多极连接器；方面
- DIN 41618-3:1974-05 带刀片触点 2.5 mm × 1 mm 的多极连接器；定位和制动部件
- DIN 72585-1:1996 道路车辆.带插销和卡口耦合器的4至6极高负载电气连接器.尺寸
- DIN 45910-127:1994-01 电子元件质量评估协调制度；详细规格：非固体电解质极性铝电解电容器，DC 40至100 V（适用于V ac负载，不使用极化电位），通用...
- DIN EN 2996-006:2023-06 航空航天系列 断路器 三极 温度补偿 额定电流 1 A 至 25 A 零件 006：6,3mm 和2.8mm 片形端子 带极化信号触点 产品标准
欧洲电工电子元器件标准，关于负极极片的标准
- EN 120006:1992 空白详细规范:光纤用正-本-负光电二极管
- CECC 16 303-801 ISSUE 1-1995 1/2立方英寸单稳态2极转换10 A电动机械全部或无重负荷继电器(En)
AASHTO - American Association of State Highway and Transportation Officials，关于负极极片的标准
- DIVISION I 5.13-1996 极限状态 负载因子和阻力因子（1997 年中期）
美国电子元器件、组件及材料协会，关于负极极片的标准
- EIA_ECA-956-2006 聚合物阴极铝电解片式电容器
- EIA/ECA-956-2006 聚合物阴极铝电解片式电容器
- EIA_ECA-953-2006 带聚合物阴极的模制钽芯片电容器
- EIA/ECA-953-2006 带聚合物阴极的模制钽芯片电容器
- EIA/ECA-955-2007 聚合物阴极表面贴装铝电解片式电容器（合格规范）
- ECA EIA/ECA-955-2007 带聚合物阴极的表面安装铝电子芯片电容器(鉴定规范)
RU-GOST R，关于负极极片的标准
- GOST 18986.12-1974 遂道式半导体二极管.过渡负导纳测量方法
- GOST 13648.2-1968 纸板.在静力挠曲下负载能力和强度极限测定法
- GOST 592-1981 片式链轮.齿形计算及设计方法.极限偏差
国际标准化组织，关于负极极片的标准
- ISO/TR 11069:1995 铝结构 材料和设计 静态负荷下的极限状态
- ISO 22426:2020 基于试片测量的阴极保护效果评估
- ISO/TR 11069:1995/Cor 1:1996 铝结构 材料和设计 静态负荷下的极限状态 技术勘误1
- ISO 10988:2011 植物保护设备.背负式机动风送喷雾器.试验方法与性能极限
NO-SN，关于负极极片的标准
- NS 4036-1982 平肩带和吊索 工作负荷极限（WLL）的颜色编码
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于负极极片的标准
- QC 300202/US 0005-1985 电子设备使用规范：详细规范：带非固体电解质和多孔阳极的固定钽电容器；银色外壳 轴向引线 弹性密封 极化 镍正极 铜负极绝缘引线
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于负极极片的标准
- GB/T 33970-2017 电阻焊电极用Al2O3弥散强化铜片材
- GB/T 33827-2017 锂电池用纳米负极材料中磁性物质含量的测定方法
美国电子元器件、组件及材料协会，关于负极极片的标准
- ECA 535ABAE-1987 非固体电解质和多孔阳极的银的情况下,轴向铅,橡胶密封,两极化,积极镍,铜的负面线索,绝缘的固定钽电容器
行业标准-医药，关于负极极片的标准
- YY/T 0064-2004 医用诊断旋转阳极X射线管电、热及负载特性
法国标准化协会，关于负极极片的标准
- NF A81-304:1994 手工金属弧电极用药皮电极棒.化学分析用的焊接金属垫片的沉积
- NF EN ISO 2128:2010 铝及其合金的阳极氧化.阳极层厚度的测定.光学切片显微镜无损方法
- NF C74-114:1992 医疗诊断用旋转阳极射线管的电动、热量和负荷特性
- NF EN 13001-3-2:2014 悬挂负载起重机 - 总体设计 - 第 3-2 部分：极限状态和钢缆适用性验证
- FD R13-438:1996 道路车辆 带外壳锁定的多极 3 mm 扁平插片连接 维度特征
国际电工委员会，关于负极极片的标准
- IEC 60613:1989 医用诊断旋转阳极X射线管的电、热和负载特性
WRC - Welding Research Council，关于负极极片的标准
- BULLETIN 304-1985 4-IN 上分支力矩负载的实验极限耦合 ANSI B16.9 三通
澳大利亚标准协会，关于负极极片的标准
- AS/NZS 4394:1996 医用诊断旋转阳极X射线管的电、热和负载特性
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于负极极片的标准
- JEDEC JESD2-1982 片式载体的数字双极逻辑引出端排列
- JEDEC JESD51-50-2012 单芯片和多芯片、单 PN 结和多 PN 结发光二极管（LED）的热测量方法概述
英国标准学会，关于负极极片的标准
- BS ISO 22426:2020 基于挂片测量评估阴极保护的有效性
- BS G 142:1953 航空用超低电压直流系统重负载电磁驱动的单极断路器规范
行业标准-有色金属，关于负极极片的标准
- YS/T 484-2005 金属氢化物 镍电池负极用储氢合金 比容量的测定
欧洲电工标准化委员会，关于负极极片的标准
- EN 60613:2010 医疗诊断用旋转阳极X射线管的电热和负载性能
欧洲标准化委员会，关于负极极片的标准
- EN 60613:1990 医疗诊断用旋转阳极X射线管的电热和负载性能
- EN 28073:1991 道路车辆 扁平、快速连接端接 第1部分：单极连接片
- EN 15528:2015 铁路应用.管理车辆和基础设施的负荷极限之间接口的线路类别
YU-JUS，关于负极极片的标准
- JUS N.S5.208-1985 医疗诊断用旋转阳极x射线管的电气、热和负载特性
- JUS N.R2.624-1980 带烧结阳极和固体定电解质的极性钽电容器，无防护层．钽薄片电容器（类型3A2）6，3到35V d．c．气候严酷度：55/125
BE-NBN，关于负极极片的标准
- NBN-EN 60613-1994 医疗诊断用旋转阳极X射线管的电，热和负载特性值
- NBN-EN 28092-1-1992 运输工具．用滑片快速连接．第1部分：单极连接用滑片（ISO 8092：1：1989）
美国国家标准学会，关于负极极片的标准
- ANSI/ASHRAE/ACCA 183-2007 低层住宅建筑除外的建筑物最高冷热负荷计算的极值
- ANSI/ASTM D1830:1999 弧形电极法测定电绝缘挠性薄片材料耐热性的试验方法(10.01)
贵州省地方标准，关于负极极片的标准
- DB52/T 928-2014 CA45S 型底面电极片式固体电解质钽固定电容器
行业标准-航天，关于负极极片的标准
- QJ 1159.7-1987 光滑极限量规型式尺寸 双头片状塞规（D＞80～250）
- QJ 1160.6-1987 光滑极限量规型式尺寸 单头圆片形卡规（D＞120～250）
- QJ 1160.4-1987 光滑极限量规型式尺寸 单头圆片形卡规（D＞10～80）
- QJ 1160.3-1987 光滑极限量规型式尺寸 单头矩片形卡规（D＞3～10）
- QJ 1160.5-1987 光滑极限量规型式尺寸 单头圆片形卡规（D＞80～120）
AT-ON，关于负极极片的标准
- ONORM EN 28092-1-1992 道路车辆．片式快速插接件．单极联接接头制表符
- ONORM EN 28092-2-1992 道路车辆．片式快速插接件．单极连接接头试验和性能要求
SE-SIS，关于负极极片的标准
- SIS SS IEC 613:1986 X射线设备．医疗诊断用旋转阳极X射线管电、热及负载特性
- SIS SS 06 11 01-1990 焊接电极．碳钢，碳锰合金钢，微合金钢和低合金钢的气体金属电弧焊和金属电弧焊接用焊接电极和管状电极．熔着金属试片的焊接金属测试
行业标准-机械，关于负极极片的标准
- JB/T 5192.4-1991 照相机械铆接件配合尺寸及极限偏差 光栏叶片与叶片铆钉铆接
- JB/T 5192.3-1991 照相机械铆接件配合尺寸及极限偏差 轮片与龆轮铆接
美国防腐工程师协会，关于负极极片的标准
- NACE RP0104-2004 取样片在阴极保护监测应用中的使用.项目编号21105
PT-IPQ，关于负极极片的标准
- NP 3130/4-1985 电子元件．直接加热型负极温度热变电阻器（圆盘型），详细规格说明
- NP 3130/5-1985 电子元件．直接加热型负极温度热变电阻器（条杆型），详细规格说明
- NP 3130/3-1985 电子元件．直接加热型负极温度热变电阻器（带外壳的圆珠），详细规格说明
美国公路与运输员工协会，关于负极极片的标准
- AASHTO DIVISION I 4.10 极限状态、负荷因子和阻力因子(公路桥梁标准规范,第1分册.设计)
美国机动车工程师协会，关于负极极片的标准
- SAE AMS6438F-2006 自耗电极真空熔融钢片材、带材和板材1.05Cr - 0.55Ni - 1.0Mo - 0.12V (0.45 - 0.50C)
- SAE AMS6546E-1991 硬质可耗电极熔化的钢片材带材和板材0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
- SAE AMS6439D-2011 退火自耗电极真空融化钢片,钢带和钢板1.05Cr 0.55Ni 1.0Mo 0.12V (0.42 - 0.48C)(D6AC)
丹麦标准化协会，关于负极极片的标准
- DS/EN 28 092-1:1992 道路车辆．片式快速连接插接件．第1部分：单极连接接头
(美国)军事条例和规范，关于负极极片的标准
- ARMY MIL-PRF-55365/12 D (2)-2008 CWR15型已设可靠度和未设可靠度的极化钽固定片式电容器
SAE - SAE International，关于负极极片的标准
- SAE AMS6546F-2001 硬质可耗电极熔化的钢片材带材和板材0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
- SAE AMS6546E-1995 硬质可耗电极熔化的钢片材带材和板材0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
