ZH
EN
ES

Тулиевый оксидный транзистор

Тулиевый оксидный транзистор, Всего: 394 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Тулиевый оксидный транзистор, являются: Цветные металлы, Аналитическая химия, Полупроводниковые материалы, Полупроводниковые приборы, Нерудные полезные ископаемые, Электрические и электронные испытания, Керамика, Продукция химической промышленности, Металлоносные полезные ископаемые, Оптоволоконная связь, Атомная энергетика, Измерения радиации, Изоляционные жидкости, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Радиосвязь, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Газовые и паровые турбины. Паровые двигатели, Топливо, Электротехника в целом, Клапаны, Испытание металлов, Качество почвы. Почвоведение, Качество воздуха, Взрывозащита, Горное оборудование, Пластмассы, Сварка, пайка и пайка, Воски, битумные материалы и другие нефтепродукты, Строительные материалы, Электростанции в целом.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Тулиевый оксидный транзистор

EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Тулиевый оксидный транзистор

GB/T 18115.1-2000 Оксид лантана. Определение содержания оксида церия, оксида празеодима, оксида неодима, оксида самария, оксида европия, оксида гадолиния, оксида тербия, оксида диспрозия, оксида гольмия, оксида эрбия, оксида тулия, оксида иттербия, оксида лютеция и оксида иттрия.
GB/T 18115.2-2000 Оксид церия. Определение содержания оксида лантана, оксида празеодима, оксида неодима, самария, оксида, оксида европия, оксида гадолиния, оксида тербия, оксида диспрозия, оксида гольмия, оксида эрбия, оксида тулия, оксида иттербия, оксида лютеция и оксида иттрия.
GB/T 18115.5-2000 Оксид самария. Определение содержания оксида лантана, оксида церия, оксида празеодима, оксида неодима, оксида европия, оксида гадолиния, оксида тербия, оксида диспрозия, оксида гольмия, оксида эрбия, оксида тулия, оксида иттербия, оксида лютеция и оксида иттрия.
GB/T 8762.8-2000 Оксид европия. Определение содержания оксида лантана, оксида церия, оксида празеодима, оксида неодима, оксида самария, оксида гадолиния, оксида тербия, оксида диспрозия, оксида гольмия, оксида эрбия, оксида тулия, оксида иттербия, оксида лютеция и оксида иттрия.
GB/T 18115.6-2000 Оксид гадолиния. Определение содержания оксида лантана, оксида церия, оксида празеодима, оксида неодима, оксида самария, оксида европия, оксида тербия, оксида диспрозия, оксида гольмия, оксида эрбия, оксида тулия, оксида иттербия, оксида лютеция и оксида иттрия.
GB/T 18115.7-2000 Оксид тербия. Определение содержания оксида лантана, оксида церия, оксида празеодима, оксида неодима, оксида самария, оксида европия, оксида гадолиния, оксида диспрозия, оксида гольмия, оксида эрбия, оксида тулия, оксида иттербия, оксида лютеция и оксида иттрия.
GB/T 18115.9-2000 Оксид гольмия. Определение содержания оксида лантана, оксида церия, оксида празеодима, оксида неодима, оксида самария, оксида европия, оксида гадолиния, оксида тербия, оксида диспрозия, оксида эрбия, оксида тулия, оксида иттербия, оксида лютеция и оксида иттрия.
GB/T 18115.8-2000 Оксид диспрозия. Определение содержания оксида лантана, оксида цериурма, оксида празеодима, оксида неодима, оксида самария, оксида европия, оксида гадолиния, оксида тербия, оксида гольмия, оксида эрбия, оксида тулия, оксида иттербия, оксида лютекла и оксида иттрия.
GB/T 18115.4-2000 Оксид неодина. Определение содержания оксида лантана, оксида церия, оксида празеодима, оксида самария, оксида европия, оксида гадолиния, оксида тербия, оксида диспрозия, оксида гольмия, оксида эрбия, оксида тулия, оксида иттербия, оксида лютеция и оксида иттрия.
GB/T 18115.10-2000 Оксид эрбия. Определение содержания оксида лантана, оксида церия, оксида празеодима, оксида неодима, оксида самария, оксида европия, оксида гадолиния, оксида тербия, оксида диспрозия, оксида гольмия, оксида тулия, оксида иттербия, оксида лютеция и оксида иттрия.
GB/T 18115.3-2000 Оксид празеодима. Определение содержания оксида лантана, оксида церия, оксида неодима, оксида самария, оксида европия, оксида гадолиния, оксида тербия, оксида диспрозия, оксида гольмия, оксида эрбия, оксида тулия, оксида иттербия, оксида лютеция и оксида иттрия.
GB/T 18116.1-2000 Оксид иттрия-европия. Определение содержания оксида лантана, оксида церия, оксида празеодима, оксида неодима, оксида самария, оксида гадолиния, оксида тербия, оксида диспрозия, оксида гольмия, оксида эрбия, оксида тулия, оксида иттербия и оксида лютеция - Ind
GB/T 14144-1993 Метод испытаний для определения радиального изменения межузельного кислорода в кремнии
GB/T 14144-2009 Метод испытаний для определения радиального изменения межузельного кислорода в кремнии

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Тулиевый оксидный транзистор

GB/T 37403-2019 Проявитель гидроксида тетраметиламмония для тонкопленочных транзисторно-жидкокристаллических дисплеев (TFT-LCD)
GB/T 36655-2018 Метод определения содержания альфа-кристаллического диоксида кремния в сферическом порошке диоксида кремния для электронной упаковки — метод XRD

Group Standards of the People's Republic of China, Тулиевый оксидный транзистор

T/CASAS 006-2020 Общие спецификации полевого транзистора из карбида кремния металл-оксид-полупроводник
T/CASAS 015-2022 Метод испытания циклического включения питания карбидокремниевого металлооксидного полупроводникового полевого транзистора (SiC MOSFET)
T/CASAS 016-2022 Метод двойного переходного испытания для измерения термического сопротивления перехода в корпус карбидокремниевого металлооксидного полупроводникового полевого транзистора (SiC MOSFET)
T/SDHIA 07-2023
T/CASAS 022-2022 Технические характеристики полевого транзистора на основе нитрида галлия, используемого в линейных оконечных устройствах и трехфазных счетчиках электроэнергии.
T/CASAS 007-2020 Спецификация испытаний карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов (MOSFET) модуля электромобилей

Professional Standard - Rare Earth, Тулиевый оксидный транзистор

XB/T 613.2-2010 Методы химического анализа оксида церия-тербия. Часть 2: Определение оксида лантана, оксида празеодима, оксида неодима, оксида самария, оксида европия, оксида гадолиния, оксида диспрозия, оксида гольмия, оксида эрбия, оксида тулия, оксида иттербия, лютеция.

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Тулиевый оксидный транзистор

JEDEC JES2-1992 Транзистор, силовой полевой транзистор на основе арсенида галлия, общие характеристики

U.S. Military Regulations and Norms, Тулиевый оксидный транзистор

ARMY QPL-46320-30-1992 БЛОК ПИТАНИЯ, 10516158 (ТРАНЗИСТОРИЗИРОВАННЫЙ)
ARMY MIL-PRF-55310/30 D-2008 ГЕНЕРАТОР, КРИСТАЛЛ-УПРАВЛЯЕМЫЙ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO)), 450 кГц ДО 100 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 ГЕНЕРАТОР, КРИСТАЛЛ-УПРАВЛЯЕМЫЙ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO)), ОТ 0,05 МГЦ ДО 10 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, МЕЖПЕРЕДНЯЯ ЧАСТЬ, КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 ГЕНЕРАТОР, КРИСТАЛЛ-УПРАВЛЯЕМЫЙ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO), 500 КГЦ ДО 85 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 ГЕНЕРАТОР, КРИСТАЛЛ-УПРАВЛЯЕМЫЙ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO)), ОТ 1,0 МГЦ ДО 85 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, МЕЖДУНАРОДНЫЙ, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 ГЕНЕРАТОР, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO)), ОТ 1,544 МГц ДО 125 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, МЕЖПЕРЕДНЯЯ ЧАСТЬ, РАСШИРЕННАЯ КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 ГЕНЕРАТОР, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO)), ОТ 0,75 МГц ДО 200 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, МЕЖДУНАРОДНЫЙ, РАСШИРЕННАЯ КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 ГЕНЕРАТОР, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO)), 500 КГЦ ДО 85 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 ГЕНЕРАТОР, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO)), 500 КГЦ ДО 150 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 ГЕНЕРАТОР С КРИСТАЛЛИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO), 500 КГЦ ДО 150 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 ГЕНЕРАТОР С КРИСТАЛЛИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO), 1 ДО 133 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, НИЗКОВОЛЬТНОЕ 2,5 В КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 ГЕНЕРАТОР С КРИСТАЛЛИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO), 1 ДО 100 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, НИЗКОВОЛЬТНОЕ 1,8 В КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 ГЕНЕРАТОР С КРИСТАЛЛИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO), 1 ДО 133 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, НИЗКОВОЛЬТНОЕ 2,5 В КМОП

Professional Standard - Building Materials, Тулиевый оксидный транзистор

JC/T 817-2014 Синтетические кристаллы кубического циркония ювелирного качества.
JC/T 2343-2015 Монокристаллическая трубка из оксида алюминия, изготовленная методом выращивания кристаллов с пленочной подачей по краям

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Тулиевый оксидный транзистор

CNS 8104-1981 Метод измерения линейного порогового напряжения MOSFET
CNS 8106-1981 Метод измерения порогового напряжения насыщения MOSFET
CNS 13624-1995 Методы испытаний кристаллографического совершенства арсенсида галлия методом травления расплавленным гидроксидом калия (КОН)

British Standards Institution (BSI), Тулиевый оксидный транзистор

BS EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
BS EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
BS EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
BS IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) для переключения мощности.
BS IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) - быстрый тест BTI для MOSFET
BS IEC 63275-1:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Метод испытания на нестабильность температуры смещения
20/30406234 DC БС МЭК 63275-2 Ред.1.0. Полупроводниковые приборы. Метод испытаний на надежность дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов на основе карбида кремния. Часть 2. Метод испытания биполярной деградации при работе внутреннего диода
BS IEC 63284:2022 Полупроводниковые приборы. Метод проверки надежности коммутацией индуктивной нагрузки транзисторов на основе нитрида галлия
18/30381548 DC БС ЕН 62373-1. Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Метод быстрого испытания BTI
17/30366375 DC БС МЭК 62373-1. Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Метод быстрого испытания BTI
20/30406230 DC БС МЭК 63275-1. Полупроводниковые приборы. Метод испытаний на надежность дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов на основе карбида кремния. Часть 1. Метод испытания на нестабильность температуры смещения
BS EN ISO 12782-2:2012 Качество почвы. Параметры геохимического моделирования выщелачивания и формирования компонентов почв и материалов. Экстракция кристаллических оксидов и гидроксидов железа дитионитом
BS EN 12607-2:2014 Битумы и битумные вяжущие. Определение стойкости к затвердеванию под воздействием тепла и воздуха. метод ТФОТ
20/30409285 DC BS IEC 63284. Приборы полупроводниковые. Метод испытания нагрузочной надежности при коммутации индуктивной нагрузки транзисторов на основе нитрида галлия

Defense Logistics Agency, Тулиевый оксидный транзистор

DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ВКЛЮЧЕНИЕМ ЧАСОВ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ДЕКОДЕР 1-ИЗ-8, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, РЕГИСТР СДВИГА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, РЕГИСТР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ МОП-транзисторов, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И ДВУХВХОДНАЯ, С ТТЛ-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95762-1995 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, БУФЕР/ТАХОВЫЙ ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ И ОГРАНИЧЕННЫМ РАЗмахом ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ/МОС-ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНАЯ ШИНА/МОС-ДРАЙВЕР ПАМЯТИ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, ДРАЙВЕР MOSFET, ДВОЙНОЕ ПИТАНИЕ
DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 4 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 3-8-СТРООЧНЫЙ ДЕКОДЕР С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И-НЕ-ГАЗАЦИЯ С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86852 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЯЧНЫЙ 2-ВХОД ИЛИ ВХОД С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ТРИГГЕР ШМИТТА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, ЧЕТЫРЕХПОРТОВОЙ 2-ПОРТОВЫЙ РЕГИСТР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ УРОВНЯ НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ РАБОТЫ ТТЛ-КМОП ИЛИ КМОП-КМОП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, ОДИНОЧНЫЙ МОЩНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИИ/МОП-ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРОВАННЫМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87554 REV E-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 1-ИЗ-8 ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП С КРАЙНЫМ ЗАПУСКОМ D-ТИПА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96736-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, КМОП, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ 8-БИТНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЕЙ ИНТЕРФЕЙСА CMOS/TTL, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 1-ИЗ-4 ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91732-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 3-8-СТРООЧНЫЙ ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЕ ДРАЙВЕРЫ ШИНЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ДРАЙВЕР ШИНЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, БУФЕР/ТАХОВЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ ИНВЕРТИРУЮЩИЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-04228-2004 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК ВВЕРХ/ВНИЗ С ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ УСТАНОВКОЙ И ПУЛЬСИРУЮЩИМ СИГНАЛОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91725-1994 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С ВОСЬМЕРИЧНОЙ ЗАЩЕЛКОЙ ТИПА D, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНАЯ 2-БИТНАЯ БИСТАБИЛЬНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ЛИНЕЙНАЯ, МОЩНЫЙ МОП-транзистор, ДВУХКАНАЛЬНЫЙ, ОПТОПАРА
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, ОДИНОЧНЫЙ, ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОП-транзистор, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ЛИНИИ/БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩАЯ ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ПРОЗРАЧНЫМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ НАСТРАИВАЕМЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, СИНХРОННЫЙ СБРОС, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91724-1993 МИКРОЦЕПНЫЕ, ЦИФРОВЫЕ, БИКМОП-ВОСЬМЕРИЧНЫЕ ШИННЫЕ ПРИЕМОПРИЕМНИКИ И РЕГИСТРЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНО-РЕГИСТРИРОВАННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 МИКРОЦЕПНЫЕ, ЦИФРОВЫЕ, БИКМОС-ВОСЬМЕРИЧНЫЕ ШИННЫЕ ПРИЕМОПРИЕМНИКИ И РЕГИСТРЫ С ТРЕХСТАВНЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНОЙ NAND-ЗАТВОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНЫЙ И ЗАТВОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96817 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ ЭКСКЛЮЗИВНАЯ ИЛИ ЗАТВОРА С 2 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96821 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ ПОЛОЖИТЕЛЬНАЯ И ЗАТВОРНАЯ С 2 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96823 REV A-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ С 2 ВХОДАМИ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И-НЕ-ГЭТ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 9-битный D-триггер, срабатывание по положительному фронту, с трехсостоятельными выходами, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, 8-битный D-триггер, с триггером по положительному фронту, с тремя состояниями, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ D-ТРИФЛОП С ВКЛЮЧЕНИЕМ ЧАСОВ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ДРАЙВЕР/БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ НАСТРАИВАЕМЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, АСИНХРОННЫЙ СБРОС, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, Восьмеричный буфер и линейный драйвер с неинвертирующими трехуровневыми выходами, TTL-совместимыми входами, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С 18-БИТНЫМ ШИННЫМ ТРАНСИВЕРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96813 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОРНЫЙ ТРИГГЕР ШМИТТА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И ЗАТВОРНАЯ, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 8-битный диагностический регистр с трехпозиционными выходами, TTL-совместимые входы, монолитный кремний
DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ГЛАВНЫМ СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ JK-ТРИФЛОП С УСТАНОВКОЙ И СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ПРЕДНАСТРОЙКА СИНХРОННОГО 4-БИТНОГО ДВОИЧНОГО СЧЕТЧИКА РЕВЕРСИРОВАНИЯ/ОБРАТЕНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНЫЕ СЕЛЕКТОРЫ ДАННЫХ/МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ 1-ИЗ-4 С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ И TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90938 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ВЫХОДАМИ ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ФЛИП-ФЛОП ТИПА D С ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ НАСТРОЙКОЙ И ОЧИСТКОЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ РАСШИРЕННАЯ КМОП, 9-БИТНАЯ ПРОВЕРКА ГЕНЕРАТОРА НЕЧЕТНОЙ/ЧЕТНОСТИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97528-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ С 2 ВХОДАМИ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-НЕ-ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97571-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ С 2 ВХОДАМИ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-НЕ-ЗАТВОР, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ ТРИ ВХОДА NAND GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНОЙ И-НЕ-ЗАБОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНЫЙ NOR GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96819 REV A-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ И ЗАТВОРА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ НОРМАТИВНАЯ ЗАТВОРА, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8 ВХОДОВ NAND GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ ИЛИ ЗАТВОРНАЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНАЯ 4-ВХОДНАЯ НЕЗАВИСИМАЯ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНОЙ NAND-ЗАТВОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНЫЙ И ЗАТВОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ НОРМАТИВНАЯ ВЕРСИЯ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86856 REV A-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ЗАЩЕЛКА D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ И LS TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ГЕНЕРАТОР ПРОГНОЗНОГО ПРОИЗВОДСТВА ДЛЯ СЧЕТЧИКОВ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП-БУФЕРНАЯ ШИНА, ЧЕТЫРЕХСТОРОННЯЯ ШИНА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНОЙ И-ЗАБОТ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП-БУФЕРНАЯ ШИНА, ЧЕТЫРЕХСТОРОННЯЯ ШИНА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 18-битный УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ЭКСКЛЮЗИВНАЯ NOR GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ КОМПАРАТОР ВЕЛИЧИНЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И-НЕ-ЗАБОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И ЗАТВОРЫ, 2 ВХОДА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ ПОЛНЫЙ СУММОР С БЫСТРЫМ ПЕРЕНОСОМ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ NAND GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И-НЕ-ГЭТФ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХРУСТНАЯ ЗАЩЕЛКА SR, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ ПОЛНЫЙ СУММОР С БЫСТРЫМ ПЕРЕНОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96761-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 1-8-линейный тактовый драйвер, TTL-совместимые входы, монолитный кремний
DLA SMD-5962-96806 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЭНКОДЕР С ПРИОРИТЕТОМ ЛИНИИ 10-4, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ЧЕТЫРЕХСТАДИЙНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 4 ВХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕЧНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 2 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СИНХРОННЫЙ СЧЕТЧИК, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ТРАНСИВЕР/РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87628 REV D-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ И ТТЛ-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86853 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ФЛИП-ФЛОП ТИПА D С ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ НАСТРОЙКОЙ И СБРОСОМ С LS TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86855 REV A-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-битный регистр сдвига с параллельным входом и последовательным выходом, с LS TTL-совместимыми входами, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-94750-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП-СЕТЬ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО УПРАВЛЕНИЯ ДОСТУПА, ПАРАЛЛЕЛЬНО/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, КМОП-ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95841 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР И РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96715 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ РАСШИРЕННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ КВАДРОБУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96725 REV D-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СХЕМА ГЕНЕРАЦИИ СИНХРОНИЗАЦИИ И СОСТОЯНИЯ ОЖИДАНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХШИННЫЙ БУФЕРНЫЙ ВЕНТИЛЬ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С РЕЗИСТОРАМИ СЕРИИ 25 ОМЕГА И ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ТРЕХПОРТОВОЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ШИННЫЙ ОБМЕННИК С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96827 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, 8-битный регистр диагностического сканирования, TTL-совместимые входы и ограниченный размах выходного напряжения, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ДВОЙНЫМ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ФРОНТОМ, С ОЧИСТКОЙ И ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ НАСТРОЙКОЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С 3-х СОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96880 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩАЯ ВОСЬМЕРИЧНАЯ ШИНА ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК РЕВЕРСИРОВАНИЯ/ОБРАТЕНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНЫЙ ШИННЫЙ КОММУТАТОР С ТРЕМЯ ВЫХОДАМИ СОСТОЯНИЯ И СДВИГОМ УРОВНЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95746 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ РЕГИСТР СДВИГА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96886 REV B-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВО-ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, 12 БИТ АНАЛОГО-ЦИФРОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ И 11 АНАЛОГОВЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91607 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ РЕГИСТР СДВИГА/ХРАНЕНИЯ С СИНХРОННЫМ СБРОСОМ И ОБЩИМИ ВЫВОДАМИ ВВОДА-ВЫВОДА, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/421 G VALID NOTICE 1-2009 Полупроводниковые устройства, устройства, двойной транзистор, унифицированные, NPN/PNP, дополнительные, кремниевые, типы 2N3838, 2N4854 и 2N4854U, JAN, JANTX и JANTXV
DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 18-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ИНТЕРФЕЙС, ФЛИП-ФЛОП С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 8-битный регистр сдвига с последовательным/параллельным выходом, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СИНХРОННЫЙ СЧЕТЧИК ПОВЫШАЮЩЕГО/ВНИЗУЮЩЕГО, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 9-БИТНЫЙ ГЕНЕРАТОР ЧЕТНОСТИ/ЧЕТНОСТИ/ПРОВЕРКА, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96697-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 18-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96721 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СХЕМА ОБНАРУЖЕНИЯ И ИСПРАВЛЕНИЯ ОШИБОК С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТРАНСИВЕР ЧЕТНОСТИ 8-9-БИТ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР НА 3,3 В И РЕГИСТР С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96775 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96780 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР, 3,3 В, С ЭКВИВАЛЕНТНЫМИ ВЫХОДНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ А-ПОРТА 22 ОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96782 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96783 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В, 16-БИТНЫЙ ЗАРЕГИСТРИРОВАННЫЙ ТРАНСИВЕР С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ ТРИГГЕР N И ШМИТТА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95747 REV C-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95764 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95767 REV A-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНАЯ 2-БИТНАЯ БИСТАБИЛЬНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95836-1995 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМ ВЫХОДОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 36-БИТНЫЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 36-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С 18-БИТНЫМ УНИВЕРСАЛЬНЫМ ШИННЫМ ТРАНСИВЕРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95578 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 36-БИТНЫЙ ЗАРЕГИСТРИРОВАННЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92272 REV D-2008 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ПРИЕМОПРИЕМНИК С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ РЕЗИСТОРОМ И ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ И ОГРАНИЧЕННЫМ РАЗмахом ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95642 REV C-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР НА 3,3 В С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ И TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ D-ТРИФЛОП С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95663 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-битный регистр сдвига с последовательным/параллельным выходом, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ ТРИГГЕР N И ШМИТТА, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96555 REV B-2001 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК С ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ НАСТРОЙКОЙ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96586 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96587 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ JK-ТРИФЛОП С УСТАНОВКОЙ И СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96747-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВЫБОР ПУТИ СКАНИРОВАНИЯ С 8-БИТНОЙ ДВУНАПРАВЛЕННОЙ ШИНОЙ ДАННЫХ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ИНТЕРФЕЙС, ЗАДВИЖКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96773 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМ ВЫХОДОМ С КРАЙНЫМ ЗАПУСКОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В, 16 БИТ, ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ И TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96829 REV A-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 9-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ИНТЕРФЕЙС, ЗАЩЕЛКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96865 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95740 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ИНВЕРТИРУЮЩИЙ 3-8-СТРООЧНЫЙ ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95742 REV C-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОИЧНО-ДЕКАДНЫЙ СИНХРОННЫЙ СЧЕТЧИК, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95743 REV A-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ НАСТРАИВАЕМЫЙ 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95753 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 2-4-СТРООЧНЫЙ ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95763 REV E-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ D-ТРИФЛОП С УСТАНОВКОЙ И СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97529-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР И РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95772 REV B-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95835-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/559 J-2007 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, УНИВЕРСАЛЬНЫЕ, NPN, КРЕМНИЕВЫЕ, КОММУТАЦИОННЫЕ, ЧЕТЫРЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ МАССИВЫ, ТИПЫ 2N6989, 2N6989U И 2N6990, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР НА 3,3 В С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96547 REV C-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 2-4-СТРОИТЕЛЬНЫЙ ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96717 REV E-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96726 REV D-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96811 REV A-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В СКАНИРОВАНИЕ ИСПЫТАТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО С 18-БИТНЫМ УНИВЕРСАЛЬНЫМ ШИННЫМ ТРАНСИВЕРОМ, С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХПОЛЯРНЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95738 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ JK-ТРИФЛОП С УСТАНОВКОЙ И СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95756 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НАСТРОЙКА СИНХРОННОГО 4-БИТНОГО ДВОИЧНОГО СЧЕТЧИКА ПОВЕРХ/ВНИЗ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ JK-ТРИФЛОП С УСТАНОВКОЙ И СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95771 REV A-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ BCD-ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК ПОВЫШАЮЩЕГО/ВНИЗ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95776 REV B-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94673 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С РЕЗИСТОРОМ СЕРИИ 25 ОМЕГА И НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94697 REV C-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С СЕРИЙНЫМ РЕЗИСТОРОМ 25 ОМ И ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94698-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ СКАНИРОВАНИЕ С 18-БИТНЫМ ПРИЕМОПРИВОДОМ И РЕГИСТРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ И TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 18-битный УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94718 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94744 REV B-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, 16-БИТНАЯ РЕГИСТРАЦИЯ/ЗАПИСЬ С ЧЕТНОСТЬЮ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ РЕЗИСТОР И ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ И ОГРАНИЧЕННЫЙ РАЗмах ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96563 REV A-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ 4-БИТНЫЙ ПОВЫШАЮЩИЙ/НИЖАЮЩИЙ BCD-ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96565 REV A-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК ВВЕРХ/ВНИЗ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95744 REV C-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95751 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95759 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩАЯ ВОСЬМЕРИЧНАЯ ШИНА ТРАНСИВЕР/РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95775 REV A-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ BICMOS, 3,3 В ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В ВОСЬМИРИЧЕСКОГО ТИПА D-ТИПА С КРАЙНЫМ ЗАПУСКОМ, С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/558 J-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, УНИВЕРСАЛЬНЫЕ, PNP, КРЕМНИЕВЫЕ, КОММУТАЦИОННЫЕ, ЧЕТЫРЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ МАССИВЫ, ТИПЫ 2N6987, 2N6987U и 2N6988, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG и JANSH
DLA SMD-5962-95606 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С СЕРИЙНЫМ РЕЗИСТОРОМ 25 ОМ И ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96698-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С 18-БИТНЫМ ПРИЕМОПРИВОДОМ/РЕГИСТРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96809 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР НА 3,3 В, С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, СЕРИЙНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ 22 ОМ И ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ КРОМКОМ D-ТИПА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/662 E-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7422, 2N7422U, 2N7423 И 2N7423U, JANTXVR И F И JANSR И F
DLA MIL-PRF-19500/662 F-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7422, 2N7422U, 2N7423 И 2N7423U, JANTXVR И F И JANSR И F
DLA MIL-PRF-19500/495 G (1)-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, УНИВЕРСАЛЬНЫЕ, ДВУХТРАНЗИСТОРНЫЕ, NPN, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N5793, 2N5794 И 2N5793A, 2N5794A, 2N5794U, 2N5794UC, 2N5794AU, 2N5794AUC, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, ЯНСМ, ЯНСД, ЯНСП, ЯНСЛ, ЯНСР, ЯНСФ, ЯНСГ И ЯНШ
DLA MIL-PRF-19500/495 G-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, УНИВЕРСАЛЬНЫЕ, ДВОЙНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, NPN, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N5793, 2N5794 И 2N5794U, 2N5794UC, 2N5793A, 2N5794A, 2N5794AU И 2N5794AUC, JAN, JANTX, JANTXV, JANS , ЯНСМ, ЯНСД, ЯНСП, ЯНСЛ, ЯНСР, ЯНСФ , ЯНСГ И ЯНШ.
DLA SMD-5962-95614-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С 18-БИТНЫМ УНИВЕРСАЛЬНЫМ ШИННЫМ ТРАНСИВЕРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ ФЛИП-ФЛОП ТИПА D, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7485U3, 2N7486U3 И 2N7487U3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛНАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПА 2N7403 И 2N7404, JANSD И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и однократное воздействие), кремниевый P-канальный транзистор типа 2N7438 и 2N7439 JANSD и JANSR
DLA SMD-5962-95647 REV B-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННЫЙ BICMOS, 3,3 В, 16-БИТОВЫЕ ШЛЕПАНКИ D-ТИПА С ПЕРЕДНЫМ ЗАПУСКОМ, С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ И TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95761 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, БУФЕР/ТАХОВЫЙ ДРАЙВЕР С НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ И ОГРАНИЧЕННЫМ РАЗмахом ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7485U3, 2N7486U3 И 2N7487U3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7485U3, 2N7486U3 И 2N7487U3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7488T3, 2N7489T3 И 2N7490T3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/662 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ТОЛЬКО ПОЛНАЯ ДОЗА), P-КАНАЛ, КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7422, 2N7422U, 2N7423 И 2N7423U, JANTXVR И F И JANSR И F
DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7509, 2N7510 И 2N7511, JANTXVD, R И JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и единичное событие), N-канальный кремниевый транзистор типов 2N7512, 2N7513 и 2N7514 JANTXVD, R и JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и единичное воздействие), кремниевый N-канальный транзистор, типы 2N7509, 2N7510 и 2N7511, JANTXVD, R и JANSD, R

Association Francaise de Normalisation, Тулиевый оксидный транзистор

NF C96-051*NF EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания движущихся ионов металлооксидно-полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
NF EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET)
NF C80-203*NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET).
NF X31-090-2*NF EN ISO 12782-2:2012 Качество почвы. Параметры геохимического моделирования выщелачивания и формирования компонентов почв и почвенных материалов. Часть 2. Извлечение кристаллических оксидов железа дитионитом.
NF F62-011-2:1992 Железнодорожный подвижной состав. Общие функциональные требования. Транзисторные балласты. Сбор отдельных листьев.
NF T51-621:2000 Пластмассы. Определение поведения плавления (температуры плавления или интервала плавления) полукристаллических полимеров методами капиллярной трубки и поляризационного микроскопа.

German Institute for Standardization, Тулиевый оксидный транзистор

DIN EN 62373:2007 Испытание на температурную стабильность металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006); Немецкая версия EN 62373:2006.
DIN EN 62417:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.
DIN EN 62373:2007-01 Испытание на температурную стабильность металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006); Немецкая версия EN 62373:2006.
DIN EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.
DIN EN ISO 12782-2:2012 Качество почвы. Параметры геохимического моделирования выщелачивания и формирования компонентов почв и материалов. Часть 2. Экстракция кристаллических оксидов и гидроксидов железа дитионитом (ISO 12782-2:2012); Немецкая версия EN ISO 12782-2:2012.

RU-GOST R, Тулиевый оксидный транзистор

GOST 25733-1983 Глинозем. Метод кристаллооптического определения альфа-модификации оксида алюминия

Danish Standards Foundation, Тулиевый оксидный транзистор

DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
DS/EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)

ES-UNE, Тулиевый оксидный транзистор

UNE-EN 62417:2010 Полупроводниковые устройства. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.).
UNE-EN 62373:2006 Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Одобрено AENOR в ноябре 2006 г.)

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Тулиевый оксидный транзистор

IEEE Std 581-1978 Стандартные определения, символы и характеристики IEEE полевых транзисторов металл-нитрид-оксид
IEEE 581-1978 Стандартные определения, символы и характеристики IEEE полевых транзисторов металл-нитрит-оксид

Professional Standard - Electron, Тулиевый оксидный транзистор

SJ/T 11824-2022 Метод испытания эквивалентной емкости и скорости изменения напряжения металлооксидно-полупроводникового полевого транзистора (MOSFET)
SJ 50033/42-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация для СВЧ полевого транзистора GaAs типа CSO467.
SJ 50033/78-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация СВЧ полевого транзистора GaAs типа CS0464.
SJ 50033/79-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация силового СВЧ полевого транзистора GaAs типа CS0536.
SJ 50033/120-1997 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация силового СВЧ-полевого транзистора GaAs типа CS205
SJ 50033.51-1994 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация GaAs СВЧ-полупроводника с двойным затвором типа CS0558.
SJ 50033.52-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация для СВЧ силового полевого транзистора GaAs типа CS0529.
SJ 50033.54-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация силового СВЧ-полевого транзистора GaAs типа CS0532.
SJ 50033/119-1997 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация силового СВЧ-полевого транзистора GaAs типа CS204
SJ 50033/81-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация силового СВЧ полевого транзистора GaAs типа CS0524.
SJ 50033/80-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация силового СВЧ полевого транзистора GaAs типа CS0513.
SJ 50033.53-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация для СВЧ силового полевого транзистора GaAs типа CS0530 и CS0531.
SJ 50033/106-1996 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация типа CS203 GaAs СВЧ малошумящий полевой транзистор
SJ/T 11829.1-2022 Оборудование для плазменного химического осаждения из паровой фазы (PECVD) для фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния. Часть 1: Трубчатое оборудование для PECVD

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Тулиевый оксидный транзистор

GJB 3933-2000 Спецификация на сверхчистые порошковые материалы из оксида алюминия для лазерных кристаллов
GJB 2618-1996 Технические условия на резиновые шланги для транспортировки жидких окислителей

RO-ASRO, Тулиевый оксидный транзистор

STAS 10207/4-1984 СТЕКЛОВЫЕ И КРИСТАЛЛИЗОВАННЫЕ ЭМАЛИ Определение устойчивости к горячему гидроксиду натрия

Lithuanian Standards Office , Тулиевый оксидный транзистор

LST EN 62417-2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010)
LST EN 62373-2006 Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006)

International Electrotechnical Commission (IEC), Тулиевый оксидный транзистор

IEC 60293:1968 Напряжения питания для транзисторных ядерных приборов
IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Часть 8-4. Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (МОП-транзисторы) для устройств переключения мощности.
IEC 63275-2:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 2. Метод испытания на биполярное ухудшение вследствие работы внутреннего диода.
IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Быстрое испытание BTI для MOSFET.
IEC 63275-1:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 1. Метод испытания на нестабильность температуры смещения.
IEC 63284:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности коммутацией индуктивной нагрузки транзисторов на основе нитрида галлия
IEC 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
IEC 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)

HU-MSZT, Тулиевый оксидный транзистор

MSZ 24172/2.lap-1968 Анализ с дейтерием. гидроксид. Фосфат 7 кристаллов воды
MSZ 24172/3.lap-1968 Дейтерий для анализа. гидроксид. Фосфат 2 кристалла воды

工业和信息化部, Тулиевый оксидный транзистор

JC/T 2525-2019 Керамическая трубка из глинозема для газоразрядной трубки
SJ/T 9014.8.2-2018 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8-2. Бланк подробной спецификации для сверхпереходных полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник.
XB/T 626-2019 Методы химического анализа тулиевых, иттербиевых и лютециевых концентратов.Определение соотношения пятнадцати оксидов редкоземельных элементов.Атомно-эмиссионная спектрометрия с индуктивно-связанной плазмой.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Тулиевый оксидный транзистор

ASTM F616M-96 Стандартный метод измерения тока утечки стока МОП-транзистора (метрический)
ASTM F616M-96(2003) Стандартный метод измерения тока утечки стока МОП-транзистора (метрический)
ASTM D7739-11(2020) Стандартная практика измерения термоокислительной стабильности с помощью кварцевых микровесов
ASTM D7739-11(2016) Стандартная практика измерения термоокислительной стабильности с помощью кварцевых микровесов
ASTM D7739-11 Стандартная практика измерения термоокислительной стабильности с помощью кварцевых микровесов
ASTM F996-98 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты из-за захваченных оксидом отверстий и состояний интерфейса с использованием подпороговых вольт-амперных характеристик
ASTM F996-98(2003) Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты из-за захваченных оксидом отверстий и состояний интерфейса с использованием подпороговых вольт-амперных характеристик
ASTM F996-10 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты из-за захваченных оксидом отверстий и состояний интерфейса с использованием подпороговых вольт-амперных характеристик
ASTM F996-11 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты из-за захваченных оксидом отверстий и состояний интерфейса с использованием подпороговых вольт-амперных характеристик

American National Standards Institute （ANSI), Тулиевый оксидный транзистор

ANSI/ASTM D7739:2011 Практика измерения термоокислительной стабильности с помощью кварцевых микровесов

Professional Standard - Chemical Industry, Тулиевый оксидный транзистор

HG/T 6149-2023 Определение содержания кристаллической фазы кремнезема в катализаторе гидрирования и его носителе методом рентгеновской дифракции

PH-BPS, Тулиевый оксидный транзистор

PNS IEC 62373-1:2021 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Быстрое испытание BTI для MOSFET.

AT-OVE/ON, Тулиевый оксидный транзистор

OVE EN IEC 63275-2:2021 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 2. Метод испытаний на биполярное ухудшение вследствие работы корпусного диода (IEC 47/2680/CDV) (английская версия)
OVE EN IEC 63275-1:2021 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 1. Метод испытания на нестабильность температуры смещения (IEC 47/2679/CDV) (английская версия)
OVE EN IEC 63284:2021 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности путем переключения индуктивной нагрузки для транзисторов из нитрида галлия (IEC 47/2681/CDV) (английская версия)

BE-NBN, Тулиевый оксидный транзистор

NBN C 71-458-1985 Приборы осветительные и аналогичная аппаратура, балласты транзисторные для люминесцентных трубчатых ламп
NBN C 71-458-1979 Приборы осветительные и аналогичная аппаратура, балласты транзисторные для люминесцентных ламп

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Тулиевый оксидный транзистор

GB/T 30537-2014 Сверхпроводимость — Измерения объемных высокотемпературных сверхпроводников — Плотность захваченного потока крупнозернистых оксидных сверхпроводников

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Тулиевый оксидный транзистор

KS C IEC 61788-9-2016(2021) Сверхпроводимость. Часть 9. Измерения объемных высокотемпературных сверхпроводников. Плотность захваченного потока крупнозернистых оксидных сверхпроводников.
KS C IEC 61788-9:2016 Сверхпроводимость. Часть 9. Измерения объемных высокотемпературных сверхпроводников. Плотность захваченного потока крупнозернистых оксидных сверхпроводников.

KR-KS, Тулиевый оксидный транзистор

KS C IEC 61788-9-2016 Сверхпроводимость. Часть 9. Измерения объемных высокотемпературных сверхпроводников. Плотность захваченного потока крупнозернистых оксидных сверхпроводников.

European Committee for Standardization (CEN), Тулиевый оксидный транзистор

EN ISO 12782-2:2012 Качество почвы. Параметры геохимического моделирования выщелачивания и формирования компонентов почв и материалов. Часть 2. Экстракция кристаллических оксидов и гидроксидов железа дитионитом (ISO 12782-2:2012)

IN-BIS, Тулиевый оксидный транзистор

IS 9333-1979 Методы измерения магнитных оксидов в стволах, трубках и сердечниках винтов.

International Organization for Standardization (ISO), Тулиевый оксидный транзистор

ISO 12782-2:2012 Качество почвы. Параметры геохимического моделирования выщелачивания и формирования компонентов почв и материалов. Часть 2. Экстракция кристаллических оксидов и гидроксидов железа дитионитом.

Professional Standard - Coal, Тулиевый оксидный транзистор

MT 279-1994 Вредный газ присутствует в шахтном воздухе. Метод обнаружения оксидов азота (метод детекторной трубки).
MT 280-1994 Вредный газ, присутствующий в шахтном воздухе. Метод обнаружения диоксида серы (метод детекторной трубки).
MT/T 279-1994 Метод определения вредных газовых оксидов азота в шахтном воздухе (трубчатый метод)
MT/T 280-1994 Метод определения вредного газа диоксида серы в шахтном воздухе (трубчатый метод)

Compressed Gas Association (U.S.), Тулиевый оксидный транзистор

CGA G-6.6-2006 СТАНДАРТ ДЛЯ ЭЛАСТОМЕРНОГО ТИПА ШЛАНГА ДЛЯ ПЕРЕДАЧИ ДИОКСИДА УГЛЕРОДА, ТРЕТЬЕ ИЗДАНИЕ

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Тулиевый оксидный транзистор

JIS Z 3320:1999 Порошковые проволоки для дуговой сварки в среде защитной среды CO2 сталей, устойчивых к атмосферной коррозии.

API - American Petroleum Institute, Тулиевый оксидный транзистор

API RP 1110-2007 Испытание под давлением стальных трубопроводов для транспортировки газа@ Нефтяного газа@ Опасных жидкостей@ Легколетучих жидкостей или углекислого газа (Пятое издание)
API RP 1110-2013 Рекомендуемая практика испытания давлением стальных трубопроводов для транспортировки газа@ Нефтяного газа@ Опасных жидкостей@ Легколетучих жидкостей или двуокиси углерода (Шестое издание)

Professional Standard - Electricity, Тулиевый оксидный транзистор

DL/T 1324-2014 Техническое руководство по магнитному контролю внутренней стенки котельной трубы из аустенитной нержавеющей стали.

Shandong Provincial Standard of the People's Republic of China, Тулиевый оксидный транзистор

DB37/T 3205-2018 Методические указания по внедрению системы управления и контроля классификации рисков безопасности производства на предприятиях пероксидоводородной промышленности

European Association of Aerospace Industries, Тулиевый оксидный транзистор

AECMA PREN 4149-1995 Трубные муфты аэрокосмической серии 60 градусов; из анодированного алюминиевого сплава; Интерфейсы для жидкостных систем

American Petroleum Institute (API), Тулиевый оксидный транзистор

API RP 1110-2013(2018) Рекомендуемая практика испытания давлением стальных трубопроводов для транспортировки газа, нефтяного газа, опасных жидкостей, легколетучих жидкостей или углекислого газа

ITU-T - International Telecommunication Union/ITU Telcommunication Sector, Тулиевый оксидный транзистор

ITU-T G.323-1989 Типичная транзисторная система на симметричных кабельных парах - Международные аналоговые несущие системы (Исследовательская группа XV; 3 стр.; Отменено)