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质谱 溅射
本专题涉及质谱 溅射的标准有10条。
国际标准分类中，质谱 溅射涉及到分析化学、半导体材料。
在中国标准分类中，质谱 溅射涉及到化学助剂基础标准与通用方法、基础标准与通用方法、化学、光学计量仪器、半金属与半导体材料综合。
英国标准学会，关于质谱 溅射的标准
- BS ISO 17109:2022 表面化学分析 深度剖析 使用单层和多层薄膜的 X 射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱溅射深度分析中溅射速率的测定方法...
- 21/30433862 DC BS ISO 17109 AMD1 表面化学分析 深度剖析 使用单一和……的 X 射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱溅射深度分析中溅射速率测定方法
- BS ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
国际标准化组织，关于质谱 溅射的标准
- ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
美国材料与试验协会，关于质谱 溅射的标准
- ASTM E1162-11(2019) 二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
- ASTM E1162-06 报告次级离子质谱法(SIMS)中溅射深度截面数据的标准实施规程
- ASTM E1162-87(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
- ASTM E1162-87(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据
- ASTM E1438-91(2001) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
- ASTM E1438-91(1996) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
