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极片 电镜

本专题涉及极片 电镜的标准有476条。

国际标准分类中，极片 电镜涉及到玻璃、集成电路、微电子学、机床、冶金设备、医疗设备、电气工程综合、分析化学、有色金属产品、无屑加工设备、半导体分立器件、钢铁产品、光学设备、电阻器、摄影技术、电影、电容器、长度和角度测量、焊接、钎焊和低温焊、电学、磁学、电和磁的测量、废物、无线通信、电灯及有关装置、数据存储设备、橡胶和塑料制品、航空航天制造用材料、道路车辆装置、复合增强材料。

在中国标准分类中，极片 电镜涉及到、半导体集成电路、电子技术专用材料、其他电工生产设备、重金属及其合金、放大镜与显微镜、电子元件综合、微电路综合、焊接与切割、电子测量与仪器综合、广播、电视发送与接收设备、口腔科器械、设备与材料、半导体分立器件综合、数据媒体、半导体二极管、交直流电源装置、一般与显微外科器械、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、混合集成电路、电容器、电工绝缘材料及其制品、钢板、钢带、航空与航天用金属铸锻材料、计算机应用、计算机外围设备。

中国团体标准，关于极片 电镜的标准

• T/ZZB 2870-2022 电致变色防眩目后视镜镜片
• T/SSEA 0202-2022 锂电池极片轧机轧辊
• T/GDAQI 94-2022 医用电子内窥镜极限分辨率的确定
• T/CEMIA 028-2022 片式电阻用面电极浆料规范
• T/CEMIA 027-2022 片式电阻用背电极浆料规范
• T/CSTM 00795-2022 材料实验数据 扫描电镜图片要求
• T/ZZB 1912-2020 多层片式陶瓷电容器电极镍粉
• T/HBZXL 011-2023 电池极片辊压机技术条件
• T/CAS 455-2020 锂离子电池自动极片刮涂机
• T/QGCML 030-2020 二极管扩散片常规电性标准
• T/SSEA 0201-2022 锂电池极片轧机轧辊用辊坯
• T/CASME 901-2023 锂电池极片冲切模具技术要求
• T/COEMA 004LCD-2022 电视用有机发光二极管（OLED）偏光片
• T/SPSTS 030-2023 石墨烯材料 片径尺寸测量 扫描电子显微镜法
• T/DZJN 114-2022 废旧锂离子电池 极片材料回收技术规范
• T/WHAS 050-2023 双极电凝镊镊片模具成型制作工艺规范

美国国防后勤局，关于极片 电镜的标准

• DLA SMD-5962-89438 REV A-2004 硅单片10倍放大镜调节肖特基TTL促进双极化数字微电路
• DLA SMD-5962-88677 REV C-2009 微电路，数字，4 位双极微处理器片，单片硅
• DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 硅单片双极高性能10位缓冲双极数字微电路
• DLA DSCC-DWG-04052-2006 多阳极高分子钽芯片固定电容器
• DLA MIL-M-38510/10 D VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、TTL、解码器单片硅
• DLA MIL-M-38510/13 G VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、TTL、计数器单片硅
• DLA SMD-5962-86727 REV B-2011 微电路，数字，双极，BCD 计数器单片硅
• DLA SMD-5962-95567 REV A-2002 闭环极速缓冲器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96843 REV D-2008 微电路，线性，电压参考二极管，1.2 伏，单片硅
• DLA MIL-M-38510/161 A-2005 单片硅双极TTL普通或门数字微电路
• DLA SMD-5962-87791 REV B-1989 硅单片先入先出两极化数字微电路
• DLA MIL-M-38510/3 G VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、TTL、Nand 缓冲器单片硅
• DLA MIL-M-38510/503 B VALID NOTICE 4-2010 微电路，数字，双极，可编程逻辑，单片硅
• DLA MIL-M-38510/505 C VALID NOTICE 1-2010 微电路，数字，双极可编程逻辑，单片硅
• DLA SMD-5962-86715 REV C-2011 微电路，数字，双极，D 型寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-86728 REV B-2011 微电路，数字，双极，高速寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-87755 REV C-2011 微电路、数字、双极、缓冲寄存器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/3 G (1)-2012 微电路、数字、双极、TTL、NAND 缓冲器单片硅
• DLA SMD-5962-87683 REV D-2013 微电路，数字，双极 ALS TTL，解码器，单片硅
• DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 硅单片高速电压比较器,双极线性微型电路
• DLA SMD-5962-85065 REV A-1988 硅单片可编程逻辑,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-87755 REV B-2005 硅单片缓冲记数器两极化数字微电路
• DLA SMD-5962-88515-1988 硅单片可编程逻辑两极化数字微电路
• DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 硅单片,双极追踪稳压器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-88604 REV B-2007 硅单片双向收发器双极化数字微电路
• DLA SMD-5962-88666-1988 硅单片中断处理程序双极数字微电路
• DLA SMD-5962-88763-1990 硅单片双极性跟踪稳压器线性微电路
• DLA SMD-5962-89549-1989 硅单片阴影调节管道双极数字微电路
• DLA SMD-5962-86023 REV D-2011 微电路、存储器、数字、双极 256 位 RAM、单片硅
• DLA SMD-5962-86051 REV D-2011 微电路、存储器、数字、双极 64 位 RAM、单片硅
• DLA MIL-M-38510/9 E VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极 TTL、移位寄存器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/150 D VALID NOTICE 1-2009 微电路，数字，双极，TTL，幅度比较器，单片硅
• DLA SMD-5962-86725 REV B-2009 微电路，数字，双极，八进制缓冲器，单片硅
• DLA MIL-M-38510/22 D VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、高速 TTL、触发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/80 F VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、肖特基 TTL 和门、单片硅
• DLA SMD-5962-78015 REV J-2010 微电路，数字，双极，存储器，64 位 RAM，单片硅
• DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 微电路，线性，双极性跟踪稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 微电路，线性，双极性跟踪稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 微电路，线性，双极性跟踪稳压器，单片硅
• DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 固定极化电解质氧化铝及SNAP安装薄片电容器
• DLA SMD-5962-97548 REV A-2006 同步4-BIT计数器硅单片电路数字双极微电路
• DLA SMD-5962-94676 REV F-2005 极速的硅单片电路电流反馈(回授)放大线型微电路
• DLA SMD-5962-96756 REV B-2007 极可调整电流反馈放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88598 REV A-1990 硅单片双极时钟发生器/微循环长度控制双极化数字微电路
• DLA SMD-5962-00516 REV B-2002 单片硅线性微电路正极的5V可调精密电压基准
• DLA SMD-5962-95527-1994 7通道共源极功率陈列硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89479 REV C-2002 硅单片正极10伏可调精密电压基准线性微电路
• DLA SMD-5962-97572 REV A-2006 四重2输入排外的硅单片电路数字双极微电路
• DLA SMD-5962-81035 REV E-1988 硅单片可编程序逻辑双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-78017 REV G-2006 硅单片微程序控制器,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-87769 REV A-2001 硅单片双线路驱动器两极化数字微电路
• DLA SMD-5962-87772-1988 硅单片加法器收发器两极化数字微电路
• DLA SMD-5962-98640 REV B-2009 微电路，线性，稳压器，15 伏，正极，固定，单片硅
• DLA SMD-5962-98641 REV B-2009 微电路，线性，稳压器，15 伏，负极，固定，单片硅
• DLA SMD-5962-98642 REV B-2009 微电路，线性，稳压器，5 伏，负极，固定，单片硅
• DLA SMD-5962-98642 REV C-2012 微电路，线性，稳压器，5 伏，负极，固定，单片硅
• DLA SMD-5962-98643 REV C-2012 微电路，线性，稳压器，5 伏，正极，固定，单片硅
• DLA SMD-5962-91523 REV C-2013 微电路，线性，稳压器，正极，20 V 固定，单片硅
• DLA SMD-5962-87671 REV F-2008 微电路、存储器、数字、双极、编程逻辑、单片硅
• DLA SMD-5962-86714 REV C-2009 微电路，数字，双极，四路总线收发器，单片硅
• DLA MIL-M-38510/25 E VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、TTL、低功率、计数器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/21 F VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、TTL、低功率、触发器、单片硅
• DLA SMD-5962-87534 REV D-2011 微电路，数字，双极，四路总线收发器，单片硅
• DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 微电路、线性、双极、RF/IF 放大器，带 AGC，单片硅
• DLA DSCC-DWG-13008-2013 电容器，固定，多阳极钽，芯片，保形涂层外壳
• DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 四重2输入阳性与门硅单片电路数字双极微电路
• DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 四重2输入阳性与门硅单片电路数字双极微电路
• DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 三重3输入阳性与门硅单片电路数字双极微电路
• DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 硅单片可编程逻辑,双极数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-88507 REV A-2001 硅单片现场可编程序器两极化数字微电路
• DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 硅单片双极十六进制NTDS驱动器线性微电路
• DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 硅单片双极十六进制NTDS接收器线性微电路
• DLA SMD-5962-98647 REV B-2010 微电路，线性，稳压器，正极，可调，低压差，单片硅
• DLA SMD-5962-98648 REV B-2011 微电路，线性，稳压器，正极，可调，低压差，单片硅
• DLA SMD-5962-98650 REV B-2011 微电路，线性，稳压器，正极，可调，低压差，单片硅
• DLA SMD-5962-98649 REV C-2012 微电路，线性，稳压器，正极，可调，低压差，单片硅
• DLA SMD-5962-02524 REV G-2013 微电路，线性，正极，可调，低压差，稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-81036 REV M-2010 微电路、存储器、数字、双极、可编程逻辑、单片硅
• DLA SMD-5962-88541 REV C-2010 微电路、存储器、数字、双极、512 X 4 位 PROM、单片硅
• DLA SMD-5962-87791 REV D-2012 微电路、存储器、数字、双极、先进先出（FIFO）、单片硅
• DLA SMD-5962-87788 REV E-2013 微电路、存储器、数字 256 X 4 位、双极 PROM、单片硅
• DLA SMD-5962-03202 REV A-2008 微电路，存储器，数字，1024 X 8 位双极 PROM，单片硅
• DLA SMD-5962-03203 REV A-2008 微电路，存储器，数字，2048 X 8 位双极 PROM，单片硅
• DLA SMD-5962-84129 REV F-2009 微电路、存储器、数字、双极、可编程逻辑、单片硅
• DLA SMD-5962-87791 REV C-2010 微电路、存储器、数字、双极、先进先出（FIFO）、单片硅
• DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 1-2008 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，或门，单片硅
• DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 微电路，数字，双极高性能 10 位缓冲器，单片硅
• DLA SMD-5962-87542 REV C-2009 微电路、数字、双极、三态优先级编码器、单片硅
• DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 微电路，数字，双极性，8 位等于比较器，单片硅
• DLA MIL-M-38510/75 C VALID NOTICE 1-2010 微电路，数字，双极，肖特基 TTL，专用或门，单片硅
• DLA SMD-5962-86868 REV C-2011 微电路、数字、双极、八进制总线收发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/600 VALID NOTICE 4-2012 微电路、数字、双极、半定制（门阵列）设备、单片硅
• DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，或门，单片硅
• DLA SMD-5962-89520 REV D-2008 微电路，线性，可调正极，低压差，稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-89521 REV F-2008 微电路，线性，可调，正极，低压差，稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-88646 REV G-2008 微电路，线性，可调，正极，低压差，稳压器，单片硅
• DLA MIL-M-38510/210 F-2013 微电路，数字，16,384 位肖特基二极管，双极，可编程只读存储器（PROM），单片硅
• DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 双极晶体管四倍2输入阳性硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-97547 REV A-2006 低功率4-BIT数量比较器硅单片电路数字双极微电路
• DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 单稳多谐振荡器晶体管硅单片电路数字双极微电路
• DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 8输入阳性与门晶体管硅单片电路数字双极微电路
• DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 微电路，数字，32,768 位肖特基二极管，双极性，可编程只读存储器（PROM），单片硅
• DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 硅单片可编程序逻辑双极数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-90513-1990 硅单片,奇偶位总线收发器,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 硅单片,四重肖脱基二极管阵列,线性微型电路
• DLA SMD-5962-90573-1991 硅单片,ECL可编程逻辑设置,双极记忆微型电路
• DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 硅单片动态记忆体控制器双极化数字微电路
• DLA SMD-5962-93226 REV H-2006 硅单片,双信道总线收发器,双极数字微型电路
• DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL、与非门、单片硅
• DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、解码器、单片硅
• DLA SMD-5962-01507 REV A-2008 微电路、数字、双极、高速前瞻进位发生器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/12 J VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、TTL、单稳态多谐振荡器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/81 D VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、肖特基 TTL、线路驱动器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/82 C VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、肖特基 TTL、幅度比较器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/74 C VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、肖特基 TTL 和/或反相门、单片硅
• DLA MIL-M-38510/310 D VALID NOTICE 2-2012 微电路、数字、双极低功耗肖特利 TTL 和单片硅门
• DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL、与非门、单片硅
• DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、解码器、单片硅
• DLA SMD-5962-88550 REV D-2008 单片硅D型触发器,边沿触发双极数字微电路
• DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 极速的硅单片输出箝位电路电流反馈(回授)放大线型微电路
• DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 带小功率肖肯特晶体管,正极与非门及单硅片的高级双极数字微电路
• DLA SMD-5962-02534 REV D-2006 单片硅线性微电路正极固定的2.5V低压降稳压器
• DLA SMD-5962-02535 REV D-2006 单片硅线性微电路正极固定的3.3V低压降稳压器
• DLA SMD-5962-02536 REV D-2006 单片硅线性微电路正极固定的 5V低压降稳压器
• DLA SMD-5962-88550 REV C-2001 硅单片D型触发器边缘触发两极化数字微电路
• DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 硅单片双极十六进制NTDS快速驱动器线性微电路
• DLA SMD-5962-85065 REV B-2010 微电路、存储器、数字、双极、可编程逻辑阵列、单片硅
• DLA SMD-5962-87528 REV A-2011 微电路、存储器、数字、双极可编程逻辑阵列、单片硅
• DLA SMD-5962-87530 REV A-2011 微电路、存储器、数字、双极可编程逻辑阵列、单片硅
• DLA SMD-5962-85527 REV C-2010 微电路、存储器、数字、双极、2K x 8 位、注册 PROM、单片硅
• DLA SMD-5962-87794 REV C-2008 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，NOR 驱动器，单片硅
• DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 1-2009 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，专用或门，单片硅
• DLA SMD-5962-87711 REV B-2009 微电路，数字，双极，TTL，双单稳态多谐振荡器，单片硅
• DLA MIL-M-38510/151 B VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、TTL、施密特触发器与非门、单片硅
• DLA SMD-5962-76020 REV H-2010 微电路，数字，双极低功耗肖特基 TTL，与非门，单片硅
• DLA MIL-M-38510/230 A VALID NOTICE 4-2010 微电路、数字、双极 256 位随机存取存储器（RAM）单片硅
• DLA SMD-5962-86726 REV C-2011 微电路，数字，双极，12 输入奇偶校验/发生器，单片硅
• DLA MIL-M-38510/302 D VALID NOTICE 2-2012 微电路、数字、双极低功耗肖特基 TTL、缓冲器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/327 B VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、计数器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，专用或门，单片硅
• DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 四重2输入阳性与门晶体管硅单片电路数字双极微电路
• DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 三重3输入阳性与门晶体管硅单片电路数字双极微电路
• DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 硅单片,集电极开路输出,八位总线收发器,低功率改进型肖特基TTL双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 硅单片,装有集电极开路输出八位缓冲器/驱动器,改进型肖脱基TTL双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-76018 REV H-2005 硅单片锁存器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-76032 REV E-2005 硅单片计算器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-76036 REV E-2006 硅单片计算器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-77001 REV G-2005 硅单片计算器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-77010 REV G-2005 硅单片计数器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-00523 REV F-2006 单片硅辐射硬化线性微电路 2.5V并联二极管调节器
• DLA SMD-5962-88504 REV D-2006 硅单片现场可编程逻辑阵列(FPLA)两极化数字微电路
• DLA SMD-5962-92319 REV A-2004 硅单片,异或门,低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86025 REV F-2011 微电路、存储器、数字、双极、16 字、4 位、2 端口、RAM、单片硅
• DLA SMD-5962-90573 REV A-2012 微电路、存储器、数字、双极、ECL、可编程逻辑器件、单片硅
• DLA SMD-5962-88731 REV B-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基、TTL、六角驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-95580 REV B-2008 微电路、数字、双极、TTL、数据选择器/多路复用器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL、八路缓冲器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 1-2008 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，与或反相门，单片硅
• DLA SMD-5962-86836 REV D-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL 或门、单片硅
• DLA MIL-M-38510/349 B VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL、奇偶校验器、单片硅
• DLA SMD-5962-87595 REV C-2009 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，总线收发器，单片硅
• DLA MIL-M-38510/375 A VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL 或门、单片硅
• DLA SMD-5962-88752 REV D-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基、TTL、六角逆变器、单片硅
• DLA SMD-5962-88707 REV D-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、PI-BUS 收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-00520 REV E-2010 微电路，数字线性，抗辐射，8 通道源极驱动器，单片硅
• DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL、八路缓冲器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL 和/或反相门、单片硅
• DLA SMD-5962-00520 REV F-2013 微电路，数字线性，抗辐射，8 通道源极驱动器，单片硅
• DLA MIL-M-38510/349 B VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL、奇偶校验器、单片硅
• DLA SMD-5962-00523 REV G-2008 微电路，线性，抗辐射，2.5 V 并联二极管稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 微电路，线性，抗辐射，2.5 V 并联二极管稳压器，单片硅
• DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 微电路，线性，抗辐射，2.5 V 并联二极管稳压器，单片硅
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• DLA MS21353 REV K-2008 开关，肘节，主动断开，特殊电路，微型，肘节密封，焊片，双极，.469 安装套管
• DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重互补加法变极器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-76017 REV H-2005 硅单片数据选择器/多路复用器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-76033 REV E-2006 硅单片数据选择器/多路复用器肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-03202-2003 硅单片1024 X 8比特双极可程序化只读存储器的数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-03203-2003 硅单片1048 X 8比特双极可程序化只读存储器的数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-88523 REV A-2001 硅单片十六进制2输入或驱动器促进肖特基TTL两极化数字微电路
• DLA SMD-5962-88648 REV E-2002 硅单片四倍差动线路驱动器低功率肖特基促进双极化数字微电路
• DLA SMD-5962-88649 REV E-2005 硅单片四倍差动线路接收器低功率肖特基促进双极化数字微电路
• DLA SMD-5962-88695 REV B-2007 硅单片2输入与非驱动器低功率肖特基TTL促进双极化数字微电路
• DLA SMD-5962-88753 REV B-2005 硅单片八进制总线收发器和寄存器肖特基TTL促进双极数字微电路
• DLA SMD-5962-88728 REV C-2008 单片硅八边沿D型触发器改进的低功率肖特基TTL双极数字微电路
• DLA SMD-5962-88741 REV C-2008 单片硅八位可寻址锁存器改进的低功率肖特基TTL双极数字微电路
• DLA SMD-5962-90889 REV C-2008 微电路.单片硅晶体管-晶体管逻辑(TTL)兼容数字双极型四总线缓冲门
• DLA SMD-5962-87682 REV F-2008 微电路、存储器、数字、双极 18 X 42 X 10 现场可编程逻辑阵列（FPLA）、单片硅
• DLA SMD-5962-86706 REV C-2010 微电路、存储器、数字、双极、1K x 8 位、带可编程初始化的寄存 PROM、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V 16 位总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-87647 REV C-2013 微电路、数字、高速 CMOS、具有漏极开路输出的四路 2 输入与非门、单片硅
• DLA MIL-M-38510/308 B VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、算术逻辑单元/函数发生器、单片硅
• DLA SMD-5962-95537 REV B-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、四路 D 型触发器，带有清晰的单片硅
• DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/384 A VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL 和/或与非门和或非门、单片硅
• DLA SMD-5962-96658 REV D-2009 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、六方施密特触发器反相器、单片硅
• DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 微电路，数字，双极性，高级肖特基，TTL，8 位双向通用移位寄存器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/12615 REV A-2012 微电路、数字、极端温度单端口 10/100 MB/S 以太网物理层收发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/308 B VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、算术逻辑单元/函数发生器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
• DLA DSCC-DWG-V62/13608-2013 微电路、线性、单通道高速、低侧栅极驱动器（带 4-A 峰值拉电流和 8-A 峰值灌电流），单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/06654-2006 先进双极CMOS数字微电路3.3伏ABT16比特透明D型闭锁带三相输出单片硅
• DLA SMD-5962-84061-1984 硅单片输出缓冲器的栅极反相器,TTL肖脱基高级小功率数字微型电路
• DLA SMD-5962-82008 REV K-2005 硅单片32千比特程序可控只读存储器,肖脱基双极数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-90502-1990 硅单片,8位双向通用移位寄存器,改进型肖脱基TTL,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-79024 REV D-2011 微电路，存储器，数字，8192 位，可切换，肖特基，具有三态输出的双极 PROM，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位寄存总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-90686 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、带漏极开路输出的六角反相器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/03658 REV A-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、四路 2 输入正极或带 TTL 兼容输入的门、单片硅
• DLA SMD-5962-92012 REV B-2008 微电路、存储器、数字、双极、12 X 48 X 8 现场可编程逻辑序列器（FPLS）、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04671 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 四路总线缓冲器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04705 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 四路总线缓冲器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04706 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04707 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04708 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04720 REV B-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 32 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/06654 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3V ABT 16 位透明 D 型锁存器，带三态输出，单片硅
• DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/346 C VALID NOTICE 1-2009 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，透明和八路 D 型锁存器，可级联，单片硅
• DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极，低功耗肖特基 TTL，具有三态输出的八路缓冲门，单片硅
• DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/346 C VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，透明和八路 D 型锁存器，可级联，单片硅
• DLA SMD-5962-96697 REV A-2008 单片硅TTL兼容输入1线到8线时钟驱动器,改进的双极CMOS数字微电路
• DLA SMD-5962-96616 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体旋转六角变极器或缓冲器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97549-1997 八角D类触发三状态输出双稳态多谐振荡器晶体管硅单片电路数字双极微电路
• DLA SMD-5962-77057 REV G-2005 硅单片驱动器/接收器的八位缓冲器,肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-89925 REV A-2004 硅单片,六位D型双稳态多谐振荡器,低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-89944 REV B-2006 硅单片,二-十进制七段译码器/驱动器,低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93102-1993 硅单片,4位D型双稳态多谐振荡器,改进型肖脱基TTL,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-89466-1991 硅单片八进制总线收发器与三态输出肖特基TTL促进双极化数字微电路
• DLA SMD-5962-88730 REV B-2008 单片硅四倍2输入改进型肖特基TTL四2输入正或驱动双极数字微电路
• DLA DSCC-VID-V62/04757 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 1 线至 10 线时钟驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-89956 REV C-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、八路总线收发器和寄存器、单片硅
• DLA SMD-5962-90750 REV B-2012 微电路、数字、双极 CMOS、八路总线收发器，带反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-95835 REV A-2008 单片硅TTL兼容输入,八路透明D类锁存器带三相输出,双极CMOS数字微电路
• DLA SMD-5962-95836 REV A-2008 单片硅TTL兼容输入,边沿触发D型触发器带三相输出,双极CMOS数字微电路

河北省标准，关于极片 电镜的标准

• DB13/T 1513-2012 电池极片辊压设备
• DB13/T 5026.3-2019 石墨烯导电浆料物理性质的测定方法 第3部分：浆料极片电阻率的测定 四探针法

法国标准化协会，关于极片 电镜的标准

• NF EN ISO 2128:2010 铝及其合金的阳极氧化.阳极层厚度的测定.光学切片显微镜无损方法
• NF A81-304:1994 手工金属弧电极用药皮电极棒.化学分析用的焊接金属垫片的沉积
• NF EN ISO 8092-3:1999 道路车辆 - 车载电气线束连接 - 第 3 部分：多极连接片 - 尺寸和特殊要求
• NF EN ISO 8092-1:1998 道路车辆 - 车载电气线束连接 - 第 1 部分：单极连接片。尺寸和特殊要求

工业和信息化部，关于极片 电镜的标准

• JB/T 14230-2022 锂离子电池极片涂布机
• SJ/T 11759-2020 光伏电池电极栅线高宽比的测量 激光扫描共聚焦显微镜法

美国电子元器件、组件及材料协会，关于极片 电镜的标准

• EIA_ECA-956-2006 聚合物阴极铝电解片式电容器
• EIA/ECA-956-2006 聚合物阴极铝电解片式电容器
• EIA_ECA-953-2006 带聚合物阴极的模制钽芯片电容器
• EIA/ECA-953-2006 带聚合物阴极的模制钽芯片电容器
• EIA/ECA-955-2007 聚合物阴极表面贴装铝电解片式电容器（合格规范）
• ECA EIA/ECA-955-2007 带聚合物阴极的表面安装铝电子芯片电容器(鉴定规范)
• ECA SP 4984-2005 带聚合物阴极的表面贴装铝电解电容器芯片 发表为ANSI/EIA/ECA-955

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于极片 电镜的标准

• GB/T 33970-2017 电阻焊电极用Al2O3弥散强化铜片材

美国国防部标准化文件（含MIL标准），关于极片 电镜的标准

• DOD A-A-54222-1990 带电水浴室(显微镜用薄片切片机薄纱样本部分装置)

RU-GOST R，关于极片 电镜的标准

• GOST 3933-1975 静态照片及电影摄像机镜头.配件连接尺寸
• GOST 9507-1982 电影放映机的阶梯型片式透镜.型式，基本参数和尺寸.试验方法

贵州省地方标准，关于极片 电镜的标准

• DB52/T 928-2014 CA45S 型底面电极片式固体电解质钽固定电容器

SE-SIS，关于极片 电镜的标准

• SIS SS CECC 00013-1985 基本规范．半导体芯片的扫描电子显微镜观察
• SIS SS 06 11 01-1990 焊接电极．碳钢，碳锰合金钢，微合金钢和低合金钢的气体金属电弧焊和金属电弧焊接用焊接电极和管状电极．熔着金属试片的焊接金属测试
• SIS SS CECC 32200-1988 分规范．带金属电极和直流用聚对苯二甲酸乙二酯电介质的片状固定电容器
• SIS SS CECC 90105-1987 空白详细规范．熔丝式可编程双极只读存储器，硅单片集成电路
• SIS SS CECC 32201-1988 空白详细规范．带金属电极和直流用聚对苯二甲酸乙二酯电介质的片状固定电容器

韩国科技标准局，关于极片 电镜的标准

• KS P 7449-2-2008 喉镜配件·艺术 2·微型电灯·常规刀片的螺纹和插座
• KS P 7449-2-2004 喉镜配件第2部分:微型电灯常规刀片用螺纹和插座

日本工业标准调查会，关于极片 电镜的标准

• JIS T 7231-2:1998 喉镜配件.第2部分:微型电灯.常规刀片用螺纹和承口

行业标准-医药，关于极片 电镜的标准

• YY 0498.2-2004 喉镜连接件.第2部分:微型电灯.螺纹和带常规窥视片的灯座

美国国家标准学会，关于极片 电镜的标准

• ANSI/ASTM D1830:1999 弧形电极法测定电绝缘挠性薄片材料耐热性的试验方法(10.01)

美国机动车工程师协会，关于极片 电镜的标准

• SAE AMS6438F-2006 自耗电极真空熔融钢片材、带材和板材1.05Cr - 0.55Ni - 1.0Mo - 0.12V (0.45 - 0.50C)
• SAE AMS6546E-1991 硬质可耗电极熔化的钢片材带材和板材0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
• SAE AMS6439D-2011 退火自耗电极真空融化钢片,钢带和钢板1.05Cr 0.55Ni 1.0Mo 0.12V (0.42 - 0.48C)(D6AC)
• SAE AMS6524D-1991 硬质可耗电极熔化的钢片材和带材和板材1.0Cr 7.5Ni 4.5Co 1.0Mo 0.09V (0.29-0.34C)
• SAE AMS6439B-1988 硬质可耗电极真空熔化的钢片材、带材和板材1.05Cr 0.55Ni 1.0Mo 0.12V (0.42 0.48C)
• SAE AMS6520D-1995 溶液热处理、自耗电极熔化的马氏体钢制片材、带材和板材18Ni 7.8Co 4.9Mo 0.40Ti 0.10Al

未注明发布机构，关于极片 电镜的标准

• BS CECC 13:1985(1999) 电子元件质量评估协调制度：基本规范：半导体芯片的扫描电子显微镜检查

YU-JUS，关于极片 电镜的标准

• JUS N.R2.624-1980 带烧结阳极和固体定电解质的极性钽电容器，无防护层．钽薄片电容器（类型3A2）6，3到35V d．c．气候严酷度：55/125

NATO - North Atlantic Treaty Organization，关于极片 电镜的标准

• STANAG 4341-1989 用于航空夜视镜的带砷化镓光电阴极的高性能图像增强管（IIT）（ED 1 AMD 0）

美国材料与试验协会，关于极片 电镜的标准

• ASTM D1830-17 用曲线电极法测定电绝缘用柔性片材的耐热性的标准试验方法
• ASTM D1830-99 用弧形电极法测定电绝缘挠性薄片材料热稳定性的标准试验方法
• ASTM D1830-99(2005) 用弧形电极法测定电绝缘挠性薄片材料热稳定性的标准试验方法

(美国)军事条例和规范，关于极片 电镜的标准

• ARMY MIL-PRF-55365/12 D (2)-2008 CWR15型已设可靠度和未设可靠度的极化钽固定片式电容器
• ARMY MIL-PRF-55365/12 E-2011 电容器，片状，固定，钽，极化，已确定的可靠性和未确定的可靠性，CWR15 型
• ARMY MIL-PRF-55365/13 A-2011 电容器，片状，固定，钽，极化，已确定的可靠性和未确定的可靠性，CWR16 型

SAE - SAE International，关于极片 电镜的标准

• SAE AMS6546F-2001 硬质可耗电极熔化的钢片材带材和板材0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
• SAE AMS6546E-1995 硬质可耗电极熔化的钢片材带材和板材0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
• SAE AMS6524E-2003 硬质可耗电极熔化的钢片材和带材和板材1.0Cr 7.5Ni 4.5Co 1.0Mo 0.09V (0.29-0.34C)
• SAE AMS6520D-2001 溶液热处理、自耗电极熔化的马氏体钢制片材、带材和板材18Ni 7.8Co 4.9Mo 0.40Ti 0.10Al
• SAE AMS6520C-1995 溶液热处理、自耗电极熔化的马氏体钢制片材、带材和板材18Ni 7.8Co 4.9Mo 0.40Ti 0.10Al
• SAE AMS6520E-2016 溶液热处理、自耗电极熔化的马氏体钢制片材、带材和板材18Ni 7.8Co 4.9Mo 0.40Ti 0.10Al

ECIA - Electronic Components Industry Association，关于极片 电镜的标准

• 580A000-1992 电子设备用带金属化电极和聚对苯二甲酸乙二醇酯电介质的固定片式电容器分规范

丹麦标准化协会，关于极片 电镜的标准

• DS/EN ISO 8092-1:1999 道路车辆 车载电气线束的连接 Del 1：单极连接片 尺寸和特定要求
• DS/EN ISO 8092-3:2000 道路车辆 车载电气线束的连接 第3部分：多极连接片 尺寸和特殊要求

德国标准化学会，关于极片 电镜的标准

• DIN EN ISO 8092-3:1999-11 道路车辆 车载电气线束连接 第3部分：多极连接片、尺寸和具体要求
• DIN EN ISO 8092-1:1998-10 道路车辆 车载电气线束连接 第1部分：单极连接片 尺寸和具体要求

PT-IPQ，关于极片 电镜的标准

• NP 2955/6-1985 电子元件．用于单片式集成电路当中的可编程双极只读存储器，详细地规格说明

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