Измерение зазора полупроводника

Измерение зазора полупроводника, Всего: 500 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Измерение зазора полупроводника, являются: Обработка поверхности и покрытие, Полупроводниковые приборы, Измерения радиации, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Атомная энергетика, Применение информационных технологий, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Полупроводниковые материалы, Оптика и оптические измерения, Испытание металлов, Оптоволоконная связь, Разработка программного обеспечения и системная документация, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Неорганические химикаты, Механические конструкции электронного оборудования, Линейные и угловые измерения, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Лампы и сопутствующее оборудование, Изоляционные жидкости, Словари, Аналитическая химия, Строительные материалы, Телекоммуникационное терминальное оборудование, Электрические провода и кабели, Технические рисунки, Электронные компоненты в целом, Электрические и электронные испытания, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования.

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Измерение зазора полупроводника

IEEE N42.31-2003 Методики измерения разрешающей способности и эффективности широкозонных полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения
IEEE 425-1957 ТЕСТОВЫЙ КОД ТРАНЗИСТОРОВ. ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ЛЕЙТЕРНЫЕ СИМВОЛЫ.
IEEE 300-1988 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
IEEE 300-1982 СТАНДАРТНЫЕ ПРОЦЕДУРЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ

Association Francaise de Normalisation, Измерение зазора полупроводника

NF C80-204*NF EN 62418:2011 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания движущихся ионов металлооксидно-полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
NF EN IEC 63364-1:2023 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые приборы для системы IDO. Часть 1. Метод определения акустических отклонений.
NF C86-010:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Дискретные полупроводниковые приборы. Общая спецификация.
NF EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянным током
NF EN IEC 62969-3:2018 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для автомобилей. Часть 3. Сбор энергии пьезоэлектрического удара для датчиков автомобилей.
NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения.
NF EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых в полупроводниковых компонентах.
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
NF EN 60191-6-21:2011 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-21. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Методы измерения размеров...
NF EN 60191-6-20:2011 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-20. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Методы измерения размеров...
NF EN 62418:2011 Полупроводниковые приборы. Испытание полостей из-за напряжений металлизации
NF EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкую погрешность полупроводниковых приборов с памятью.
NF EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на одиночные эффекты нейтронного луча (SEE) для полупроводниковых приборов
NF EN 62007-2:2009 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения
NF EN 60191-6-4:2003 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-4. Общие правила составления габаритных чертежей полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Методы измерения размеров упаковки...
NF C96-069-3*NF EN IEC 62969-3:2018 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для автомобильных транспортных средств. Часть 3. Сбор пьезоэлектрической энергии с ударным приводом для датчиков автомобильных транспортных средств.
NF C86-503:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Фототранзисторы, фототранзисторы фотодарлингтона и фототранзисторы. Спецификация пустой детали CECC 20 003.

International Electrotechnical Commission (IEC), Измерение зазора полупроводника

IEC 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
IEC 62830-5:2021 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые приборы для сбора и генерации энергии. Часть 5. Метод испытаний для измерения мощности, вырабатываемой гибкими термоэлектрическими устройствами.
IEC 62830-2:2017 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 2. Сбор термоэлектрической энергии на основе термоэлектрической энергии.
IEC 62830-3:2017 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 3. Сбор электромагнитной энергии на основе вибрации.
IEC 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
IEC 62830-1:2017 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 1. Сбор пьезоэлектрической энергии на основе вибрации.
IEC 62007-2:1997 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 62969-3:2018 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для автомобильных транспортных средств. Часть 3. Сбор пьезоэлектрической энергии с ударным механизмом для датчиков автомобильных транспортных средств.
IEC 60749-39:2021 RLV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 60749-39:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 63364-1:2022 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для системы Интернета вещей. Часть 1. Метод испытания обнаружения изменения звука.
IEC 62830-7:2021 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 7. Сбор трибоэлектрической энергии в линейном скользящем режиме.
IEC 62007-2:1999 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 60747-14-11:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний интегрированных датчиков на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры.
IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
IEC 62007-2/AMD1:1998 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения; Поправка 1
IEC 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.

British Standards Institution (BSI), Измерение зазора полупроводника

BS EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустотность металлизации
BS EN 62007-2:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Методы измерения
13/30264596 DC БС ЕН 60747-14-7. Полупроводниковые приборы. Часть 14-7. Полупроводниковый датчик. Расходомер
BS EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Методы измерения
BS IEC 62830-5:2021 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Метод испытаний для измерения мощности, генерируемой гибкими термоэлектрическими устройствами
BS EN IEC 63364-1:2022 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для системы Интернета вещей. Метод испытания обнаружения изменения звука
BS EN 62830-3:2017 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Сбор электромагнитной энергии на основе вибрации.
BS IEC 62830-1:2017 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Сбор пьезоэлектрической энергии на основе вибрации.
BS IEC 62830-7:2021 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Линейный скользящий режим сбора трибоэлектрической энергии
18/30355426 DC БС ЕН 62830-5. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 5. Метод испытаний для измерения мощности, вырабатываемой гибкими термоэлектрическими устройствами
BS IEC 62951-7:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые устройства. Метод испытаний для определения барьерных характеристик тонкопленочной герметизации гибких органических полупроводников.
BS IEC 62830-4:2019 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Методы испытаний и оценки гибких пьезоэлектрических устройств для сбора энергии.
BS IEC 60747-14-11:2021 Полупроводниковые приборы - Полупроводниковые датчики. Метод испытаний интегральных датчиков на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
BS EN IEC 60749-39:2022 Отслеживаемые изменения. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для изготовления полупроводниковых компонентов.
BS IEC 62951-5:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.
BS IEC 62830-3:2017 Полупроводниковые устройства — Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. - Часть 3: Сбор электромагнитной энергии на основе вибрации
PD ES 59008-4-1:2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Особые требования и рекомендации. Тест и качество
BS IEC 62951-6:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания поверхностного сопротивления гибких проводящих пленок.
BS EN IEC 62969-3:2018 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для автомобильных транспортных средств. Ударный сбор пьезоэлектрической энергии для датчиков автомобильных транспортных средств.
BS IEC 62951-1:2017 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые приборы. Метод испытаний на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках
BS EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
BS IEC 62830-2:2017 Полупроводниковые устройства — Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. - Часть 2: Сбор термоэлектрической энергии на основе термоэлектрической энергии.
BS IEC 62830-6:2019 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Методы испытаний и оценки трибоэлектрических устройств сбора энергии с вертикальным контактом.
BS 358:1960(1999) Метод измерения напряжения с использованием сферы - промежутки - (Одна сфера заземлена)
BS IEC 60747-5-3:1998 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Оптоэлектронные устройства. Методы измерения
BS EN 60747-5-3:1998 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Оптоэлектронные устройства. Методы измерения
BS EN 60747-5-3:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Оптоэлектронные приборы. Методы измерений.
BS ISO 17915:2018 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования
23/30450091 DC BS IEC 62899-203-2 Печатная электроника. Материалы. Полупроводниковые чернила. Измерение ограниченной подвижности пространственного заряда в печатных органических полупроводниковых слоях.
14/30297227 DC БС ЕН 62880-1. Полупроводниковые приборы. Надежность на уровне пластин для полупроводниковых приборов. Метод испытания миграции меди под напряжением
BS IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) - быстрый тест BTI для MOSFET
BS EN IEC 60749-18:2019 Отслеживаемые изменения. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Ионизирующее излучение (общая доза)
19/30390371 DC БС МЭК 60747-14-11. Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний встроенного датчика на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
18/30362458 DC БС МЭК 60747-14-11. Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний встроенного датчика на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
14/30296894 DC БС ЕН 62830-1. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 1. Сбор пьезоэлектрической энергии на основе вибрации.
18/30380675 DC БС ЕН МЭК 62830-7. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 7. Линейно-скользящий режим сбора трибоэлектрической энергии.
20/30425840 DC БС ЕН МЭК 60749-39. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых деталей
BS IEC 62951-9:2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Методы тестирования производительности резистивных ячеек памяти с одним транзистором и одним резистором (1T1R).
BS EN 60191-6-21:2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Методы измерения размеров упаковок малого размера (СОП)
22/30443678 DC БС ЕН 60749-34-1. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34-1. Тест циклического включения и выключения силового полупроводникового модуля
21/30432536 DC БС ЕН МЭК 63364-1. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для системы IOT. Часть 1. Метод испытания обнаружения изменения звука

American National Standards Institute （ANSI), Измерение зазора полупроводника

ANSI N42.31-2003 Методики измерения разрешающей способности и эффективности широкозонных полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения
ANSI/ASTM D6095:2012 Метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ANSI/TIA/EIA 455-128-1996 Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров
ANSI/IEEE 300:1988 Методики испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
ANSI/EIA 318-B:1996 Измерение времени обратного восстановления полупроводниковых сигнальных диодов / Примечание: утверждено 00 апреля 1999 г.

HU-MSZT, Измерение зазора полупроводника

MNOSZ 700-16.lap-1955 Обнаружение содержания никеля в полупроводниках
MNOSZ 700-18.lap-1956 Обнаружение содержания хлора в полупроводниках
MSZ 700/41.lap-1961 Тестирование STMicroelectronics. Быстрое определение общего содержания серы
MSZ 7200/5-1985 Методы измерения мощных полупроводниковых приборов
MNOSZ 700-15.lap-1955 Определение содержания сульфатов в STMicroelectronics
MNOSZ 700-19.lap-1955 Содержание поля ST
MSZ 700/23.lap-1965 STMicroelectronics тестирует кокс
MSZ 700/24.lap-1965 STMicroelectronics: испытание кокса
MSZ 700/36.lap-1961 Испытание полупроводников в угольной шахте
MSZ 700/27.lap-1962 Определение тестовой вспышки STMicroelectronics
MNOSZ 700-8.lap-1955 STMicroelectronics тестирует углерод и желтуху
MSZ 700/26.lap-1961 Тестирование STMicroelectronics. Определение зольности экспресс-методом
MSZ KGST 1622-1979 Общие положения по измерению мощности полупроводниковых приборов и связанных с ними печатных плат
MSZ 7200/2-1984 Общие технологические требования и испытания мощных полупроводников.

RU-GOST R, Измерение зазора полупроводника

GOST R 50471-1993 Полупроводниковые фотоэмиттеры. Метод измерения угла половинной интенсивности
GOST 18986.10-1974 Полупроводниковые диоды. Методы измерения индуктивности
GOST 18986.11-1984 Полупроводниковые диоды. Методы измерения суммарного последовательного эквивалентного сопротивления
GOST 18986.15-1975 Опорные диоды. Метод измерения напряжения стабилизации
GOST 18986.24-1983 Полупроводниковые диоды. Метод измерения напряжения пробоя
GOST 24461-1980 Силовые полупроводниковые приборы. Методы испытаний и измерений
GOST 18986.12-1974 Полупроводниковые туннельные диоды. Метод измерения отрицательной проводимости собственного диода
GOST 26222-1986 Полупроводниковые детекторы ионизирующего излучения. Методы измерения параметров
GOST 19834.0-1975 Полупроводниковые эмиттеры. Методы измерения параметров. Общие принципы
GOST 18986.23-1980 Стабилитроны. Методы измерения спектральной плотности шума
GOST 26239.7-1984 Полупроводниковый кремний. Метод определения кислорода, углерода и азота
GOST 18986.14-1985 Полупроводниковые диоды. Методы измерения дифференциального и наклонного сопротивлений
GOST 18986.22-1978 Опорные диоды. Методы измерения дифференциального сопротивления
GOST 19656.5-1974 Полупроводниковый смеситель УВЧ и детекторные диоды. Методы измерения коэффициента выходного шума
GOST 19834.4-1979 Полупроводниковые излучающие инфракрасные диоды. Методы измерения мощности излучения
GOST 18986.8-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения времени обратного восстановления
GOST 19656.0-1974 Полупроводниковые диоды УВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие условия
GOST 18986.17-1973 Опорные диоды. Метод измерения температурного коэффициента рабочего напряжения
GOST 19834.2-1974 Полупроводниковые эмиттеры. Методы измерения силы и сияния излучения
GOST 19656.4-1974 Полупроводниковые диоды смесителя УВЧ. Методы измерения потерь преобразования
GOST 19656.16-1986 Полупроводниковые ограничительные диоды СВЧ. Метод измерения мощностей пробоя и утечки
GOST 19656.7-1974 Полупроводниковые детекторные диоды УВЧ. Метод измерения токовой чувствительности
GOST 18986.4-1973 Полупроводниковые диоды. Методы измерения емкости
GOST 19656.2-1974 Полупроводниковые диоды смесителя УВЧ. Метод измерения выпрямленного тока
GOST 19656.3-1974 Полупроводниковые диоды смесителя УВЧ. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте
GOST 19656.6-1974 Полупроводниковые диоды смесителя УВЧ. Методы измерения стандартного общего коэффициента шума
GOST 18986.6-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения восстановительного сбора
GOST 18986.20-1977 Полупроводниковые диоды. Эталонные стабилитроны. Метод измерения времени прогрева
GOST 18986.21-1978 Опорные диоды и стабисторы. Метод измерения временного дрейфа рабочего напряжения
GOST 19834.5-1980 Полупроводниковые диоды, излучающие инфракрасное излучение. Метод измерения времени переключения импульсов излучения
GOST 19656.15-1984 Полупроводниковые диоды УВЧ. Методы измерения термического сопротивления и импульсного термического сопротивления
GOST 18986.0-1974 Полупроводниковые диоды. Методы измерения электрических параметров. Общие требования
GOST 18177-1981 Полупроводниковые детекторы ионизирующего излучения. Понятия и определения
GOST 18986.5-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения времени перехода
GOST 19868-1974 Спектрометрические линейные усилители для транзисторных детекторов ионизирующих излучений. Методы измерения параметров
GOST 19834.3-1976 Полупроводниковые эмиттеры. Методы измерения относительного спектрального распределения энергии и спектральной полосы пропускания
GOST 19656.9-1979 Полупроводниковые СВЧ-варакторы и умножительные диоды. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты
GOST 19656.9-1974 Умножение сверхвысокой частоты и параметрические полупроводниковые диоды с фиксированным временем и методами измерения предельной частоты
GOST 18986.1-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения прямого обратного тока
GOST 18986.9-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения импульсного постоянного напряжения и времени восстановления
GOST 19656.1-1974 Полупроводниковый смеситель УВЧ и детекторные диоды. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению

CZ-CSN, Измерение зазора полупроводника

CSN 35 8754-1973 Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Измерение допуска короткого замыкания на выходе
CSN 35 8773-1977 Измерение полупроводниковых приборов. Тиристоры. Измерение тока блокировки и обратного тока блокировки.
CSN 35 8756-1973 Полупроводниковые приборы. Транзисторы Измерение y-параметров
CSN 35 8740-1973 Полупроводниковые устройства. Транзистор. Измерение напряжения насыщения
CSN 35 8732-1964 Полупроводниковые диоды. Измерение прямого тока
CSN 35 8742-1973 Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Измерение токов отключения
CSN 35 8736-1964 Полупроводниковые диоды. Измерение межэлектродной емкости
CSN 35 1603-1983 Силовые полупроводниковые приборы. Общие методы измерений
CSN 35 8770-1970 Тиристоры. Метод измерения напряжения в открытом состоянии
CSN 35 8734-1975 Полупроводниковые устройства. Диоды. Измерение обратного тока.
CSN 35 8759-1977 Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Методы измерения времени переключения
CSN 35 8749-1973 Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Измерение абсолютного значения прямой передачи короткого замыкания
CSN 35 8767-1982 Полупроводниковые диоды. Методы измерения электрических параметров.
CSN 35 8850 Cast.1-1984 Полупроводниковые радиаторы. Основные параметры методов измерения
CSN 35 8737-1975 Полупроводниковые приборы. Диоды. Измерение дифференциального росистаэя
CSN 35 8772-1970 Тиристоры. Метод измерения тока удержания
CSN 35 8850 Cast.2-1984 Полупроводниковые детекторы излучения. Основные параметры методов измерения
CSN 35 8760-1973 Серапроводники. Стабилизирующие диоды. Измерение температурного коэффициента напряжения
CSN 35 8735-1964 Полупроводниковые диоды. Измерение постоянного тока и напряжения
CSN 35 8769-1983 Полупроводниковые стабилитроны. Методы измерения электрических параметров
CSN 35 8768-1983 Полупроводниковые переключающие диоды. Методы измерения электрических параметров
CSN 35 1540-1979 Испытания силовых полупроводниковых преобразователей
CSN 35 8761-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы фотодиоды. Измерение фотоэлектрического тока
CSN 35 8762-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы, фотодиоды. Измерение темнового тока
CSN 35 8752-1976 Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Методы измерения выходной емкости с общей базой.
CSN 35 8766-1976 Полупроводниковые устройства. Переключение диодов. Измерение относительно прямого напряжения.
CSN 35 8731-1975 Полупроводниковые приборы. Диоды Измерение прямого напряжения постоянного тока
CSN 35 8763-1973 Полупроводниковые приборы. Диоды. Измерение о? обратное напряжение пробоя
CSN 35 8785-1975 Полупроводниковые приборы. Варикапы. Измерение коэффициента термоемкости.
CSN 35 8733-1975 Полупроводниковые приборы. Диоды. Измерение обратного напряжения (рабочего напряжения)
CSN 35 8764-1976 Полукоадуктивные устройства. Переключение диодов. Измерение о? обратное время восстановления.
CSN 35 8765-1976 Полупроводниковые приборы. Переключение диодов. Измерение обратного возмещения.
CSN 35 8781-1983 Полупроводниковые диоды СВЧ для смешивания и обнаружения. Электрические параметры. Методы измерения.
CSN 35 8971-1984 Полупроводниковые приборы. Подложки для масок и масок. Методы измерения характеристических параметров
CSN 35 8730-1981 Полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Измерение электрических параметров. Общие требования.
CSN IEC 749:1994 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний.
CSN 35 8746-1973 Полупроводниковые приборы. Транзистор. Измерение абсолютного значения коэффициента передачи прямого тока и частот fT, fh21b, fh21e
CSN 35 6577-1982 Спитрометры с полупроводниковым детектором ионизирующего излучения. Технические характеристики
CSN 35 6576-1982 Полупроводниковые детекторы ионизирующего излучения. Типы и спецификации
CSN 35 6575 Z1-1997 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров
CSN 35 8771-1970 Тиристоры. Метод измерения напряжения триггера затвора и тока триггера затвора

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Измерение зазора полупроводника

KS C 2607-1974(2000) МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
KS C 2607-1980 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
KS C 2607-2002 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
KS C 6563-1996(2016) Основные методы измерения полупроводниковых датчиков давления
KS C 6563-1996(2021) Основные методы измерения полупроводниковых датчиков давления
KS C 6563-2021 Основные методы измерения полупроводниковых датчиков давления
KS C 6520-2021 Компоненты и материалы полупроводникового производства. Измерение характеристик износа с помощью плазмы.
KS C 6045-1991(2001) МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
KS M 1804-2008(2018) Метод испытания плавиковой кислоты для полупроводников
KS C 6045-1986 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
KS C IEC 62007-2:2003 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения.
KS C 6045-2002 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C IEC 60749-39-2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C 6520-2019 Компоненты и материалы полупроводникового производства. Измерение характеристик износа с помощью плазмы.
KS C 6565-2002 Методы испытаний полупроводниковых датчиков ускорения
KS C 6565-2002(2017) Методы испытаний полупроводниковых датчиков ускорения
KS C IEC 60749-2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний.
KS C IEC 62007-2-2003(2018) Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения
KS C IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C 6943-1999 Методы испытаний лазерных модулей волоконно-оптической передачи данных
KS C 6520-2008 Компоненты и материалы полупроводникового производства. Измерение характеристик износа с помощью плазмы.
KS C IEC 60759-2009(2019) Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров
KS C IEC 60759-2019 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Измерение зазора полупроводника

GB/T 11685-2003 Процедуры измерений для полупроводниковой системы детектора рентгеновского излучения и полупроводниковых энергетических спектрометров рентгеновского излучения
GB/T 5201-2012 Процедуры испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
GB/T 42676-2023 Рентгенодифракционный метод проверки качества монокристалла полупроводника
GB/T 31359-2015 Методы испытаний полупроводниковых лазеров
GB/T 1555-1997 Методы испытаний для определения ориентации монокристалла полупроводника
GB/T 1555-2023 Метод определения кристаллической ориентации монокристалла полупроводника
GB/T 1555-2009 Методы испытаний для определения ориентации монокристалла полупроводника
GB/T 6616-2023 Бесконтактный вихретоковый метод измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин и листов полупроводниковых пленок.
GB/T 41853-2022 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Измерение прочности соединения между пластинами.
GB/T 1550-1997 Стандартные методы измерения типа проводимости примесных полупроводниковых материалов
GB/T 5201-1994 Процедуры испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
GB/T 13974-1992 Методы испытаний индикаторов кривых полупроводниковых приборов
GB/T 21548-2008 Методы измерения быстродействующих полупроводниковых лазеров с прямой модуляцией для волоконно-оптических систем связи
GB/T 14144-1993 Метод испытаний для определения радиального изменения межузельного кислорода в кремнии
GB/T 14144-2009 Метод испытаний для определения радиального изменения межузельного кислорода в кремнии
GB/T 20726-2006 Технические характеристики энергодисперсионных рентгеновских спектрометров с полупроводниковыми детекторами
GB/T 29299-2012 Общие характеристики полупроводникового лазерного дальномера
GB/T 42975-2023 Методы тестирования драйверов полупроводниковых интегральных схем
GB/T 4326-2006 Измерение подвижности Холла и коэффициента Холла внешними полупроводниковыми монокристаллами
GB 4326-1984 Монокристаллы внешних полупроводников - измерение подвижности Холла и коэффициента Холла
GB/T 1557-2006 Способ определения содержания межузельного кислорода в кремнии по инфракрасному поглощению
GB/T 42838-2023 Метод испытания схемы Холла полупроводниковой интегральной схемы
GB/T 43061-2023 Метод тестирования ШИМ-контроллера полупроводниковой интегральной схемы
GB/T 22587-2008 Измерение соотношения объемов матрицы и сверхпроводника. Соотношение объемов меди и сверхпроводника в композитных сверхпроводниках Cu / Nb-Ti.
GB/T 36477-2018 Полупроводниковая интегральная схема. Методы измерения флэш-памяти.
GB/T 4377-2018 Полупроводниковые интегральные схемы. Метод измерения регуляторов напряжения.
GB/T 15653-1995 Методы измерения газовых сенсоров металлооксидных полупроводников
GB/T 43040-2023 Метод испытания преобразователя переменного/постоянного тока полупроводниковой интегральной схемы
GB/T 24468-2009 Спецификация для определения и измерения надежности, доступности и ремонтопригодности полупроводникового оборудования (ОЗУ)

PL-PKN, Измерение зазора полупроводника

PN T01208-03-1992 Полупроводниковые приборы Биполярные транзисторы Методы измерения
PN T01303-03-1991 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Аналоговые интегральные схемы. Методы измерения
PN T01303-03-A1-1991 Полупроводниковые приборы Интегральные схемы Аналоговые интегральные схемы Методы измерения Поправка 1

YU-JUS, Измерение зазора полупроводника

JUS N.R1.470-1985 Полупроводниковые приборы. Эталонные методы измерения
JUS N.R1.500-1980 Полупроводниковые устройства. Принятие. Электрические испытания
JUS N.C0.035-1983 Фриволите изоляционные жилы и кабели. Измерение электрического сопротивления проводников.
JUS N.C0.036-1980 Испытание гибких шнуров и кабелей. Измерения сопротивления изоляции, сопротивления полупроводниковых слоев и поверхностного сопротивления.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Измерение зазора полупроводника

JIS K 0315:2022 Способ измерения микроэлементов-восстановителей с помощью оборудования для измерения микроэлементов полупроводникового типа

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Измерение зазора полупроводника

JEDEC JEB5-A-1970 Методы измерения полупроводниковых логических вентильных микросхем
JEDEC JEP140-2002 Измерение температуры полупроводниковых корпусов бисерной термопарой
JEDEC JEB15-1969 Терминология и методы измерения бистабильных полупроводниковых микросхем.
JEDEC EIA-318-B-1996 Измерение времени обратного восстановления полупроводниковых сигнальных диодов [заменено: JEDEC 318-1]
JEDEC JESD286-B-2000 Стандарт для измерения характеристик прямого переключения полупроводниковых диодов
JEDEC JESD57-1996 Методики испытаний для измерения одиночных эффектов в полупроводниковых устройствах от облучения тяжелыми ионами
JEDEC JESD51-1995 Методика тепловых измерений корпусов компонентов (один полупроводниковый прибор)
JEDEC JESD22-B108A-2003 Испытание на копланарность полупроводниковых приборов поверхностного монтажа
JEDEC JESD22-B108B-2010 Испытание на копланарность полупроводниковых приборов поверхностного монтажа
JEDEC JESD51-1-1995 Метод измерения температуры интегральной схемы — метод электрических испытаний (одиночное полупроводниковое устройство)

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Измерение зазора полупроводника

IEEE/ANSI N42.31-2003 Американский национальный стандарт процедур измерения разрешения и эффективности широкозонных полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения
IEEE 660-1986 Язык шаблонов тестирования полупроводниковой памяти
IEEE No 256-1963 Процедура испытаний IEEE для полупроводниковых диодов
IEEE Std 300-1988 Стандартные процедуры испытаний IEEE для полупроводниковых детекторов заряженных частиц
ANSI/IEEE Std 300-1982 Стандартные процедуры испытаний IEEE для полупроводниковых детекторов заряженных частиц
IEEE Std 660-1986 Стандарт IEEE для языка шаблонов тестирования полупроводниковой памяти

IN-BIS, Измерение зазора полупроводника

IS 4400 Pt.4-1981 Методы измерения полупроводниковых приборов. Часть IV. Транзисторы
IS 4400 Pt.1-1967 Методы измерения полупроводниковых приборов Часть Ⅰ Общие принципы
IS 7412-1974 Ресурсные испытания полупроводниковых приборов
IS 4400 Pt.10-1983 Методы измерения полупроводниковых приборов. Часть 10. Полевые транзисторы.
IS 12737-1988 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров
IS 4400 Pt.3-1968 Методы измерения полупроводниковых приборов Часть III Выпрямительные диоды
IS 4400 Pt.2-1967 Методы измерения полупроводниковых приборов. Часть Ⅱ Сигнальные диоды малой мощности
IS 9816-1981 Общие требования и классификации испытаний полупроводниковых приборов
IS 4400 Pt.7-1971 Методы измерения полупроводниковых приборов. Часть Ⅶ Обратный блокирующий триод-тиристор.
IS 12970 Pt.3/Sec.3-1993 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 3. Цифровые интегральные схемы. Методы измерений. Раздел 3. Динамические измерения.

Professional Standard - Electron, Измерение зазора полупроводника

SJ/T 11487-2015 Бесконтактный метод измерения удельного сопротивления полуизолирующих полупроводниковых пластин
SJ 2355.6-1983 Метод измерения светового потока светоизлучающих устройств
SJ/T 9533-1993 Классификационный стандарт качества полупроводниковых дискретных приборов
SJ/T 9534-1993 Классификационный стандарт качества полупроводниковых интегральных схем
SJ/T 2215-2015 Методы измерения полупроводниковых фотопар
SJ 2749-1987 Метод измерения полупроводниковых лазерных диодов
SJ 2214.1-1982 Общие методики измерений полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ/T 11394-2009 Методы измерения полупроводниковых светодиодов
SJ/T 2658.7-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 7: Лучистый поток
SJ/T 2658.1-2015 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 1: Общие сведения
SJ 20788-2000 Метод измерения теплового сопротивления полупроводниковых диодов
SJ 2355.1-1983 Общие методики измерений светоизлучающих устройств
SJ 2215.1-1982 Общие процедуры измерения полупроводниковых фотопар
SJ 2658.7-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения лучистого потока
SJ/T 2658.4-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 4: Общая емкость.
SJ/T 11405-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения.
SJ/T 11777-2021 Технические требования и методы измерения калибратора для индикатора характеристик полупроводниковых трубок
SJ 20787-2000 Метод измерения термического сопротивления полупроводниковых мостовых выпрямителей
SJ/T 11399-2009 Методы измерения микросхем светодиодов
SJ/T 10705-1996 Стандартная практика проверки качества поверхности полупроводниковой соединительной проволоки
SJ 20744-1999 Общие правила спектрального анализа инфракрасного поглощения на концентрацию примесей в полупроводниковых материалах
SJ/T 11820-2022 Технические требования и методы измерения параметров постоянного тока аппаратуры полупроводниковых дискретных приборов
SJ/T 2658.2-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 2: Прямое напряжение
SJ/T 2658.5-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 5: Сопротивление последовательного соединения.
SJ/T 2658.6-2015 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 6: Мощность излучения.
SJ/T 2658.8-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 8: Интенсивность излучения.
SJ/T 2658.10-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 10. Полоса модуляции.
SJ/T 2658.11-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 11: Время отклика
SJ/T 2214-2015 Методы измерения полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 2065-1982 Метод испытаний диффузионной печи для производства полупроводниковых приборов
SJ/T 10255-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Полупроводниковая интегральная схема типа CW1403, прецизионный источник опорного напряжения с энергетическим зазором.
SJ/T 2658.9-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 9. Пространственное распределение силы излучения и угла половинной интенсивности.
SJ 2355.5-1983 Метод измерения силы света и угла половинной силы света светоизлучающих устройств
SJ/T 10482-1994 Метод испытаний для определения характеристик глубоких уровней полупроводников методами переходной емкости
SJ 20026-1992 Методы измерения газовых сенсоров металлооксидных полупроводников
SJ 2214.3-1982 Метод измерения темнового тока полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.5-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.8-1982 Метод измерения напряжения темнового тока полупроводниковых фототранзисторов
SJ 2658.1-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Общие правила
SJ/T 2658.16-2016 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 16: Эффективность фотоэлектрического преобразования.

German Institute for Standardization, Измерение зазора полупроводника

DIN 50447:1995 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Бесконтактное определение поверхностного электрического сопротивления полупроводниковых слоев вихретоковым методом.
DIN 50441-1:1996 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 1. Толщина и изменение толщины.
DIN EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации (IEC 62418:2010); Немецкая версия EN 62418:2010.
DIN 50441-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 2. Испытание краевого профиля.
DIN EN 62417:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.
DIN 50443-1:1988 Испытание материалов для использования в полупроводниковой технике; обнаружение кристаллических дефектов и неоднородностей в монокристаллах кремния методом рентгеновской топографии
DIN 50448:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Бесконтактное определение удельного электросопротивления полуизолирующих полупроводниковых пластинок с помощью емкостного зонда
DIN 50449-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 2. Бор в арсениде галлия.
DIN EN 62415:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытание на электромиграцию постоянным током (IEC 62415:2010); Немецкая версия EN 62415:2010.
DIN 5032-9:2015-01 Фотометрия. Часть 9. Измерение фотометрических величин некогерентно излучающих полупроводниковых источников света
DIN EN 60749-39:2007-01 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006 / Примечание: Быть...
DIN EN 62416:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов (IEC 62416:2010); Немецкая версия EN 62416:2010.
DIN 5032-9:2015 Фотометрия. Часть 9. Измерение фотометрических величин некогерентно излучающих полупроводниковых источников света
DIN 50441-5:2001 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 5. Условия отклонения формы и плоскостности.
DIN EN 62418:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации (IEC 62418:2010); Немецкая версия EN 62418:2010.
DIN 43653:1976 Предохранители с высокой отключающей способностью для полупроводниковых преобразователей
DIN 50449-1:1997 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 1. Углерод в арсениде галлия.
DIN EN 60749-39:2007 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006.
DIN EN 60191-6-4:2004-01 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-4. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Методы измерения размеров корпуса шариковой решетки (BGA) (IEC 60191-6-4:20...
DIN EN 60191-6-3:2001 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-3. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Методы измерения размеров четырехквадратных плоских упаковок (QFP) (IEC 60191-6-3:2000);
DIN EN 60749-44:2017-04 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод однособытийного испытания (SEE) нейтронным лучом для полупроводниковых приборов (IEC 60749-44:2016); Немецкая версия EN 60749-44:2016
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 47/2652/CDV:2020).
DIN 50441-3:1985 Испытание материалов для полупроводниковой техники; измерение геометрических размеров полупроводниковых пластинок; определение отклонения от плоскостности полированных срезов методом многолучевой интерференции
DIN EN 60191-6-16:2007-11 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Немецкая версия EN 60191-6-16:2007 / Примечание. Заменяется стандартом DIN EN 60191-6-16 (2013-...).
DIN EN 62047-9:2012-03 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС (IEC 62047-9:2011); Немецкая версия EN 62047-9:2011.
DIN EN 62007-2:2009-09 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения (IEC 62007-2:2009); Немецкая версия EN 62007-2:2009 / Примечание: DIN EN 62007-2 (2001-06) остается действительным наряду с этим стандартом до 01 февраля 2012 г.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Измерение зазора полупроводника

ASTM F1893-98(2003) Руководство по измерению мощности ионизирующей дозы выгорания полупроводниковых приборов
ASTM F1893-98 Руководство по измерению мощности ионизирующей дозы выгорания полупроводниковых приборов
ASTM F1893-18 Руководство по измерению живучести ионизирующей дозы и выгорания полупроводниковых приборов
ASTM F1893-11 Руководство по измерению живучести ионизирующей дозы и выгорания полупроводниковых приборов
ASTM F1192-11 Стандартное руководство по измерению единичных явлений (SEP), вызванных облучением полупроводниковых приборов тяжелыми ионами
ASTM D6095-12(2018) Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM F980-92 Руководство по измерению быстрого отжига нейтронно-индуцированных смещений в кремниевых полупроводниковых устройствах
ASTM D6095-12(2023) Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-06 Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-12 Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Измерение зазора полупроводника

CNS 13805-1997 Метод измерения фотолюминесценции полупроводниковых пластин оптоэлектроники

PH-BPS, Измерение зазора полупроводника

PNS IEC 62830-2:2021 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 2. Сбор термоэлектрической энергии на основе термоэлектрической энергии.
PNS IEC 62830-4:2021 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 4. Методы испытаний и оценки гибких пьезоэлектрических устройств для сбора энергии.

RO-ASRO, Измерение зазора полупроводника

STAS 11066/2-1980 ТИРИСТОРЫ Методы испытаний
STAS 12124/1-1982 Полупроводниковые приборы БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Методы измерения электрических статических параметров
STAS 10954-1977 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ Общие технические требования к качеству
STAS 13072-1992 Определение объема пор радиусом 0...300 А методом адсорбции азота на пористых твердых телах
STAS 12124/3-1983 Полупроводниковые приборы FIFL D-EFFECT TRANZISTORS Методы измерения электрических статических параметров
STAS 12124/4-1983 Полупроводниковые приборы ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Методы измерения электрических статических параметров
STAS 6693/2-1975 Полупроводниковые приборы ТРАНЗИСТОРЫ Методы измерения электрических свойств
STAS 12123/1-1982 Полупроводниковые приборы ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ Методы измерения электрических и тепловых характеристик
STAS 12123/4-1984 Полупроводниковые приборы ДИОДЫ ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ Методы измерения электрических характеристик
STAS 13083-1992 Определение пор радиусом размером 0...300 А методом адсорбции азота на пористых твердых телах.
STAS 10810-1976 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Классификация и терминология

Defense Logistics Agency, Измерение зазора полупроводника

DLA MIL-STD-750 F CHANGE 1-2013 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
DLA MIL-STD-750 F-2012 СТАНДАРТ МЕТОДА ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

SCC, Измерение зазора полупроводника

AS 1054:1973 Пределы и измерения электромагнитных помех для полупроводниковых устройств управления
CEI EN 62417:2011 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
DANSK DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
BS PD ES 59008-4-1:2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Особые требования и рекомендации. Испытания и качество.
CEI EN 62415:2011 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянным током
DANSK DS/EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянным током
DANSK DS/EN 62830-2:2017 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 2. Сбор термоэлектрической энергии на основе термоэнергии.
DIN 5032-9 E:2013 Проект документа - Фотометрия - Часть 9: Измерение фотометрических величин некогерентно излучающих полупроводниковых источников света
BS PD ISO/TS 17915:2013 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования
CEI EN 60749-39:2007 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
DANSK DS/EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
CEI EN 62416:2011 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
DANSK DS/EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
DANSK DS/EN IEC 62969-3:2018 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для автомобильных транспортных средств. Часть 3. Сбор пьезоэлектрической энергии с ударным механизмом для датчиков автомобильных транспортных средств.
CEI EN IEC 62969-3:2018 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для автомобильных транспортных средств. Часть 3. Сбор пьезоэлектрической энергии с ударным приводом для датчиков автомобильных транспортных средств.
IEC 60333:1970 Методики испытаний полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения
IEC 60333:1983 Методики испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
BS 9351:1980 Правила составления технических условий на полупроводниковые приборы оцениваемого качества: переключатели полупроводниковые СВЧ (без интегральных схем драйверов)
IEC 60749:1996+AMD1:2000+AMD2:2001 CSV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний
CEI EN 62418:2011 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
DANSK DS/EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
BS 6493-3:1985 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний.
CEI EN 60749-38:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
DANSK DS/EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
BS 9970-0:1985 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Общая спецификация
DIN EN 62830-1 E:2014 Проект документа. Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 1. Сбор пьезоэлектрической энергии на основе вибрации (IEC 47/2189/CD:2014).
DIN EN 62830-2 E:2014 Проект документа. Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 2. Сбор термоэлектрической энергии на основе термоэлектрической энергии (IEC 47/2190/CD:2014).
DIN EN 62830-3 E:2014 Проект документа. Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 3. Сбор электромагнитной энергии на основе вибрации (IEC 47/2198/CD:2014).
CEI EN 60749-44:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов.
DIN EN IEC 62969-3:2018 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для автомобильных транспортных средств. Часть 3. Сбор пьезоэлектрической энергии с ударным приводом для датчиков автомобильных транспортных средств (IEC 62969-3:2018); Немецкая версия EN IEC 62969-3:2018
CEI 45-35:1997 Стандартизированные методы испытаний полупроводниковых рентгеновских спектрометров
CEI EN 60191-6-16:2008 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
DANSK DS/EN 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.

Danish Standards Foundation, Измерение зазора полупроводника

DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
DS/EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянным током
DS/EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
DS/EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
DS/EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов
DS/ES 59008-4-1:2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Часть 4-1. Особые требования и рекомендации. Испытания и качество.
DS/EN 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
DS/EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.

ES-UNE, Измерение зазора полупроводника

UNE-EN 62417:2010 Полупроводниковые устройства. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.).
UNE-EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на электромиграцию постоянным током (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.).
UNE-EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для изготовления полупроводниковых компонентов (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в марте 2022 г.).
UNE-EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание МОП-транзисторов с горячими носителями (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.)
UNE-EN IEC 62969-3:2018 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для автомобильных транспортных средств. Часть 3. Сбор пьезоэлектрической энергии с ударным приводом для датчиков автомобильных транспортных средств (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в августе 2018 г.).
UNE-EN IEC 63364-1:2023 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для системы IOT. Часть 1. Метод испытания обнаружения изменения звука (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в марте 2023 г.).
UNE-EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации (одобрено AENOR в октябре 2010 г.)
UNE-EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие ошибки для полупроводниковых приборов с памятью (одобрен AENOR в сентябре 2008 г.).
UNE-EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006). (Одобрено AENOR в ноябре 2006 г.)
UNE-EN 60191-6-4:2003 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-4. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Методы измерения размеров корпуса матрицы шариковых решеток (BGA) (Одобрено AEN...
UNE-EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
UNE-EN 62047-9:2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС (одобрено AENOR в июне 2012 г.)
UNE-EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения (одобрено AENOR в июне 2009 г.)

Group Standards of the People's Republic of China, Измерение зазора полупроводника

T/SHDSGY 113-2022 Программное обеспечение для радиочастотного тестирования полупроводников
T/SZBSIA 007-2022 Спецификация испытаний полупроводникового штампа
T/ZACA 041-2022 Оборудование для испытания полупроводниковых приборов смешанного сигнала
T/ZZB Q041-2022 Оборудование для испытания полупроводниковых приборов смешанного сигнала
T/CIE 120-2021 Метод обнаружения троянского коня полупроводникового оборудования интегральной схемы
T/CZSBDTHYXH 001-2023 Дефекты пластин Автоматическое оборудование для оптического контроля
T/CNIA 0143-2022 Сосуды из сверхчистой смолы для анализа следов примесей в полупроводниковых материалах
T/CASAS 011.1-2021 Квалификация испытаний силовых устройств в автомобильной промышленности
T/CASAS 011.2-2021 Квалификация испытаний силовых модулей в автомобильной промышленности
T/GVS 006-2022 Метод измерения стабильности отклонения выходного сигнала полупроводниковых ВЧ- и СВЧ-источников питания

International Organization for Standardization (ISO), Измерение зазора полупроводника

ISO/TS 17915:2013 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования.
ISO 17915:2018 Оптика и фотоника - Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования

GSO, Измерение зазора полупроводника

GSO IEC 60191-2:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
GSO IEC 62830-3:2021 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 3. Сбор электромагнитной энергии на основе вибрации.
GSO IEC 62830-2:2021 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 2. Сбор термоэлектрической энергии на основе термоэлектрической энергии.
GSO IEC 62830-1:2021 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 1. Сбор пьезоэлектрической энергии на основе вибрации.
BH GSO IEC 62830-1:2022 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 1. Сбор пьезоэлектрической энергии на основе вибрации.
BH GSO IEC 62830-3:2022 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 3. Сбор электромагнитной энергии на основе вибрации.
BH GSO IEC 62830-2:2022 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 2. Сбор термоэлектрической энергии на основе термоэлектрической энергии.
GSO ISO/TS 17915:2015 Оптика и фотоника. Методы измерения полупроводниковыми лазерами для зондирования.
BH GSO ISO/TS 17915:2017 Оптика и фотоника. Методы измерения полупроводниковыми лазерами для зондирования.
OS GSO ISO/TS 17915:2015 Оптика и фотоника. Методы измерения полупроводниковыми лазерами для зондирования.
OS GSO IEC 60749-39:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов
GSO IEC 60749-39:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов
BH GSO IEC 62418:2022 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
GSO IEC 62418:2021 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
GSO IEC 60749-38:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
OS GSO IEC 60749-38:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
GSO IEC 60333:2009 Ядерное приборостроение. Полупроводниковые детекторы заряженных частиц. Процедуры испытаний.
GSO IEC 60749-44:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
GSO IEC 60191-6-4:2015 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-4. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Методы измерения размеров корпуса матрицы шариковых решеток (BGA)
GSO IEC 60759:2015 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров
OS GSO IEC 60759:2015 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров
GSO IEC 60191-6-16:2021 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
BH GSO IEC 60191-6-16:2022 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.

SAE - SAE International, Измерение зазора полупроводника

SAE AIR1921-1985 Измерение сопротивления полупроводников искрового воспламенителя с использованием контролируемых уровней энергии

Society of Automotive Engineers (SAE), Измерение зазора полупроводника

SAE AIR1921-1994 ИЗМЕРЕНИЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИСКРОВОГО ЗАПАЛА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КОНТРОЛИРУЕМЫХ УРОВНЕЙ ЭНЕРГИИ

Lithuanian Standards Office , Измерение зазора полупроводника

LST EN 62417-2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010)
LST EN 60749-39-2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006)
LST EN 62415-2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на электромиграцию постоянным током (IEC 62415:2010)
LST EN 62416-2010 Полупроводниковые приборы. Испытание МОП-транзисторов с горячими носителями (IEC 62416:2010)

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Измерение зазора полупроводника

EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянным током
EN 62007-2:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения

工业和信息化部, Измерение зазора полупроводника

SJ/T 2749-2016 Методы испытаний полупроводниковых лазерных диодов
SJ/T 2658.15-2016 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 15. Термическое сопротивление
SJ/T 2658.14-2016 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 14. Температура перехода.
SJ/T 10805-2018 Метод испытания компаратора напряжения полупроводниковой интегральной схемы

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Измерение зазора полупроводника

GB/T 1550-2018 Методы испытаний типа проводимости примесных полупроводниковых материалов
GB/T 21548-2021 Методы измерения быстродействующих полупроводниковых лазеров с прямой модуляцией для волоконно-оптических систем связи
GB/T 1557-2018 Метод испытаний для определения содержания межузельного кислорода в кремнии методом инфракрасного поглощения
GB/T 8446.2-2022 Радиаторы для силовых полупроводниковых приборов. Часть 2. Методы измерения термического сопротивления и падения давления жидкости на входе и выходе.

CU-NC, Измерение зазора полупроводника

NC 66-13-1984 Электроника. Характеристики качества теплоотводов для полупроводников

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Измерение зазора полупроводника

EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
EN IEC 62969-3:2018 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для автомобильных транспортных средств. Часть 3. Сбор пьезоэлектрической энергии с ударным механизмом для датчиков автомобильных транспортных средств.
EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.

IEC - International Electrotechnical Commission, Измерение зазора полупроводника

IEC 62951-7:2019 Полупроводниковые устройства. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые устройства. Часть 7. Метод испытаний для определения характеристик тонкопленочных барьеров, используемых для герметизации гибких органических полупроводников (Editio
IEC 62830-4:2019 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 4. Методы испытаний и оценки гибких пьезоэлектрических устройств для сбора энергии (издание 1.0).

Professional Standard - Aerospace, Измерение зазора полупроводника

QJ 259-1977 器件
QJ 257-1977 Метод тестирования полупроводниковых интегральных цифровых схем TTL
QJ 1528-1988 Метод испытания временной развертки полупроводниковых интегральных схем
QJ/Z 32-1977 Методы испытаний полупроводниковых интегральных усилителей сравнения
QJ 10004-2008 Метод радиационного испытания полупроводниковых приборов космического назначения в полной дозе
QJ 260-1977 器件
QJ 1460-1988 Метод испытаний широкополосного усилителя полупроводниковой интегральной схемы
QJ 2491-1993 Методы испытаний операционных усилителей в полупроводниковых интегральных схемах

TR-TSE, Измерение зазора полупроводника

TS 2643-1977 Методики испытаний бемипроводниковых детекторов ионизирующего излучения

未注明发布机构, Измерение зазора полупроводника

DIN 5032-9 E:2013-05 Фотометрия. Часть 9. Измерение фотометрических величин некогерентно излучающих полупроводниковых источников света
IEEE Std 300-1988(R2006) Стандартные процедуры испытаний IEEE для полупроводниковых детекторов заряженных частиц

KR-KS, Измерение зазора полупроводника

KS C IEC 62007-2-2003(2023) Полупроводниковые фотоэлектрические устройства для оптических систем связи. Часть 2. Методы измерений

SE-SIS, Измерение зазора полупроводника

SIS SS-IEC 749:1991 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний
SIS SS IEC 333:1986 Ядерное приборостроение. Методики испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
SIS SS IEC 759:1986 Ядерное приборостроение. Процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров.

Professional Standard - Post and Telecommunication, Измерение зазора полупроводника

YD/T 701-1993 Метод испытаний сборки полупроводникового лазерного диода
YD/T 682-1994 Критерии качества полупроводниковых выпрямительных установок связи.

ECIA - Electronic Components Industry Association, Измерение зазора полупроводника

EIA CB-5:1969 Рекомендуемая процедура испытаний полупроводниковых теплорассеивающих устройств

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Измерение зазора полупроводника

ECA CB 5-1969 Рекомендуемая процедура испытаний полупроводниковых теплорассеивающих устройств

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Измерение зазора полупроводника

GB/T 14028-2018 Полупроводниковые интегральные схемы. Метод измерения аналогового переключателя.
GB/T 35006-2018 Полупроводниковые интегральные схемы. Метод измерения преобразователя уровня.

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Измерение зазора полупроводника

DB52/T 1104-2016 Метод переходных испытаний термического сопротивления корпуса полупроводниковых приборов.

Professional Standard - Machinery, Измерение зазора полупроводника

JB/T 6307.1-1992 Метод испытания силового полупроводникового модуля. Пара плеч выпрямительного диода.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Измерение зазора полупроводника

GJB 9147-2017 Методы испытаний операционных усилителей полупроводниковых интегральных схем