Messung der Halbleiterlücke

Für die Messung der Halbleiterlücke gibt es insgesamt 500 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Messung der Halbleiterlücke die folgenden Kategorien: Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Diskrete Halbleitergeräte, Strahlungsmessung, Optoelektronik, Lasergeräte, Kernenergietechnik, Anwendungen der Informationstechnologie, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Halbleitermaterial, Optik und optische Messungen, Prüfung von Metallmaterialien, Glasfaserkommunikation, Softwareentwicklung und Systemdokumentation, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Anorganische Chemie, Mechanische Komponenten für elektronische Geräte, Längen- und Winkelmessungen, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Elektrische Lichter und zugehörige Geräte, Isolierflüssigkeit, analytische Chemie, Wortschatz, Telekommunikationsendgeräte, Drähte und Kabel, technische Zeichnung, Umfangreiche elektronische Komponenten, Elektrische und elektronische Prüfung, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Komponenten elektrischer Geräte, Struktur und Strukturelemente.

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Messung der Halbleiterlücke

IEEE N42.31-2003 Messverfahren für Auflösung und Effizienz von Halbleiterdetektoren mit großer Bandlücke für ionisierende Strahlung
IEEE 425-1957 TESTCODE für TRANSISTOREN, HALBLEITERDEFINITIONEN und LEITERSYMBOLE
IEEE 300-1988 Standardtestverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
IEEE 300-1982 STANDARDTESTVERFAHREN FÜR HALBLEITER-DETEKTOREN FÜR GELADENE TEILCHEN

Association Francaise de Normalisation, Messung der Halbleiterlücke

NF C80-204*NF EN 62418:2011 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test
NF EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionenprüfung für Metalloxid-Feldeffekthalbleitertransistoren (MOSFETs)
NF EN IEC 63364-1:2023 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für das IDO-System – Teil 1: Prüfverfahren zur Erkennung akustischer Abweichungen
NF C86-010:1986 Halbleiterbauelemente. Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Diskrete Halbleiterbauelemente. Allgemeine Spezifikation.
NF EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest
NF EN IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Teil 3: Gewinnung piezoelektrischer Stoßenergie für Automobilsensoren
NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
NF EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Tests an MOS-Transistoren
NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die in Halbleiterbauelementen verwendet werden
NF EN 62418:2011 Halbleiterbauelemente – Prüfung von Hohlräumen aufgrund von Metallisierungsspannungen
NF EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Prüfverfahren für die Auswirkungen eines Einzelereignisses (SEE), das mit einem Neutronenstrahl bestrahlt wird, für Halbleiterbauelemente
NF EN 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
NF EN 60191-6-21:2011 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-21: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von Gehäusen für oberflächenmontierte Halbleiterbauelemente – Messverfahren für Abmessungen...
NF EN 60191-6-20:2011 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-20: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von Gehäusen für oberflächenmontierte Halbleiterbauelemente – Messverfahren für Abmessungen...
NF EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für den Einsatz in faseroptischen Systemen – Teil 2: Messmethoden
NF EN 60191-6-4:2003 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-4: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Messmethoden für Gehäuseabmessungen...
NF C96-069-3*NF EN IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Teil 3: Stoßgetriebene piezoelektrische Energiegewinnung für Kraftfahrzeugsensoren
NF C86-503:1986 Halbleiterbauelemente. Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren und Fototransistor-Arrays. Blanko-Bauartspezifikation CECC 20 003.
NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahl-bestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente
NF EN 60191-6-3:2001 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-3: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Messmethoden für flache Quad-Gehäuse...
NF C96-005-3*NF EN 60747-5-3:2001 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente – Messmethoden
NF C96-005-3/A1*NF EN 60747-5-3/A1:2002 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Abschnitt 5-3: Optoelektronische Bauelemente – Messmethoden

International Electrotechnical Commission (IEC), Messung der Halbleiterlücke

IEC 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test
IEC 62830-5:2021 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 5: Prüfverfahren zur Messung der erzeugten Leistung flexibler thermoelektrischer Bauelemente
IEC 62830-2:2017 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 2: Thermoelektrische Energiegewinnung auf Basis von Thermoenergie
IEC 62830-3:2017 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 3: Vibrationsbasierte elektromagnetische Energiegewinnung
IEC 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
IEC 62830-1:2017 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 1: Vibrationsbasierte piezoelektrische Energiegewinnung
IEC 62007-2:1997 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Teil 3: Stoßgetriebene piezoelektrische Energiegewinnung für Kraftfahrzeugsensoren
IEC 60749-39:2021 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 63364-1:2022 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für IoT-Systeme – Teil 1: Testverfahren zur Erkennung von Schallschwankungen
IEC 62830-7:2021 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 7: Triboelektrische Energiegewinnung im linearen Gleitmodus
IEC 62007-2:1999 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
IEC 60747-14-11:2021 Halbleiterbauelemente – Teil 14-11: Halbleitersensoren – Prüfverfahren für integrierte Sensoren auf der Basis akustischer Oberflächenwellen zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
IEC 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente
IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 62007-2/AMD1:1998 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen - Teil 2: Messverfahren; Änderung 1
IEC 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
IEC 62951-9:2022 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 9: Leistungstestverfahren für Widerstandsspeicherzellen mit einem Transistor und einem Widerstand (1T1R).
IEC 60333:1993 Nukleare Instrumentierung; Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen; Testverfahren
IEC 60747-5-3:2009 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente – Messverfahren
IEC 60749-18:2019 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)

British Standards Institution (BSI), Messung der Halbleiterlücke

BS EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente. Metallisierungsstress-Hohlraumtest
BS EN 62007-2:2000 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Messmethoden
13/30264596 DC BS EN 60747-14-7. Halbleiterbauelemente. Teil 14-7. Halbleitersensor. Durchflussmesser
BS EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Messmethoden
BS IEC 62830-5:2021 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Prüfverfahren zur Messung der von flexiblen thermoelektrischen Geräten erzeugten Leistung
BS EN IEC 63364-1:2022 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente für IoT-Systeme – Testmethode zur Erkennung von Klangschwankungen
18/30355426 DC BS EN 62830-5. Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Teil 5. Prüfverfahren zur Messung der von flexiblen thermoelektrischen Geräten erzeugten Leistung
BS EN 62830-3:2017 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Vibrationsbasierte elektromagnetische Energiegewinnung
BS IEC 62830-1:2017 Halbleiterbauelemente. Halbleitergeräte zur Energiegewinnung und -erzeugung – Vibrationsbasierte piezoelektrische Energiegewinnung
BS IEC 62830-7:2021 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Triboelektrische Energiegewinnung im linearen Gleitmodus
BS IEC 62951-7:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Testverfahren zur Charakterisierung der Barriereleistung der Dünnschichtverkapselung für flexible organische Halbleiter
BS IEC 62830-4:2019 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Test- und Bewertungsmethoden für flexible piezoelektrische Energiegewinnungsgeräte
BS IEC 60747-14-11:2021 Halbleitergeräte – Halbleitersensoren. Testverfahren für auf Oberflächenwellen basierende integrierte Sensoren zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
BS EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
BS IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die thermischen Eigenschaften flexibler Materialien
BS IEC 62830-3:2017 Halbleitergeräte – Halbleitergeräte zur Energiegewinnung und -erzeugung. - Teil 3: Vibrationsbasierte elektromagnetische Energiegewinnung
PD ES 59008-4-1:2001 Datenanforderungen für Halbleiterchips. Spezifische Anforderungen und Empfehlungen. Test und Qualität
BS IEC 62951-6:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für den Schichtwiderstand flexibler leitender Filme
BS EN IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente. Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Stoßgetriebene piezoelektrische Energiegewinnung für Kraftfahrzeugsensoren
BS IEC 62951-1:2017 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
BS EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
BS IEC 62830-2:2017 Halbleitergeräte – Halbleitergeräte zur Energiegewinnung und -erzeugung. - Teil 2: Thermokraftbasierte thermoelektrische Energiegewinnung
BS IEC 62830-6:2019 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Test- und Bewertungsmethoden für triboelektrische Energiegewinnungsgeräte im vertikalen Kontaktmodus
BS IEC 60747-5-3:1998 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise. Optoelektronische Geräte. Messmethoden
BS EN 60747-5-3:1998 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise. Optoelektronische Geräte. Messmethoden
BS EN 60747-5-3:2001 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Optoelektronische Bauelemente – Messmethoden
BS ISO 17915:2018 Optik und Photonik. Messverfahren für Halbleiterlaser zur Sensorik
14/30297227 DC BS EN 62880-1. Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeit auf Waferebene für Halbleiterbauelemente. Testmethode für Kupfer-Stressmigration
BS IEC 62373-1:2020 Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Schneller BTI-Test für MOSFET
BS EN IEC 60749-18:2019 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11. Halbleiterbauelemente. Teil 14-11. Halbleitersensoren. Testverfahren für einen auf akustischen Oberflächenwellen basierenden integrierten Sensor zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11. Halbleiterbauelemente. Teil 14-11. Halbleitersensoren. Testverfahren für einen auf akustischen Oberflächenwellen basierenden integrierten Sensor zur Messung von Ultraviolett, Beleuchtung und Temperatur
14/30296894 DC BS EN 62830-1. Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Teil 1. Vibrationsbasierte piezoelektrische Energiegewinnung
18/30380675 DC BS EN IEC 62830-7. Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Teil 7. Triboelektrische Energiegewinnung im linearen Gleitmodus
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Teil 39. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
BS IEC 62951-9:2022 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Leistungstestmethoden für Widerstandsspeicherzellen mit einem Transistor und einem Widerstand (1T1R).
22/30443678 DC BS EN 60749-34-1. Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34-1. Power-Cycling-Test für Leistungshalbleitermodule
21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1. Halbleiterbauelemente. Halbleitergeräte für IOT-Systeme. Teil 1. Testverfahren zur Erkennung von Klangvariationen
BS EN 60191-6-21:2010 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Messmethoden für Paketabmessungen von Small Outline Packages (SOP)
BS IEC 63275-1:2022 Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren – Testverfahren für die Instabilität der Vorspannungstemperatur
18/30381548 DC BS EN 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
17/30366375 DC BS IEC 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
BS IEC 60747-18-1:2019 Halbleiterbauelemente. Halbleiter-Biosensoren. Testmethode und Datenanalyse zur Kalibrierung linsenloser CMOS-Photonik-Array-Sensoren
BS EN 60749-7:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
BS EN 60191-6-4:2003 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Messmethoden für Gehäuseabmessungen von Ball Grid Array (BGA)
BS IEC 62830-8:2021 Halbleiterbauelemente. Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung. Test- und Bewertungsmethoden für flexible und dehnbare Superkondensatoren für den Einsatz in der Elektronik mit geringer Leistung
BS EN 62047-9:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Messung der Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeit für MEMS
BS EN 62047-9:2013 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Messung der Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeit für MEMS

HU-MSZT, Messung der Halbleiterlücke

MNOSZ 700-16.lap-1955 Nachweis des Nickelgehalts in Halbleitern
MNOSZ 700-18.lap-1956 Nachweis des Chlorgehalts in Halbleitern
MSZ 700/41.lap-1961 STMicroelectronics-Tests. Bestimmen Sie schnell den Gesamtschwefelgehalt
MSZ 7200/5-1985 Messmethoden für Hochleistungshalbleiterwerkzeuge
MNOSZ 700-15.lap-1955 Bestimmung des Sulfatgehalts in STMicroelectronics
MNOSZ 700-19.lap-1955 STMicroelectronics Pitch-Inhalte
MSZ 700/23.lap-1965 STMicroelectronics testet Koks
MSZ 700/24.lap-1965 STMicroelectronics Kokstest
MSZ 700/36.lap-1961 Halbleitertestexperimente in Kohlebergwerken
MSZ 700/27.lap-1962 Test-Flash-Definition von STMicroelectronics
MNOSZ 700-8.lap-1955 STMicroelectronics testet Kohlenstoff und Gelbsucht
MSZ 700/26.lap-1961 STMicroelectronics-Tests. Schnelle Methode zur Bestimmung des Aschegehalts
MSZ KGST 1622-1979 Allgemeine Bestimmungen für Leistungsmessungen an Halbleiterwerkzeugen und zugehörigen Leiterplatten
MSZ 7200/2-1984 Allgemeine Prozessanforderungen und Prüfung von Hochleistungshalbleitern

American National Standards Institute （ANSI), Messung der Halbleiterlücke

ANSI N42.31-2003 Messverfahren für Auflösung und Effizienz von Halbleiterdetektoren mit großer Bandlücke für ionisierende Strahlung
ANSI/ASTM D6095:2012 Testverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ANSI/TIA/EIA 455-128-1996 Verfahren zur Bestimmung des Schwellenstroms von Halbleiterlasern
ANSI/IEEE 300:1988 Testverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
ANSI/EIA 318-B:1996 Messung der Sperrverzögerungszeit für Halbleitersignaldioden / Hinweis: Genehmigt am 00.04.1999.

RU-GOST R, Messung der Halbleiterlücke

GOST R 50471-1993 Halbleiter-Fotoemitter. Messmethode für Halbwertswinkel
GOST 18986.10-1974 Halbleiterdioden. Methoden zur Messung der Induktivität
GOST 18986.11-1984 Halbleiterdioden. Methoden zur Messung des Gesamtserien-Äquivalentwiderstands
GOST 18986.15-1975 Referenzdioden. Methode zur Messung der Stabilisierungsspannung
GOST 18986.24-1983 Halbleiterdioden. Messmethode der Durchbruchspannung
GOST 24461-1980 Leistungshalbleitergeräte. Prüf- und Messmethoden
GOST 18986.12-1974 Halbleiter-Tunneldioden. Verfahren zur Messung der negativen Leitfähigkeit der intrinsischen Diode
GOST 26222-1986 Halbleiterdetektoren für ionisierende Strahlung. Methoden zur Parametermessung
GOST 19834.0-1975 Halbleiteremitter. Methoden zur Messung von Parametern. Allgemeine Grundsätze
GOST 18986.23-1980 Zener-Dioden. Methoden zur Messung der spektralen Rauschdichte
GOST 26239.7-1984 Halbleitersilizium. Methode zur Bestimmung von Sauerstoff, Kohlenstoff und Stickstoff
GOST 18986.14-1985 Halbleiterdioden. Methoden zur Messung von Differenz- und Steigungswiderständen
GOST 18986.22-1978 Referenzdioden. Methoden zur Messung des Differenzwiderstands
GOST 19656.5-1974 Halbleiter-UHF-Mischer und Detektordioden. Messmethoden für das Ausgangsrauschverhältnis
GOST 19834.4-1979 Halbleiter, die Infrarotdioden abstrahlen. Methoden zur Messung der Strahlungsleistung
GOST 18986.8-1973 Halbleiterdioden. Methode zur Messung der Reverse-Recovery-Zeit
GOST 19656.0-1974 Halbleiter-UHF-Dioden. Messmethoden elektrischer Parameter. Allgemeine Bedingungen
GOST 18986.17-1973 Referenzdioden. Methode zur Messung des Temperaturkoeffizienten der Arbeitsspannung
GOST 19834.2-1974 Halbleiteremitter. Methoden zur Messung der Strahlungsintensität und Strahldichte
GOST 19656.4-1974 Halbleiter-UHF-Mischdioden. Messmethoden für Umwandlungsverluste
GOST 19656.16-1986 Halbleiter-Mikrowellenbegrenzerdioden. Messverfahren für Durchschlags- und Ableitleistungen
GOST 19656.7-1974 Halbleiter-UHF-Detektordioden. Messmethode der Stromempfindlichkeit
GOST 18986.4-1973 Halbleiterdioden. Methoden zur Kapazitätsmessung
GOST 19656.2-1974 Halbleiter-UHF-Mischdioden. Messverfahren für gleichgerichteten Strom
GOST 19656.3-1974 Halbleiter-UHF-Mischdioden. Messmethoden der Ausgangsimpedanz bei einer Zwischenfrequenz
GOST 19656.6-1974 Halbleiter-UHF-Mischdioden. Messmethoden für die Standard-Gesamtrauschzahl
GOST 18986.6-1973 Halbleiterdioden. Verfahren zur Messung der Erholungsladung
GOST 18986.20-1977 Halbleiterdioden. Referenz-Zenerdioden. Methode zur Messung der Aufwärmzeit
GOST 18986.21-1978 Referenzdioden und Stabistoren. Verfahren zur Messung der Zeitdrift der Arbeitsspannung
GOST 19834.5-1980 Halbleiter emittierende Infrarotdioden. Verfahren zur Messung der Schaltzeiten von Strahlungsimpulsen
GOST 19656.15-1984 Halbleiter-UHF-Dioden. Messmethoden für den thermischen Widerstand und den thermischen Impulswiderstand
GOST 18986.0-1974 Halbleiterdioden. Messmethoden für elektrische Parameter. Allgemeine Anforderungen
GOST 18177-1981 Halbleiterdetektoren für ionisierende Strahlung. Begriffe und Definitionen
GOST 18986.5-1973 Halbleiterdioden. Methode zur Messung der Übergangszeit
GOST 19868-1974 Spektrometrische Linearverstärker für Transistordetektoren ionisierender Strahlung. Methoden zur Messung von Parametern
GOST 19834.3-1976 Halbleiteremitter. Methoden zur Messung der relativen spektralen Energieverteilung und spektralen Bandbreite
GOST 19656.9-1979 Halbleiter-Mikrowellenvaraktoren und Multiplikatordioden. Methoden zur Messung der Zeitkonstante und Grenzfrequenz
GOST 19656.9-1974 Ultrahochfrequenzvervielfachung und parametrische Halbleiterdioden, Festzeit- und Grenzfrequenzmessmethoden
GOST 18986.1-1973 Halbleiterdioden. Verfahren zur Messung von Gleichstrom
GOST 17772-1988 Halbleiter-Fotodetektoren und fotoelektrische Empfangsgeräte. Methoden zur Messung photoelektrischer Parameter und zur Bestimmung von Eigenschaften
GOST 18986.9-1973 Halbleiterdioden. Verfahren zur Messung der Impulsgleichspannung und der Vorwärtserholungszeit
GOST 19656.1-1974 Halbleiter-UHF-Mischer und Detektordioden. Messverfahren für das Spannungs-Stehwellenverhältnis
GOST 26239.2-1984 Halbleiterselicium, Rohstoffe für seine Herstellung und Quarz. Methoden zur Borbestimmung
GOST 26239.3-1984 Halbleiterselicium, Rohstoffe für seine Herstellung und Quarz. Methoden zur Phosphorbestimmung

CZ-CSN, Messung der Halbleiterlücke

CSN 35 8754-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messung der Kurzschlussausgangsadmittanz
CSN 35 8773-1977 Messung von Halbleiterbauelementen. Thyristoren. Messung des Sperrstroms und Rückwärtssperrstroms.
CSN 35 8756-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren Messung von y-Parametern
CSN 35 8740-1973 Halbleitergeräte. Transistor. Messung der Sättigungsspannung
CSN 35 8732-1964 Halbleiterdioden. Messung des Vorwärtsstroms
CSN 35 8742-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messung von Abschaltströmen
CSN 35 8736-1964 Halbleiterdioden. Messung der Kapazität zwischen den Elektroden
CSN 35 1603-1983 Leistungshalbleitergeräte. Allgemeine Messmethoden
CSN 35 8770-1970 Thyristoren. Methode zur Messung der Durchlassspannung
CSN 35 8734-1975 Halbleitergeräte. Dioden. Messung des Rückstroms.
CSN 35 8759-1977 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Methoden zur Messung von Schaltzeiten
CSN 35 8749-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messung des Absolutwerts der Kurzschluss-Vorwärtsübertragungsadmittanz
CSN 35 8767-1982 Halbleiterdioden Methoden zur Messung elektrischer Parameter
CSN 35 8850 Cast.1-1984 Halbleiterstrahler. Hauptparameter von Messmethoden
CSN 35 8737-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden. Messung der Differential-Rosistanoe
CSN 35 8772-1970 Thyristoren. Methode zur Messung des Haltestroms
CSN 35 8850 Cast.2-1984 Halbleiter-Strahlungsdetektoren. Hauptparameter von Messmethoden
CSN 35 8760-1973 Seraleiter. Stabilisierungsdioden. Messung des Spannungstemperaturkoeffizienten
CSN 35 8735-1964 Halbleiterdioden. Messung von Gleichströmen und Spannungen
CSN 35 8769-1983 Halbleiter-Zener-Dioden. Methoden zur Messung elektrischer Parameter
CSN 35 8768-1983 Halbleiterschaltdioden. Methoden zur Messung elektrischer Parameter
CSN 35 1540-1979 Tests von Leistungshalbleiterwandlern
CSN 35 8761-1973 Halbleiterbauelemente. Fototransistoren Fotodioden. Messung des fotoelektrischen Stroms
CSN 35 8762-1973 Halbleiterbauelemente. Fototransistoren Fotodioden. Messung des Dunkelstroms
CSN 35 8752-1976 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messmethoden für die gemeinsame Basis-Ausgangskapazität.
CSN 35 8766-1976 Halbleitergeräte. Schaltdioden. Messung der Vorwärtsspannung.
CSN 35 8731-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden Messung der Gleichstrom-Durchlassspannung
CSN 35 8763-1973 Halbleiterbauelemente. Dioden. Messung o? Sperrdurchbruchspannung
CSN 35 8785-1975 Halbleiterbauelemente. Varicaps. Messung des thermischen Kapazitätskoeffizienten.
CSN 35 8733-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden. Messung der Rückspannung (Arbeitsspannung)
CSN 35 8764-1976 Halbleitergeräte. Schaltdioden. Messung o? Reverse-Recovery-Zeit.
CSN 35 8765-1976 Halbleiterbauelemente. Schaltdioden. Messung der Reverse-Recovery-Gebühr.
CSN 35 8781-1983 Misch- und Detektionshalbleiter-UHF-Dioden Elektrische Parameter Messmethoden
CSN 35 8971-1984 Halbleitergeräte. Substrate für Masken und Masken. Messmethoden charakteristischer Parameter
CSN 35 8730-1981 Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise. Messung elektrischer Parameter. Allgemeine Anforderungen.
CSN IEC 749:1994 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden
CSN 35 8746-1973 Halbleiterbauelemente. Transistor. Messung des Absolutwerts des Vorwärtsstromübertragungsverhältnisses und der Frequenzen fT, fh21b, fh21e
CSN 35 6577-1982 Spetrometer mit Halbleiterdetektoren für ionisierende Strahlung. Spezifikationen
CSN 35 6576-1982 Halbleiterdetektoren für ionisierende Strahlung. Typen und Spezifikationen
CSN 35 6575 Z1-1997 Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
CSN 35 8771-1970 Thyristoren. Verfahren zur Messung der Gate-Triggerspannung und des Gate-Triggerstroms
CSN 73 1315-1989 Bestimmung der Volumenmasse, Dichte, Kompaktheit und Porosität von Beton
CSN 35 8745-1973 Halbleiterbauelemente. Transistor. Messung des Leerlauf-Sperrspannungsübertragungsverhältnisses und des Spannungskoeffizienten bei hohen Frequenzen
CSN 35 1601-1980 Leistungshalbleitergeräte. Allgemeine technische Anforderungen. Testmethoden

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Messung der Halbleiterlücke

KS C 2607-1974(2000) TESTMETHODEN VON HALBLEITERN
KS C 2607-1980 TESTMETHODEN VON HALBLEITERN
KS C 6563-1996(2016) Hauptmessmethoden für Halbleiter-Drucksensorelemente
KS C 6563-1996(2021) Hauptmessmethoden für Halbleiter-Drucksensorelemente
KS C 6520-2021 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften mittels Plasma
KS C 6045-1991(2001) PRÜFVERFAHREN FÜR HALBLEITER-GLEICHRICHTERDIODEN
KS M 1804-2008(2018) Prüfverfahren für Flusssäure für Halbleiter
KS C 6045-1986 PRÜFVERFAHREN FÜR HALBLEITER-GLEICHRICHTERDIODEN
KS C IEC 62007-2:2003 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
KS C 6520-2019 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften mittels Plasma
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS C 6565-2002 Testmethoden für Halbleiter-Beschleunigungssensoren
KS C 6565-2002(2017) Testmethoden für Halbleiter-Beschleunigungssensoren
KS C IEC 62007-2-2003(2018) Photoelektrische Halbleiterbauelemente für optische Kommunikationssysteme – Teil 2: Messmethoden
KS C IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS C 6943-1999 Testmethoden von Lasermodulen für die faseroptische Übertragung
KS C 6520-2008 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften durch Plasma
KS C IEC 60759-2009(2019) Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
KS C IEC 60749-7:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
KS C 6563-1996 Hauptmessmethoden für Halbleiter-Drucksensorelemente
KS C IEC 60747-5-3:2020 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente – Messmethoden

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Messung der Halbleiterlücke

GB/T 11685-2003 Messverfahren für Halbleiter-Röntgendetektorsysteme und Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
GB/T 5201-2012 Testverfahren für Detektoren geladener Halbleiterteilchen
GB/T 42676-2023 Röntgenbeugungsmethode zur Prüfung der Qualität von Halbleitereinkristallen
GB/T 31359-2015 Testmethoden von Halbleiterlasern
GB/T 1555-1997 Testmethoden zur Bestimmung der Orientierung eines Halbleitereinkristalls
GB/T 1555-2023 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls
GB/T 1555-2009 Prüfverfahren zur Bestimmung der Orientierung eines Halbleiter-Einkristalls
GB/T 6616-2023 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen
GB/T 41853-2022 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung
GB/T 1550-1997 Standardmethoden zur Messung der Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitermaterialien
GB/T 5201-1994 Testverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
GB/T 13974-1992 Testmethoden für Kurvenverfolgungsgeräte für Halbleiterbauelemente
GB/T 21548-2008 Messmethoden für direkt modulierte Hochgeschwindigkeits-Halbleiterlaser für Glasfaserkommunikationssysteme
GB/T 14144-1993 Testmethode zur Bestimmung der radialen interstitiellen Sauerstoffschwankung in Silizium
GB/T 14144-2009 Prüfverfahren zur Bestimmung der radialen interstitiellen Sauerstoffschwankung in Silizium
GB/T 20726-2006 Instrumentelle Spezifikation für energiedispersive Röntgenspektrometer mit Halbleiterdetektoren
GB/T 29299-2012 Allgemeine Spezifikation des Halbleiterlaser-Entfernungsmessers
GB/T 42975-2023 Testmethoden für integrierte Halbleiterschaltkreistreiber
GB/T 4326-2006 Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten durch extrinsische Halbleiter-Einkristalle
GB 4326-1984 Extrinsische Halbleiter-Einkristalle – Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten
GB/T 1557-2006 Die Methode zur Bestimmung des interstitiellen Sauerstoffgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption
GB/T 42838-2023 Hall-Schaltungstestverfahren für integrierte Halbleiterschaltungen
GB/T 43061-2023 Testverfahren für integrierte Halbleiterschaltkreise mit PWM-Controller
GB/T 22587-2008 Messung des Volumenverhältnisses von Matrix zu Supraleiter. Volumenverhältnis von Kupfer zu Supraleiter von Cu/Nb-Ti-Verbundsupraleitern
GB/T 36477-2018 Integrierte Halbleiterschaltung. Messmethoden für Flash-Speicher
GB/T 4377-2018 Integrierte Halbleiterschaltungen. Messverfahren von Spannungsreglern
GB/T 15653-1995 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
GB/T 43040-2023 Prüfverfahren für integrierte Halbleiterschaltkreise für AC/DC-Wandler
GB/T 24468-2009 Spezifikation zur Definition und Messung der Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartbarkeit von Halbleitergeräten (RAM)

PL-PKN, Messung der Halbleiterlücke

PN T01208-03-1992 Halbleiterbauelemente, Bipolartransistoren, Messmethoden
PN T01303-03-1991 Halbleitergeräte. Integrierte Schaltkreise. Analoge integrierte Schaltkreise. Messmethoden
PN T01303-03-A1-1991 Halbleiterbauelemente Integrierte Schaltkreise Analoge integrierte Schaltkreise Messmethoden Änderung 1

YU-JUS, Messung der Halbleiterlücke

JUS N.R1.470-1985 Halbleiterbauelemente. Referenzmessmethoden
JUS N.R1.500-1980 Semionductor-Geräte. Annahme. Elektrische Tests
JUS N.C0.035-1983 Anbringen von isolierten Leitern und Kabeln. Messung des elektrischen Widerstands von Leitern.
JUS N.C0.036-1980 Prüfung von flexiblen Leitungen und Kabeln. Messungen des Isolationswiderstands, des Widerstands halbleitender Schichten und des Oberflächenwiderstands.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Messung der Halbleiterlücke

JIS K 0315:2022 Verfahren zur Messung reduzierender Spurengase mittels Halbleiter-Spurengasmessgeräten

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Messung der Halbleiterlücke

JEDEC JEB5-A-1970 Messmethoden für Halbleiter-Logik-Gating-Mikroschaltungen
JEDEC JEP140-2002 Messung der Temperatur von Halbleitergehäusen mit Perlen-Thermoelementen
JEDEC JEB15-1969 Terminologie und Messmethoden für bistabile Halbleiter-Mikroschaltungen
JEDEC EIA-318-B-1996 Messung der Sperrverzögerungszeit für Halbleitersignaldioden [Ersetzt: JEDEC 318-1]
JEDEC JESD286-B-2000 Standard zur Messung der Vorwärtsschalteigenschaften von Halbleiterdioden
JEDEC JESD57-1996 Testverfahren zur Messung von Einzelereigniseffekten in Halbleiterbauelementen durch Schwerionenbestrahlung
JEDEC JESD51-1995 Methodik zur thermischen Messung von Komponentenpaketen (einzelnes Halbleiterbauelement)
JEDEC JESD22-B108A-2003 Koplanaritätstest für oberflächenmontierte Halbleiterbauelemente
JEDEC JESD22-B108B-2010 Koplanaritätstest für oberflächenmontierte Halbleiterbauelemente
JEDEC JESD51-1-1995 Methode zur thermischen Messung integrierter Schaltkreise – elektrische Testmethode (einzelnes Halbleiterbauelement)
JEDEC JESD89A-2006 Messung und Berichterstattung von durch Alphateilchen und terrestrische kosmische Strahlung verursachten Soft Errors in Halbleiterbauelementen

IN-BIS, Messung der Halbleiterlücke

IS 4400 Pt.4-1981 Messmethoden für Halbleiterbauelemente Teil IV Transistoren
IS 4400 Pt.1-1967 Messmethoden für Halbleiterbauelemente Teil Ⅰ Allgemeine Grundsätze
IS 7412-1974 Lebensdauertest von Halbleiterbauelementen
IS 4400 Pt.10-1983 Messmethoden für Halbleiterbauelemente Teil 10 Feldeffekttransistoren
IS 12737-1988 Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
IS 4400 Pt.3-1968 Methoden zur Messung von Halbleiterbauelementen Teil III Gleichrichterdioden
IS 4400 Pt.2-1967 Messmethoden für Halbleiterbauelemente Teil Ⅱ Signaldioden mit geringer Leistung
IS 9816-1981 Allgemeine Anforderungen und Klassifizierungen für die Prüfung von Halbleiterbauelementen
IS 4400 Pt.7-1971 Messmethoden für Halbleiterbauelemente Teil Ⅶ Rückwärts sperrender Triodenthyristor
IS 12970 Pt.3/Sec.3-1993 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise Teil 3 Digitale integrierte Schaltkreise – Messmethoden Abschnitt 3: Dynamische Messungen
IS 12641-1989 Umwelttestverfahren für Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Messung der Halbleiterlücke

IEEE/ANSI N42.31-2003 Amerikanischer nationaler Standard für Messverfahren für Auflösung und Effizienz von Halbleiterdetektoren mit großer Bandlücke für ionisierende Strahlung
IEEE 660-1986 Mustersprache für Halbleiterspeichertests
IEEE No 256-1963 IEEE-Testverfahren für Halbleiterdioden
IEEE Std 300-1988 IEEE-Standardtestverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
ANSI/IEEE Std 300-1982 IEEE-Standardtestverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
IEEE Std 660-1986 IEEE-Standard für die Testmustersprache für Halbleiterspeicher
ANSI/IEEE Std 759-1984 IEEE-Standardtestverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer

Professional Standard - Electron, Messung der Halbleiterlücke

SJ/T 11487-2015 Berührungsloses Messverfahren für den spezifischen Widerstand halbisolierender Halbleiterwafer
SJ 2355.6-1983 Methode zur Messung des Lichtstroms von lichtemittierenden Geräten
SJ/T 9533-1993 Qualitätsstandard für diskrete Halbleiterbauelemente
SJ/T 9534-1993 Qualitätsstandard für integrierte Halbleiterschaltungen
SJ/T 2215-2015 Messmethoden für Halbleiter-Optokoppler
SJ 2749-1987 Messverfahren für Halbleiterlaserdioden
SJ 2214.1-1982 Allgemeine Messverfahren für Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
SJ/T 11394-2009 Messmethoden für Halbleiter-Leuchtdioden
SJ/T 2658.7-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarot-emittierende Dioden. Teil 7: Strahlungsfluss
SJ/T 2658.1-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarot-emittierende Dioden. Teil 1: Allgemeines
SJ 20788-2000 Messverfahren für die thermische Impedanz von Halbleiterdioden
SJ 2355.1-1983 Allgemeine Messverfahren für lichtemittierende Geräte
SJ 2215.1-1982 Allgemeine Messverfahren für Halbleiter-Optokoppler
SJ 2658.7-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung des Strahlungsflusses
SJ/T 2658.4-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarotdioden. Teil 4: Gesamtkapazität
SJ/T 11405-2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen. Teil 2: Messmethoden
SJ/T 11777-2021 Technische Anforderungen und Messmethoden des Kalibrators für den charakteristischen Tracer von Halbleiterröhren
SJ 20787-2000 Messverfahren für den thermischen Widerstand von Halbleiter-Brückengleichrichtern
SJ/T 11399-2009 Messmethoden für Chips von Leuchtdioden
SJ/T 10705-1996 Standardverfahren zur Prüfung der Oberflächenqualität von Halbleiter-Anschlussdrähten
SJ/T 11820-2022 Technische Anforderungen und Messmethoden für DC-Parameter-Testgeräte für diskrete Halbleiterbauelemente
SJ 20744-1999 Allgemeine Regel der Infrarot-Absorptionsspektralanalyse für die Verunreinigungskonzentration in Halbleitermaterialien
SJ/T 2658.2-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarotdioden. Teil 2: Durchlassspannung
SJ/T 2658.5-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarot-emittierende Dioden. Teil 5: Reihenschaltungswiderstand
SJ/T 2658.6-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarotdioden. Teil 6: Strahlungsleistung
SJ/T 2658.8-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarotdioden. Teil 8: Strahlungsintensität
SJ/T 2658.10-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarot-emittierende Dioden. Teil 10: Modulationsbandbreite
SJ/T 2658.11-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarotdioden. Teil 11: Reaktionszeit
SJ/T 2214-2015 Messmethoden für Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
SJ 2065-1982 Prüfverfahren für einen Diffusionsofen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
SJ/T 10255-1991 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten. Präzisions-Energielücken-Spannungsreferenz für integrierte Halbleiterschaltung vom Typ CW1403
SJ 2355.5-1983 Methode zur Messung der Lichtstärke und des Halbwertswinkels von lichtemittierenden Geräten
SJ/T 2658.9-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarot-emittierende Dioden. Teil 9: Räumliche Verteilung der Strahlungsintensität und des Halbwertswinkels
SJ/T 10482-1994 Testverfahren zur Charakterisierung tiefer Halbleiterebenen durch transiente Kapazitätstechniken
SJ 20026-1992 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ 2214.3-1982 Methode zur Messung des Dunkelstroms von Halbleiterfotodioden
SJ 2214.5-1982 Methode zur Messung der Sperrschichtkapazität von Halbleiterfotodioden
SJ 2214.8-1982 Methode zur Messung der Dunkelstromspannung von Halbleiter-Fototransistoren
SJ 2658.1-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden Allgemeine Regeln
SJ/T 2658.16-2016 Messverfahren für Halbleiter-Infrarot-emittierende Dioden. Teil 16: Wirkungsgrad der fotoelektrischen Umwandlung
SJ 2355.4-1983 Methoden zur Messung der Sperrschichtkapazität lichtemittierender Geräte
SJ 2214.2-1982 Methode zur Messung der Durchlassspannung von Halbleiterfotodioden
SJ 2214.7-1982 Methode zur Messung der Sättigungsspannung von Halbleiter-Fototransistoren
SJ 2214.10-1982 Methode zur Messung des Lichtstroms von Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren

German Institute for Standardization, Messung der Halbleiterlücke

DIN 50447:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Schichtwiderstands von Halbleiterschichten mit der Wirbelstrommethode
DIN 50441-1:1996 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 1: Dicke und Dickenschwankung
DIN EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Hohlraumtest (IEC 62418:2010); Deutsche Fassung EN 62418:2010
DIN 50441-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 2: Prüfung des Kantenprofils
DIN EN 62417:2010-12 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
DIN 50448:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Widerstands von halbisolierenden Halbleiterscheiben mittels einer kapazitiven Sonde
DIN 50443-1:1988 Prüfung von Materialien zur Verwendung in der Halbleitertechnologie; Erkennung von Kristalldefekten und Inhomogenitäten in Silizium-Einkristallen mittels Röntgentopographie
DIN 50449-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 2: Bor in Galliumarsenid
DIN EN 62415:2010-12 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest (IEC 62415:2010); Deutsche Fassung EN 62415:2010
DIN 5032-9:2015-01 Photometrie - Teil 9: Messung der photometrischen Größen inkohärent emittierender Halbleiterlichtquellen
DIN EN 62416:2010-12 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010
DIN EN 60749-39:2007-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006 / Hinweis: Zu beachten...
DIN 5032-9:2015 Photometrie - Teil 9: Messung der photometrischen Größen inkohärent emittierender Halbleiterlichtquellen
DIN EN 62418:2010-12 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Hohlraumtest (IEC 62418:2010); Deutsche Fassung EN 62418:2010
DIN 50441-5:2001 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 5: Begriffe der Form- und Ebenheitsabweichung
DIN 43653:1976 Sicherungen mit hoher Schaltleistung für Halbleiterwandler
DIN 50449-1:1997 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 1: Kohlenstoff in Galliumarsenid
DIN EN 60749-39:2007 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006
DIN EN 60749-44:2017-04 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente (IEC 60749-44:2016); Deutsche Fassung EN 60749-44:2016
DIN EN 60191-6-4:2004-01 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-4: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Messverfahren für Gehäuseabmessungen von Ball Grid Array (BGA) (IEC 60191-6-4:20...
DIN EN 60191-6-3:2001 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-3: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen; Messverfahren für Verpackungsabmessungen von Quat-Flat-Packs (QFP) (IEC 60191-6-3:2000);
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 47/2652/CDV:2020); Englische Version prEN IEC 60749-39:2020 / Nicht...
DIN 50441-3:1985 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Messung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben; Bestimmung der Ebenheitsabweichung polierter Scheiben mittels Mehrstrahlinterferenz
DIN EN 62047-9:2012-03 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS (IEC 62047-9:2011); Deutsche Fassung EN 62047-9:2011
DIN EN 62007-2:2009-09 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen - Teil 2: Messverfahren (IEC 62007-2:2009); Deutsche Fassung EN 62007-2:2009 / Hinweis: DIN EN 62007-2 (2001-06) bleibt neben dieser Norm bis zum 01.02.2012 gültig.
DIN EN 60191-6-16:2007-11 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar der Halbleitertests und Burn-in-Sockel für BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Deutsche Fassung EN 60191-6-16:2007 / Hinweis: Wird durch DIN EN 60191-6-16 (2013-...) ersetzt.
DIN 50438-1:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption – Teil 1: Sauerstoff
DIN SPEC 1994:2017-02 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
DIN EN 60749-38:2008-10 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (IEC 60749-38:2008); Deutsche Fassung EN 60749-38:2008
DIN 50451-4:2007 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Spurenelementen in Flüssigkeiten – Teil 4: Bestimmung von 34 Elementen in Reinstwasser mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)
DIN EN IEC 60749-18:2020-02 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis) (IEC 60749-18:2019); Deutsche Fassung EN IEC 60749-18:2019 / Hinweis: DIN EN 60749-18 (2003-09) bleibt neben dieser Norm bis zum 15.05.2022 gültig.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Messung der Halbleiterlücke

ASTM F1893-98(2003) Leitfaden zur Messung des Burnouts der ionisierenden Dosisleistung von Halbleiterbauelementen
ASTM F1893-98 Leitfaden zur Messung des Burnouts der ionisierenden Dosisleistung von Halbleiterbauelementen
ASTM F1893-18 Leitfaden zur Messung der Überlebensfähigkeit ionisierender Dosisleistung und des Burnouts von Halbleiterbauelementen
ASTM F1893-11 Leitfaden zur Messung der Überlebensfähigkeit ionisierender Dosisleistung und des Burnouts von Halbleiterbauelementen
ASTM F1192-11 Standardhandbuch für die Messung von Single-Event-Phänomenen (SEP), die durch Schwerionenbestrahlung von Halbleiterbauelementen hervorgerufen werden
ASTM D6095-12(2018) Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM F980-92 Leitfaden zur Messung des schnellen Ausheilens neutroneninduzierter Verschiebungsschäden in Silizium-Halbleiterbauelementen
ASTM D6095-12(2023) Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM D6095-06 Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM D6095-12 Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
ASTM F616M-96 Standardtestmethode zur Messung des MOSFET-Drain-Leckstroms (metrisch)
ASTM F616M-96(2003) Standardtestmethode zur Messung des MOSFET-Drain-Leckstroms (metrisch)
ASTM E1161-95 Standardtestmethode für die radiologische Untersuchung von Halbleitern und elektronischen Bauteilen

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Messung der Halbleiterlücke

CNS 13805-1997 Methode zur Messung der Photolumineszenz optoelektronischer Halbleiterwafer

PH-BPS, Messung der Halbleiterlücke

PNS IEC 62830-2:2021 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 2: Thermoelektrische Energiegewinnung auf Basis von Thermoenergie
PNS IEC 62830-4:2021 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente zur Energiegewinnung und -erzeugung – Teil 4: Test- und Bewertungsmethoden für flexible piezoelektrische Energiegewinnungsgeräte

RO-ASRO, Messung der Halbleiterlücke

STAS 11066/2-1980 THYRISTOREN Testmethoden
STAS 12124/1-1982 Halbleiterbauelemente BIPOLARTRANZISTOREN Methoden zur Messung elektrischer statischer Parameter
STAS 10954-1977 HALBLEITER-GLEICHRICHTER Allgemeine technische Anforderungen an die Qualität
STAS 13072-1992 Bestimmung des Porenvolumens mit einem Radius von 0 ... 300 A durch Adsorption von Stickstoff an porösen Feststoffen
STAS 12124/3-1983 Halbleiterbauelemente FIFL D-EFFECT TRANZISTORS Methoden zur Messung elektrischer statischer Parameter
STAS 12124/4-1983 Halbleiterbauelemente FELDEFFEKTRANZISTOREN Methoden zur Messung elektrischer statischer Parameter
STAS 6693/2-1975 Halbleiterbauelemente TRANSISTOREN Methoden zur Messung elektrischer Eigenschaften
STAS 12123/1-1982 Halbleiterbauelemente GLEICHRICHTERDIODEN Messmethoden für elektrische und thermische Eigenschaften
STAS 12123/4-1984 Halbleiterbauelemente VARIABLE-KAPAZITÄTS-DIODEN Messmethoden für elektrische Eigenschaften
STAS 13083-1992 Bestimmung von Poren mit Radiusabmessungen von 0...300 A durch Adsorption von Stickstoff an porigen Feststoffen
STAS 10810-1976 HALBLEITERDETEKTOREN FÜR KERNSTRAHLUNG Klassifizierung und Terminologie

Defense Logistics Agency, Messung der Halbleiterlücke

DLA MIL-STD-750 F CHANGE 1-2013 TESTVERFAHREN FÜR HALBLEITERGERÄTE
DLA MIL-STD-750 F-2012 TESTVERFAHRENSTANDARD FÜR HALBLEITERGERÄTE

Danish Standards Foundation, Messung der Halbleiterlücke

DS/EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
DS/EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest
DS/EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
DS/EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test
DS/EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
DS/ES 59008-4-1:2001 Datenanforderungen für Halbleiterchips – Teil 4-1: Spezifische Anforderungen und Empfehlungen – Prüfung und Qualität
DS/EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
DS/EN 60191-6-16:2007 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-16: Glossar zu Halbleitertests und Burn-in-Sockeln für BGA, LGA, FBGA und FLGA
DS/EN 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
DS/EN 60747-5-3/A1:2002 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente – Messverfahren
DS/EN 60747-5-3:2002 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente – Messverfahren
DS/EN 62047-9:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS

ES-UNE, Messung der Halbleiterlücke

UNE-EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (Befürwortet von AENOR im September 2010.)
UNE-EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest (von AENOR im September 2010 empfohlen.)
UNE-EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren (Befürwortet von AENOR im September 2010.)
UNE-EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im März 2022.)
UNE-EN IEC 63364-1:2023 Halbleiterbauelemente – Halbleiterbauelemente für IOT-Systeme – Teil 1: Testmethode zur Erkennung von Schallschwankungen (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im März 2023.)
UNE-EN IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Teil 3: Stoßgetriebene piezoelektrische Energiegewinnung für Kraftfahrzeugsensoren (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im August 2018.)
UNE-EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test (von AENOR im Oktober 2010 empfohlen.)
UNE-EN 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 38: Soft-Error-Testverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (Genehmigt von AENOR im September 2008.)
UNE-EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006). (Von AENOR im November 2006 gebilligt.)
UNE-EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente (Genehmigt von AENOR im Dezember 2016.)
UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente (Genehmigt von AENOR im Dezember 2016.)
UNE-EN 60191-6-4:2003 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-4: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Messmethoden für Gehäuseabmessungen von Ball Grid Array (BGA) (gebilligt von AEN...)
UNE-EN 62047-9:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS (Befürwortet von AENOR im Juni 2012.)
UNE-EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleitergeräte für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden (Genehmigt von AENOR im Juni 2009.)
UNE-EN 60749-7:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase (Genehmigt von AENOR im Dezember 2011.)
UNE-EN 60191-6-21:2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-21: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Messmethoden für Gehäuseabmessungen von Small Outline Packages (SOP) (Empfehlung...

Group Standards of the People's Republic of China, Messung der Halbleiterlücke

T/SHDSGY 113-2022 Hochfrequenz-Frontend-Halbleitertestsoftware
T/SZBSIA 007-2022 Testspezifikation für Halbleiter-Die-Bonder
T/ZACA 041-2022 Testausrüstung für Mixed-Signal-Halbleiterbauelemente
T/ZZB Q041-2022 Testausrüstung für Mixed-Signal-Halbleiterbauelemente
T/CIE 120-2021 Methode zur Erkennung von Trojanern für integrierte Halbleiterschaltkreis-Hardware
T/CZSBDTHYXH 001-2023 Waferfehler Automatische optische Inspektionsausrüstung
T/CASAS 011.1-2021 Testqualifikation für Leistungsgeräte in Automobilanwendungen
T/CASAS 011.2-2021 Testqualifikation für Leistungsmodule in Automotive-Anwendungen
T/CNIA 0143-2022 Hochreine Harzgefäße für die Spurenverunreinigungsanalyse von Halbleitermaterialien
T/GVS 006-2022 Verfahren zur Messung der Ausgangsabweichungsstabilität für Halbleiter-HF-Stromversorgungen und Mikrowellen-Stromversorgungen

International Organization for Standardization (ISO), Messung der Halbleiterlücke

ISO/TS 17915:2013 Optik und Photonik. Messverfahren von Halbleiterlasern zur Sensorik
ISO 17915:2018 Optik und Photonik – Messverfahren von Halbleiterlasern für die Sensorik

SAE - SAE International, Messung der Halbleiterlücke

SAE AIR1921-1985 Messung des Halbleiterwiderstands von Funkenzündern unter Verwendung kontrollierter Energieniveaus

Society of Automotive Engineers (SAE), Messung der Halbleiterlücke

SAE AIR1921-1994 FUNKENZÜNDER-HALBLEITERWIDERSTANDSMESSUNG UNTER VERWENDUNG KONTROLLIERTER ENERGIEPEGEL

Lithuanian Standards Office , Messung der Halbleiterlücke

LST EN 62417-2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010)
LST EN 62415-2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest (IEC 62415:2010)
LST EN 60749-39-2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden (IEC 60749-39:2006)
LST EN 62416-2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren (IEC 62416:2010)
LST EN 60749-38-2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (IEC 60749-38:2008)
LST EN 62418-2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Hohlraumtest (IEC 62418:2010)

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Messung der Halbleiterlücke

EN 62415:2010 Semiconductor devices - Constant current electromigration test
EN 62007-2:2000 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen Teil 2: Messmethoden

工业和信息化部, Messung der Halbleiterlücke

SJ/T 2749-2016 Testmethoden für Halbleiterlaserdioden
SJ/T 2658.15-2016 Messverfahren für Halbleiter-Infrarot-Emissionsdioden Teil 15: Wärmewiderstand
SJ/T 2658.14-2016 Messmethoden für Halbleiter-Infrarot-Emissionsdioden Teil 14: Sperrschichttemperatur
SJ/T 10805-2018 Prüfverfahren für einen Spannungskomparator für integrierte Halbleiterschaltungen
SJ/T 11702-2018 Prüfverfahren für serielle Peripherieschnittstellen integrierter Halbleiterschaltungen

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Messung der Halbleiterlücke

GB/T 1550-2018 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien
GB/T 21548-2021 Messmethoden für direkt modulierte Hochgeschwindigkeits-Halbleiterlaser für Glasfaserkommunikationssysteme
GB/T 1557-2018 Testverfahren zur Bestimmung des interstitiellen Sauerstoffgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption
GB/T 8446.2-2022 Kühlkörper für Leistungshalbleiterbauelemente – Teil 2: Messmethoden für den Wärmewiderstand und den Flüssigkeitsdruckabfall zwischen Einlass und Auslass
GB/T 41040-2021 COTS-Halbleiterteile für Raumfahrtanwendungen – Anforderungen zur Qualitätssicherung

CU-NC, Messung der Halbleiterlücke

NC 66-13-1984 Elektronik. Qualitätsspezifikationen für Wärmeableiter für Halbleiter

未注明发布机构, Messung der Halbleiterlücke

BS 358:1960(1999) Methode zur Messung der Spannung mit Kugelspalten – (Eine Kugel geerdet)
DIN 5032-9 E:2013-05 Photometrie - Teil 9: Messung der photometrischen Größen inkohärent emittierender Halbleiterlichtquellen
BS EN 62047-9:2011(2012) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS
DIN SPEC 1994 E:2016-07 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
BS EN 60747-5-3:2001(2003) Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5 – 3: Optoelektronische Bauelemente – Messverfahren

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Messung der Halbleiterlücke

EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
EN IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Teil 3: Stoßgetriebene piezoelektrische Energiegewinnung für Kraftfahrzeugsensoren
EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente – Metallisierungsstress-Void-Test
EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente

Professional Standard - Aerospace, Messung der Halbleiterlücke

QJ 259-1977 器件
QJ 257-1977 Testmethode für integrierte TTL-Halbleiter-Digitalschaltungen
QJ 1528-1988 Zeitbasistestverfahren für integrierte Halbleiterschaltungen
QJ/Z 32-1977 Prüfverfahren für halbleiterintegrierte Vergleichsverstärker
QJ 260-1977 器件
QJ 10004-2008 Methode zur Prüfung der Gesamtdosisstrahlung von Halbleiterbauelementen für Raumfahrtanwendungen
QJ 1460-1988 Prüfverfahren für Breitbandverstärker einer integrierten Halbleiterschaltung
QJ 2491-1993 Testmethoden für Operationsverstärker in integrierten Halbleiterschaltungen

TR-TSE, Messung der Halbleiterlücke

TS 2643-1977 Testverfahren für Bemiconductor-Detektoren für ionisierende Strahlung

KR-KS, Messung der Halbleiterlücke

KS C IEC 62007-2-2003(2023) Photoelektrische Halbleiterbauelemente für optische Kommunikationssysteme – Teil 2: Messmethoden
KS C IEC 60749-7-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
KS C IEC 60747-5-3-2020 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente – Messmethoden

SE-SIS, Messung der Halbleiterlücke

SIS SS-IEC 749:1991 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden
SIS SS IEC 333:1986 Nukleare Instrumentierung – Testverfahren für Halbleiterdetektoren für geladene Teilchen
SIS SS IEC 759:1986 Nukleare Instrumentierung – Testverfahren für Halbleiter-Röntgenenergiespektrometer
SIS SEN 43 32 00-1973 Halbleiterbauelemente. Übersicht über Standards. Gültigkeit internationaler Empfehlungen als schwedischer Standard

Professional Standard - Post and Telecommunication, Messung der Halbleiterlücke

YD/T 701-1993 Testverfahren für die Montage von Halbleiterlaserdioden
YD/T 682-1994 Qualitätsbewertungskriterien für Halbleiter-Gleichrichteranlagen für die Kommunikation

ECIA - Electronic Components Industry Association, Messung der Halbleiterlücke

EIA CB-5:1969 Empfohlenes Testverfahren für Halbleiter-Wärmeableitgeräte

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Messung der Halbleiterlücke

ECA CB 5-1969 Empfohlenes Testverfahren für Halbleiter-Wärmeableitgeräte

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Messung der Halbleiterlücke

GB/T 14028-2018 Integrierte Halbleiterschaltungen – Messmethode für analoge Schalter
GB/T 35006-2018 Integrierte Halbleiterschaltungen – Messverfahren für Pegelwandler

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Messung der Halbleiterlücke

DB52/T 1104-2016 Transiente Testmethode für den thermischen Widerstand des Anschlussgehäuses von Halbleiterbauelementen

Professional Standard - Machinery, Messung der Halbleiterlücke

JB/T 6307.1-1992 Prüfverfahren für Leistungshalbleitermodule. Gleichrichterdiodenzweigpaar
JB/T 6307.2-1992 Prüfverfahren für Leistungshalbleitermodule Einphasen-Brückengleichrichterdioden
JB/T 6307.3-1992 Prüfverfahren für Leistungshalbleitermodule mit Dreiphasen-Brückengleichrichterdiode
JB/T 4219-1999 Typenbezeichnung von Messgeräten für Leistungshalbleiterbauelemente

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Messung der Halbleiterlücke

GJB 9147-2017 Testmethoden für Operationsverstärker in integrierten Halbleiterschaltungen

American Institute of Aeronautics and Astronautics (AIAA), Messung der Halbleiterlücke

AIAA G-035A-2000 Leitfaden zur Messung der menschlichen Leistung

AT-OVE/ON, Messung der Halbleiterlücke

OVE EN IEC 60749-39:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden (IEC 47/2652/CDV) (englische Version)

Anhui Provincial Standard of the People's Republic of China, Messung der Halbleiterlücke

DB34/T 3110-2018 Messverfahren für das ebene Magnetfeld im Luftspalt des Hauptmagneten eines supraleitenden Zyklotrons

(U.S.) Telecommunications Industries Association , Messung der Halbleiterlücke

TIA-455-128-1996 Verfahren zur Bestimmung des Schwellenstroms von Halbleiterlasern
TIA-455-128-1996(2014) Verfahren zur Bestimmung des Schwellenstroms von Halbleiterlasern