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氧化铥 晶体管
本专题涉及氧化铥 晶体管的标准有394条。
国际标准分类中，氧化铥 晶体管涉及到有色金属、分析化学、半导体材料、半导体分立器件、非金属矿、电工和电子试验、陶瓷、化工产品、金属矿、光纤通信、核能工程、辐射测量、绝缘流体、电学、磁学、电和磁的测量、无线通信、集成电路、微电子学、燃气轮机和蒸汽轮机、蒸汽机、燃料、电气工程综合、阀门、金属材料试验、土质、土壤学、空气质量、防爆、采矿设备、塑料、焊接、钎焊和低温焊、石蜡、沥青材料和其他石油产品、建筑材料、电站综合。
在中国标准分类中，氧化铥 晶体管涉及到稀有金属及其合金分析方法、电子技术专用材料、、半导体二极管、人工晶体、半导体分立器件综合、半导体三极管、特种陶瓷、半导体集成电路、光通信设备、反应堆、核电厂安全配电设备、金属无损检验方法、半金属与半导体材料综合、场效应器件、广播、电视发送与接收设备、燃料油、催化剂基础标准与通用方法、半导体分立器件、阀门、电子测量与仪器综合、金属物理性能试验方法、微波、毫米波二、三极管、土壤、水土保持、土壤环境质量分析方法、气体介质与放射性物质采样方法、胶管、胶带、胶布、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、焊接与切割、石油沥青、电力试验技术、标准化、质量管理、管件、卡箍、密封件、固体废弃物、土壤及其他环境要素采样方法。
欧洲电工标准化委员会，关于氧化铥 晶体管的标准
- EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
- EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006
国家质检总局，关于氧化铥 晶体管的标准
- GB/T 18115.1-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化镧中氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
- GB/T 18115.2-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化铈中氧化镧、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
- GB/T 18115.5-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化钐中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
- GB/T 8762.8-2000 氧化铕化学分析方法 电感耦合等离子体原子发射光谱法测定氧化铕中氧化镧、氧化铈、氧化谱、氧化钕、氧化钐、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
- GB/T 18115.6-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化钆中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
- GB/T 18115.7-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化铽中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
- GB/T 18115.9-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化钬中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
- GB/T 18115.8-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化镝中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
- GB/T 18115.4-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化钕中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
- GB/T 18115.10-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化铒中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
- GB/T 18115.3-2000 稀土氧化物化学分析方法 电感耦合等离子体发射光谱法测定氧化镨中氧化镧、氧化铈、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量
- GB/T 18116.1-2000 氧化钇铕化学分析方法 电感耦合等离子体原子发射光谱法测定氧化钇铕中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱和氧化镥量
- GB/T 14144-1993 硅晶体中间隙氧含量经向变化测量方法
- GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于氧化铥 晶体管的标准
- GB/T 37403-2019 薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)用四甲基氢氧化铵显影液
- GB/T 36655-2018 电子封装用球形二氧化硅微粉中α态晶体二氧化硅含量的测试方法 XRD法
中国团体标准，关于氧化铥 晶体管的标准
- T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
- T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
- T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
- T/SDHIA 07-2023 漂珠二氧化硅防火风管 （装配式工业一体化防火风管）
- T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
- T/CASAS 007-2020 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范
行业标准-稀土，关于氧化铥 晶体管的标准
- XB/T 613.2-2010 铈铽氧化物化学分析方法.第2部分：氧化镧、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于氧化铥 晶体管的标准
- JEDEC JES2-1992 电晶体,砷化镓场效应晶体管,总规范
行业标准-建材，关于氧化铥 晶体管的标准
- JC/T 817-2014 宝石级合成立方氧化锆晶体
- JC/T 2343-2015 导模法制备单晶三氧化二铝管
(美国)军事条例和规范，关于氧化铥 晶体管的标准
- ARMY QPL-46320-30-1992 10516158(晶体管化的)电源
- ARMY MIL-PRF-55310/30 D-2008 晶体振荡器(XO):450千赫-100兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 晶体振荡器(XO):方波为0.05兆赫-10兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.0兆赫-85兆赫的高速互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.544赫兹-125兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为0.75赫兹-200兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1赫兹-100兆赫的1.8伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
台湾地方标准，关于氧化铥 晶体管的标准
- CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
- CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法
- CNS 13624-1995 砷化镓晶体结晶完整性检验法（熔融氢氧化钾浸蚀法）
英国标准学会，关于氧化铥 晶体管的标准
- BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
- BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- BS EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
- BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
- BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
- BS IEC 63275-1:2022 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法
- 20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第2部分. 体二极管工作造成的双极退化的测试方法
- BS IEC 63284:2022 半导体器件 氮化镓晶体管感性负载开关可靠性测试方法
- 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
- 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
- 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第1部分.偏置温度不稳定性测试方法
- BS EN ISO 12782-2:2012 土质.土壤和材料成分的浸出和物种形成的地球化学模型参数.带连二亚硫酸盐的氧化铁和氢氧化铁晶体的萃取
- BS EN 12607-2:2014 沥青和沥青粘合剂 测定在热和空气影响下的抗硬化性 薄膜晶体管法
- 20/30409285 DC BS IEC 63284 半导体器件 氮化镓晶体管感性负载开关导通应力可靠性的可靠性测试方法
美国国防后勤局，关于氧化铥 晶体管的标准
- DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 硅单块 带锁和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,1选8译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 硅单块 移位寄存器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 硅单块 自动记录器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 硅单块 二进制计数器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 硅单块 方形2输入和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95762-1995 快速互补金属氧化物半导体,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的3到8阵列译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入方形2输入非与门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86852 REV A-2003 硅单块 方形双输入或带晶体管-晶体管逻辑电路数字输入门的高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制易识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制施米特触发器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2门自动记录器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双十进制波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器 高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87554 REV E-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双8选1译码器或多路分解器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 硅单块 八进制D型边沿触发的触发器,晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
- DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4选1译码器或多路分解器,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91732-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,3到8线译码器或光学多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入和三态输出的八进制接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的八进制接收器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的缓冲器或钟驱动器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制总线接收器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-04228-2004 硅单片互补晶体管-晶体管逻辑电路,装有预先装置及脉冲计时器,双向二进制计算器的高级氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91725-1994 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输出,带八进制D型止动栓的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双2比特双稳定易被识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 双信道光耦合器金属氧化物半导体场效应晶体管电源的线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转行驱动线或缓冲器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转八进制透明闩锁,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,明确八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91724-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,带三态输出的双互补金属氧化物半导体的八进制总线接收器和自动记录器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制D型易被识破的止动销,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制记名的无线电收发机,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 数字单硅片微电路,由双极互补金属氧化物半导体结构组成,带八进制总线收发器及三台输出寄存器,与晶体管-晶体管逻辑兼容
- DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96817 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96821 REV C-2003 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96823 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 硅单块 可锁的晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的倒转八进制行驱动线或缓冲器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,非同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入非倒转六进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带非倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的18比特总线收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入
- DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96813 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,六角倒相施密特触发器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置的八比特诊断式自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带主重设置八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带设置和重设置的双J-K双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,可预设置的同步4比特二进制升值或降值计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的双1选4数据收集器和多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90938 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带开放式控制器输出的八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带预设置和清除的双D型双稳态多谐振荡器触发器,高级互补金属氧化物半导体 数字微型电路
- DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT奇偶校验,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97528-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97571-1997 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三重三输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96819 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,八角母线三状态输出接收器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体三重3输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-86856 REV A-2003 硅单块 带三态输出和终端开关晶体管-晶体管逻辑电路和闭回路鉴定与报告兼容输入的八进制D型止动销 高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
- DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,18-BIT母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重波纹计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入排外晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT数量比较器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元全加器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 先进互补金属氧化物半导体,三状态输出16-BIT透明的闭锁,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 数字反射高速互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的三状态输出八进制闭锁晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重S-R闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体4-BIT二元全加速晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96761-1996 双极的互补金属氧化物半导体,1行到8行时钟驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96806 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或倒相三状态输出驱动器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT二元波纹计时器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,10到4行优先编码器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 互补金属氧化物半导体,16-BIT接收器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87628 REV D-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制不可倒转的D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86853 REV A-2003 硅单块 带预设置D型双稳态多谐振荡器触发器和带终端开关晶体管-晶体管逻辑电路闭回路鉴定与报告兼容输入的,高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
- DLA SMD-5962-86855 REV A-2003 硅单块 8比特带终端开关晶体管-晶体管逻辑电路和闭回路鉴定与报告兼容输入的并行输入串行输出移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94750-1995 互补金属氧化物半导体串联存取受控网络,和并串联转换器晶体管兼容输出硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95841 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体,16-BIT母线接收器和三状态输出寄存器,晶体管输入 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96715 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出四重缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96725 REV D-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体八角三状态输出透明闭锁装置晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 双极的互补金属氧化物半导体,计时和等待状态发生器电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 互补金属氧化物半导体,16-BIT的25欧姆串联电阻器母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 双极互补金属氧化物半导体,16-BIT三端口母线三状态输出转换器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96827 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,8-BIT诊断扫描寄存器,晶体管输入和有限输出电压摆动,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,双重阳性触发D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角透明的D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96880 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,倒相三状态输出16-BIT缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 双极互补金属氧化物半导体,10-BIT母线三状态输出改变和转换,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95746 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,8-BIT三状态输出整体改变计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96886 REV B-2002 互补金属氧化物半导体,12-BIT类似体对数字转换器连续控制和11类似体输入,晶体管兼容输入硅单片电路线型数字微电路
- DLA SMD-5962-91607 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置和一般输入输出插脚的八比特万能转换或储存自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/421 G VALID NOTICE 1-2009 半导体、器件、双晶体管、单元化、NPN/PNP、互补、硅、类型 2N3838、2N4854 和 2N4854U、JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线接收器双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,8-BIT连续平行转换寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,4-BIT上下二元同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,9-BIT奇偶发生器或监测器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96697-1996 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,18-BIT三状态输出母线交换开关,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八角双向的三状态输出母线,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八角双向的三状态输出母线,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96721 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,错误监测和改正三状态输出电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT到9-BIT三状态输出母线收发器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 双极的互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角母线接收器和寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96775 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,16-BIT入射波开关母线三状态输出接收器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96780 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT母线接收器和同等22欧姆输出,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96782 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,八角非倒相三状态输出缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96783 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角非倒相三状态输出缓冲器或驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 双极互补金属氧化物半导体3.3伏特16-BIT三状态输出寄存转换器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95747 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角透明三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95764 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95767 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重2-BIT双稳透明闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95836-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角触发D类三转台输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT母线接口和双稳态多谐振荡器转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95578 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,已注册整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92272 REV D-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带配备有串联电阻器的16比特三态输出收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入及限定电压摆幅输出
- DLA SMD-5962-95642 REV C-2003 先进互补金属氧化物半导体3.3伏特八进制母线无线电接收器,三状态输出和晶体管输出硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 互补金属氧化物半导体数字的三状态输入八进制D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95663 REV C-2000 抗辐射高速互补金属氧化物半导体数字的8-BIT连续或平行改变寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,16-BIT母线三状态输出无线电收发机,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96555 REV B-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,可预先设置同步4-BIT二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96586 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或线路驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96587 REV A-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或线路驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的四重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96747-1997 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT双向的数据总线扫描路径选择器晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 双极的互补金属氧化物半导体,10-BIT母线接口D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96773 REV C-2005 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT透明的三状态输出D类闭锁装置,晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96829 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或线型非倒相三状态兼容输入驱动器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体三状态输出9-BIT母线接口D类闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96865 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95740 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相3到8行码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95742 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,二进制编码的十进制同步计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95743 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步可预先调整的4-BIT二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95753 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重2到4行码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95763 REV E-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置双重D双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-97529-1998 低电压互补金属氧化物半导体,八角母线接收器和三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95772 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95835-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-19500/559 J-2007 JAN,JANTX,JANTXV和JANS 2N6989,2N6989U和2N6990型四个晶体管阵列转换式硅NPN单元化的半导体装置
- DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特非倒相八角缓冲器或三状态输出驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96547 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,双重2行到4行解码器或信号分离器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96717 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输出线路激励器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96726 REV D-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相八线缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96811 REV A-1999 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特18-BIT母线三状态输出接收器扫描监测装置,晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95738 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重J-K双稳态多谐振荡器和重新安排,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95756 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可预先调整的同步4-BIT二元上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,可设置的双重J-K双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95771 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,同步二进制编码的十进制上下计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95776 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,倒相八角缓冲器或三状态输入行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94673 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或25欧姆线路激励器串联电阻器,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94697 REV C-1998 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或25欧姆线路激励器串联电阻器,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94698-1996 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发和寄存器自主式自动导航系统,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发自主式自动导航系统,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94718 REV B-1997 先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或驱动放大器三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94744 REV B-1996 16-BIT闭锁无线电奇偶收发器,串联电阻器,晶体管输入和有线输出电压摆动互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96563 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96565 REV A-2001 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,同步4-BIT上下二进制编码的十进制计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95744 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95751 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95759 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相八角母线收发器或三状态输出寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95775 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相六角缓冲器或三状态输出行驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-19500/558 J-2013 半导体器件，一体化，PNP，硅，开关，四晶体管阵列，类型 2N6987、2N6987U 和 2N6988，JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANSM、JANSD、JANSP、JANSL、JANSR、JANSF、JANSG 和 JANSH
- DLA SMD-5962-95606 REV A-2007 先进双极互补金属氧化物半导体,八进制无线电收发器或线路激励器三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96698-1996 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,18-BIT三状态输出收发机和寄存器扫描系统装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96809 REV B-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT缓冲器或驱动器和22欧姆串联电阻器三状态输出,晶体管输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角D类阳性触发三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-19500/662 E-2013 半导体器件、晶体管、场效应辐射硬化 P 沟道、硅、类型 2N7422、2N7422U、2N7423 和 2N7423U、JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
- DLA MIL-PRF-19500/662 F-2013 半导体器件、晶体管、场效应辐射硬化 P 沟道、硅、类型 2N7422、2N7422U、2N7423 和 2N7423U、JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
- DLA MIL-PRF-19500/495 G (1)-2013 半导体器件，一体化，双晶体管，NPN，硅类型 2N5793、2N5794 和 2N5793A、2N5794A、2N5794U、2N5794UC、2N5794AU、2N5794AUC、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、 JANSM、JANSD、JANSP、JANSL、JANSR、JANSF、 JANSG 和 JANSH
- DLA MIL-PRF-19500/495 G-2010 半导体器件，一体化，双晶体管，NPN，硅类型 2N5793、2N5794 和 2N5794U，2N5794UC，2N5793A，2N5794A，2N5794AU 和 2N5794AUC，JAN，JANTX，JANTXV，JANS , JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF 、JANSG 和 JANSH
- DLA SMD-5962-95614-1995 先进双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线无线电收发机扫描测试装置,三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,八角阳性触发的D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 半导体器件.N-通道场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)硅晶体管.型号:2N7485U3,2N7486U3和2N7487U3,JANTXVR和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道硅，类型 2N7403 和 2N7404，JANSD 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，P 沟道硅类型 2N7438 和 2N7439 JANSD 和 JANSR
- DLA SMD-5962-95647 REV B-1998 先进互补金属氧化物半导体3.3 V,16-BIT电子数据采集设备D类双稳态多谐振荡器,三状态输出和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95761 REV A-2007 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出缓冲器或时钟驱动器,晶体管兼容输入和有线输出电压摆动硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7485U3、2N7486U3 和 2N7487U3，JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7485U3、2N7486U3 和 2N7487U3，JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7488T3、2N7489T3 和 2N7490T3，JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/662 C-2008 半导体器件、晶体管、场效应辐射硬化（仅限总剂量）、P 沟道、硅、类型 2N7422、2N7422U、2N7423 和 2N7423U、JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
- DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道硅，类型 2N7509、2N7510 和 2N7511，JANTXVD，R 和 JANSD，R
- DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道硅类型 2N7512、2N7513 和 2N7514 JANTXVD、R 和 JANSD、R
- DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道硅，类型 2N7509、2N7510 和 2N7511，JANTXVD，R 和 JANSD，R
法国标准化协会，关于氧化铥 晶体管的标准
- NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验
- NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
- NF EN 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
- NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- NF X31-090-2*NF EN ISO 12782-2:2012 土质 土壤和材料成分的浸出和物种形成的地球化学模型参数 第2部分：带连二亚硫酸盐的氧化铁和氢氧化铁晶体的萃取
- NF F62-011-2:1992 铁路机车车辆 一般功能要求 晶体管化镇流器 特殊叶片间的联系
- NF T51-621:2000 塑料制品.用毛细管和偏光显微镜测定半晶体聚合物的熔化特性(熔化温度或熔化范围)
德国标准化学会，关于氧化铥 晶体管的标准
- DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
- DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
- DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
- DIN EN ISO 12782-2:2012 土质. 土壤和材料成分的浸出和物种形成的地球化学模型参数. 第2部分:带连二亚硫酸盐的氧化铁和氢氧化铁晶体的萃取 (ISO 12782-2-2012); 德文版本EN ISO 12782-2-2012
RU-GOST R，关于氧化铥 晶体管的标准
- GOST 25733-1983 矾土.α一氧化铝晶体施光测定法
丹麦标准化协会，关于氧化铥 晶体管的标准
- DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
- DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试
ES-UNE，关于氧化铥 晶体管的标准
- UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
- UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
美国电气电子工程师学会，关于氧化铥 晶体管的标准
- IEEE Std 581-1978 金属-氮化物-氧化物场效应晶体管的 IEEE 标准定义、符号和表征
- IEEE 581-1978 金属-亚硝酸盐-氧化物场效应晶体管的 IEEE 标准定义、符号和表征
行业标准-电子，关于氧化铥 晶体管的标准
- SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
- SJ 50033/42-1994 半导体分立器件.CSO467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/78-1995 半导体分立器件.CS0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/79-1995 半导体分立器件.CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/120-1997 半导体分立器件 CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033.51-1994 半导体分立器件.CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
- SJ 50033.52-1994 半导体分立器件.CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033.54-1994 半导体分立器件.CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/119-1997 半导体分立器件 CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/81-1995 半导体分立器件.CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/80-1995 半导体分立器件.CS0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033.53-1994 半导体分立器件.CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/106-1996 半导体分立器件.CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范
- SJ/T 11829.1-2022 晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）设备 第1部分：管式PECVD设备
国家军用标准-总装备部，关于氧化铥 晶体管的标准
- GJB 3933-2000 激光晶体用超纯三氧化二铝粉体材料规范
- GJB 2618-1996 输送液体氧化剂橡胶软管规范
RO-ASRO，关于氧化铥 晶体管的标准
- STAS 10207/4-1984 玻璃体及结晶釉．抗热氢氧化钠的测定
立陶宛标准局，关于氧化铥 晶体管的标准
- LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
- LST EN 62373-2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试（IEC 62373:2006）
国际电工委员会，关于氧化铥 晶体管的标准
- IEC 60293:1968 晶体管化核仪表的电源电压
- IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
- IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
- IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
- IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
- IEC 63284:2022 半导体器件.氮化镓晶体管用电感负载切换的可靠性试验方法
- IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
HU-MSZT，关于氧化铥 晶体管的标准
- MSZ 24172/2.lap-1968 分析用重氢．氢氧化物．磷酸盐7个晶体水的
- MSZ 24172/3.lap-1968 分析用重氢．氢氧化物．磷酸盐2个晶体水的
工业和信息化部，关于氧化铥 晶体管的标准
- JC/T 2525-2019 气体放电管用氧化铝陶瓷管
- SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
- XB/T 626-2019 铥镱镥富集物化学分析方法 十五个稀土元素氧化物配分量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
美国材料与试验协会，关于氧化铥 晶体管的标准
- ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
- ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
- ASTM D7739-11(2020) 通过石英晶体微量天平测定热氧化稳定性的标准实践
- ASTM D7739-11(2016) 采用石英晶体微天平测量热氧化稳定性的标准实施规程
- ASTM D7739-11 通过石英晶体微量天平测量热氧化稳定性的标准操作规程
- ASTM F996-98 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
- ASTM F996-98(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
- ASTM F996-10 利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
- ASTM F996-11 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界面性能产生的电离辐射感生金属氧化物半导体场应晶体管临界电压偏移分量的标准试验方法
美国国家标准学会，关于氧化铥 晶体管的标准
- ANSI/ASTM D7739:2011 通过石英晶体微量天平测量热氧化稳定性的操作规程
行业标准-化工，关于氧化铥 晶体管的标准
- HG/T 6149-2023 加氢催化剂及其载体中二氧化硅晶相含量的测定 X射线衍射法
PH-BPS，关于氧化铥 晶体管的标准
- PNS IEC 62373-1:2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验
AT-OVE/ON，关于氧化铥 晶体管的标准
- OVE EN IEC 63275-2:2021 半导体器件-碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法-第2部分：体二极管操作引起的双极退化测试方法（IEC 47/2680/CDV）（英文版）
- OVE EN IEC 63275-1:2021 半导体器件 碳化硅分立式金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法（IEC 47/2679/CDV）（英文版）
- OVE EN IEC 63284:2021 半导体器件-氮化镓晶体管的感性负载开关可靠性测试方法（IEC 47/2681/CDV）（英文版）
BE-NBN，关于氧化铥 晶体管的标准
- NBN C 71-458-1985 照明电器以及类似仪器，荧光管状灯的晶体管化镇流器
- NBN C 71-458-1979 照明电器以及类似仪器，用于荧光灯的晶体管化镇流器
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于氧化铥 晶体管的标准
- GB/T 30537-2014 超导电性 块状高温超导体的测量 大晶粒氧化物超导体的俘获磁通密度
韩国科技标准局，关于氧化铥 晶体管的标准
- KS C IEC 61788-9-2016(2021) 超导性第9部分:大块高温超导体的测量大晶粒氧化物超导体的俘获磁通密度
- KS C IEC 61788-9:2016 超导 - 9部分:测量用于散装高温超导体 - 的大晶粒的氧化物超导体被困磁通密度
KR-KS，关于氧化铥 晶体管的标准
- KS C IEC 61788-9-2016 超导 - 9部分:测量用于散装高温超导体 - 的大晶粒的氧化物超导体被困磁通密度
欧洲标准化委员会，关于氧化铥 晶体管的标准
- EN ISO 12782-2:2012 土质.土壤和材料成分的浸出和物种形成的地球化学模型参数.带连二亚硫酸盐的氧化铁和氢氧化铁晶体的萃取
IN-BIS，关于氧化铥 晶体管的标准
- IS 9333-1979 筒体、管材和螺杆芯的磁性氧化物测量方法
国际标准化组织，关于氧化铥 晶体管的标准
- ISO 12782-2:2012 土质.土壤和材料成分的浸出和物种形成的地球化学模型参数.第2部分:带连二亚硫酸盐的氧化铁和氢氧化铁晶体的萃取
行业标准-煤炭，关于氧化铥 晶体管的标准
- MT 279-1994 矿井空气中有害气体.氮氧化物测定方法（检测管法）
- MT 280-1994 矿井空气中有害气体.二氧化硫测定方法（检测管法）
- MT/T 279-1994 矿井空气中有害气体 氮氧化物测定方法(检测管法)
- MT/T 280-1994 矿井空气中有害气体二氧化硫测定方法(检测管法)
美国压缩气体协会，关于氧化铥 晶体管的标准
- CGA G-6.6-2006 二氧化碳批量运输用弹性体型软管的标准.第3版
日本工业标准调查会，关于氧化铥 晶体管的标准
- JIS Z 3320:1999 耐大气腐蚀钢的二氧化碳气体保护电弧焊用管状焊丝
API - American Petroleum Institute，关于氧化铥 晶体管的标准
- API RP 1110-2007 输送气体 石油气 危险液体 高挥发性液体或二氧化碳的钢管压力测试（第五版）
- API RP 1110-2013 输送气体 石油气 危险液体 高挥发性液体或二氧化碳的钢管压力测试推荐规程（第六版）
行业标准-电力，关于氧化铥 晶体管的标准
- DL/T 1324-2014 锅炉奥氏体不锈钢管内壁氧化物堆积磁性检测技术导则
山东省地方标准，关于氧化铥 晶体管的标准
- DB37/T 3205-2018 过氧化氢行业企业安全生产风险分级管控体系实施指南
欧洲航空工业协会，关于氧化铥 晶体管的标准
- AECMA PREN 4149-1995 航空航天系列.导管接头60度阳极氧化铝合金流体系统接口
美国石油学会，关于氧化铥 晶体管的标准
- API RP 1110-2013(2018) 传输天然气、石油气、危险液体、高挥发性液体和二氧化碳钢管线的压力测试
ITU-T - International Telecommunication Union/ITU Telcommunication Sector，关于氧化铥 晶体管的标准
- ITU-T G.323-1989 对称电缆对上的典型晶体管化系统 国际模拟载波系统（第 XV 研究组；3 页；已取消）
