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transistor de óxido de tulio

transistor de óxido de tulio, Total: 394 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en transistor de óxido de tulio son: Metales no ferrosos, Química analítica, Materiales semiconductores, Dispositivos semiconductores, Minerales no metalíferos, Pruebas eléctricas y electrónicas., Cerámica, Productos de la industria química., Minerales metalíferos, Comunicaciones de fibra óptica., ingeniería de energía nuclear, Mediciones de radiación, Fluidos aislantes, Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Radiocomunicaciones, Circuitos integrados. Microelectrónica, Turbinas de gas y vapor. Máquinas de vapor, Combustibles, ingenieria electrica en general, válvulas, pruebas de metales, Calidad del suelo. Pedología, Calidad del aire, Protección contra explosiones, Equipo de minería, Plástica, Soldadura, soldadura fuerte y soldadura fuerte., Ceras, materias bituminosas y otros productos petrolíferos, Materiales de construcción, Centrales eléctricas en general.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, transistor de óxido de tulio

EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, transistor de óxido de tulio

GB/T 18115.1-2000 Óxido de lantano: determinación del contenido de óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
GB/T 18115.2-2000 Óxido de cerio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
GB/T 18115.5-2000 Óxido de samario: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
GB/T 8762.8-2000 Óxido de europio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
GB/T 18115.6-2000 Óxido de gadolinio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
GB/T 18115.7-2000 Óxido de terbio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
GB/T 18115.9-2000 Óxido de holmio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
GB/T 18115.8-2000 Óxido de disprosio: determinación de óxido de lantano, óxido de ceriurmo, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de luteclum y óxido de itrio.
GB/T 18115.4-2000 Óxido de neodinio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
GB/T 18115.10-2000 Óxido de erbio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
GB/T 18115.3-2000 Óxido de praseodimio: determinación de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio y óxido de itrio.
GB/T 18116.1-2000 Óxido de itrio-europio: determinación del contenido de óxido de lantano, óxido de cerio, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de gadolinio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio y óxido de lutecio.
GB/T 14144-1993 Método de prueba para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en silicio.
GB/T 14144-2009 Método de prueba para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en silicio.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, transistor de óxido de tulio

GB/T 37403-2019 Revelador de hidróxido de tetrametilamonio para pantalla de cristal líquido con transistor de película delgada (TFT-LCD)
GB/T 36655-2018 Método de prueba para determinar el contenido de dióxido de silicio alfa cristalino de polvo de sílice esférico para envases electrónicos: método XRD

Group Standards of the People's Republic of China, transistor de óxido de tulio

T/CASAS 006-2020 La especificación general para el transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de carburo de silicio
T/CASAS 015-2022 Método de prueba de ciclo de energía para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico de carburo de silicio (MOSFET de SiC)
T/CASAS 016-2022 Método de prueba dual transitorio para la medición de la unión de resistencia térmica a la caja del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de carburo de silicio (MOSFET de SiC)
T/SDHIA 07-2023
T/CASAS 022-2022 Especificación técnica para el transistor de efecto de campo de nitruro de galio utilizado en unidades terminales de línea y medidores de electricidad trifásicos
T/CASAS 007-2020 Especificación de prueba para módulos de transistores de efecto de campo (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) de vehículos eléctricos

Professional Standard - Rare Earth, transistor de óxido de tulio

XB/T 613.2-2010 Métodos de análisis químico de óxido de cerio-terbio. Parte 2: Determinación de óxido de lantano, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de gadolinio, óxido de disprosio, óxido de holmio, óxido de erbio, óxido de tulio, óxido de iterbio, lutecio.

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, transistor de óxido de tulio

JEDEC JES2-1992 Transistor, Fet de potencia de arseniuro de galio, especificación genérica

U.S. Military Regulations and Norms, transistor de óxido de tulio

ARMY QPL-46320-30-1992 FUENTE DE ENERGÍA, 10516158 (TRANSISTORIZADA)
ARMY MIL-PRF-55310/30 D-2008 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 450 kHz HASTA 100 MHz, SELLO HERMÉTICO, CMOS DE BAJO VOLTAJE
ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 0,05 MHz HASTA 10 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, CMOS
ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO), 500 KHz A 85 MHz, SELLO HERMÉTICO, CMOS
ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 1,0 MHz HASTA 85 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, CMOS DE ALTA VELOCIDAD
ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 1.544 MHz HASTA 125 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, CMOS AVANZADO
ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 0,75 MHz HASTA 200 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, CMOS AVANZADO
ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 500 KHz HASTA 85 MHz, SELLO HERMÉTICO, CMOS
ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 500 KHz HASTA 150 MHz, SELLO HERMÉTICO, CMOS DE BAJO VOLTAJE
ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO), 500 KHz A 150 MHz, SELLO HERMÉTICO, CMOS DE BAJO VOLTAJE
ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO), 1 MHz A 133 MHz, SELLO HERMÉTICO, BAJO VOLTAJE 2.5V CMOS
ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO), 1 MHz A 100 MHz, SELLO HERMÉTICO, BAJO VOLTAJE 1.8V CMOS
ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO), 1 MHz A 133 MHz, SELLO HERMÉTICO, BAJO VOLTAJE 2.5V CMOS

Professional Standard - Building Materials, transistor de óxido de tulio

JC/T 817-2014 Cristales de circonita cúbica sintética de calidad gema.
JC/T 2343-2015 Tubo de alúmina monocristalino preparado mediante crecimiento de cristal alimentado con película de borde definido

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, transistor de óxido de tulio

CNS 8104-1981 Método para medir el voltaje de umbral lineal MOSFET
CNS 8106-1981 Método para medir el voltaje umbral saturado de MOSFET
CNS 13624-1995 Métodos de prueba para la perfección cristalográfica del arsenida de galio mediante la técnica de grabado con hidróxido de potasio fundido (KOH)

British Standards Institution (BSI), transistor de óxido de tulio

BS EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
BS EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
BS EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
BS IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos: transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia
BS IEC 62373-1:2020 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET): prueba BTI rápida para MOSFET
BS IEC 63275-1:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio - Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización
20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0. Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2. Método de prueba para la degradación bipolar mediante diodo corporal en funcionamiento.
BS IEC 63284:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad mediante conmutación de carga inductiva para transistores de nitruro de galio
17/30366375 DC BSIEC 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
18/30381548 DC BS EN 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
20/30406230 DC BS IEC 63275-1. Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 1. Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización.
BS EN ISO 12782-2:2012 Calidad del suelo. Parámetros para el modelado geoquímico de lixiviación y especiación de constituyentes en suelos y materiales. Extracción de óxidos e hidróxidos de hierro cristalinos con ditionita.
BS EN 12607-2:2014 Betunes y aglomerantes bituminosos. Determinación de la resistencia al endurecimiento bajo la influencia del calor y el aire. método TFOT
20/30409285 DC BS IEC 63284. Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad bajo tensión mediante conmutación de carga inductiva para transistores de nitruro de galio

Defense Logistics Agency, transistor de óxido de tulio

DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON HABILITACIÓN DE RELOJ, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, DECODIFICADOR 1 DE 8, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, REGISTRO DE CAMBIO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, REGISTRO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, CONTADOR BINARIO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 MICROCIRCUITO, LINEAL, CONTROLADORES MOSFET DOBLES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA CON ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95762-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, BÚFER/CONDUCTOR DE RELOJ CON SALIDAS INVERTIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL Y OSCILACIÓN DE VOLTAJE DE SALIDA LIMITADA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, BUFFER OCTAL Y DRIVERS DE LÍNEA/MOS DRIVER CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, CONTROLADOR DE MEMORIA BUS/MOS DE 10 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 MICROCIRCUITOS LINEALES, CONDUCTOR MOSFET, DOBLE POTENCIA
DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, MULTIPLEXOR DOBLE DE 4 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DECODIFICADOR DE 3 A 8 LÍNEAS CON ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS CON ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86852 REV A-2003
DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, LATCH TRANSPARENTE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DISPARADOR HEX SCHMITT, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS AVANZADOS, REGISTRO QUAD DE 2 PUERTOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR DE ONDULACIÓN DE DÉCADA DOBLE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, CAMBIADOR DE NIVEL DE TENSIÓN HEXAGONAL PARA OPERACIÓN TTL A CMOS O CMOS A CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 MICROCIRCUITO, LINEAL, CONTROLADOR MOSFET DE POTENCIA ÚNICA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, BUFFER OCTAL Y CONDUCTOR DE LÍNEA/MOS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS INVERTIDOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, BUFFER OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87554 REV E-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, DECODIFICADOR/DEMULTIPLEXOR 1 DE 8, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, COMPATIBLE CON TTL, FLIP-FLOP OCTAL DISPARADO POR BORDE TIPO D, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96736-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, CONVERTIDOR DE NIVEL DE INTERFAZ CMOS/TTL BIDIRECCIONAL DE 8 BITS DE ALTA VELOCIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, DECODIFICADOR/DEMULTIPLEXOR DOBLE 1 DE 4, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, LATCH TRANSPARENTE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91732-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DECODIFICADOR/DEMULTIPLEXOR DE 3 A 8 LÍNEAS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, TRANSCEPTOR OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92018 REV A-2007
DLA SMD-5962-92022 REV A-2004
DLA SMD-5962-92023 REV A-2004
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, CONTROLADOR DE BÚFER/RELOJ CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MULTIPLEXOR NO INVERSOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MULTIPLEXOR INVERSOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-04228-2004 MICROCIRCUITOS, DIGITAL, CMOS AVANZADO, CONTADOR BINARIO ARRIBA/ABAJO CON PRESET Y RELOJ RIPPLE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91725-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, DISPOSITIVO DE PRUEBA DE ESCANEO CON LATCH OCTAL TIPO D, SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92024 REV A-2004
DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, BÚFER OCTAL/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, BUFFER OCTAL Y DRIVER DE LINEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS BIPOLAR TRANSCEPTOR BUS OCTAL CON SALIDAS INVERTIDAS DE TRES ESTADOS ENTRADAS COMPATIBLES TTL SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS BIPOLAR TRANSCEPTOR BUS OCTAL CON SALIDAS INVERTIDAS DE TRES ESTADOS ENTRADAS COMPATIBLES TTL SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PESTILLO TRANSPARENTE BISTABLE DOBLE DE 2 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS BIPOLAR TRANSCEPTOR BUS OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS ENTRADAS COMPATIBLES TTL SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-03247 REV B-2005
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 MICROCIRCUITO, LINEAL, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SIMPLE, ALTO VOLTAJE, MOSFET, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, CONDUCTOR/BUFFER DE LÍNEA NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, LATCH TRANSPARENTE OCTAL NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON ENTRADAS TRANSPARENTES COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, CONTADOR BINARIO PREAJUSTABLE DE 4 BITS, RESET SINCRÓNICO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91724-1993 TRANSCEPTORES Y REGISTROS DE BUS OCTAL BICMOS DIGITAL DE MICROCIRCUITO CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92025 REV A-2004
DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, BUFFER OCTAL Y LINE DRIVER CON SALIDAS INVERTIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, PESTILLO TRANSPARENTE TIPO D OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, BUFFER OCTAL Y LINE DRIVER CON SALIDAS INVERTIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, TRANSCEPTOR REGISTRADO OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 TRANSCEPTORES Y REGISTROS DE BUS OCTAL BICMOS, DIGITALES, DE MICROCIRCUITO CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, RADIACIÓN ENDURECIDO, CMOS AVANZADO, TRIPLE PUERTA NAND DE 3 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, TRIPLE 3 ENTRADAS Y PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96817 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, CUÁDRUPLE 2 ENTRADAS EXCLUSIVAS O PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96821 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, CUÁDRUPLE POSITIVA Y PUERTA DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96823 REV A-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND POSITIVA DE 2 ENTRADAS CUÁDRUPLE, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP D DE 9 BITS, DISPARADOR DE BORDE POSITIVO, CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP D DE 8 BITS, DISPARADOR DE BORDE POSITIVO CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, FLIP-FLOP OCTAL D CON HABILITACIÓN DE RELOJ, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, CONDUCTOR/BUFFER DE LÍNEA OCTAL INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, CONTADOR BINARIO PREAJUSTABLE DE 4 BITS, RESET ASÍNCRONO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90706 REV A-2006
DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, BUFFER OCTAL Y CONTROLADOR DE LÍNEA CON SALIDAS NO INVERSAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, DISPOSITIVO DE PRUEBA DE ESCANEO CON TRANSCEPTOR DE BUS DE 18 BITS, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, INVERSOR HEXAGONAL, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96813 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, DISPARADOR SCHMITT INVERSOR HEXAGONAL, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, REGISTRO DE DIAGNÓSTICO DE 8 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON RESET MAESTRO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP DUAL JK CON SET Y RESET, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO ARRIBA/ABAJO DE 4 BITS SINCRÓNICOS PREAJUSTABLES, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, SELECTORES/MULTIPLEXORES DE DATOS DOBLES 1 DE 4 CON SALIDAS DE TRES ESTADOS Y ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90938 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, BUFFER OCTAL Y LINE DRIVER CON SALIDAS DE COLECTOR ABIERTO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87525 REV F-2007
DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO ENDURECIDO POR RADIACIÓN, COMPROBADOR DE GENERADOR DE PARIDAD IMPAR/PAR DE 9 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97528-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS POSITIVAS-NOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97571-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS POSITIVAS-NOR, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, PUERTA NAND TRIPLE DE TRES ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, PUERTA NAND DOBLE DE 4 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, DOBLE 4 ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96819 REV A-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, TRIPLE DE 3 ENTRADAS Y PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, INVERSOR HEXAGONAL, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, TRIPLE 3 ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, PUERTA NAND DE 8 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, QUAD 2 ENTRADAS O PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, DOBLE 4 ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, PUERTA NAND TRIPLE DE 3 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DOBLE 4 ENTRADAS Y PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, TRIPLE 3 ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86856 REV A-2003
DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, GENERADOR DE TRANSPORTE LOOK-Ahead PARA CONTADORES, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, PUERTA DE BUFFER DE BUS CUÁDRUPLE CMOS DE ALTA VELOCIDAD AVANZADA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, PUERTA NAND DOBLE DE 4 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, PUERTA DE BUFFER DE BUS CUÁDRUPLE CMOS DE ALTA VELOCIDAD AVANZADA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS UNIVERSAL DE 18 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONTADOR DE ONDULACIÓN DE DÉCADA DOBLE, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, QUAD 2 ENTRADAS EXCLUSIVAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, COMPARADOR DE MAGNITUD DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE BAJA TENSIÓN, PUERTA NAND POSITIVA CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE BAJA TENSIÓN, CUÁDRUPLE POSITIVA Y PUERTA DE 2 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, SUMADOR COMPLETO BINARIO DE 4 BITS CON TRANSPORTE RÁPIDO, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, BUFFER/CONDUCTOR DE LÍNEA DE 16 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, TRANSCEPTOR DE 16 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, PUERTA NAND QUAD DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND QUAD DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, PESTILLO TRANSPARENTE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, LATCH SR CUÁDRUPLE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, SUMADOR COMPLETO BINARIO DE 4 BITS CON TRANSPORTE RÁPIDO, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96761-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, CONTROLADOR DE RELOJ DE 1 LÍNEA A 8 LÍNEAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96806 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, BÚFER/CONDUCTOR OCTAL CON SALIDAS INVERTIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONTADOR DE ONDULACIÓN BINARIA DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CODIFICADOR DE PRIORIDAD DE LÍNEA DE 10 A 4, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONTADOR BINARIO DOBLE DE CUATRO ETAPAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, MULTIPLEXOR DOBLE DE 4 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MULTIPLEXOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR SINCRÓNICO BINARIO DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, TRANSCEPTOR/REGISTRO DE 16 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87628 REV D-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, FLIP-FLOP OCTAL NO INVERSOR TIPO D CON SALIDAS DE TRES ESTADOS Y ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86853 REV A-2003
DLA SMD-5962-86855 REV A-2003
DLA SMD-5962-94750-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, RED DE ACCESO CONTROLADA EN SERIE CMOS, CONVERTIDOR PARALELO/SERIE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SALIDAS CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95841 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR Y REGISTRADOR BUS DE 16 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96715 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO ENDURECIDO POR RADIACIÓN, BÚFER CUADRÍCULO NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96725 REV D-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, PESTILLO TRANSPARENTE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, CIRCUITO DE GENERACIÓN DE ESTADO DE ESPERA Y RELOJ, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, PUERTA BUFFER DE BUS CUÁDRUPLE CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS DE 16 BITS CON RESISTENCIAS SERIE 25 OMEGA Y SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, INTERCAMBIADOR DE BUS UNIVERSAL DE TRES PUERTOS DE 16 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96827 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, REGISTRO DE ESCANEO DE DIAGNÓSTICO DE 8 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL Y OSCILACIÓN DE VOLTAJE DE SALIDA LIMITADA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP TIPO D DOBLE DISPARADOR DE BORDE POSITIVO CON ENTRADAS CLARAS Y PREAJUSTADAS, COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, PESTILLO TIPO D TRANSPARENTE OCTAL CMOS DE ALTA VELOCIDAD AVANZADO CON SALIDAS DE 3 ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96880 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, BUFFER/DRIVER DE 16 BITS CON SALIDAS INVERTIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO CONTRA LA RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO ARRIBA/ABAJO SINCRÓNICO DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, INTERRUPTOR DE INTERCAMBIO DE BUS DE 10 BITS CON TRES SALIDAS DE ESTADO Y CAMBIO DE NIVEL, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95746 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, REGISTRO DE CAMBIO UNIVERSAL DE 8 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96886 REV B-2002 MICROCIRCUITO DIGITAL-LINEAL CMOS CONVERTIDORES ANALÓGICO A DIGITAL DE 12 BITS CON CONTROL SERIE Y 11 ENTRADAS ANALÓGICAS SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91607 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, REGISTRO DE ALMACENAMIENTO/CAMBIO UNIVERSAL DE 8 BITS CON RESTABLECIMIENTO SINCRÓNICO Y PINES DE E/S COMUNES, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/421 G VALID NOTICE 1-2009 Semiconductor, dispositivo, transistor dual, unificado, NPN/PNP, complementario, silicio, tipos 2N3838, 2N4854 y 2N4854U, JAN, JANTX y JANTXV
DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, FLIP-FLOP DE INTERFAZ DE BUS DE 18 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, RESISTENTE A LA RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO DE ENTRADA EN SERIE/SALIDA PARALELA DE 8 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, CONTADOR SINCRÓNICO BINARIO ARRIBA/ABAJO DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, GENERADOR/COMPROBADOR DE PARIDAD IMPAR/PAR DE 9 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96697-1996
DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO ENDURECIDO POR RADIACIÓN, BÚFER OCTAL NO INVERSOR/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO CONTRA LA RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS BIDIRECCIONAL OCTAL NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96721 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, CIRCUITO DE DETECCIÓN Y CORRECCIÓN DE ERRORES CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS DE PARIDAD DE 8 BITS A 9 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL DE 3,3 VOLTIOS Y REGISTRO CON RETENCIÓN DE BUS, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96775 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS DE CONMUTACIÓN DE ONDA INCIDENTE DE 16 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96780 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS DE 3,3 V Y 16 BITS CON RESISTENCIAS DE SALIDA DE PUERTO A EQUIVALENTES DE 22 OHMIOS, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96782 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, BÚFER/CONDUCTOR OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS NO INVERSORES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96783 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, BÚFER/CONDUCTOR OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS NO INVERSORES, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR REGISTRADO DE 3,3 V Y 16 BITS CON RETENCIÓN DE BUS, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, DISPARADOR SCHMITT NAND DE 2 ENTRADAS CUADRÍCULOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95747 REV C-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PESTILLO TRANSPARENTE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95764 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95767 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PESTILLO TRANSPARENTE BISTABLE DOBLE DE 2 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95836-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, FLIP-FLOP TIPO D DE DISPARO POR BORDE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS UNIVERSAL DE 36 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS DE 36 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, DISPOSITIVO DE PRUEBA DE ESCANEO CON TRANSCEPTOR DE BUS UNIVERSAL DE 18 BITS, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95578 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS REGISTRADO DE 36 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92272 REV D-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, TRANSCEPTOR BIDIRECCIONAL DE 16 BITS CON RESISTENCIA EN SERIE Y SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL Y OSCILACIÓN DE VOLTAJE DE SALIDA LIMITADA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95642 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL DE 3,3 VOLTIOS CON RETENCIÓN DE BUS, SALIDAS DE TRES ESTADOS Y ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP OCTAL D CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95663 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO DE ENTRADA EN SERIE/SALIDA PARALELA DE 8 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS DE 16 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, DISPARADOR CUÁDRUPLE NAND SCHMITT DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96555 REV B-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, CONTADOR BINARIO PREAJUSTABLE SINCRÓNICO DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96586 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, BÚFER HEXAGONAL NO INVERSOR/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96587 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, BÚFER HEXAGONAL NO INVERSOR/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO ENDURECIDO POR RADIACIÓN, FLIP FLOP JK DUAL CON AJUSTE Y RESET, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96747-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, SELECTOR DE RUTA DE ESCANEO CON BUS DE DATOS BIDIRECCIONAL DE 8 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, LATCH TIPO D CON INTERFAZ DE BUS DE 10 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96773 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP TIPO D OCTAL DISPARADOR POR BORDE CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, PESTILLO TIPO D TRANSPARENTE DE 3,3 VOLTIOS Y 16 BITS CON RETENCIÓN DE BUS, SALIDAS DE TRES ESTADOS Y ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96829 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, BÚFER OCTAL/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS NO INVERSAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, INTERFAZ DE BUS DE 9 BITS LATCH TIPO D CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96865 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, AVANZADO FLIP-FLOP TIPO D CMOS OCTAL DE ALTA VELOCIDAD DISPARADOR POR BORDE CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95740 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, DECODIFICADOR/DEMULTIPLEXOR INVERTIDO DE 3 A 8 LÍNEAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95742 REV C-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR SINCRÓNICO DE DÉCADA BCD, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95743 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO PREAJUSTABLE SINCRÓNICO DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95753 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, DECODIFICADOR/DEMULTIPLEXOR DOBLE DE 2 A 4 LÍNEAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95763 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP DUAL D CON AJUSTE Y RESET, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97529-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE BAJA TENSIÓN, TRANSCEPTOR Y REGISTRADOR DE BUS OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95772 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO CONTRA LA RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, BÚFER OCTAL INVERSOR/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95835-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, LATCH TIPO D OCTAL TRANSPARENTE CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/559 J-2007 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, UNITIZADO, NPN, SILICIO, CONMUTACIÓN, MATRIZ DE CUATRO TRANSISTORES, TIPOS 2N6989, 2N6989U Y 2N6990, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, BÚFER/CONDUCTOR OCTAL NO INVERSOR DE 3,3 VOLTIOS CON RETENCIÓN DE BUS, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96547 REV C-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, DECODIFICADOR/DEMULTIPLEXOR DOBLE DE 2 A 4 LÍNEAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96717 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, BÚFER OCTAL INVERSOR/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96726 REV D-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, BÚFER OCTAL NO INVERSOR/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96811 REV A-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, DISPOSITIVO DE PRUEBA DE ESCANEO DE 3,3 VOLTIOS CON TRANSCEPTOR DE BUS UNIVERSAL DE 18 BITS, CON RETENCIÓN DE BUS, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95738 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, FLIP FLOP JK DUAL CON AJUSTE Y RESET, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95756 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO ARRIBA/ABAJO DE 4 BITS SINCRÓNICO PREAJUSTABLE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP JK DUAL CON AJUSTE Y RESET, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95771 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR ARRIBA/ABAJO DE DÉCADA BCD SINCRÓNICO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95776 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO CONTRA LA RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, BÚFER OCTAL INVERSOR/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94673 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, BUFFER/DRIVER OCTAL CON RESISTENCIA DE 25 SERIE OMEGA Y SALIDAS DE TRES ESTADOS NO INVERSORES, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94697 REV C-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, BUFFER OCTAL/CONDUCTOR DE LÍNEA CON RESISTENCIA SERIE DE 25 OHMIOS Y SALIDAS INVERTIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94698-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, DISPOSITIVO DE PRUEBA DE ESCANEO CON TRANSCEPTOR Y REGISTRO DE 18 BITS, SALIDAS DE TRES ESTADOS Y ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS UNIVERSAL DE 18 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94718 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, BÚFER/CONDUCTOR OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS NO INVERSORES, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94744 REV B-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, TRANSCEPTOR REGISTRADO/LATCH DE 16 BITS CON PARIDAD, RESISTENCIA EN SERIE Y SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL Y OSCILACIÓN DE VOLTAJE DE SALIDA LIMITADA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96563 REV A-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, CONTADOR DE DÉCADA BCD ARRIBA/ABAJO DE 4 BITS SINCRÓNICO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96565 REV A-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, CONTADOR BINARIO ARRIBA/ABAJO SINCRÓNICO DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95744 REV C-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, BÚFER OCTAL/CONDUCTOR DE LÍNEA NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95751 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, BÚFER OCTAL NO INVERSOR/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95759 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, TRANSCEPTOR/REGISTRO DE BUS OCTAL NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95775 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO CONTRA LA RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, BÚFER HEXAGONAL/CONDUCTOR DE LÍNEA NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BICMOS AVANZADO, PESTILLO TIPO D OCTAL TRANSPARENTE DE 3,3 VOLTIOS CON SOPORTE DE BUS, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, FLIP FLOP TIPO D DE DISPARO POR BORDE OCTAL DE 3,3 VOLTIOS CON RETENCIÓN DE BUS, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/558 J-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, UNITIZADO, PNP, SILICIO, CONMUTACIÓN, MATRIZ DE CUATRO TRANSISTORES, TIPOS 2N6987, 2N6987U Y 2N6988, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG Y JANSH
DLA SMD-5962-95606 REV A-2007
DLA SMD-5962-96698-1996
DLA SMD-5962-96809 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, BÚFER/CONDUCTOR DE 3,3 VOLTIOS Y 16 BITS CON RETENCIÓN DE BUS Y RESISTENCIAS SERIE DE 22 OHMIOS Y SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP OCTAL DE DISPARO POR BORDE POSITIVO TIPO D CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/662 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, CANAL P ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO, TIPOS 2N7422, 2N7422U, 2N7423 Y 2N7423U, JANTXVR Y F Y JANSR Y F
DLA MIL-PRF-19500/662 F-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, CANAL P ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO, TIPOS 2N7422, 2N7422U, 2N7423 Y 2N7423U, JANTXVR Y F Y JANSR Y F
DLA MIL-PRF-19500/495 G (1)-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, UNITIZADO, TRANSISTOR DOBLE, NPN, TIPOS DE SILICIO 2N5793, 2N5794 Y 2N5793A, 2N5794A, 2N5794U, 2N5794UC, 2N5794AU, 2N5794AUC, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG Y JANSH
DLA MIL-PRF-19500/495 G-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, UNITIZADO, TRANSISTOR DOBLE, NPN, TIPOS DE SILICIO 2N5793, 2N5794 Y 2N5794U, 2N5794UC, 2N5793A, 2N5794A, 2N5794AU Y 2N5794AUC, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM , JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF , JANSG Y JANSH.
DLA SMD-5962-95614-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, DISPOSITIVO DE PRUEBA DE ESCANEO CON TRANSCEPTOR DE BUS UNIVERSAL DE 18 BITS, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, FLIP-FLOP TIPO D OCTAL CON DISPARO POR BORDE POSITIVO CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7485U3, 2N7486U3 Y 2N7487U3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL P, TIPOS 2N7403 Y 2N7404, JANSD Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal P tipo 2N7438 y 2N7439 JANSD y JANSR
DLA SMD-5962-95647 REV B-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BICMOS AVANZADO, FLIP-FLOPS TIPO D DE DISPARO POR BORDE DE 3,3 V Y 16 BITS CON RETENCIÓN DE BUS, SALIDAS DE TRES ESTADOS Y ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95761 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, CONTROLADOR DE BÚFER/RELOJ CON SALIDAS DE TRES ESTADOS NO INVERSORES, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL Y OSCILACIÓN DE VOLTAJE DE SALIDA LIMITADA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7485U3, 2N7486U3 Y 2N7487U3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7485U3, 2N7486U3 Y 2N7487U3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7488T3, 2N7489T3 Y 2N7490T3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/662 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO ENDURECIDO (SÓLO DOSIS TOTAL), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7422, 2N7422U, 2N7423 Y 2N7423U, JANTXVR Y F Y JANSR Y F
DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7509, 2N7510 Y 2N7511, JANTXVD, R Y JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal N tipos 2N7512, 2N7513 y 2N7514 JANTXVD, R y JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal N, tipos 2N7509, 2N7510 y 2N7511, JANTXVD, R y JANSD, R

Association Francaise de Normalisation, transistor de óxido de tulio

NF C96-051*NF EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores semiconductores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET)
NF EN 62373:2006 Pruebas de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
NF C80-203*NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
NF X31-090-2*NF EN ISO 12782-2:2012 Calidad del suelo - Parámetros para el modelado geoquímico de lixiviación y especiación de constituyentes en suelos y materiales del suelo - Parte 2: extracción de óxidos de hierro cristalinos con ditionita
NF F62-011-2:1992 Material rodante ferroviario. Requisitos generales funcionales. Balastros transistorizados. Colección de hojas particulares.
NF T51-621:2000 Plásticos: determinación del comportamiento de fusión (temperatura de fusión o rango de fusión) de polímeros semicristalinos mediante métodos de tubo capilar y microscopio polarizador.

German Institute for Standardization, transistor de óxido de tulio

DIN EN 62373:2007 Prueba de estabilidad de la temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62373:2006); Versión alemana EN 62373:2006
DIN EN 62417:2010-12 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
DIN EN 62373:2007-01 Prueba de estabilidad de la temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62373:2006); Versión alemana EN 62373:2006
DIN EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
DIN EN ISO 12782-2:2012 Calidad del suelo - Parámetros para el modelado geoquímico de lixiviación y especiación de constituyentes en suelos y materiales - Parte 2: Extracción de óxidos e hidróxidos de hierro cristalinos con ditionita (ISO 12782-2:2012); Versión alemana EN ISO 12782-2:2012

RU-GOST R, transistor de óxido de tulio

GOST 25733-1983

Danish Standards Foundation, transistor de óxido de tulio

ES-UNE, transistor de óxido de tulio

UNE-EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayos de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
UNE-EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), transistor de óxido de tulio

IEEE Std 581-1978 Definiciones, símbolos y caracterizaciones del estándar IEEE de transistores de efecto de campo de óxido de nitruro metálico
IEEE 581-1978 Definiciones, símbolos y caracterizaciones del estándar IEEE de transistores de efecto de campo de óxido de nitrito metálico

Professional Standard - Electron, transistor de óxido de tulio

SJ/T 11824-2022 Método de prueba de tasa de cambio de voltaje y capacitancia equivalente del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET)
SJ 50033/42-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para FET de microondas GaAs tipo CSO467
SJ 50033/78-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de microondas GaAs tipo CS0464
SJ 50033/79-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de potencia de microondas GaAs tipo CS0536
SJ 50033/120-1997 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS205
SJ 50033.51-1994 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de doble puerta de microondas GaAs tipo CS0558
SJ 50033.52-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS0529.
SJ 50033.54-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS0532
SJ 50033/119-1997 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS204
SJ 50033/81-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de potencia de microondas GaAs tipo CS0524
SJ 50033/80-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de potencia de microondas GaAs tipo CS0513
SJ 50033.53-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS0530 y CS0531
SJ 50033/106-1996 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de bajo ruido de microondas GaAs tipo CS203.
SJ/T 11829.1-2022 Equipo de deposición química de vapor mejorada por plasma (PECVD) para células fotovoltaicas de silicio cristalino Parte 1: Equipo PECVD tubular

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, transistor de óxido de tulio

GJB 3933-2000 Especificación para materiales en polvo de óxido de aluminio ultrapuro para cristales láser
GJB 2618-1996 Especificación para mangueras de caucho que transportan oxidantes líquidos.

RO-ASRO, transistor de óxido de tulio

STAS 10207/4-1984 ESMALTES VÍTREOS Y CRISTALIZADOS Determinación de la resistencia al hidróxido de sodio caliente

Lithuanian Standards Office , transistor de óxido de tulio

LST EN 62417-2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010)
LST EN 62373-2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET) (IEC 62373:2006)

International Electrotechnical Commission (IEC), transistor de óxido de tulio

IEC 60293:1968 Tensiones de alimentación para instrumentos nucleares transistorizados.
IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos. Parte 8-4: Transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia.
IEC 63275-2:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2: Método de prueba para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo del cuerpo.
IEC 62373-1:2020 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET). Parte 1: Prueba rápida BTI para MOSFET.
IEC 63275-1:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 1: Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización.
IEC 63284:2022 Dispositivos semiconductores: método de prueba de confiabilidad mediante conmutación de carga inductiva para transistores de nitruro de galio
IEC 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
IEC 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)

HU-MSZT, transistor de óxido de tulio

MSZ 24172/2.lap-1968 DIN?TRIUM-HIDROG?N-FOSZF?T analitikai célokra, 7 kristályvizes
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ITU-T G.323-1989 Sistema transistorizado típico en pares de cables simétricos: sistemas portadores analógicos internacionales (Grupo de Estudio XV; 3 páginas; cancelado)