半导体 四氧化三钴

本专题涉及半导体 四氧化三钴的标准有16条。

国际标准分类中，半导体 四氧化三钴涉及到陶瓷、半导体分立器件、集成电路、微电子学。

在中国标准分类中，半导体 四氧化三钴涉及到特种陶瓷、半导体三极管、半导体分立器件综合、半导体集成电路。

国际标准化组织，关于半导体 四氧化三钴的标准

• ISO 22601:2019 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.通过定量分析总有机碳（TOC）测定半导体光催化材料苯酚氧化分解性能的试验方法
• ISO 22197-1:2007 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除

德国标准化学会，关于半导体 四氧化三钴的标准

• DIN ISO 22197-1:2016 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除(ISO 22197-1-2007)
• DIN EN 62373-2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

美国材料与试验协会，关于半导体 四氧化三钴的标准

• ASTM F996-11 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界面性能产生的电离辐射感生金属氧化物半导体场应晶体管临界电压偏移分量的标准试验方法
• ASTM F996-10 利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
• ASTM F996-98 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
• ASTM F996-98(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法

韩国标准，关于半导体 四氧化三钴的标准

• KS L ISO 22197-1:2008 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除

法国标准化协会，关于半导体 四氧化三钴的标准

• NF C96-051-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

英国标准学会，关于半导体 四氧化三钴的标准

• BS EN 62373-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

美国国防后勤局，关于半导体 四氧化三钴的标准

• DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 硅单片金属氧化半导体时钟脉冲驱动器,数字微型电路

欧洲电工标准化委员会，关于半导体 四氧化三钴的标准

• EN 62373-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006

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