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极片反弹
本专题涉及极片反弹的标准有34条。
国际标准分类中，极片反弹涉及到集成电路、微电子学。
在中国标准分类中，极片反弹涉及到微电路综合、半导体集成电路。
国家军用标准-总装备部，关于极片反弹的标准
- GJB 1739A-2018 反坦克导弹燃气舵片用TaW10合金板材规范
- GJB 1739-1993 反坦克导弹燃气舵片用Taw10合金板材规范
美国国防后勤局，关于极片反弹的标准
- DLA MIL-M-38510/74 C VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、双极、肖特基 TTL 和/或反相门、单片硅
- DLA SMD-5962-94676 REV F-2005 极速的硅单片电路电流反馈(回授)放大线型微电路
- DLA SMD-5962-96756 REV B-2007 极可调整电流反馈放大器硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 1-2008 微电路，数字，双极高级肖特基 TTL，与或反相门，单片硅
- DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL 和/或反相门、单片硅
- DLA SMD-5962-88774 REV C-2011 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，双与或反相门，单片硅
- DLA SMD-5962-88774 REV B-2005 硅单片双或反转通道肖特基TTL促进双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-88729 REV B-2008 单片硅六反相驱动器改进的肖特基TTL双极数字微电路
- DLA SMD-5962-88718 REV C-2013 微电路、数字、高速 CMOS、带漏极开路输出的六角反相器、单片硅
- DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 极速的硅单片输出箝位电路电流反馈(回授)放大线型微电路
- DLA SMD-5962-96658 REV D-2009 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、六方施密特触发器反相器、单片硅
- DLA SMD-5962-84061-1984 硅单片输出缓冲器的栅极反相器,TTL肖脱基高级小功率数字微型电路
- DLA SMD-5962-90686 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、带漏极开路输出的六角反相器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-90750 REV B-2012 微电路、数字、双极 CMOS、八路总线收发器，带反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-91746 REV A-2008 微电路、数字、双极 CMOS、带八进制缓冲器的扫描测试设备、反相三态输出、单片硅
- DLA SMD-5962-93188 REV C-2008 单片硅TTL兼容输入,八缓冲器/驱动器反向三态同相输出,改进的双极CMOS数字微电路
- DLA SMD-5962-93199 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有反相三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-88591 REV B-2001 硅单片八进制缓冲和线驱动器三态输出反转低功率肖特基TTL促进双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-94501 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位缓冲器/驱动器
- DLA SMD-5962-90780 REV C-2012 微电路、数字、双极性、高级肖特基、TTL、具有同相和反相输入的 10 位总线接口触发器、单片硅
- DLA SMD-5962-92147 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-94718 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-90748 REV B-2012 具有反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的微电路、数字、双极 CMOS、八进制缓冲器和线路驱动器
- DLA SMD-5962-90523 REV C-2009 微电路、数字、双极性、高级低功耗肖特基 TTL、八路总线收发器和具有反相三态输出的寄存器、单片硅
- DLA SMD-5962-90939 REV D-2013 具有反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的微电路、数字、双极 CMOS、八进制缓冲器和线路驱动器/MOS 驱动器
- DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位锁存的收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位收发器及锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94697 REV D-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有 25 欧姆串联电阻和反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路缓冲器/线路驱动器
- DLA SMD-5962-90675 REV B-2004 硅单片,装有三态反向及正向输入,9位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-88591 REV C-2008 高级双极数字单硅片微电路,采用小功率肖特基晶体管-晶体管逻辑,带反相八进制缓冲器及三态输出的线路驱动器
