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반도체 갭 측정

모두 500항목의 반도체 갭 측정와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 반도체 갭 측정와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 표면 처리 및 도금, 반도체 개별 장치, 방사선 측정, 광전자공학, 레이저 장비, 원자력공학, 정보 기술 응용, 정류기, 변환기, 조정된 전원 공급 장치, 반도체 소재, 광학 및 광학 측정, 금속 재료 테스트, 광섬유 통신, 소프트웨어 개발 및 시스템 문서화, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 무기화학, 전자 장비용 기계 부품, 길이 및 각도 측정, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 전등 및 관련 기기, 절연유체, 분석 화학, 어휘, 통신 단말 장비, 전선 및 케이블, 기술 도면, 종합 전자 부품, 전기 및 전자 테스트, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 전기 장비 부품, 구조 및 구조 요소.


IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 반도체 갭 측정

  • IEEE N42.31-2003 와이드 밴드갭 반도체 전리 방사선 검출기의 분해능 및 효율을 측정하는 절차
  • IEEE 425-1957 Wright 표기법에 대한 트랜지스터 반도체 정의 및 테스트 코드
  • IEEE 300-1988 반도체 하전입자 검출기의 표준 테스트 절차
  • IEEE 300-1982 반도체 하전입자 검출기의 표준 테스트 절차

Association Francaise de Normalisation, 반도체 갭 측정

  • NF C80-204*NF EN 62418:2011 반도체 소자 금속화 응력 보이드 테스트
  • NF EN 62417:2010 반도체 장치 - 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 이동 이온 테스트
  • NF EN IEC 63364-1:2023 반도체 장치 - IDO 시스템용 반도체 장치 - 1부: 음향 변화 감지 테스트 방법
  • NF C86-010:1986 반도체 장치 전자 장치의 품질 평가를 위한 조정 시스템 전자 부품 반도체 개별 장치 일반 사양
  • NF EN 62415:2010 반도체 장치 – 정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • NF EN IEC 62969-3:2018 반도체 장치 - 자동차 반도체 인터페이스 - 3부: 자동차 센서에서 압전 충격 에너지 수확
  • NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • NF EN 62416:2010 반도체 장치 – MOS 트랜지스터의 핫 캐리어 테스트
  • NF EN IEC 60749-39:2022 반도체 소자 - 기계적 및 기후적 시험 방법 - 제39부: 반도체 부품에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
  • NF EN 62418:2011 반도체 장치 - 금속화 응력으로 인한 공동 테스트
  • NF EN 60749-44:2016 반도체 장치에 대한 기계적 및 기후학적 테스트 방법 파트 44: 반도체 장치에 대한 중성자 빔 단일 이벤트 효과(SEE) 테스트 방법
  • NF EN 60749-38:2008 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 38부: 메모리가 있는 반도체 장치의 소프트 오류 테스트 방법
  • NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 39부: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
  • NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 반도체 소자의 기계적 및 기후적 시험 방법 제39부: 반도체 부품에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
  • NF EN 60191-6-21:2011 반도체 장치의 기계적 표준화 - 파트 6-21: 표면 실장 반도체 장치의 패키지 외형도 준비에 대한 일반 규칙 - 치수 측정 방법
  • NF EN 60191-6-20:2011 반도체 장치의 기계적 표준화 - 6-20부: 표면 실장 반도체 장치의 패키지 외형도 준비에 대한 일반 규칙 - 치수 측정 방법
  • NF EN 62007-2:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 - 2부: 측정 방법
  • NF EN 60191-6-4:2003 반도체 장치의 기계적 표준화 - 6-4부: 표면 실장형 반도체 장치의 외형도 작성을 위한 일반 규칙 - 패키지 치수 측정 방법...
  • NF C96-069-3*NF EN IEC 62969-3:2018 반도체 장치 자동차용 반도체 인터페이스 3부: 자동차 센서를 위한 충격 구동 압전 에너지 수확
  • NF C86-503:1986 반도체 장치 전자 부품에 대한 통일된 품질 평가 시스템 광트랜지스터, 광전지 복합 트랜지스터 및 광전자 반도체 회로 빈 세부 사양 CESS 20 003
  • NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 반도체 장치에 대한 기계적 및 기후학적 테스트 방법 파트 44: 반도체 장치에 대한 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(SEE)에 대한 테스트 방법
  • NF EN 60191-6-3:2001 반도체 장치의 기계적 표준화 - 6-3부: 표면 실장형 반도체 장치의 외형도 작성을 위한 일반 규칙 - 플랫 쿼드 패키지 측정 방법...
  • NF C96-005-3*NF EN 60747-5-3:2001 이산 반도체 장치 및 집적 회로 5-3부: 광전자 장치 측정 방법
  • NF C96-005-3/A1*NF EN 60747-5-3/A1:2002 이산 반도체 장치 및 집적 회로 5-3부: 광전자 장치 측정 방법
  • NF EN 60747-5-3:2001 이산 반도체 장치 및 집적 회로 - 부품 5-3: 광전자 장치 - 측정 방법
  • NF EN 60747-5-3/A1:2002 이산 반도체 장치 및 집적 회로 - 부품 5-3: 광전자 장치 - 측정 방법

International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체 갭 측정

  • IEC 62418:2010 반도체 장치 금속화 응력 보이드 테스트
  • IEC 62830-5:2021 반도체 장치 에너지 수집 및 생성을 위한 반도체 장치 5부: 유연한 열전 장치에서 생성된 전력을 측정하기 위한 테스트 방법
  • IEC 62830-2:2017 반도체 소자 에너지를 수집하고 생성하는 반도체 소자 2부: 열에너지를 기반으로 한 열전 에너지 하베스팅
  • IEC 62830-3:2017 반도체 장치 에너지를 수집하고 생성하는 반도체 장치 3부: 진동 기반 전자기 에너지 하베스팅
  • IEC 62416:2010 반도체 장치 - Mos 트랜지스터의 핫 캐리어 테스트
  • IEC 62830-1:2017 반도체 소자 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 소자 1부: 진동 기반 압전 에너지 수확
  • IEC 62007-2:1997 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 파트 2: 측정 방법
  • IEC 62969-3:2018 반도체 장치 자동차 반도체 인터페이스 3부: 자동차 센서를 위한 충격 구동 압전 에너지 수확
  • IEC 60749-39:2021 RLV 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
  • IEC 60749-39:2021 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
  • IEC 63364-1:2022 반도체 장치 사물 인터넷 시스템용 반도체 장치 1부: 소리 변화 감지 테스트 방법
  • IEC 62830-7:2021 반도체 장치 에너지 수집 및 생성을 위한 반도체 장치 7부: 선형 슬라이딩 모드 마찰 전기 에너지 수확
  • IEC 62007-2:1999 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • IEC 60747-14-11:2021 반도체 장치 파트 14-11: UV, 조도 및 온도 측정을 위한 표면 탄성파 기반 통합 센서에 대한 반도체 센서 테스트 방법
  • IEC 60749-44:2016 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 파트 44: 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(참조) 반도체 장치의 테스트 방법
  • IEC 60749-39:2006 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 장치에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
  • IEC 62007-2/AMD1:1998 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법 수정 1
  • IEC 62007-2:2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • IEC 62951-9:2022 반도체 소자 유연하고 신축성 있는 반도체 소자 9부: 1트랜지스터 1저항(1T1R) 저항성 메모리 유닛의 성능 테스트 방법
  • IEC 60333:1993 원자력 기기 반도체 하전입자 검출기 테스트 절차
  • IEC 60747-5-3:2009 개별 반도체 장치 및 집적 회로 5-3부: 광전자 부품 측정 방법
  • IEC 60749-18:2019 반도체 장치 - 기계적 및 기후 테스트 방법 - 파트 18: 전리 방사선(총 선량)

British Standards Institution (BSI), 반도체 갭 측정

  • BS EN 62418:2010 반도체 장치 금속화 응력 보이드 테스트
  • BS EN 62007-2:2000 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치.측정 방법
  • 13/30264596 DC BS EN 60747-14-7 반도체 장치 파트 14-7 반도체 센서 유량계
  • BS EN 62007-2:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치.측정 방법
  • BS EN IEC 63364-1:2022 반도체 소자 사물인터넷 시스템에 사용되는 반도체 소자의 소리 변화 검출을 위한 테스트 방법
  • BS IEC 62830-5:2021 에너지 하베스팅 및 발전용 반도체 소자 플렉서블 열전소자에서 발생하는 전력을 측정하기 위한 테스트 방법
  • 18/30355426 DC BS EN 62830-5 반도체 장치 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 장치 5부 유연한 열전 장치의 발전 측정을 위한 테스트 방법
  • BS EN 62830-3:2017 반도체 소자 에너지 수확 및 진동 기반 전자기 에너지 수확을 위한 반도체 소자
  • BS IEC 62830-1:2017 반도체 소자 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 소자 진동 기반 압전 에너지 수확
  • BS IEC 62830-7:2021 반도체 장치. 에너지 수확 및 발전용 반도체 장치. 선형 슬라이딩 모드 마찰 전기 에너지 수확
  • BS IEC 62951-7:2019 유연한 유기 반도체 필름 봉지의 장벽 특성을 특성화하기 위한 유연하고 신축성 있는 반도체 장치 테스트 방법
  • BS IEC 62830-4:2019 반도체 장치 에너지 수확 및 발전용 반도체 장치 유연한 압전 에너지 수확 장치의 테스트 및 평가 방법
  • BS IEC 60747-14-11:2021 반도체 장치 반도체 센서 표면 탄성파를 기반으로 한 자외선, 조도 및 온도 측정용 통합 센서 테스트 방법
  • BS EN IEC 60749-39:2022 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도를 측정하기 위한 반도체 장치 기계적 및 기후적 테스트 방법
  • BS IEC 62951-5:2019 반도체소자 유연 및 신축성 반도체소자 유연재료 열특성 시험방법
  • BS IEC 62830-3:2017 반도체 장치 에너지를 수집하고 생성하는 반도체 장치 3부: 진동 기반 전자기 에너지 하베스팅
  • PD ES 59008-4-1:2001 반도체 칩에 대한 데이터 요구 사항 특정 요구 사항 및 권장 사항 테스트 및 품질
  • BS IEC 62951-6:2019 반도체 소자의 유연한 전도성 필름 및 신축성 있는 반도체 소자의 면저항 시험 방법
  • BS EN IEC 62969-3:2018 반도체 장치 자동차 반도체 인터페이스 자동차 센서를 위한 충격 구동 압전 에너지 수확
  • BS IEC 62951-1:2017 유연한 기판의 전도성 필름에 대한 반도체 장치 유연 및 신축성 반도체 장치 굽힘 테스트 방법
  • BS EN 60749-39:2006 반도체 소자, 기계적 및 기후적 시험 방법, 반도체 소자에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
  • BS IEC 62830-2:2017 반도체 소자 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 소자 2부: 열전 기반 열전 에너지 수확
  • BS IEC 62830-6:2019 반도체 장치 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 장치 반도체 장치 수직 접촉 모드 마찰 전기 에너지 수확 장치 테스트 및 평가 방법
  • BS IEC 60747-5-3:1998 개별 반도체 장치 및 집적 회로, 광전자 장치, 측정 방법
  • BS EN 60747-5-3:1998 반도체 개별 장치 및 집적 회로 광전자 장치의 측정 방법
  • BS EN 60747-5-3:2001 반도체 개별 장치 및 집적 회로, 광전자 장치, 측정 방법
  • BS ISO 17915:2018 광학 및 광자 감지를 위한 반도체 레이저 측정 방법
  • 14/30297227 DC BS EN 62880-1 반도체 장치 반도체 장치에 대한 웨이퍼 수준 신뢰성 구리 응력 마이그레이션 테스트 방법
  • BS IEC 62373-1:2020 반도체 장치 금속 산화물, 반도체, 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 바이어스 온도 안정성 테스트 MOSFET의 빠른 BTI 테스트
  • BS EN IEC 60749-18:2019 반도체 장치 전리 방사선에 대한 기계적 및 기후학적 테스트 방법(총 선량)
  • 19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 반도체 장치 파트 14-11 반도체 센서 표면 음향파를 기반으로 한 자외선, 조명 및 온도 측정용 통합 센서에 대한 테스트 방법
  • 18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 반도체 장치 파트 14-11 반도체 센서 표면 음향파를 기반으로 한 자외선, 조명 및 온도 측정용 통합 센서에 대한 테스트 방법
  • 14/30296894 DC BS EN 62830-1 반도체 장치 에너지 수확 및 발전용 반도체 장치 1부: 진동 기반 압전 에너지 수확
  • 18/30380675 DC BS EN IEC 62830-7 반도체 장치 에너지 수확 및 발전용 반도체 장치 7부: 선형 슬라이딩 모드 마찰전기 에너지 수확
  • 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용성 측정
  • BS IEC 62951-9:2022 저항성 메모리 유닛을 위한 반도체 소자 유연 신축성 반도체 소자-트랜지스터-저항(1T1R) 성능 테스트 방법
  • 22/30443678 DC BS EN 60749-34-1 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 파트 34-1 전력 반도체 모듈의 전원 사이클 테스트
  • 21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1 반도체 장치 사물 인터넷 시스템에 사용되는 반도체 장치 1부 소리 변화 감지를 위한 테스트 방법
  • BS EN 60191-6-21:2010 반도체 장치의 기계적 표준화 표면 실장형 반도체 장치의 외형도 그리기에 대한 일반 규칙 SOP(소형 외형 패키지) 치수를 측정하는 방법
  • BS IEC 63275-1:2022 반도체 소자 탄화 규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 신뢰성 테스트 방법 바이어스 온도 불안정성 테스트 방법
  • 18/30381548 DC BS EN 62373-1 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트 1부. 신속한 BTI 테스트 방법
  • 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트 1부. 신속한 BTI 테스트 방법
  • BS IEC 60747-18-1:2019 반도체 장치 반도체 바이오 센서 무렌즈 CMOS 포토닉 어레이 센서 교정 테스트 방법 및 데이터 분석
  • BS EN 60749-7:2002 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 기타 잔류 가스의 내부 수분 함량 측정 및 분석
  • BS EN 60191-6-4:2003 반도체 장치의 기계적 표준화 표면 실장 반도체 장치 패키지 개요를 그리기 위한 일반 규칙 솔더 볼 그리드 어레이 패키지 치수를 측정하는 방법
  • BS IEC 62830-8:2021 반도체 장치 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 장치 저전력 전자 장치용 유연 및 신축성 슈퍼커패시터의 테스트 및 평가 방법
  • BS EN 62047-9:2011 반도체 장치, 마이크로 전자 기계 장치, MEMS의 웨이퍼 간 결합 강도 측정
  • BS EN 62047-9:2013 반도체소자 미세전자기계소자 MEMS의 웨이퍼간 결합강도 측정

HU-MSZT, 반도체 갭 측정

American National Standards Institute （ANSI), 반도체 갭 측정

  • ANSI N42.31-2003 전리 방사선용 광대역 밴드갭 반도체 검출기의 분해능 및 효율 측정 절차
  • ANSI/ASTM D6095:2012 압축 성형된 교차 연결된 열가소성 반도체, 도체 및 절연 차폐 재료의 체적 저항의 종방향 측정을 위한 테스트 방법
  • ANSI/TIA/EIA 455-128-1996 반도체 레이저의 임계 전류 측정 절차
  • ANSI/IEEE 300:1988 반도체 하전 입자 검출기의 테스트 절차
  • ANSI/EIA 318-B:1996 반도체 신호 다이오드의 역회복 시간 측정/비고: 승인 1999-04-00.

RU-GOST R, 반도체 갭 측정

  • GOST R 50471-1993 반도체 광 방출기. 반값 각도 측정 방법
  • GOST 18986.10-1974 반도체 다이오드 인덕턴스 측정 방법
  • GOST 18986.11-1984 반도체 다이오드.손실 저항 측정 방법
  • GOST 18986.15-1975 반도체 전압 조정기, 안정적인 전압 측정 방법
  • GOST 18986.24-1983 반도체 다이오드. 항복 전압 측정 방법
  • GOST 24461-1980 전력 반도체 소자 - 측정 및 테스트 방법
  • GOST 18986.12-1974 터널형 반도체 다이오드. 천이 부성 어드미턴스의 측정 방법
  • GOST 26222-1986 전리 방사선 반도체 검출기 매개변수 측정 방법
  • GOST 19834.0-1975 반도체 라디에이터 - 매개변수 측정을 위한 일반 요구 사항
  • GOST 18986.23-1980 반도체 전압 조정기, 잡음 스펙트럼 밀도 측정 방법
  • GOST 26239.7-1984 반도체 실리콘 산소, 탄소 및 질소 측정
  • GOST 18986.14-1985 반도체 다이오드 차동 및 동적 저항 측정 방법
  • GOST 18986.22-1978 반도체 전압 조정기 튜브 및 전압 제한 튜브 차동 저항 측정 방법
  • GOST 19656.5-1974 초고주파 혼합 반도체 다이오드 잡음비 측정 방법
  • GOST 19834.4-1979 적외선 방사 반도체 다이오드 방사 전력 측정 방법
  • GOST 18986.8-1973 반도체 다이오드.역저항 회복시간 측정방법
  • GOST 19656.0-1974 초고주파 반도체 다이오드 전기적 매개변수 측정 방법 일반 원리
  • GOST 18986.17-1973 반도체 전압 조정기. 안정 전압의 온도 계수 측정 방법
  • GOST 19834.2-1974 반도체 방사체 - 방사 강도 및 고에너지 휘도 측정 방법
  • GOST 19656.4-1974 초고주파 혼합 반도체 다이오드 주파수 변환 손실 측정 방법
  • GOST 19656.16-1986 초고주파 반도체 제한 다이오드. 누설 전력 측정 방법
  • GOST 19656.7-1974 초고주파 검출용 반도체 다이오드 전류감도 측정방법
  • GOST 18986.4-1973 반도체 다이오드 정전 용량 결정 방법
  • GOST 19656.2-1974 초고주파 혼합 반도체 다이오드. 평균 정류 전류의 측정 방법
  • GOST 19656.3-1974 초고주파 혼합 반도체 다이오드 중간주파 출력저항 측정방법
  • GOST 19656.6-1974 초고주파 혼합 반도체 다이오드. 정격 잡음 지수 측정 방법
  • GOST 18986.6-1973 반도체 다이오드 회수 전하 결정 방법
  • GOST 18986.20-1977 반도체 정밀 전압 조정관 특정 조건에서의 출력 시간 측정 방법
  • GOST 18986.21-1978 반도체 전압 조정기 튜브 및 전압 제한 튜브 전압 안정화 시간의 불안정성을 측정하는 방법
  • GOST 19834.5-1980 적외선 방사 반도체 다이오드 방사 펄스 시간 매개변수 측정 방법
  • GOST 19656.15-1984 초고주파 반도체 다이오드 전사체의 열저항 및 펄스 열저항 측정 방법
  • GOST 18986.0-1974 반도체 다이오드 전기적 매개변수 결정 방법 일반 원리
  • GOST 18177-1981 이온화 방사선 반도체 검출기 용어 및 정의
  • GOST 18986.5-1973 반도체 다이오드 오프 타임 결정 방법
  • GOST 19868-1974 전리 방사선 반도체 검출기용 분광계용 선형 증폭기 파라메트릭 측정 방법
  • GOST 19834.3-1976 반도체 방사체 복사 에너지와 복사 스펙트럼 폭의 상대 스펙트럼 분포를 측정하는 방법
  • GOST 19656.9-1979 초고주파 증폭 및 파라메트릭 반도체 다이오드 고정 시간 및 한계 주파수 측정 방법
  • GOST 19656.9-1974 초고주파 증폭 및 파라메트릭 반도체 다이오드 고정 시간 및 한계 주파수 측정 방법
  • GOST 18986.1-1973 반도체 다이오드.역직류 결정 방법
  • GOST 17772-1988 반도체 광검출기 및 광수신기, 광전 매개변수 측정 및 특성 결정 방법
  • GOST 18986.9-1973 반도체 다이오드 펄스 순방향 전압 및 순방향 회복 시간 측정 방법
  • GOST 19656.1-1974 초고주파 혼합 및 검출 반도체 다이오드 전압 정재파 계수 측정 방법
  • GOST 26239.2-1984 반도체 실리콘 및 그 초기 제품과 석영 붕소 측정 방법
  • GOST 26239.3-1984 반도체 실리콘 및 그 초기 제품과 석영, 인 측정 방법

CZ-CSN, 반도체 갭 측정

  • CSN 35 8754-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 단락 출력 어드미턴스 측정
  • CSN 35 8773-1977 반도체 장치 측정. 반도체 사이리스터. 차단 전류 및 역방향 차단 전류 측정
  • CSN 35 8756-1973 반도체 장비. 트랜지스터 Y 매개변수 측정
  • CSN 35 8740-1973 반도체 장치. 트랜지스터. 포화 전압 측정
  • CSN 35 8732-1964 반도체 다이오드. 순방향 전류 측정
  • CSN 35 8742-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 차단 전류 측정
  • CSN 35 8736-1964 반도체 다이오드. 전극간 용량 측정
  • CSN 35 1603-1983 전력 반도체 장치. 일반적인 측정 방법
  • CSN 35 8770-1970 반도체 사이리스터. 온 상태 전압 측정 방법
  • CSN 35 8734-1975 반도체 장치. 다이오드. 역전류 측정.
  • CSN 35 8759-1977 반도체 장비. 트랜지스터. 스위칭 시간을 측정하는 방법
  • CSN 35 8749-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 단락 순방향 전달 어드미턴스의 절대값 측정
  • CSN 35 8767-1982 반도체 다이오드. 전기적 매개변수의 측정 방법
  • CSN 35 8850 Cast.1-1984 반도체 라디에이터. 측정 방법의 주요 매개 변수
  • CSN 35 8737-1975 반도체 장비. 다이오드. 미분저항 측정
  • CSN 35 8772-1970 반도체 사이리스터. 유지 전류 측정 방법
  • CSN 35 8850 Cast.2-1984 반도체 방사선 검출기. 측정 방법의 주요 매개 변수
  • CSN 35 8760-1973 반도체. 제너 다이오드. 전압 온도 계수 측정
  • CSN 35 8735-1964 반도체 다이오드. DC 전류 및 전압 측정
  • CSN 35 8769-1983 반도체 제너 다이오드. 전기적 매개변수 측정 방법
  • CSN 35 8768-1983 반도체 스위칭 다이오드. 전기적 매개변수 측정 방법
  • CSN 35 1540-1979 전력 반도체 컨버터 테스트
  • CSN 35 8761-1973 반도체 장비. 포토트랜지스터 포토다이오드. 광전류 측정
  • CSN 35 8762-1973 반도체 장비. 포토트랜지스터 포토다이오드. 암전류 측정
  • CSN 35 8752-1976 반도체 장비. 트랜지스터. 공통 베이스 출력 커패시턴스를 측정하는 방법
  • CSN 35 8766-1976 반도체 장치. 스위칭 다이오드. 순방향 전압 측정
  • CSN 35 8731-1975 반도체 장비. 다이오드. DC 순방향 전압 측정
  • CSN 35 8763-1973 반도체 장비. 다이오드. 역항복전압 측정
  • CSN 35 8785-1975 반도체 장비. 버랙터 다이오드. 열용량 계수 측정
  • CSN 35 8733-1975 반도체 장비. 다이오드. 역전압 측정(작동전압)
  • CSN 35 8764-1976 반도체 장비. 스위칭 다이오드. 역회복 시간 측정.
  • CSN 35 8765-1976 반도체 장비. 스위칭 다이오드. 역회복 전하 측정
  • CSN 35 8781-1983 반도체 UHF 다이오드를 혼합하고 감지합니다. 전기적 매개변수의 측정 방법
  • CSN 35 8971-1984 반도체 장치. 마스크 베이스와 마스크. 특성 매개변수의 측정 방법
  • CSN 35 8730-1981 반도체 장치 및 집적 회로. 전기적 매개변수 측정. 일반적인 요구 사항
  • CSN IEC 749:1994 반도체 장비. 기계적 및 기후적 테스트 방법
  • CSN 35 8746-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 순방향 전류 전달 비율 및 주파수 fT, fh21b, fh21e의 절대값 측정
  • CSN 35 6577-1982 반도체 이온화 방사선 검출기로 모니터링합니다. 사양
  • CSN 35 6576-1982 전리 방사선의 반도체 검출기. 종류 및 사양
  • CSN 35 6575 Z1-1997 반도체 X선 분광계의 표준 테스트 절차
  • CSN 73 1315-1989 콘크리트 체적 질량, 밀도, 소형화 및 다공성 결정
  • CSN 35 8771-1970 반도체 사이리스터. 게이트 트리거 전압 및 게이트 트리거 전류 측정 방법
  • CSN 35 8745-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 고주파수에서의 개방회로 역전압 전달율 및 시간계수 측정
  • CSN 35 1601-1980 전력 반도체 장치. 일반적인 기술 요구 사항. 테스트 방법

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 반도체 갭 측정

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체 갭 측정

  • GB/T 11685-2003 반도체 X선 검출기 시스템 및 반도체 X선 에너지 분광계의 측정 방법
  • GB/T 5201-2012 하전입자 반도체 검출기의 측정 방법
  • GB/T 42676-2023 반도체 단결정 품질검사 X선 회절법
  • GB/T 31359-2015 반도체 레이저 테스트 방법
  • GB/T 1555-1997 반도체 단결정 결정 방위 결정 방법
  • GB/T 1555-2023 반도체 단결정 결정 방위 결정 방법
  • GB/T 1555-2009 반도체 단결정 결정 방위 결정 방법
  • GB/T 6616-2023 반도체 웨이퍼의 저항률 및 반도체 필름의 면저항을 테스트하기 위한 비접촉 와전류 방법
  • GB/T 41853-2022 반도체 소자의 웨이퍼와 MEMS 소자의 결합강도 측정
  • GB/T 1550-1997 외부 반도체 재료의 전도성 유형 테스트 방법
  • GB/T 5201-1994 하전입자 반도체 검출기의 테스트 방법
  • GB/T 13974-1992 반도체 튜브 특성 그래픽 계측기 테스트 방법
  • GB/T 14144-1993 실리콘 결정의 격자간 산소 함량의 자오선 변화를 측정하는 방법
  • GB/T 14144-2009 실리콘 결정의 격자간 산소 함량의 방사상 변화를 측정하는 방법
  • GB/T 21548-2008 광통신용 고속 직접 변조 반도체 레이저 측정 방법
  • GB/T 20726-2006 반도체 검출기 X선 분광기의 일반 원리
  • GB/T 29299-2012 반도체 레이저 거리 측정기의 일반 기술 조건
  • GB/T 42975-2023 반도체 집적 회로 드라이버 테스트 방법
  • GB/T 1557-2006 실리콘 결정의 격자간 산소 함량에 대한 적외선 흡수 측정 방법
  • GB/T 4326-2006 외부 반도체 단결정 홀 이동도 및 홀 계수 측정 방법
  • GB 4326-1984 외부 반도체 단결정 홀 이동도 및 홀 계수 측정 방법
  • GB/T 42838-2023 반도체 집적회로 홀 회로 테스트 방법
  • GB/T 43061-2023 반도체 집적회로 PWM 컨트롤러 테스트 방법
  • GB/T 22587-2008 초전도체에 대한 매트릭스의 부피비 측정 Cu/Nb-Ti 복합 초전도체의 구리-슈퍼 [부피] 비율 측정
  • GB/T 36477-2018 반도체 집적회로 플래시 메모리 테스트 방법
  • GB/T 4377-2018 반도체 집적 회로 전압 조정기 테스트 방법
  • GB/T 15653-1995 금속산화물 반도체 가스 센서의 테스트 방법
  • GB/T 43040-2023 반도체 집적회로 AC/DC 컨버터 테스트 방법
  • GB/T 24468-2009 반도체 장비의 신뢰성, 가용성, 유지보수성(RAM)에 대한 정의 및 측정 사양

PL-PKN, 반도체 갭 측정

  • PN T01208-03-1992 반도체 장치. 바이폴라 트랜지스터. 측정 방법
  • PN T01303-03-1991 반도체 장치. 집적 회로. 아날로그 집적 회로. 측정 방법
  • PN T01303-03-A1-1991 반도체 장치. 집적 회로, 아날로그 집적 회로 측정 방법 개정 I

YU-JUS, 반도체 갭 측정

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 반도체 갭 측정

  • JIS K 0315:2022 반도체 미량가스 측정장치를 이용한 환원미량가스 측정방법

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 반도체 갭 측정

IN-BIS, 반도체 갭 측정

  • IS 4400 Pt.4-1981 반도체 장치 측정 방법 IV부 트랜지스터
  • IS 4400 Pt.1-1967 반도체 소자 측정 방법 Part Ⅰ 일반 원칙
  • IS 7412-1974 반도체 소자의 수명 테스트
  • IS 4400 Pt.10-1983 반도체 장치의 측정 방법 10부 전계 효과 트랜지스터
  • IS 12737-1988 반도체 X선 에너지 분광계의 표준 테스트 절차
  • IS 4400 Pt.3-1968 반도체 장치의 측정 방법 III부 정류 다이오드
  • IS 4400 Pt.2-1967 반도체 장치 측정 방법 2부 저전력 신호 다이오드
  • IS 9816-1981 반도체 장치 테스트에 대한 일반 요구 사항 및 분류
  • IS 4400 Pt.7-1971 반도체 소자 측정 방법 Ⅶ 역 차단 삼극관 사이리스터
  • IS 12970 Pt.3/Sec.3-1993 반도체 장치 - 집적 회로 3부 디지털 집적 회로 - 측정 방법 섹션 3: 동적 측정
  • IS 12641-1989 반도체 장치 및 집적 회로에 대한 환경 테스트 절차

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 반도체 갭 측정

Professional Standard - Electron, 반도체 갭 측정

  • SJ/T 11487-2015 반절연 반도체 웨이퍼의 비저항 측정 방법
  • SJ 2355.6-1983 반도체 발광소자 시험방법, 광속 시험방법
  • SJ/T 9533-1993 반도체 개별 장치 품질 등급 표준
  • SJ/T 9534-1993 반도체 집적회로 품질 등급 기준
  • SJ/T 2215-2015 반도체 광커플러 테스트 방법
  • SJ 2749-1987 반도체 레이저 다이오드 테스트 방법
  • SJ 2214.1-1982 반도체 감광성 튜브 테스트 방법의 일반 원칙
  • SJ/T 11394-2009 반도체 발광 다이오드 테스트 방법
  • SJ/T 2658.7-2015 반도체 적외선 방출 다이오드의 측정 방법 제7부: 복사속
  • SJ/T 2658.1-2015 반도체 적외선 방출 다이오드 측정 방법 1부: 일반 원리
  • SJ 20788-2000 반도체 다이오드 열임피던스 테스트 방법
  • SJ 2355.1-1983 반도체 발광 소자의 테스트 방법 일반 원리
  • SJ 2215.1-1982 반도체 광커플러 테스트 방법의 일반 원리
  • SJ 2658.7-1986 반도체 적외선 발광다이오드의 시험방법, 복사속의 시험방법
  • SJ/T 2658.4-2015 반도체 적외선 방출 다이오드 측정 방법 4부: 총 정전용량
  • SJ/T 11405-2009 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • SJ/T 11777-2021 반도체 튜브 특성도 교정기의 기술 요구 사항 및 측정 방법
  • SJ 20787-2000 반도체 브리지 정류기 열 저항 테스트 방법
  • SJ/T 11399-2009 반도체 발광 다이오드 칩 테스트 방법
  • SJ/T 10705-1996 반도체 소자 본딩 와이어 표면 품질 검사 방법
  • SJ/T 11820-2022 반도체 개별 장치 DC 매개 변수 테스트 장비 기술 요구 사항 및 측정 방법
  • SJ 20744-1999 반도체 재료의 불순물 함량에 대한 적외선 흡수 분광 분석에 대한 일반 지침
  • SJ/T 2658.2-2015 반도체 적외선 방출 다이오드의 측정 방법 2부: 순방향 전압
  • SJ/T 2658.5-2015 반도체 적외선 방출 다이오드 측정 방법 5부: 직렬 저항
  • SJ/T 2658.6-2015 반도체 적외선 방출 다이오드의 측정 방법 6부: 복사 전력
  • SJ/T 2658.8-2015 반도체 적외선 방출 다이오드의 측정 방법 제8부: 복사 강도
  • SJ/T 2658.10-2015 반도체 적외선 방출 다이오드 측정 방법 10부: 변조 대역폭
  • SJ/T 2658.11-2015 반도체 적외선 방출 다이오드의 측정 방법 11부: 응답 시간
  • SJ/T 2214-2015 반도체 포토다이오드 및 포토트랜지스터 테스트 방법
  • SJ 2065-1982 반도체 소자 생산에 사용되는 확산로의 시험 방법
  • SJ/T 10255-1991 전자 부품 세부 사양 반도체 집적 회로 CW1403 정밀 밴드갭 전압 레퍼런스(인증 가능)
  • SJ 2355.5-1983 반도체 발광소자 시험방법, 법선광강도 및 반광도각 시험방법
  • SJ/T 2658.9-2015 반도체 적외선 방출 다이오드의 측정 방법 9부: 방사 강도 및 반강도 각도의 공간 분포
  • SJ/T 10482-1994 반도체의 심부 에너지 준위의 과도 용량 테스트 방법
  • SJ 20026-1992 금속산화물 반도체 가스 센서의 테스트 방법
  • SJ 2214.3-1982 반도체 포토다이오드의 암전류 테스트 방법
  • SJ 2214.5-1982 반도체 포토다이오드 접합 용량 테스트 방법
  • SJ 2214.8-1982 반도체 포토트랜지스터의 암전류 테스트 방법
  • SJ 2658.1-1986 반도체 적외선 발광 다이오드의 테스트 방법 일반 원리
  • SJ/T 2658.16-2016 반도체 적외선 방출 다이오드의 측정 방법 제16부: 광전 변환 효율
  • SJ 2355.4-1983 반도체 발광소자 시험방법, 접합용량 시험방법
  • SJ 2214.2-1982 반도체 포토다이오드의 순방향 전압 강하 테스트 방법
  • SJ 2214.7-1982 반도체 포토트랜지스터의 포화 전압 강하 테스트 방법
  • SJ 2214.10-1982 반도체 포토다이오드 및 삼극관의 광전류 테스트 방법

German Institute for Standardization, 반도체 갭 측정

  • DIN 50447:1995 반도체 공정 재료 검사, 와전류법에 의한 반도체층의 표면저항 비접촉 측정
  • DIN 50441-1:1996 반도체 공정 재료 테스트 반도체 웨이퍼 기하학적 치수 측정 1부: 두께 및 두께 변화
  • DIN 50441-2:1998 반도체 공정 재료 테스트 반도체 칩의 기하학적 치수 측정 2부: 각도 단면 테스트
  • DIN EN 62418:2010 반도체 장치 금속화 응력 보이드 테스트(IEC 62418-2010), 독일 버전 EN 62418-2010
  • DIN EN 62417:2010-12 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
  • DIN 50448:1998 반도체 공정 재료 테스트 용량성 검출기를 사용하여 반절연 반도체 슬라이스의 비저항 측정
  • DIN 50443-1:1988 반도체 공정에 사용되는 재료 검사 1부: X선 프로파일로법을 통한 반도체 단결정 실리콘의 결정 결함 및 불균일 검출
  • DIN 50449-2:1998 반도체 공정 재료 테스트 적외선 흡수를 통한 반도체의 불순물 함량 측정 2부: 갈륨비소 내 붕소
  • DIN EN 62415:2010-12 반도체 장치-정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • DIN 5032-9:2015-01 광도 측정 파트 9: 비간섭적으로 방출되는 반도체 광원의 광도 측정 측정
  • DIN EN 62416:2010-12 반도체 장치 - MOS 트랜지스터의 핫 캐리어 테스트
  • DIN EN 60749-39:2007-01 반도체 소자의 기계적 및 기후적 시험 방법 제39부: 반도체 부품에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
  • DIN 5032-9:2015 광도 측정 파트 9: 비간섭적으로 방출되는 반도체 광원의 광도 측정 측정
  • DIN EN 62418:2010-12 반도체 장치-금속화 응력 보이드 테스트
  • DIN 50441-5:2001 반도체 기술 테스트 반도체 웨이퍼의 기하학적 치수 결정 5부: 모양 및 평탄도 편차에 대한 용어
  • DIN 43653:1976 반도체 인버터용 고용량 퓨즈
  • DIN 50449-1:1997 반도체 공정에 사용되는 재료 검사 적외선 흡수를 통한 III-V 연결 반도체 불순물 함량 측정 1부: 갈륨비소 내 탄소
  • DIN EN 60749-39:2007 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
  • DIN EN 60749-44:2017-04 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 44부: 반도체 장치에 대한 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(SEE)에 대한 테스트 방법
  • DIN EN 60191-6-4:2004-01 반도체 장치의 기계적 표준화 6-4부: 표면 실장형 반도체 장치 패키지의 외형도 작성을 위한 일반 규칙 및 볼 그리드 어레이 패키지의 치수 측정 방법
  • DIN EN 60191-6-3:2001 반도체 장치의 기계적 표준화 6-3부: 표면 실장형 반도체 장치의 패키지 윤곽 그리기에 대한 일반 규칙 패키지 치수 측정 방법
  • DIN EN IEC 60749-39:2021-07 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정(IEC 47/2652/CDV:2020)
  • DIN 50441-3:1985 반도체 공정 재료 검사 3부: 반도체 슬라이스의 기하학적 치수 측정 3부: 다중선 간섭계를 사용한 연마된 슬라이스의 평면 편차 결정
  • DIN EN 62047-9:2012-03 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 9부: MEMS 웨이퍼 간 결합 강도 측정
  • DIN EN 62007-2:2009-09 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 - 2부: 측정 방법
  • DIN EN 60191-6-16:2007-11 반도체 장치의 기계적 표준화 6-16부: BGA, LGA, FBGA 및 FLGA용 반도체 테스트 및 번인 소켓 용어집
  • DIN 50438-1:1995 반도체 공정 재료 검사 적외선 흡수법에 의한 실리콘의 불순물 함량 측정 1부: 산소
  • DIN SPEC 1994:2017-02 반도체 기술용 재료 테스트 약산의 음이온 측정
  • DIN EN 60749-38:2008-10 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 38: 메모리가 있는 반도체 장치에 대한 소프트 오류 테스트 방법(IEC 60749-38:2008)
  • DIN 50451-4:2007 반도체 공정에 사용되는 재료 테스트 액체 내 미량 원소 측정 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통해 순수 내 34개 미량 원소 측정
  • DIN EN IEC 60749-18:2020-02 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 18부: 전리 방사선(총 선량)

American Society for Testing and Materials (ASTM), 반도체 갭 측정

  • ASTM F1893-98(2003) 반도체 소자의 이온화 선량률 제거 측정 가이드
  • ASTM F1893-98 반도체 소자의 이온화 선량률 제거 측정 가이드
  • ASTM F1893-18 이온화 선량 생존 및 반도체 장치 번아웃 측정 가이드
  • ASTM F1893-11 반도체 소자의 전리선량률 생존성 및 소진 측정 가이드
  • ASTM F1192-11 반도체 장치의 중이온 조사로 인한 단일 사건 현상(SEP) 측정을 위한 표준 가이드
  • ASTM D6095-12(2018) 압출된 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 차폐 재료의 체적 저항률을 세로로 측정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM F980-92 실리콘 반도체 장치의 중성자 유발 변위 손상에 대한 신속한 어닐링 측정 가이드
  • ASTM D6095-12(2023) 압출된 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 차폐 재료의 체적 저항률을 세로로 측정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM D6095-06 압출된 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 보호 재료의 체적 저항의 경도 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM D6095-12 압출된 가교 및 열가소성 반도체 도체 및 절연 보호 재료의 체적 저항의 경도 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM F616M-96 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 누설 전류를 측정하기 위한 표준 테스트 방법(미터법 단위)
  • ASTM F616M-96(2003) MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 누설 전류를 측정하기 위한 표준 테스트 방법(미터법 단위)
  • ASTM E1161-95 반도체 및 전자부품의 방사능 시험방법

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 갭 측정

  • CNS 13805-1997 광전자 반도체 웨이퍼의 광학 레이저 스펙트럼 측정 방법

PH-BPS, 반도체 갭 측정

  • PNS IEC 62830-2:2021 반도체 장치 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 장치 2부: 열전 에너지 수확
  • PNS IEC 62830-4:2021 반도체 장치 에너지 수확 및 생성을 위한 반도체 장치 4부: 유연한 압전 에너지 수확 장치의 테스트 및 평가 방법

RO-ASRO, 반도체 갭 측정

  • STAS 11066/2-1980 반도체 카세트 유동관. 테스트 방법
  • STAS 12124/1-1982 반도체 장비. 바이폴라 트랜지스터. 전기적 정적 매개변수를 측정하는 방법
  • STAS 10954-1977 반도체 정류기. 일반 품질 기술 요구 사항
  • STAS 13072-1992 미세 다공성 고체에 대한 질소 흡착을 통해 기공 반경 부피 0...300A 측정
  • STAS 12124/3-1983 반도체 장비. 전계 효과 트랜지스터, 전기적 정적 매개변수 측정 방법
  • STAS 12124/4-1983 반도체 장비. 전계 효과 트랜지스터, 전기적 정적 매개변수 측정 방법
  • STAS 6693/2-1975 반도체 장비. 트랜지스터. 전자 성능 테스트 방법
  • STAS 12123/1-1982 반도체소자 정류다이오드의 전기적 및 열적 특성을 측정하는 방법
  • STAS 12123/4-1984 반도체소자용 가변용량 다이오드의 전기적 특성 측정방법
  • STAS 13083-1992 미세 다공성 고체에 대한 질소 흡착을 통한 0.300A 기공 반경 크기 결정
  • STAS 10810-1976 반도체 탐지기에서 나오는 핵 방사선. 분류 및 용어

Defense Logistics Agency, 반도체 갭 측정

Danish Standards Foundation, 반도체 갭 측정

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  • DS/EN 62415:2010 반도체 장치-정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
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  • DS/EN 60749-38:2008 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 38부: 메모리가 있는 반도체 장치의 소프트 오류 테스트 방법
  • DS/EN 60747-5-3/A1:2002 이산 반도체 장치 및 집적 회로 5-3부: 광전자 장치 측정 방법
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ES-UNE, 반도체 갭 측정

  • UNE-EN 62417:2010 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
  • UNE-EN 62415:2010 반도체 장치-정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • UNE-EN 62416:2010 반도체 장치 MOS 트랜지스터의 핫 캐리어 테스트
  • UNE-EN IEC 60749-39:2022 반도체 소자의 기계적 및 기후적 시험 방법 제39부: 반도체 부품에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
  • UNE-EN IEC 63364-1:2023 반도체 장치 사물 인터넷 시스템에 사용되는 반도체 장치 1부: 소리 변화 감지 테스트 방법
  • UNE-EN IEC 62969-3:2018 반도체 장치 자동차 반도체 인터페이스 3부: 자동차 센서를 위한 충격 구동 압전 에너지 수확
  • UNE-EN 62418:2010 반도체 장치 금속화 응력 보이드 테스트
  • UNE-EN 60749-38:2008 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 38부: 메모리가 있는 반도체 장치의 소프트 오류 테스트 방법
  • UNE-EN 60749-39:2006 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용성 측정(IEC 60749-39:2006)
  • UNE-EN 60749-44:2016 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 44부: 반도체 장치에 대한 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(SEE)에 대한 테스트 방법
  • UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 44부: 반도체 장치에 대한 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(SEE)에 대한 테스트 방법
  • UNE-EN 60191-6-4:2003 반도체 장치의 기계적 표준화 6-4부: 표면 실장형 반도체 장치 패키지의 외형도 작성을 위한 일반 규칙 및 볼 그리드 어레이 패키지의 치수 측정 방법
  • UNE-EN 62047-9:2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 9부: MEMS 웨이퍼 간 결합 강도 측정
  • UNE-EN 62007-2:2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • UNE-EN 60749-7:2011 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 7부: 내부 수분 함량 측정 및 기타 잔류 가스 분석
  • UNE-EN 60191-6-21:2010 반도체 장치의 기계적 표준화 6-21부: 표면 실장형 반도체 장치의 패키지 외형도 편집을 위한 일반 규칙 소형 외형 패키지의 패키지 치수 측정 방법

Group Standards of the People's Republic of China, 반도체 갭 측정

International Organization for Standardization (ISO), 반도체 갭 측정

  • ISO/TS 17915:2013 광학 및 광전자공학 - 감지용 반도체 레이저 측정 방법
  • ISO 17915:2018 광학 및 포토닉스 - 감지용 반도체 레이저 측정 방법

SAE - SAE International, 반도체 갭 측정

  • SAE AIR1921-1985 제어된 에너지 레벨을 사용한 스파크 점화 반도체 저항 측정

Society of Automotive Engineers (SAE), 반도체 갭 측정

  • SAE AIR1921-1994 제어된 에너지 레벨을 사용한 스파크 점화 반도체 저항 측정

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 반도체 갭 측정

  • EN 62415:2010 반도체 장치-정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • EN 62007-2:2000 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 파트 2: 측정 방법

工业和信息化部, 반도체 갭 측정

  • SJ/T 2749-2016 반도체 레이저 다이오드 테스트 방법
  • SJ/T 2658.14-2016 반도체 적외선 방출 다이오드 측정 방법 14부: 접합 온도
  • SJ/T 2658.15-2016 반도체 적외선 방출 다이오드 측정 방법 15부: 열저항
  • SJ/T 10805-2018 반도체 집적회로 전압 비교기 테스트 방법
  • SJ/T 11702-2018 반도체 집적회로 직렬 주변기기 인터페이스 테스트 방법

Lithuanian Standards Office , 반도체 갭 측정

  • LST EN 62417-2010 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 이동 이온 테스트(IEC 62417:2010)
  • LST EN 62415-2010 반도체 장치 - 정전류 전자 이동 테스트(IEC 62415:2010)
  • LST EN 60749-39-2006 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용성 측정(IEC 60749-39:2006)
  • LST EN 62416-2010 반도체 장치 MOS 트랜지스터의 핫 캐리어 테스트(IEC 62416:2010)
  • LST EN 60749-38-2008 반도체 장치에 대한 기계 및 기후 테스트 방법 38부: 메모리가 있는 반도체 장치에 대한 소프트 오류 테스트 방법(IEC 60749-38:2008)
  • LST EN 62418-2010 반도체 장치 금속화 응력 보이드 테스트(IEC 62418:2010)

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 갭 측정

  • GB/T 1550-2018 외부 반도체 재료의 전도성 유형 테스트 방법
  • GB/T 21548-2021 광통신용 고속 직접 변조 반도체 레이저 측정 방법
  • GB/T 1557-2018 실리콘 결정의 격자간 산소 함량에 대한 적외선 흡수 측정 방법
  • GB/T 8446.2-2022 전력 반도체 소자용 방열판 2부: 열저항 및 유동저항 측정 방법
  • GB/T 41040-2021 항공우주 응용 분야용 COTS(상업 기성품) 반도체 장치에 대한 품질 보증 요구 사항

CU-NC, 반도체 갭 측정

  • NC 66-13-1984 전자 회로. 반도체 라디에이터. 품질 사양

未注明发布机构, 반도체 갭 측정

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 반도체 갭 측정

  • EN 62007-2:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 파트 2: 측정 방법
  • EN IEC 62969-3:2018 반도체 장치 자동차 반도체 인터페이스 3부: 자동차 센서를 위한 충격 구동 압전 에너지 수확
  • EN 62418:2010 반도체 장치 금속화 응력 보이드 테스트
  • EN IEC 60749-39:2022 반도체 소자의 기계적 및 기후적 시험 방법 제39부: 반도체 부품에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
  • EN 60749-44:2016 반도체 장치에 대한 기계적 및 기후학적 테스트 방법 파트 44: 반도체 장치에 대한 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(SEE)에 대한 테스트 방법

Professional Standard - Aerospace, 반도체 갭 측정

  • QJ 259-1977 반도체 통합 조정 전원 공급 장치 테스트 방법
  • QJ 257-1977 반도체 TTL 집적 디지털 회로 테스트 방법
  • QJ 1528-1988 반도체 집적 회로 시간 기반 테스트 방법
  • QJ/Z 32-1977 반도체 통합 비교 증폭기 테스트 방법
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  • QJ 10004-2008 항공우주 반도체 소자의 총선량 방사선 시험 방법
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TR-TSE, 반도체 갭 측정

  • TS 2643-1977 이온화 방사선 반도체 검출기의 테스트 절차

KR-KS, 반도체 갭 측정

  • KS C IEC 62007-2-2003(2023) 광통신 시스템용 반도체 광전자 부품 - 2부: 측정 방법
  • KS C IEC 60749-7-2020 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 7: 내부 수분 함량 측정 및 기타 잔류 가스 분석
  • KS C IEC 60747-5-3-2020 개별 반도체 장치 및 집적 회로 - 파트 5-3: 광전자 장치 - 측정 방법

SE-SIS, 반도체 갭 측정

Professional Standard - Post and Telecommunication, 반도체 갭 측정

  • YD/T 701-1993 반도체 레이저 다이오드 조립 테스트 방법
  • YD/T 682-1994 통신용 반도체 정류장비의 품질등급기준

ECIA - Electronic Components Industry Association, 반도체 갭 측정

  • EIA CB-5:1969 반도체 방열판에 권장되는 테스트 절차

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 반도체 갭 측정

  • ECA CB 5-1969 반도체 방열 장비에 권장되는 테스트 절차

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 갭 측정

  • GB/T 14028-2018 반도체 집적회로 아날로그 스위치 테스트 방법
  • GB/T 35006-2018 반도체 집적 회로 레벨 변환기 테스트 방법

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 갭 측정

  • DB52/T 1104-2016 반도체 소자 접합케이스 열저항 과도현상 테스트 방법

Professional Standard - Machinery, 반도체 갭 측정

  • JB/T 6307.1-1992 전력 반도체 모듈의 테스트 방법 정류기 암 쌍
  • JB/T 6307.2-1992 전력 반도체 모듈 테스트 방법 정류기 단상 브리지
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Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 반도체 갭 측정

  • GJB 9147-2017 반도체 집적 회로 연산 증폭기 테스트 방법

American Institute of Aeronautics and Astronautics (AIAA), 반도체 갭 측정

AT-OVE/ON, 반도체 갭 측정

  • OVE EN IEC 60749-39:2020 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용성 측정(IEC 47/2652/CDV)(영어 버전)

Anhui Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 갭 측정

  • DB34/T 3110-2018 초전도 사이클로트론의 주자석 공극에서의 평면자기장 측정방법

(U.S.) Telecommunications Industries Association , 반도체 갭 측정

  간접 밴드갭 반도체, 갭 반도체, 반도체 갭 측정, 반도체 갭, 갭 측정 방법, UV 측정 격차, 반도체 에너지 밴드 갭, 간격 측정, 반도체 에너지 격차, UV 반도체 갭, 반도체 밴드갭, 반도체 밴드갭, 볼 갭 측정, 에너지 격차 측정, UV 갭 반도체, UV 반도체 밴드갭, 밴드갭 반도체, 반도체 에너지 격차, 간접 밴드 갭 반도체 밴드 갭, 다양한 반도체 밴드갭.

 



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