电离 界面

本专题涉及电离 界面的标准有9条。

国际标准分类中，电离 界面涉及到半导体分立器件。

在中国标准分类中，电离 界面涉及到半导体三极管。

美国材料与试验协会，关于电离 界面的标准

• ASTM F996-11(2018) 用亚阈电流–将电离辐射引起的MOSFET阈值电压偏移分离为由于氧化物陷阱空穴和界面状态引起的元件的标准试验方法；电压特性
• ASTM F996-11 使用亚阈值电流 - 电压特性分离因氧化物陷阱和界面状态引起的电离辐射引起的MOSFET阈值电压偏移成分的标准测试方法
• ASTM F996-2011 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界面性能产生的电离辐射感生金属氧化物半导体场应晶体管临界电压偏移分量的标准试验方法
• ASTM F996-10 使用亚阈值电流 - 电压特性分离因氧化物陷阱和界面状态引起的电离辐射引起的MOSFET阈值电压偏移成分的标准测试方法
• ASTM F996-2010 利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
• ASTM F996-98(2003) 使用亚阈值电流 - 电压特性分离因氧化物陷阱和界面状态引起的电离辐射引起的MOSFET阈值电压偏移成分的标准测试方法
• ASTM F996-98 使用亚阈值电流 - 电压特性分离因氧化物陷阱和界面状态引起的电离辐射引起的MOSFET阈值电压偏移成分的标准测试方法
• ASTM F996-1998 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
• ASTM F996-1998(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法

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