Germanen-Transistor

Für die Germanen-Transistor gibt es insgesamt 89 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Germanen-Transistor die folgenden Kategorien: Halbleitermaterial, Physik Chemie, Strahlungsmessung, Strahlenschutz, Kondensator, analytische Chemie, Diskrete Halbleitergeräte, Optoelektronik, Lasergeräte, Elektrische und elektronische Prüfung, Allgemeine Grundsätze der Standardisierung, IT-Terminals und andere Peripheriegeräte, Transformatoren, Drosseln, Induktoren, Kernenergietechnik, Audio-, Video- und audiovisuelle Technik, erziehen, Glas.

Defense Logistics Agency, Germanen-Transistor

DLA MIL-S-19500/244 B VALID NOTICE 3-2011 Transistor, PNP, Germanium Typ 2N2273
DLA MIL-S-19500/170 A VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium Typ 2N1499A
DLA MIL-S-19500/40 B VALID NOTICE 3-2011 Halbleiter, Transistor, NPN, Germanium, Leistungstyp 2N326
DLA MIL-S-19500/72 C VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium Typ 2N499 und 2N499A
DLA MIL-S-19500/49 C VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Typen 2N464, 2N465, 2N467
DLA MIL-PRF-19500/25 B NOTICE 2-1999 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, PNP, GERMANIUM, NIEDRIGER LEISTUNGSTYP 2N240
DLA MIL-PRF-19500/27 E NOTICE 2-1999 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, PNP, GERMANIUM, HOCHFREQUENZ TYP 2N384
DLA MIL-S-19500/68 A VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Schalttyp 2N1120
DLA MIL-S-19500/13 B VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Hochleistungstyp 2N174A
DLA MIL-S-19500/25 B VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Low-Power-Typ 2N240
DLA MIL-S-19500/36 C VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Hochleistungstyp 2N297A
DLA MIL-S-19500/44 D VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Low-Power-Typ 2N428
DLA MIL-S-19500/51 E VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Low Power Typ 2N466
DLA MIL-S-19500/58 D VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Hochleistungstyp 2N665
DLA MIL-S-19500/330 A VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor PNP, Germanium, Typen 2N1557A bis 2N1560A
DLA MIL-S-19500/338 VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP-Germanium, Schalttyp 2N3449
DLA MIL-S-19500/71 D VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Low-Power-Typ 2N1195
DLA MIL-S-19500/87 A VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium Low Power Typ 2N1142
DLA MIL-S-19500/174 B VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, geringer Stromverbrauch, Typ JAN-2N398A
DLA MIL-S-19500/219 A VALID NOTICE 4-2011 Transistor, PNP, Germanium, Leistungsschaltung, Typen 2N1651, 2N1652, 2N1653
DLA MIL-S-19500/76 C VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Leistungstypen 2N1412 und 2N1412A
DLA MIL-S-19500/41 B VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Schalttypen 2N425, 2N426, 2N427
DLA MIL-S-19500/331 A VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Leistungstypen 2N1553A bis 2N1556A
DLA MIL-S-19500/38 C (1)-1988 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, PNP, GERMANIUM, LEISTUNGSTYPEN 2N539 UND 2N539A
DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Hochfrequenz, 25 Milliwatt, Typ JAN-2N128
DLA MIL-S-19500/20 C VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Low-Power-Typen 2N404 und 2N40A
DLA MIL-S-19500/175 C VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Low-Power-Typen 2N650A, 2N651A und 2N652A
DLA MIL-PRF-19500/6C VALID NOTICE 1-2003 HALBLEITER, GERÄTETRANSISTOR, PNP, GERMANIUM, LOW POWER-TYPEN 2N43AZ1, 2N43AZ2, 2N44AZ1 UND 2N44AZ2
DLA MIL-S-19500/217 B VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistoren, PNP, Germanium, Hochleistungstypen 2N456B, 2N457B, 2N458B, 2N1021A, 2N1022A
DLA MIL-S-19500/191 A (1)-1971 HALBLEITERGERÄT, DIODE, GERMANIUM, MISCHER TYP 1N263
DLA MIL-S-19500/200 B VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Germanium Typ 1N270 JAN, JANTX und JANTXV
DLA MIL-S-19500/201 B VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Germanium Typ 1N277 JAN, JANTX und JANTXV
DLA MIL-S-19500/201 B-1989 HALBLEITERGERÄT, DIODE, GERMANIUM TYP 1N277 JAN, JANTX UND JANTXV
DLA MIL-S-19500/192 B VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Germanium, Schalttyp 1N276, JAN, JANTX und JANTXV
DLA MIL-S-19500/529 VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, Siliziumtyp 2N3904

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Germanen-Transistor

GB/T 8756-2018 Sammlung von Metallographen über Defekte von Germaniumkristallen
GB/T 39867-2021 Wismutgermanat-Szintillationskristall für die Positronenemissionstomographie
GB/T 40291-2021 Nukleare Instrumentierung Hochreine Germaniumkristalle für Strahlungsdetektoren – Methoden zur Messung grundlegender Eigenschaften

RO-ASRO, Germanen-Transistor

STAS 9264-1982 GERMANIUM-LOW-POWER-TRANSISTOREN Allgemeine technische Anforderungen
STAS 8869-1972 KÖRNER AUS PLASTIFIZIERTEM POLYVINYLCHLORID FÜR ANSCHLÜSSE FÜR FLÜSSIGKEITSFÜHRENDE ROHRE

Group Standards of the People's Republic of China, Germanen-Transistor

T/SAS 0004-2018 Wismut lässt Szintillationskristalle zur Erkennung von Weltraumteilchen keimen
T/SAS 0003-2018 Wismutgermanat-Szintillationskristalle für die Positronenemissionstomographie
T/QGCML 1655-2023 Dünnschichttransistor-LCD

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Germanen-Transistor

KS D 0264-1989(2019) Methode zur Messung der Ätzgrubendichte von Germaniumkristallen
KS C 7021-1974(2001) ALLGEMEINE REGELN FÜR TRANSISTOREN
KS C 7021-1985 ALLGEMEINE REGELN FÜR TRANSISTOREN
KS C 6024-1995(2000) MESSVERFAHREN FÜR TRANSISTOREN
KS C 6024-1985 MESSVERFAHREN FÜR TRANSISTOREN

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Germanen-Transistor

IEEE 1160-1993 Standardtestverfahren für hochreine Germaniumkristalle für Strahlungsdetektoren
IEEE Std 1160-1993 IEEE-Standardtestverfahren für hochreine Germaniumkristalle für Strahlungsdetektoren

International Electrotechnical Commission (IEC), Germanen-Transistor

IEC 61435:1996 Nukleare Instrumentierung – Hochreine Germaniumkristalle für Strahlungsdetektoren
IEC 61435:2013 Nukleare Instrumentierung – Hochreine Germaniumkristalle für Strahlungsdetektoren – Messmethoden für grundlegende Eigenschaften

American National Standards Institute （ANSI), Germanen-Transistor

ANSI/IEEE 1160:1993 Testverfahren für hochreine Germaniumkristalle für Strahlungsdetektoren

Professional Standard - Electron, Germanen-Transistor

SJ/T 10625-1995 Bestimmungsmethode für den interstitiellen atomaren Sauerstoffgehalt von Germanium durch Infrarotabsorption

ES-UNE, Germanen-Transistor

UNE-EN 120003:1992 BDS: FOTOTRANSISTOREN, FOTOCARLINGTON-TRANSISTOREN, FOTOTRANSISTOR-ARRAYS. (Von AENOR im September 1996 gebilligt.)

SE-SIS, Germanen-Transistor

SIS SS CECC 20003-1988 Blanko-Bauartspezifikation: Fototransistoren, Fotodar/ington-Transistoren, Fototransistor-Arrays

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Germanen-Transistor

CNS 3767-1985 PE-Variablenkondensator für Transistorradio
CNS 3768-1985 Abmessungen des PE-Variablenkondensators für Transistorradios
CNS 6808-1989 Allgemeine Regeln für Transistoren
CNS 3769-1985 Testmethode für PE-Variablenkondensatoren von Transistorradios
CNS 3997-1989 Testmethode für Transistoren
CNS 11763-1986 Transistor-Megaphone

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Germanen-Transistor

GB/T 42518-2023 Chemische Analyse von Spurenelementen in Wismutgermanat (BGO)-Kristallen mittels Glimmentladungs-Massenspektrometrie
GB/T 31958-2023 Substratglas für amorphe Silizium-Dünnschichttransistor-Flüssigkristallanzeigen

German Institute for Standardization, Germanen-Transistor

DIN EN 120003:1996 Vordruck für Bauartspezifikation – Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren, Fototransistor-Arrays; Deutsche Fassung EN 120003:1992
DIN EN 120003:1996-11 Vordruck für Bauartspezifikation – Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren, Fototransistor-Arrays; Deutsche Fassung EN 120003:1992
DIN 50431:1988 Prüfung von Halbleitermaterialien; Messung des spezifischen Widerstands von Silizium- oder Germanium-Einkristallen mittels der Vier-Sonden-/Gleichstrommethode mit kollinearem Array
DIN 4000-19:1988-12 Tabellarische Darstellung der Artikeleigenschaften für Transistoren und Thyristoren

Lithuanian Standards Office , Germanen-Transistor

LST EN 120003-2001 Leere Detailspezifikation. Fototransistoren, Photodarlington-Transistoren, Fototransistor-Arrays

Association Francaise de Normalisation, Germanen-Transistor

NF C93-120-003*NF EN 120003:1992 Leere Bauartspezifikation: Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren, Fototransistor-Arrays
NF EN 120003:1992 Spezielle Rahmenspezifikation: Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren, Fototransistornetzwerke

British Standards Institution (BSI), Germanen-Transistor

BS IEC 61435:2013 Nukleare Instrumentierung. Hochreine Germaniumkristalle für Strahlungsdetektoren. Messmethoden für grundlegende Eigenschaften
BS EN 120003:1986 Spezifikation für ein harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Bauteile – Vordruck für Bauartspezifikation – Fototransistoren, Photodarlington-Transistoren, Fototransistor-Arrays

U.S. Military Regulations and Norms, Germanen-Transistor

ARMY MIL-P-46320 C (4)-1972 STROMVERSORGUNG: 10516158 (TRANSISTORISIERT)
ARMY MIL-P-46320 C-1963 STROMVERSORGUNG: 10516158 (TRANSISTORISIERT)
ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 0,01 Hz BIS 15,0 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, CMOS
ARMY MIL-PRF-55310/28 C-2008 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 1,0 MHz BIS 85 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, TTL
ARMY MIL-PRF-55310/8 J-2009 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 50 Hz BIS 50 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, TTL
ARMY QPL-46320-30-1992 STROMVERSORGUNG, 10516158 (TRANSISTORISIERT)

Professional Standard - Education, Germanen-Transistor

JY 200-1985 Transistor-Millivoltmeter
JY/T 0006-2011 Transistor-Charakteristik-Tracer

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Germanen-Transistor

JEDEC JES2-1992 Transistor, Galliumarsenid-Leistungs-FET, allgemeine Spezifikation
JEDEC JESD10-1976 Niederfrequenz-Leistungstransistoren

CZ-CSN, Germanen-Transistor

CSN 35 8813-1979 Tranaiatoren KU 611, KU 612
CSN 35 8812-1979 Transistor KU 601, KU 602

PL-PKN, Germanen-Transistor

PN T01504 ArkusZ30-1975 HNB-Messung von Transistoren
PN T01504 ArkusZ23-1974 Transistorparameter [y] Messungen

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Germanen-Transistor

JIS C 7030:1993 Messmethoden für Transistoren
JIS C 7032:1993 Allgemeine Regeln für Transistoren