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RUNegatives Polstück
Für die Negatives Polstück gibt es insgesamt 500 relevante Standards.
In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Negatives Polstück die folgenden Kategorien: Leitermaterial, Batterien und Akkus, Stahlprodukte, Straßenarbeiten, Halbleitermaterial, Diskrete Halbleitergeräte, Werkzeugmaschine, Industrielles Automatisierungssystem, Paraffin, bituminöse Materialien und andere Erdölprodukte, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Metallurgische Ausrüstung, Bodenbelag ohne Stoff, Optoelektronik, Lasergeräte, Elektrotechnik umfassend, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Nichteisenmetalle, Luft- und Raumfahrtsysteme und Betriebsgeräte, Spanlose Bearbeitungsgeräte, Widerstand, Elektrische Lichter und zugehörige Geräte, Umfassende Verpackung und Transport von Waren, Komponenten elektrischer Geräte, Pulvermetallurgie, Verbundverstärkte Materialien, chemische Produktion, Erdarbeiten, Aushubarbeiten, Fundamentbau, Tiefbauarbeiten, Wellen und Kupplungen, Nichteisenmetallprodukte, Baugewerbe, Umfangreiche Testbedingungen und -verfahren, Werkzeugmaschinenausrüstung, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Kondensator, Schmierstoffe, Industrieöle und verwandte Produkte, analytische Chemie, medizinische Ausrüstung, Abfall, Umweltschutz, Schweißen, Hartlöten und Niedertemperaturschweißen, Metallkorrosion, Papier und Pappe, Prüfung von Metallmaterialien, Anwendungen der Informationstechnologie, Flexible Übertragung und Übertragung, Anorganische Chemie, Drahtlose Kommunikation, Optik und optische Messungen, Gebäudeschutz, Einrichtungen im Gebäude, Datenspeichergerät, Landmaschinen, Werkzeuge und Geräte, Elektrische Geräte und Systeme für die Luft- und Raumfahrt, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Transport, Fahrzeuge, Straßenfahrzeuggerät, Elektronische Geräte, Gummi- und Kunststoffprodukte.
CZ-CSN, Negatives Polstück
- CSN 42 3103-1985 Kupferkathoden Cu99,90
- CSN 72 5124-1978 Sloneware. Bestimmung der kurzfristigen Lasttragfähigkeit bei Spitzenlast
- CSN 73 6190-1980 Statischer Plattenlasttest von Böden und Untergründen von Fahrbahnen
- CSN 42 8302-1986 Warmgewalzte Bleche, Platten und Anoden aus Kupfer und Kupferlegierungen. Maße
- CSN 42 1316-1986 Bleche, Platten, Anoden, Bänder, Streifen, Scheiben und Folien aus Kupfer und Kupferlegierungen. Technischer Liefercode
- CSN 42 1332-1984 Nickel und Nickellegierungen. Bleche, Bänder und Anoden. Technische Lieferbedingungen
- CSN 42 1360-1984 Bänder, Streifen, Anoden und Folien aus Zinn und Zinnlegierungen. Technische Lieferbedingungen
Group Standards of the People's Republic of China, Negatives Polstück
- T/NAIA 0173-2022 Anodenmaterial aus hartem Kohlenstoff
- T/ZZB 1302-2019 Wasserbasierte Bindemittel an Kathode/Anode in Lithium-Ionen-Batterien
- T/QGCML 308-2022 Anodenmaterial für Natriumionenbatterien
- T/NAIA 0172-2022 Silizium-Kohlenstoff-Anodenmaterial für Lithium-Ionen-Batterien
- T/QGCML 411-2022 Intelligente Produktionslinie für Lithiumbatterie-Anodenmaterial
- T/CPCIF 0251-2023 Pitch für Kathodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
- T/IFP 005-2023 Kugelgraphit, der als Kathode einer Lithium-Ionen-Sekundärbatterie verwendet wird
- T/QGCML 1765-2023 Asphalt für Materialien für negative Elektroden von Lithium-Ionen-Batterien
- T/SSEA 0202-2022 Lithium-Batterie-Polstück-Walzwerksrolle
- T/QDAS 050-2020 Forschungs- und Entwicklungsverfahren für Diodendiffusoren
- T/HBZXL 011-2023 Technische Spezifikation für Rollenpresse für Batterieelektroden
- T/CI 051-2023 Allgemeine technische Spezifikationen für Lithium-Ionen-Batterien mit Anode auf Aluminiumbasis
- T/CAS 455-2020 Automatische Polklingen-Schabmaschine für Lithium-Ionen-Akkus
- T/QGCML 097-2021 Technische Spezifikation für die Verpackung des Diodendiffusors
- T/QGCML 030-2020 Konventionelle elektrische Standards für Diodendiffusionsfolien
- T/CEMIA 028-2022 Spezifikation für Oberflächenelektrodenpaste für Chip-Widerstände
- T/CEMIA 027-2022 Spezifikation für Rückelektrodenpaste für Chip-Widerstände
- T/SSEA 0201-2022 Rollenrohlinge für Walzwerksrollen mit Polstücken für Lithiumbatterien
- T/HEBQIA 197-2023 Technische Spezifikationen für die Graphitierung von Graphitanodenmaterialien für Lithiumbatterien
- T/FSYY 0055-2021 Technische Spezifikation für die Verwertung von Lithium-Altbatterien – Anodenmaterialien der Graphitkategorie
- T/HEBQIA 094-2022 Technische Spezifikationen zur Herstellung von Graphitanodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
- T/ZZB 1912-2020 Nickelpulver für die Elektrode eines mehrschichtigen Keramikkondensators
- T/CASME 901-2023 Technische Anforderungen an die Stanz- und Schneidform für Lithiumbatterie-Polstücke
- T/CSTM 01112-2022 Technische Spezifikation für die Rückgewinnung von Anodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien – Kategorie Graphit
- T/LZBX 005-2019 Polarbedingung, Kaltstarttestmethode von Baumaschinen unter Last
- T/XYXCLM 0002-2022 Recycling von Lithium-Ionen-Batterien, Rückgewinnung und Reparatur von Graphitanoden
- T/SPSTS 004-2018 Technische Spezifikation für die Rückgewinnung von Anodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien – Kategorie Graphit
- T/CPCIF 0250-2023 Graphit-Negativelektrodenmaterial Koks für Lithium-Ionen-Batterien
- T/QDAS 070-2021 Formel einer Bordiffusionsflüssigkeitsquelle für einen Diodendiffusor
- T/COEMA 004LCD-2022 Polarisatorfolie für das TV-Display mit organischen Leuchtdioden
- T/ZZB 2332-2021 Poliertes Saphirsubstrat für LED
- T/DZJN 74-2022 Bewertungsanforderungen für grüne Fabriken von Unternehmen mit Anodenmaterial für Lithium-Ionen-Batterien
- T/QGCML 1631-2023 Reparatur- und Regenerationstechnologie für ausrangiertes Graphit der negativen Elektrode von Lithium-Ionen-Batterien
- T/SQIA 058-2023 Technische Anforderungen für die Bewertung des CO2-Fußabdrucks von Kathoden- und Anodenfunktionsmaterialien für Lithiumbatterien
- T/CIET 329-2023 Technische Spezifikationen für die Herstellung künstlicher Graphitanodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
- T/DZJN 119-2022 Technische Spezifikationen für das Recycling von Kohlenstoffanodenmaterialien aus Lithium-Ionen-Batterien
- T/CIAPS 0027-2023 Implementierungsleitfaden für das Energieeffizienz-Benchmarking der Batterieindustrie Teil 4: Anodenmaterialien
- T/COEMA 003LCD-2022 Polarisatorfolie für mittelgroße organische Leuchtdioden-Displays
- T/DZJN 114-2022 Technische Spezifikation für das Recycling von Polstückmaterialien für Lithium-Ionen-Batterieabfälle
- T/WHAS 050-2023 Klemmblatt der bipolaren elektrischen Koagulationspinzettenform, die Produktionsspezifikationen bildet
- T/GERS 0037-2023 Technische Spezifikationen für Graphit-Negativelektrodenmaterialien von schnell aufladbaren Lithium-Ionen-Traktionsbatterien
- T/HPAE 0027-2023 Technische Spezifikation für die Bewertung umweltfreundlicher Produkte – Graphit-Negativelektrodenmaterial für Lithium-Ionen-Batterien
Defense Logistics Agency, Negatives Polstück
- DLA SMD-5962-98641 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 15 VOLT, NEGATIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98642 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 5 VOLT, NEGATIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98642 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 5 VOLT, NEGATIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-05219 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, DOPPELTER SPANNUNGSREGLER, POSTIV UND NEGATIV, EINSTELLBAR
- DLA SMD-5962-09206-2009 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPANNUNGSREGLER, POSTIV UND NEGATIV, EINSTELLBAR
- DLA SMD-5962-09206 REV A-2012 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPANNUNGSREGLER, POSTIV UND NEGATIV, EINSTELLBAR
- DLA SMD-5962-05219 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, DOPPELTER SPANNUNGSREGLER, POSTIV UND NEGATIV, EINSTELLBAR
- DLA MIL-PRF-1/1429 J VALID NOTICE 1-2011 Elektronenröhre, Negativgitter (Mikrowelle), Typ 7815
- DLA MIL-PRF-1/868 F-2008 ELEKTRONENRÖHRE, NEGATIVES GITTER (MIKROWELLE) TYP 2C40A
- DLA MIL-PRF-1/484 E-2008 ELEKTRONENRÖHRE, NEGATIVES GITTER (MIKROWELLE) TYP 6299
- DLA MIL-PRF-1/1633 B VALID NOTICE 1-2009 Elektronenröhre, Negativgitter (Mikrowelle), Typ 7211
- DLA MIL-PRF-1/1470 E-2009 Elektronenröhre, Mikrowelle (Negativgitter), Typ 7698
- DLA MIL-PRF-1/1657 E-2009 ELEKTRONENRÖHRE, NEGATIVES GITTER (MIKROWELLE) TYP 8727
- DLA MIL-PRF-1/1330 G NOTICE 1-2012 ELEKTRONENRÖHRE, NEGATIVES GITTER (MIKROWELLE) TYP 7486
- DLA MIL-PRF-1/1335 H NOTICE 1-2012 ELEKTRONENRÖHRE, NEGATIVES GITTER (MIKROWELLE) TYP 7462
- DLA MIL-PRF-1/1203 K NOTICE 2-2012 ELEKTRONENRÖHRE, NEGATIVES GITTER (MIKROWELLE) TYP 7077
- DLA SMD-5962-09201-2009 MIKROKREIS, HYBRID, DOPPELTER SPANNUNGSREGLER, POSTIV und NEGATIV, NIEDRIGER DROPOUT, EINSTELLBAR
- DLA SMD-5962-09201 REV A-2009 MIKROKREIS, HYBRID, DOPPELTER SPANNUNGSREGLER, POSTIV und NEGATIV, NIEDRIGER DROPOUT, EINSTELLBAR
- DLA SMD-5962-95583 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, 8-BIT-VERSCHIEBUNGSREGISTER MIT PARALLELLAST, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-10213-2012 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, DOPPELTER SPANNUNGSREGLER, 3 AMP, POSITIV UND NEGATIV, NIEDRIGER DROPOUT, EINSTELLBAR
- DLA SMD-5962-10213 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, DOPPELTER SPANNUNGSREGLER, 3 AMP, POSITIV UND NEGATIV, NIEDRIGER DROPOUT, EINSTELLBAR
- DLA SMD-5962-88677 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 4-BIT-BIPOLAR-MIKROPROZESSOR-SCHEIBE, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARER HOCHLEISTUNGS-10-BIT-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89490 REV C-2006 MIKROKREIS-, HYBRID-, LINEAR-, DOPPELTER POSITIVER UND NEGATIVER 15-VOLT-, 12-VOLT- UND 5-VOLT-REGLER
- DLA SMD-5962-88677 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 4-BIT-BIPOLAR-MIKROPROZESSOR-SCHEIBE, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88598 REV A-1990 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLARER UHRGENERATOR/MIKROZYKLUS-LÄNGENREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA DSCC-DWG-04052-2006 KONDENSATOR, FEST, MEHRFACH-ANODEN-POLYMER-TANTAL-CHIP
- DLA MIL-M-38510/10 D VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar, TTL, Decoder aus monolithischem Silizium
- DLA MIL-M-38510/13 G VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, Zähler aus monolithischem Silizium
- DLA SMD-5962-86727 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, BCD-ZÄHLER MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/210 F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 16.384 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 MIKROKREISE, DIGITAL, 32.768 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/161 A-2005 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, COMMON ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87791 REV B-1989 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FIRST-IN-FIRST-OUT (FIFO), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/3 G VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, TTL-, Nand-Puffer aus monolithischem Silizium
- DLA MIL-M-38510/503 B VALID NOTICE 4-2010 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, programmierbare Logik, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/505 C VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digitale, bipolare programmierbare Logik, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-86715 REV C-2011 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, D-TYP-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86728 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, HOCHGESCHWINDIGKEITSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87755 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, GEPUFFERTE REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/3 G (1)-2012 Mikroschaltkreise, digital, bipolar, TTL, NAND-Puffer aus monolithischem Silizium
- DLA SMD-5962-87683 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR ALS TTL, DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, POSITIVES NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-85065 REV A-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBAR, LOGISCH, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87755 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, GEPUFFERTE REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88515-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88604 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITALE, BIPOLARE, BIDIREKTIONALE TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88666-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, INTERRUPT-HANDLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88763-1990 MIKROSCHALTUNG, LINEARER SPANNUNGSREGLER MIT DOPPELPOLARITÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89549-1989 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, PIPELINE-REGISTER MIT SCHATTENREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86023 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLARER 256-BIT-RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86051 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLARER 64-BIT-RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/9 E VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digitale, bipolare TTL, Schieberegister, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/150 D VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, Größenkomparatoren, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-86725 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, OKTALPUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/22 D VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Hochgeschwindigkeits-TTL, Flip-Flops, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/80 F VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky TTL und Gates, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-78015 REV J-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SPEICHER, 64-BIT-RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-81035 REV E-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-78017 REV G-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, MIKROPROGRAMM-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87769 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, DUAL-LINE-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87772-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, REGISTRIERTER TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-95567 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, GESCHLOSSENER HOCHGESCHWINDIGKEITSPUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98640 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 15 VOLT, POSITIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98643 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 5 VOLT, POSITIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-91523 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, 20 V FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87671 REV F-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERLOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86714 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, QUAD-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/25 E VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, Low Power, Zähler, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/21 F VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, Low Power, Flip-Flops, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-87534 REV D-2011 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, QUAD-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-96843 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREFERENZDIODE, 1,2 VOLT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLAR, HF/ZF-VERSTÄRKER MIT AGC, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA DSCC-DWG-13008-2013 KONDENSATOREN, FEST, MEHRFACHANODEN-TANTAL, CHIP, KONFORMAL BESCHICHTETES GEHÄUSE
- DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT, SPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 MIKROKREISE, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88507 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FELDPROGRAMMIERBARER SEQUENCER (FPLS), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLAR HEX NTDS TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLARER HEX-NTDS-EMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98647 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, EINSTELLBAR, LOW DROPOUT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98648 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, EINSTELLBAR, LOW DROPOUT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98650 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, EINSTELLBAR, LOW DROPOUT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98649 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, EINSTELLBAR, LOW DROPOUT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-02524 REV G-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, EINSTELLBAR, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-81036 REV M-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88541 REV C-2010 Mikroschaltkreise, Speicher, digital, bipolar, 512 x 4-Bit-Prom, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-87791 REV D-2012 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, FIRST-IN-FIRST-OUT (FIFO), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87788 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL 256 X 4-BIT, BIPOLARES PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-03202 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 1024 X 8-BIT BIPOLARER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-03203 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 2048 X 8-BIT BIPOLAR PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-84129 REV F-2009 MIKROKREISE, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87791 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, FIRST-IN-FIRST-OUT (FIFO), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Nor Gates, Monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARER HOCHLEISTUNGS-10-BIT-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87542 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, DREI-ZUSTANDS-PRIORITÄTS-ENCODER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, 8-BIT-GLEICHKOMPARATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/75 C VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, SCHOTTKY TTL, Exclusive oder Gates, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-86868 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/600 VALID NOTICE 4-2012 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, semikundenspezifische (Gate-Array-)Geräte, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Nor Gates, Monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-89520 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBAR POSITIV, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89521 REV F-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBAR, POSITIV, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88646 REV G-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBAR, POSITIV, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 KONDENSATOREN, FEST, ELEKTROLYTISCH POLARISIERT, ALUMINIUMOXID, SCHNAPPMONTAGE, NIEDRIGES PROFIL
- DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-90513-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, PARITÄTSBUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, VIERFACH-SCHOTTKY-DIODEN-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-90573-1991 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, BIPOLAR, ECL-PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITALER BIPOLARER DYNAMISCHER SPEICHERCONTROLLER AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
- DLA SMD-5962-93226 REV H-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ZWEIKANAL, BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-97548 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SYNCHRONER 4-BIT-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, NAND Gates, Monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Decoder, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-01507 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, BIPOLARER HOCHGESCHWINDIGKEITS-LOOK-AHEAD-TRAGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/12 J VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, monostabile Multivibratoren, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/81 D VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky TTL, Leitungstreiber, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/82 C VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky TTL, Größenkomparatoren, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/74 C VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, Schottky-TTL- und/oder-Invert-Gates, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/310 D VALID NOTICE 2-2012 Mikroschaltungen, digitale, bipolare Schottly-TTL mit geringem Stromverbrauch und monolithisches Gates-Silizium
- DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, NAND Gates, Monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Decoder, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-88550 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, KANTENGESTEUERT, D-TYP-FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS, OFFENE KOLLEKTOR-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY, TTL, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 DIGITALE, BIPOLARE, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNGS-SCHOTTKY-, TTL-, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS UND -REGISTER MIT MIKROSCHALTUNG, MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS- UND OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-00516 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIVE 5-VOLT-EINSTELLBARE PRÄZISIONSSPANNUNGSREFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-02534 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 2,5 V, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-02535 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 3,3 V, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-02536 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 5 V, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-95527-1994 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 7-KANAL-COMMON-SOURCE-POWER-DMOS-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88550 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, KANTENGESTEUERT, D-TYP-FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG LINEAR, BIPOLAR, HEX NTDS, SCHNELLER TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89479 REV C-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIVE 10-VOLT-EINSTELLBARE PRÄZISIONSSPANNUNGSREFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-97572 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, VIERFACH-EXKLUSIV-ODER-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-85065 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87528 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-87530 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-85527 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, 2K x 8-Bit, REGISTRIERTER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87794 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, NOR-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Exclusive oder Gates, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-87711 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, DUAL MONOSTABLE MULTIVIBRATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/151 B VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, Schmitt-Trigger-Nand-Gatter, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-76020 REV H-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR LOW POWER SCHOTTKY TTL, NAND GATES, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA MIL-M-38510/230 A VALID NOTICE 4-2010 Mikroschaltung, digitaler, bipolarer 256-Bit-Random-Access-Memory (RAM) monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-86726 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, PARITÄTSPRÜFER/GENERATOR MIT 12 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/302 D VALID NOTICE 2-2012 Mikroschaltungen, digitale, bipolare Low-Power-Schottky-TTL, Puffer, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/327 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, Low-Power-Schottky-TTL, Zähler, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Exclusive oder Gates, monolithisches Silizium
- DLA MIL-S-83731/21 A-1987 SCHALTER, KIPPSCHALTER, MINIATUR, HEBELDICHTUNG, PANELDICHTUNG, VIERPOLIGE LOGIK, LAST BIS 5 AMPERE
- DLA SMD-5962-87767 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-87767 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-76018 REV H-2005 MIKROSCHALTER, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-76032 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-76036 REV E-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-77001 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-77010 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-00523 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-94676 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STROMFEEDBACK-VERSTÄRKER, ULTRA-HOCHGESCHWINDIGKEIT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88504 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FELDPROGRAMMIERBAR, LOGIC ARRAY (FPLA), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-92319 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, EXKLUSIV-ODER-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-96756 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, ULTRA-HOCHGESCHWINDIGKEIT, STROM-FEEDBACK-VERSTÄRKER MIT OFFSET-EINSTELLUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, VIERFACHES POSITIVE-NAND-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL, VIERFACHES POSITIVE-NOR-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, DREIFACH POSITIVES NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-86025 REV F-2011 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, 16-WORT-MAL-4-BIT, 2-PORT, RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-90573 REV A-2012 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, ECL, PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88731 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-, TTL-, HEX-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-95580 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, DATENSELEKTOREN/MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Oktalpuffer, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 1-2008 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR ADVANCED SCHOTTKY TTL, UND-ODER-INVERT-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86836 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHE SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/349 B VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Paritätsprüfer, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-87595 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/375 A VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Low Power-Schottky TTL oder Gates, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-88752 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88707 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL, PI-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-00520 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 8-KANAL-QUELLENTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Oktalpuffer, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, fortschrittliche Schottky-TTL- und/oder-Invert-Gates, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-00520 REV F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 8-KANAL-QUELLENTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/349 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Paritätsprüfer, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-00523 REV G-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA MIL-DTL-83731/21 B-2010 SCHALTER, KIPPSCHALTER, MINIATUR, HEBELDICHTUNG, PANELDICHTUNG, VIERPOLIGE LOGIK, LAST BIS 5 AMPERE
- DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEARE BI-FET-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-01507-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, BIPOLARER HOCHGESCHWINDIGKEITS-LOOK-AHEAD-TRAGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89558 REV A-2005 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, TRANSCEIVERS/REGISTERS, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88555 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, D-TYP-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL-VIERFACH, POSITIV-ODER-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88698 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, SYNCHRONER 4-BIT-AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88707 REV C-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, PI-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89525 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, BUS-SCHNITTSTELLE FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-97547 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, 4-BIT-MAGNITUDENKPARATOREN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, MONOSTABILER MULTIVIBRATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, POSITIVE NAND-GATE MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-91761 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, ZWEI-MODUL-TEILER, 200 MHz ?10/11, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88507 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, FELDPROGRAMMIERBARER SEQUENCER (FPLS), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/202 B VALID NOTICE 3-2010 Mikroschaltungen, digital, 1024 Bit bipolarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher (P-ROM), monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/329 B VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Low-Power-Schottky-TTL, Paritätsprüfer, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/338 B VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar, Advanced Schottky TTL, Arithmetisch-Logische Einheiten, Monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, D-TYP-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86838 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/341 F VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, fortgeschritten, Schottky TTL, Flip-Flops, kaskadierbar, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, fortschrittliche Schottky-TTL, Binärzähler, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/344 A VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Dekadenzähler, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-76037 REV G-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88709 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 2 EINGÄNGE NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88712 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86840 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88774 REV C-2011 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL, DUAL-AND-ODER-INVERT-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-89438 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 10-NICHT-INVERTIERENDES REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-89558 REV B-2012 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, TRANSCEIVERS/REGISTERS, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86844 REV E-2013 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86865 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-86866 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/329 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Low-Power-Schottky-TTL, Paritätsprüfer, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-87544 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, BIPOLARER SYNCHRONER VIER-BIT-BINÄR-AUF-AB-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/341 F VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, fortgeschritten, Schottky TTL, Flip-Flops, kaskadierbar, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, fortschrittliche Schottky-TTL, Binärzähler, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/344 A VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Dekadenzähler, monolithisches Silizium
- DLA MS90311 REV K (1)-2010 SCHALTER, KIPPSCHALTER, ZUSÄTZLICHE BREMSE, MINIATUR-TOGGER, VERSIEGELT, LÖTKABEL, DOPPELPOLIG, .469-MONTAGEBUCHSE
- DLA SMD-5962-76014 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ADDER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-76016 REV J-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-76019 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR SCHOTTKY TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-76037 REV F-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 Mikroschaltkreis, digitaler Speicher, bipolarer 64-Bit-RAM, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-83022 REV J-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHE SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-84013 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, TTL, TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-84154 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88710-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88752 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88774 REV B-2005 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL, DUAL-AND-ODER-INVERT-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88729 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTE SCHOTTKY-, TTL-, HEX-INVERTIERENDE TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-95575 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, DUAL-JK-FLIP-FLOPS MIT VOREINSTELLUNG UND KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIKON
- DLA SMD-5962-95581 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, 4-ZEILEN-BIS 16-ZEILEN-DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/320 D (1)-2008 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLARE SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, KASKADIERBAR, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA DSCC-VID-V62/09610-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, DREIFACHER PUFFER/TREIBER MIT OFFENEN DRAIN-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/335 C VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Vierfach, 2 Eingänge oder Gates, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-88522 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 2 EINGÄNGE UND TREIBER AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
- DLA SMD-5962-87543 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, PARITÄTSPRÜFER/GENERATOR MIT NEUN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/301 F VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Low-Power-Schottky-TTL, Flip-Flops, kaskadierbar, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, 8-Bit-Identitätskomparator, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-88710 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/331 A VALID NOTICE 4-2012 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Low-Power-Schottky-TTL, Flip-Flops, kaskadierbar, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-89553 REV B-2012 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/320 D VALID NOTICE 1-2013 Mikroschaltungen, digitale, bipolare Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch. Zähler, kaskadierbar, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/316 E VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, kaskadierbare Latches, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/325 D VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, stromsparend, Schottky TTL, Flip-Flops, kaskadierbar, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/335 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Vierfach, 2 Eingänge oder Gates, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/301 F VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolarer Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Flip-Flops, kaskadierbar, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, 8-Bit-Identitätskomparator, monolithisches Silizium
- DLA MS90310 REV J (1)-2012 SCHALTER, SCHALTER, SCHALTER, ZUSÄTZLICHE BREMSE, MINIATUR, SCHALTER, VERSIEGELT, LÖTKABEL, EINPOLIG, .469-MONTAGEBUCHSE
- DLA MS90311 REV M (1)-2012 SCHALTER, KIPPSCHALTER, POSITIVBREMSE, MINIATURKIPPSCHALTER, VERSIEGELT, LÖTKAPPE, DOPPELPOLIG, .469-MONTAGEBUCHSE
- DLA SMD-5962-77009 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, DEKADENZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-78026 REV D-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, DEKADENZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-84145 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL ODER TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-00507 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL/DTL-KOMPATIBEL, PROGRAMMIERBARER TIMER/ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89573 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, 8-BIT-UNIVERSALREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89754 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, TRANSCEIVERS/REGISTERS, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88522 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 2 EINGÄNGE UND TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 512 X 4-BIT BIPOLAR PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLAR QUAD NTDS FAST/ANEW EMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88709-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 2 EINGÄNGE NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88722-1988 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY, PUFFER/LEITUNGSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89438 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 10-NICHT-INVERTIERENDES REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-89553 REV A-2005 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89555 REV B-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY TTL, OKTAL REGISTRIERTE TRANSCEIVERS, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, QUAD 2-EINGANG POSITIV-ODER-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, DREIFACH, 3-EINGÄNGE, POSITIV UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-90937 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZU-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/204 F-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 2048-BIT, SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/209 E VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltung, digital, 8192-Bit-Schottky, bipolar, programmierbarer Nur-Lese-Speicher (Prom), monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/210 E VALID NOTICE 1-2011 Mikroschaltung, digital, 16.384 Bit Schottky, bipolar, programmierbarer Festwertspeicher (PROM) aus monolithischem Silizium
- DLA MIL-M-38510/203 E VALID NOTICE 1-2012 Mikroschaltungen, digital, 1024-Bit-Schottky, bipolar, programmierbarer Nur-Lese-Speicher (Prom), monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/209 G-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 8192-BIT, SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88718 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, HEX-WECHSELRICHTER MIT OPEN-DRAIN-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-95582 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, DUAL 2-ZEILEN-BIS 4-ZEILEN-DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Schieberegister, kaskadierbar, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-89555 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY, TTL, OKTAL REGISTRIERTE TRANSCEIVERS, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88627 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL, 8-BIT-BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/502 A VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolares feldprogrammierbares Logikarray (FPLA) 16 x 48 x 8, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-88556 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, ANALOGER MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER, DOPPELPOLIG, VIER POSITIONIERUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, BUS-SCHNITTSTELLE FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Schieberegister, kaskadierbar, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, SEHR GERÄUSCHARM, VIERFACH, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, SEHR GERÄUSCHARM, VIERFACH, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA MS14003 REV J-2011 SCHALTER, KIPPSCHALTER, ZUSÄTZLICHE BREMSE, UMWELTSCHUTZ, LÖTKABEL, VIERPOLIG, .469-MONTAGEBUCHSE, 25 AMPERE
- DLA SMD-5962-89950 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, JK-FLIPFLOP MIT DOPPELTER NEGATIVER KANTENGESTÖRUNG, ASYNCHRONES SETZEN UND LÖSCHEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-84000 REV D-2005 MIKROKREISE, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHE LOWPOWER-SCHOTTKY-TTL, JK-FLIP-FLOPS, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-84012 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, TRANSPARENTE VERRIEGELUNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-84030 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHE SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-84135 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES NIEDRIGER LEISTUNGS-SCHOTTKY-TTL, MULTIPLEXER-MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-84143 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE LOW-POWER-SCHOTTKY-TTL UND GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STROMFEEDBACK-VERSTÄRKER, ULTRAHOHE GESCHWINDIGKEIT, AUSGANGSKLEMME, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-89757 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-87794 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, NOR-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-90503 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY MIT NIEDRIGER LEISTUNG, TTL, OKTAL-SPEICHERREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, POSITIVES NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Negatives Polstück
- CNS 7218-1981 Siliziumstahlbleche für Polkern
- CNS 13808-1997 Epitaktische Wafer für Leuchtdioden
- CNS 12214-1988 Testmethode für die Leistung von Getriebeschmiermitteln in Achsen unter hoher Geschwindigkeit und Stoßbelastung
- CNS 13806-1997 Methode zur Messung der Emissionswellenlänge und Lichtintensität epitaktischer Wafer von Leuchtdioden
- CNS 12213-1988 Testmethode für die Leistung von Getriebeschmiermitteln in Achsen bei hoher Geschwindigkeit und niedrigem Drehmoment, gefolgt von niedriger Geschwindigkeit und hohem Drehmoment
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Negatives Polstück
- KS F 2310-2000 Verfahren zur Plattenbelastungsprüfung auf Straßenböden
- KS F 2310-1985 Verfahren zur Plattenbelastungsprüfung auf Straßenböden
- KS C 2712-2001 Testmethoden für Thermistoren mit negativem Temperaturkoeffizienten
- KS C IEC 60613:2003 Elektrische, thermische und Belastungseigenschaften von Drehanoden-Röntgenröhren für die medizinische Diagnose
- KS C IEC 60613:2017 Elektrische und Belastungseigenschaften von Röntgenröhrenbaugruppen für die medizinische Diagnose
- KS F 2339-2007 Prüfverfahren für nicht wiederkehrende statische Plattenlasttests von Böden und flexiblen Fahrbahnkomponenten zur Verwendung bei der Bewertung und Gestaltung von Flughafen- und Autobahnfahrbahnen
- KS F 2338-2007 Prüfverfahren für wiederholte statische Plattenlasttests von Böden und flexiblen Fahrbahnkomponenten zur Verwendung bei der Bewertung und Gestaltung von Flughafen- und Autobahnfahrbahnen
- KS F 2339-1982 Prüfverfahren für nicht wiederkehrende statische Plattenlasttests von Böden und flexiblen Fahrbahnkomponenten zur Verwendung bei der Bewertung und Gestaltung von Flughafen- und Autobahnfahrbahnen
- KS F 2338-1982 Prüfverfahren für wiederholte statische Plattenlasttests von Böden und flexiblen Fahrbahnkomponenten zur Verwendung bei der Bewertung und Gestaltung von Flughafen- und Autobahnfahrbahnen
Professional Standard - Light Industry, Negatives Polstück
- QB/T 2459.2-1999 LR6/LR03 Alkali-Mangan-Zink-Zellen Kathodenbasis
- QB/T 2459.2-2011 Teile für alkalische Zink-Mangandioxid-Batterien. Teil 2: Minuspolplatte
- QB/T 2459.2-2022 Ersatzteile für alkalische Zink-Mangandioxid-Batterien Teil 2: Unterseite der negativen Elektrode
HU-MSZT, Negatives Polstück
- MSZ 11026-1964 Bilanz der Faserplatten, Hackschnitzel, Bilanzzusammenfassung und deren Überprüfung der Feuerwiderstandsgrenze künstlicher Rohstoffe
- MNOSZ 10538-1953 Transportgeräte und Seilbaumasten von 1 bis 16 Tonnen bis hin zu Seillasten
- MSZ 10906/4.lap-1963 Größenmuster für Stromschilder für elektrische Rohre. Relativ zum Gitter erzeugen Kathoden ein negatives Potential
Professional Standard - Electron, Negatives Polstück
- SJ/T 11470-2014 Epitaktische Wafer aus Leuchtdioden
- SJ/T 11471-2014 Messmethoden für epitaktische Wafer von Leuchtdioden
- SJ/T 11399-2009 Messmethoden für Chips von Leuchtdioden
- SJ/T 11396-2009 Die Saphirsubstrate für Leuchtdioden auf Nitridbasis
- SJ/T 11398-2009 Technische Spezifikation für leistungsstarke Leuchtdiodenchips
- SJ/T 31210-1994 Anforderungen an die Einsatzbereitschaft sowie Prüf- und Beurteilungsmethoden für Kathodenscheibenschweißmaschinen
- SJ/T 11869-2022 Detaillierte Spezifikationen für Siliziumsubstrat-Weißlichtleistungs-Leuchtdiodenchips
- SJ/T 11868-2022 Detaillierte Spezifikationen für blaue Power-Leuchtdiodenchips mit Siliziumsubstrat
- SJ/T 11818.2-2022 Halbleiter-UV-emittierende Dioden Teil 2: Chip-Spezifikationen
- SJ/T 11867-2022 Detaillierte Spezifikationen für Siliziumsubstrat-Blaulicht-Leuchtdiodenchips mit geringem Stromverbrauch
- SJ/T 31321-1994 Anforderungen an die Einsatzbereitschaft sowie Inspektions- und Bewertungsmethoden für Polstück-Denkmaschinen und Kappenmontage-Nietmaschinen
- SJ/T 31212-1994 Anforderungen an die Bereitschaft sowie Prüf- und Bewertungsmethoden für Kathodenhülsen- und Keramikchip-Nietmaschinen
Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Negatives Polstück
RO-ASRO, Negatives Polstück
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Negatives Polstück
- GB/T 24533-2009 Negative Graphit-Elektrodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
- GB/T 24533-2019(英文版) Negative Graphit-Elektrodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
- GB/T 26412-2010(英文版) AB5-Wasserstoffspeicherpulver auf Seltenerdbasis, das in negativen Elektroden von Nickel-Metallhydrid-Batterien verwendet wird
- GB/T 30836-2014 Lithiumtitanoxid und seine Kohlenstoffverbundanodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
- GB/T 36356-2018 Technische Spezifikation für leistungsstarke Leuchtdiodenchips
- GB/T 36357-2018 Technische Spezifikation für Leuchtdiodenchips mittlerer Leistung
- GB/T 31963-2015 Supergitter-Wasserstoffspeicherpulver auf RE-Mg-Ni-Basis, das in negativen Elektroden von Nickel-Metallhydrid-Batterien verwendet wird
- GB/T 26412-2010 AB-Wasserstoffspeicherlegierungspulver auf RE-Basis, das im Minuspol von Nickel-Metallhydrid-Batterien verwendet wird
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Negatives Polstück
- GB/T 24533-2019 Negative Graphit-Elektrodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
- GB/T 36613-2018 Sondentestverfahren für Leuchtdiodenchips
- GB 24427-2021 Gehaltsbegrenzung von Quecksilber, Cadmium und Blei für Zinkanoden-Primärbatterien
American Society for Testing and Materials (ASTM), Negatives Polstück
- ASTM F970-07 Standardtestmethode für die statische Belastungsgrenze
- ASTM F970-00 Standardtestmethode für die statische Belastungsgrenze
- ASTM F970-17 Standardtestmethode für die statische Belastungsgrenze
- ASTM F970-22 Standardtestverfahren zur Messung der Erholungseigenschaften von Bodenbelägen nach statischer Belastung
ECIA - Electronic Components Industry Association, Negatives Polstück
- 535ABAE-1987 Feste Tantalkondensatoren mit nicht festem Elektrolyten und porösem Anodensilbergehäuse @ Axialleitung @ Elastomerdichtung @ Polarisiert @ Positives Nickel @ Negative Kupferleitungen @ Isoliert
Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Negatives Polstück
工业和信息化部, Negatives Polstück
- JB/T 14230-2022 Polstückbeschichtungsmaschine für Lithium-Ionen-Batterien
- XB/T 702-2022 Drei-Elektroden-System-Testverfahren zum Testen der elektrochemischen Eigenschaften von Seltenerd-Wasserstoffspeicherlegierungspulver für negative Elektroden von Metallhydrid-Nickel-Batterien
Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Negatives Polstück
- DB36/T 690-2012 Wasserstoffspeicherlegierungspulver für Nickel-Metallhydrid-Batterieanodenmaterial
- DB36/T 816-2014 Wasserstoffspeicherlegierungspulver vom Typ AB3 für Anodenmaterial von Nickel-Metallhydrid-Batterien
United States Navy, Negatives Polstück
Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, Negatives Polstück
- DB44/T 1630-2015 3528/5050 gekapselte Chip-LED
- DB44/T 1372-2014 Allgemeine technische Anforderungen an positive und negative Elektrodenmaterialien von Lithium-Ionen-Traktionsbatterien für Elektrofahrzeuge
German Institute for Standardization, Negatives Polstück
- DIN 42026-4:1982 Permanentmagnetsegmente; Grenzwerte sichtbarer Fehler
- DIN 18134:2012 Boden – Prüfverfahren und Prüfgeräte – Plattenlasttest
- DIN 18134:2001 Boden; Prüfverfahren und Prüfgeräte – Plattenlasttest
- DIN 743-4:2012 Berechnung der Belastbarkeit von Wellen und Achsen – Teil 4: Ermüdungsgrenze, Dauerfestigkeit – Äquivalent schädigende Dauerbeanspruchung
- DIN 804:1977 Werkzeugmaschinen; Lastgeschwindigkeiten für Werkzeugmaschinen; Nennwerte, Grenzwerte, Übersetzungsverhältnisse
- DIN 41618-1:1966 Mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten 2,5 mm 1 mm; Maße
- DIN 743-4:2012-12 Berechnung der Belastbarkeit von Wellen und Achsen – Teil 4: Ermüdungsgrenze, Dauerfestigkeit – Äquivalent schädigende Dauerbeanspruchung
- DIN 804:1977-03 Werkzeugmaschinen; Lastgeschwindigkeiten für Werkzeugmaschinen; Nennwerte, Grenzwerte, Übersetzungsverhältnisse
- DIN 41622-1:1965-01 Mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten 3 × 1 mm; Maße
- DIN 41618-1:1966-10 Mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten 2,5 mm × 1 mm; Maße
- DIN 41618-3:1974-05 Mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten 2,5 mm × 1 mm; Leasing- und Rastteile
- DIN 72585-1:1996 Straßenfahrzeuge - Elektrischer Hochleistungssteckverbinder, 2 bis 4-polig mit Stiften und Bajonettverschluss - Abmessungen
- DIN 45910-127:1994-01 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten; Detailspezifikation: Polare Aluminium-Elektrolytkondensatoren mit nicht festem Elektrolyt, DC 40 bis 100 V (geeignet für V-Wechselstromlast ohne Verwendung eines Polarisationspotentials), Allzweck-Kondensatoren ...
- DIN EN 2996-006:2023-06 Luft- und Raumfahrt - Leistungsschalter, dreipolig, temperaturkompensiert, Nennströme 1 A bis 25 A - Teil 006:6,3 mm & 2,8 mm Flachstecker - Mit polarisiertem Signalkontakt - Produktstandard; Deutsche Fassung ASD-STAN prEN 2996-006:2023 / Hinweis: D...
AASHTO - American Association of State Highway and Transportation Officials, Negatives Polstück
未注明发布机构, Negatives Polstück
Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Negatives Polstück
- EIA_ECA-956-2006 Aluminium-Elektrolyt-Chipkondensator mit Polmer-Kathode
- EIA/ECA-956-2006 Aluminium-Elektrolyt-Chipkondensator mit Polmer-Kathode
- EIA_ECA-953-2006 Geformter Tantal-Chip-Kondensator mit Polymerkathode
- EIA/ECA-953-2006 Geformter Tantal-Chip-Kondensator mit Polymerkathode
- EIA/ECA-955-2007 OBERFLÄCHENMONTIERTER ALUMINIUM-ELEKTROLYT-CHIP-KONDENSATOR MIT POLYMERKATHODE (QUALIFIKATIONSSPEZIFIKATION)
- ECA EIA/ECA-955-2007 OBERFLÄCHENMONTIERTER ALUMINIUM-ELEKTROLYT-CHIP-KONDENSATOR MIT POLYMERKATHODE (QUALIFIKATIONSSPEZIFIKATION)
RU-GOST R, Negatives Polstück
- GOST 18986.12-1974 Halbleiter-Tunneldioden. Verfahren zur Messung der negativen Leitfähigkeit der intrinsischen Diode
- GOST 13648.2-1968 Planke. Methode zur Bestimmung der Bruchspannung und Biegefestigkeit
- GOST 592-1981 Kettenräder für Laschenketten. Methoden zur Berechnung und Konstruktion des Zahnprofils. Toleranzen
International Organization for Standardization (ISO), Negatives Polstück
- ISO/TR 11069:1995 Aluminiumkonstruktionen - Material und Design - Grenzzustand der Tragfähigkeit bei statischer Belastung
- ISO 22426:2020 Beurteilung der Wirksamkeit des kathodischen Schutzes anhand von Couponmessungen
- ISO/TR 11069:1995/Cor 1:1996 Aluminiumkonstruktionen - Material und Design - Grenzzustand der Tragfähigkeit bei statischer Belastung; Technische Berichtigung 1
- ISO 10988:2011 Geräte für den Pflanzenschutz - Motorisierte, luftunterstützte Rückenspritzen - Prüfverfahren und Leistungsgrenzen
NO-SN, Negatives Polstück
- NS 4036-1982 Flache Gurte und Schlingen – Farbkodierung der Tragfähigkeit (WLL)
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Negatives Polstück
- QC 300202/US 0005-1985 Spezifikationen für den Einsatz in elektronischen Geräten: Detailspezifikation: Feste Tantalkondensatoren mit nichtfestem Elektrolyt und poröser Anode; Silbergehäuse@ Axialleitung@ Elastomerdichtung@ Polarisiert@ Nickel positiv@ Kupfer-Negativleitungen isoliert
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Negatives Polstück
- GB/T 33970-2017 Al2O3-dispersionsverstärktes Kupferblech für Widerstandsschweißelektroden
- GB/T 33827-2017 Bestimmung magnetischer Verunreinigungen in Anoden-Nanomaterialien für Li-Ionen-Batterien
Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Negatives Polstück
- ECA 535ABAE-1987 Feste Tantalkondensatoren mit nicht festem Elektrolyten und porösem Anodensilbergehäuse, axialem Anschluss, Elastomerdichtung, polarisiert, positivem Nickel, negativem Kupferanschluss, isoliert
Professional Standard - Medicine, Negatives Polstück
- YY/T 0064-2004 Elektrische, thermische und Belastungseigenschaften von Drehanoden-Röntgenröhren für die medizinische Diagnose
Association Francaise de Normalisation, Negatives Polstück
- NF A81-304:1994 Umhüllte Elektroden für das manuelle Metalllichtbogenschweißen. Aufbringen eines Schweißmetallpads zur chemischen Analyse.
- NF EN ISO 2128:2010 Anodisierung von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung der Dicke der anodischen Schichten – Zerstörungsfreie Methode mit einem optischen Schnittmikroskop
- NF C74-114:1992 Elektrische, thermische und Belastungseigenschaften von Drehanoden-Röntgenröhren für die medizinische Diagnose.
- NF EN 13001-3-2:2014 Hängende Lasthebevorrichtungen – Allgemeine Konstruktion – Teil 3-2: Grenzzustände und Eignungsnachweis von aufgerollten Stahlseilen
- FD R13-438:1996 Straßenfahrzeuge. Mehrpolige 3-mm-Flachsteckeranschlüsse mit Gehäuseverriegelung. Dimensionsmerkmale.
WRC - Welding Research Council, Negatives Polstück
- BULLETIN 304-1985 EXPERIMENTELLE GRENZKOPPLUNGEN FÜR ZWEIGMOMENTBELASTUNGEN AUF 4-ZOLL. ANSI B16.9 T-STÜCKE
Standard Association of Australia (SAA), Negatives Polstück
- AS/NZS 4394:1996 Elektrische, thermische und Belastungseigenschaften von Drehanoden-Röntgenröhren für die medizinische Diagnose
International Electrotechnical Commission (IEC), Negatives Polstück
- IEC 60613:1989 Elektrische, thermische und Belastungseigenschaften von Drehanoden-Röntgenröhren für die medizinische Diagnose
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Negatives Polstück
- JEDEC JESD2-1982 Digitale bipolare Pinbelegung für Chipträger
- JEDEC JESD51-50-2012 Überblick über Methoden zur thermischen Messung von Single- und Multi-Chip-, Single- und Multi-PN-Junction-Leuchtdioden (LEDs)
British Standards Institution (BSI), Negatives Polstück
- BS ISO 22426:2020 Beurteilung der Wirksamkeit des kathodischen Schutzes anhand von Couponmessungen
- BS G 142:1953 Spezifikation für leistungsstarke, elektromagnetisch betätigte, einpolige Leistungsschalter für Kleinspannungs-Gleichstromsysteme in Flugzeugen
Professional Standard - Non-ferrous Metal, Negatives Polstück
- YS/T 484-2005 Methode zur Messung der Entladekapazität der Wasserstoffspeicherlegierungen als negative Elektrode der Metallhydrid-Nickel-Batterie
European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Negatives Polstück
- EN 60613:2010 Elektrische und Belastungseigenschaften von Röntgenröhrenbaugruppen für die medizinische Diagnose
YU-JUS, Negatives Polstück
- JUS N.S5.208-1985 Elektrische, thermische und Belastungseigenschaften von Drehanoden-Röntgenröhren. Diagnose
- JUS N.R2.624-1980 Polare Tantahim-Elektrolytkondensatoren mit gesinterter Anode und Festelektrolyt ohne Schutzschicht – Tantahim-Chipkondensatoren (Typ 3A2), 6,3 bis 35 V DC Klimahärte 55/125/
BE-NBN, Negatives Polstück
- NBN-EN 60613-1994 Elektrische, thermische und Belastungseigenschaften von Drehanoden-Röntgenröhren für die medizinische Diagnose
- NBN-EN 28092-1-1992 Transportmitteln. Schnelle Verbindung mit Schiebereglern. Teil 1: Schienen für unipolare Verbindungen (ISO 8092:1:1989)
American National Standards Institute (ANSI), Negatives Polstück
- ANSI/ASHRAE/ACCA 183-2007 Berechnungen der Spitzenkühl- und Heizlast in Gebäuden mit Ausnahme von niedrigen Wohngebäuden
- ANSI/ASTM D1830:1999 Prüfverfahren für die thermische Belastbarkeit von flexiblen Plattenmaterialien, die zur elektrischen Isolierung verwendet werden, mit der Methode der gebogenen Elektrode (10.01)
Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Negatives Polstück
- DB52/T 928-2014 Festelektrolyt-Tantal-Festkondensator vom Typ CA45S mit fester Elektrode und Chip
Professional Standard - Aerospace, Negatives Polstück
- QJ 1159.7-1987 Doppelkopf-Blechlehrdorn mit glatter Grenzlehre (D> 80 ~ 250)
- QJ 1160.6-1987 Glatte Grenzlehre mit Einkopf-Scheibenschnapplehre (D > 120~250)
- QJ 1160.4-1987 Glatte Grenzlehre mit Einkopf-Scheibenschnapplehre (D>10~80)
- QJ 1160.3-1987 Einkopf-Rechteckschnapplehre mit glatter Grenzlehre und Größe (D> 3~10)
- QJ 1160.5-1987 Glatte Grenzlehre mit Einkopf-Scheibenschnapplehre (D > 80~120)
AT-ON, Negatives Polstück
- ONORM EN 28092-1-1992 Straßenfahrzeuge – Fiat, Schnellverbindungsanschlüsse – Laschen für einpolige Verbindungen
- ONORM EN 28092-2-1992 Straßenfahrzeuge – Fiat, Schnellanschlüsse – Tests und Leistungsanforderungen für einpolige Anschlüsse
SE-SIS, Negatives Polstück
- SIS SS IEC 613:1986 Röntgengeräte - Elektrisch. Wärme- und Belastungseigenschaften von Drehanoden-Röntgenröhren für die medizinische Diagnose
- SIS SS 06 11 01-1990 Schweißelektroden – Drahtelektroden und Rohrdrähte zum Metall-Schutzgasschweißen und Metall-Lichtbogenschweißen von Kohlenstoffstahl, kohlenstoffmanganlegiertem Stahl, mikrolegiertem Stahl und niedriglegiertem Stahl – Schweißgutproben für die Prüfung aller Schweißmetalle
Professional Standard - Machinery, Negatives Polstück
- JB/T 5192.4-1991 Passende Abmessungen und Grenzabweichungen fotomechanischer Nietteile
- JB/T 5192.3-1991 Passende Maße und Grenzabweichungen mechanischer Nietteile zum Nieten von Scheiben und Rädern
National Association of Corrosion Engineers (NACE), Negatives Polstück
- NACE RP0104-2004 Die Verwendung von Gutscheinen für Anwendungen zur Überwachung des kathodischen Schutzes, Artikel-Nr.: 21105
European Committee for Standardization (CEN), Negatives Polstück
- EN 28073:1991 Straßenfahrzeuge – Flache Schnellanschlüsse – Teil 1: Laschen für einpolige Verbindungen
- EN 15528:2015 Bahnanwendungen – Streckenkategorien zur Bewältigung der Schnittstelle zwischen Belastungsgrenzen von Fahrzeugen und Infrastruktur
Society of Automotive Engineers (SAE), Negatives Polstück
- SAE AMS6438F-2006 Stahl, Blech, Band und Platte, 1,05 Cr – 0,55 Ni – 1,0 Mo – 0,12 V (0,45 – 0,50 °C), abschmelzbare Elektrode, vakuumgeschmolzen
- SAE AMS6546E-1991 Stahlblech, -band und -platte 0,48Cr 8,0Ni 4,0Co 0,48Mo 0,09V (0,24-0,30C) Abschmelzbare Elektrode geschmolzen, geglüht
- SAE AMS6439D-2011 Stahlblech, -streifen und -platten 1,05 Cr – 0,55 Ni – 1,0 Mo – 0,12 V (0,42 – 0,48 °C) (D6AC) Abschmelzbare Elektrode, vakuumgeschmolzen, geglüht (UNS K24728)
The American Road & Transportation Builders Association, Negatives Polstück
- AASHTO DIVISION I 4.10 Grenzzustände, Belastungsfaktoren und Widerstandsfaktoren (Standardspezifikationen für Autobahnbrücken, Abt. 1 – Entwurf)
PT-IPQ, Negatives Polstück
- NP 3130/4-1985 Elektronisches Bauteil. Negativtemperatur-Wärmewiderstand vom Typ Direktheizung (Scheibentyp), detaillierte Spezifikationen
- NP 3130/5-1985 Elektronisches Bauteil. Negativtemperatur-Thermistor vom Typ Direktheizung (Stabtyp), detaillierte Spezifikationen
- NP 3130/3-1985 Elektronisches Bauteil. Direkt beheizter Negativtemperatur-Thermistor (Kugel mit Gehäuse), detaillierte Spezifikationen
Danish Standards Foundation, Negatives Polstück
- DS/EN 28 092-1:1992 Straßenfahrzeuge – Flache Schnellanschlussanschlüsse – Teil 1: Flachstecker für einpolige Anschlüsse
U.S. Military Regulations and Norms, Negatives Polstück
SAE - SAE International, Negatives Polstück
- SAE AMS6546F-2001 Stahl@ Blech@ Streifen@ und Platte 0,48Cr - 8,0Ni - 4,0Co - 0,48Mo - 0,09V (0,24 - 0,30C) Abschmelzbare Elektrode geschmolzen@geglüht (UNS K91122)
- SAE AMS6546E-1995 Stahl@ Blech@ Streifen@ und Platte 0,48Cr - 8,0Ni - 4,0Co - 0,48Mo - 0,09V (0,24 - 0,30C) Abschmelzbare Elektrode geschmolzen@geglüht (UNS K91122)
European Standard for Electrical and Electronic Components, Negatives Polstück