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Contenido de oxígeno del semiconductor

Contenido de oxígeno del semiconductor, Total: 499 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Contenido de oxígeno del semiconductor son: Materiales semiconductores, Dispositivos semiconductores, Circuitos integrados. Microelectrónica, Minerales no metalíferos, Optoelectrónica. Equipo láser, Componentes electrónicos en general., Productos de metales no ferrosos., ingeniería de energía nuclear, Productos de la industria química., Aplicaciones de la tecnología de la información., Pruebas eléctricas y electrónicas., válvulas, Materiales aislantes, Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, carbones, pruebas de metales, Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Materiales conductores, Óptica y medidas ópticas., Calidad del aire, Química analítica, Combustibles, Minas y canteras, Equipos terminales de telecomunicaciones, Mediciones de radiación, Comunicaciones de fibra óptica., Ferroaleaciones, químicos inorgánicos, Fluidos aislantes, Materiales para la construcción aeroespacial., Protección contra explosiones, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Productos de la industria textil., Estructura y elementos estructurales..

HU-MSZT, Contenido de oxígeno del semiconductor

MNOSZ 700-16.lap-1955 EXAMEN DEL CARBÓN Y DETERMINACIÓN DEL CONTENIDO DE NITRÓGENO
MNOSZ 700-19.lap-1955 SZENEK VIZSG?LATA BITUMENTARTALOM MEGHAT?ROZ?SA
MNOSZ 700-18.lap-1956 SZENEK VIZSGALATA KL?RTARTALOM MEGHAT?ROZ?SA
MNOSZ 700-15.lap-1955 SZENEK VIZSG?LATA PIRIT-, SZULFID- ?S SZULF?TK?N- TARTALOM MEGHAT?ROZ?SA
MSZ 7200/5-1985 NAGYTELJES?TM?NY? F?LVEZET? ESZK?Z?K Mérési módszerek
MSZ 700/41.lap-1961 SZENEK VIZSG?LATA ?sszes kéntartalom gyors meghatározása kalori méterbombában
MSZ KGST 1200-1978 VAS?RCEK, KONCENTR?TUMOK, AGGLOMER?TUMOK ?S PELLETEK KALCIUM- OXID- ?S MAGN?ZIUM-OXID-TARTALMANAK MEGHAT?ROZ?SA
MSZ 3782-1982 HIDROG?N-PEROXID-OLDAT, 30%-OS ANALITIKAI C?LOKRA
MSZ KGST 1872-1979 DETERMINACIÓN DEL CONTENIDO DE CARBONO DE NOTRIO INDUSTRIAL HIDRÓXIDO DE NOTRIO
MSZ 21456/5-1986 ¿EL AIRE? EXAMEN DE CONTAMINANTES DE VAPOR Determinación del contenido de monóxido de carbono
MSZ KGST 1243-1978 BAUXIT tartalmának de óxido de aluminio meghatározása térfogatos módszerrel

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Contenido de oxígeno del semiconductor

EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
EN IEC 62969-3:2018 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para vehículos automotores. Parte 3: Captación de energía piezoeléctrica impulsada por choque para sensores de vehículos automotores.
EN 60749-7:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 7: Medición del contenido de humedad interna y análisis de otros gases residuales.
EN 61788-9:2005 Superconductividad Parte 9: Medidas para superconductores de alta temperatura en masa - Densidad de flujo atrapado de superconductores de óxido de grano grande
EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
EN 60747-5-3:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados Parte 5-3: Dispositivos optoelectrónicos Métodos de medición (Incorpora la Enmienda A1: 2002)

RU-GOST R, Contenido de oxígeno del semiconductor

GOST 26239.7-1984 Silicio semiconductor. Método de determinación de oxígeno, carbono y nitrógeno.
GOST 7619.5-1981 Fluorita. Método para la determinación de sesquióxidos.
GOST R 50471-1993 Fotoemisores semiconductores. Método de medición del ángulo de media intensidad
GOST 18986.10-1974 Diodos semiconductores. Métodos para medir la inductancia.
GOST 18986.12-1974 Diodos de túnel semiconductores. Método para medir la conductancia negativa del diodo intrínseco.
GOST 18986.11-1984 Diodos semiconductores. Métodos de medición de resistencia equivalente en serie total
GOST 18986.15-1975 Diodos de referencia. Método de medición del voltaje de estabilización.
GOST 18986.24-1983 Diodos semiconductores. Método de medición del voltaje de ruptura.
GOST 24461-1980 Dispositivos semiconductores de potencia. Métodos de prueba y medición.
GOST 2408.3-1995 Combustible sólido. Métodos para la determinación del contenido de oxígeno.
GOST 19834.0-1975 Emisores semiconductores. Métodos de medición de parámetros. Principios generales
GOST 18986.23-1980 Diodos Zener. Métodos para medir la densidad del ruido espectral.
GOST 26222-1986 Detectores semiconductores de radiaciones ionizantes. Métodos de medición de parámetros.
GOST R IEC 748-11-1-2001 Circuitos integrados de dispositivos semiconductores. Parte 11. Sección 1. Examen visual interno de circuitos integrados semiconductores, excluidos los circuitos híbridos
GOST 18986.14-1985 Diodos semiconductores. Métodos para medir resistencias diferenciales y de pendiente.
GOST 18986.22-1978 Diodos de referencia. Métodos para medir la resistencia diferencial.
GOST 19656.5-1974 Diodos semiconductores mezcladores y detectores UHF. Métodos de medición de la relación de ruido de salida.
GOST 19834.4-1979 Diodos semiconductores radiantes de infrarrojos. Métodos de medición de la potencia de radiación.
GOST 18986.8-1973 Diodos semiconductores. Método para medir el tiempo de recuperación inversa.
GOST 19656.0-1974 Diodos semiconductores UHF. Métodos de medición de parámetros eléctricos. Condiciones generales
GOST 18986.17-1973 Diodos de referencia. Método de medición del coeficiente de temperatura del voltaje de trabajo.
GOST 19834.2-1974 Emisores semiconductores. Métodos para medir la intensidad radiante y la radiancia.
GOST 19656.4-1974 Diodos mezcladores UHF semiconductores. Métodos de medición de las pérdidas por conversión.

Defense Logistics Agency, Contenido de oxígeno del semiconductor

DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, CAMBIADOR DE NIVEL DE TENSIÓN HEXAGONAL PARA OPERACIÓN TTL A CMOS O CMOS A CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS COMPARADOR DE MAGNITUD DE 4 BITS SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94532-1994 MICROCIRCUITO, CMOS, MICROPROCESADOR DE 64 BITS
DLA SMD-5962-96736-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, CONVERTIDOR DE NIVEL DE INTERFAZ CMOS/TTL BIDIRECCIONAL DE 8 BITS DE ALTA VELOCIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, NOR GATES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 MICROCIRCUITO, CMOS, INTERRUPTOR ANALÓGICO CUADRÍCULO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, EXCLUSIVO NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DE BUS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, REGULADOR DE TENSIÓN AJUSTABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, SILICIO MONOLÍTICO CONVOLVER BIDIMENSIONAL
DLA SMD-5962-96674 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS ENDURECIDO POR RADIACIÓN, COMPARADOR DE MAGNITUD ANALÓGICO DE 4 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTADOR BINARIO DUAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, QUAD D LATCH, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS CODIFICADOR-DESCODIFICADOR SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94533-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR DE 32 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR 16 X 16, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS DE ALTA VELOCIDAD COMPARADOR DE MAGNITUD DE 4 BITS SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, COMPARADOR DE MAGNITUD DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, COMPARADOR DE MAGNITUD DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS AVANZADOS, COMPARADOR DE MAGNITUD DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-06208-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, MICROPROCESADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR GENERADOR DE RELOJ, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TRIPLE 3 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, DOBLE 4 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, DOBLE 4 ENTRADAS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, REGISTRO DE CAMBIO ESTÁTICO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PUERTA NAND TRIPLE DE 3 ENTRADAS CON TAMPÓN, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, BUFFER INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89638-1989 MICROCIRCUITO LINEAL, CONTROLADOR DE MODO CORRIENTE CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS CORRELADOR DE SALIDA DE 64 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94642-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PERIFÉRICO MULTIFUNCIONAL MEJORADO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 MIRCOCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, ASÍNCRONO, CONTROLADOR SERIE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, DUAL, RS232, TRANSCEPTOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CHMOS, MICROCONTROLADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92331-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TRANSFORMADOR DE COORDENADAS, 16X16 BIT, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR SERIE UNIVERSAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, 16 BITS, MICROPROCESADOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, TRANSCEPTOR DE BUS, DIFERENCIAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DE BUS DE PRUEBA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 MICROCIRCUITO, LINEAL, CONTROLADORES MOSFET DOBLES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO ENDURECIDO POR RADIACIÓN, COMPARADOR DE MAGNITUD DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, BUFFER OCTAL Y DRIVERS DE LÍNEA/MOS DRIVER CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, CONTROLADOR DE MEMORIA BUS/MOS DE 10 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 128 X 8 BITS MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO (RAM), SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 MICROCIRCUITOS LINEALES, CONDUCTOR MOSFET, DOBLE POTENCIA
DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DECODIFICADOR DE 3 A 8 LÍNEAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TEMPORIZADOR DE INTERVALOS PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, INTERFAZ PERIFÉRICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 MICROCIRCUITO, NMOS, CONTROLADOR DE BUS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CONTROLADORES DE RELOJ MOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-79017-1979 MICROCIRCUITOS CMOS RECEPTOR/TRANSMISOR ASÍNCRONO UNIVERSAL PUERTA DE SILICIO MONOLÍTICA
DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND DE 8 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-03245 REV A-2004
DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, BAJA POTENCIA, MODULADOR DE ANCHO DE IMPULSO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 MICROCIRCUITO LINEAL, CIRCUITO DE SUPERVISIÓN POR MICROPROCESADOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94537-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, UNIDAD DE PROCESAMIENTO DE MEMORIA DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, RELOJ EN TIEMPO REAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, ALU EN CASCADA DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89990 REV A-2005
DLA SMD-5962-94745-1995 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 256K X 1-BIT CONFIGURACIÓN SERIE PROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 MICROCIRCUITO, DIGITAL, GENERADOR DE INTERRUPCIONES NMOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS MICROCONTROLADOR DE ALTO RENDIMIENTO SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, INTERRUPTOR QUAD BILATERAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR 8 X 8, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR DE MATRIZ DE 12 X 10 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 MICROCIRCUITOS DIGITALES, NMOS, 256 X 4 RAM ESTÁTICA (SRAM) SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 MICROCIRCUITO, LINEAL, CONTROLADOR MOSFET DE POTENCIA ÚNICA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DOBLE 4 ENTRADAS NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, QUAD 2 ENTRADAS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRIPLE 3 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CODIFICADOR DE PRIORIDAD DE LÍNEA DE 10 A 4, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONDUCTOR DE BUS DE ENGANCHE OCTAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 MICROCIRCUITOS, CMOS DIGITAL, CIERRES R/S CUADRÍCULOS DE 3 ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77035-1977 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, LATCH DE 4 BITS, DECODIFICADOR DE 4 A 16 LÍNEAS
DLA SMD-5962-77056-1977 MICROCIRCUITOS DIGITALES CMOS HEXAGONAL ABIERTO BÚFERS DE CANAL N
DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO DE 14 ETAPAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO DE 12 ETAPAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, INTERFAZ DE CONTROLADOR SERIE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DE INTERRUPCIONES PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 MICROCIRCUITO, MICROPROCESADOR, DIGITAL, CANAL N, MICROCONTROLADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS CONTADOR BINARIO 12 BITS SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-03251-2004
DLA SMD-5962-90997-1991 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CONTROLADOR DE BUS CHMOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94517 REV C-2004
DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 MICROCIRCUITO LINEAL, CONVERTIDOR A/D CMOS DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89652-1990 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS RÁPIDOS, REGISTRO CUÁDRUPLE DE PUERTO DOBLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 MICROCIRCUITOS LINEALES, CMOS, 14 BITS, CONVERTIDOR ANALÓGICO A DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, 16 BITS, CONVERTIDOR ANALÓGICO A DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 MICROCIRCUITO LINEAL CMOS CONVERTIDOR ANALÓGICO A DIGITAL DE 12 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89695-1990 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP FLOP DUAL JK, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92026-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE PUNTA FIJA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94709-1994 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, CONTROLADOR BANG-BANG, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87744-1987 MICROCIRCUITO, DIGITAL, 1M (64K X 16) BITS, NMOS, UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92103-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE COMA FLOTANTE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89954 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR SINCRÓNICO DOBLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TRANSMISOR RECEPTOR ASÍNCRONO UNIVERSAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90543 REV D-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DMA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85528-1986 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, BUS ARBITER, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93008-1994 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 16K X 9 FIFO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93109-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR EMPOTRADO DE ALTA INTEGRACIÓN, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR 8 X 8, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE PUERTO DOBLE DE PUNTA FLOTANTE DE 96 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 32K X 9 FIFO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 MICROCIRCUITO LINEAL, CONVERTIDOR A/D, 12 BITS, CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 MICROCIRCUITO LINEAL, INTERFAZ DE BUS CMOS ARINC, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, TEMPORIZADORES DE PRECISIÓN, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, COMPARADOR DE MAGNITUD DE 8 BITS CON ENABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, BUFFER OCTAL Y CONDUCTOR DE LÍNEA/MOS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS INVERTIDOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, QUAD 2 ENTRADAS NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRIPLE 3 ENTRADAS NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84046 REV F-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, QUAD 2 ENTRADAS EXCLUSIVAS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, QUAD 2 ENTRADAS POSITIVAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85030 REV H-2007 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, LINEAL, REFERENCIAS DE TENSIÓN DE PRECISIÓN, PELÍCULA DELGADA
DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO DE 1 A 64 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRIPLE PUERTA NAND DE 3 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND DOBLE DE 4 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 2K X 9 FIFO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 MICROCIRCUITOS, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 4K X 9 FIFO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 MICROCIRCUITO LINEAL MULTIPLEXOR/AMPLIFICADOR DE VIDEO CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94542-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, COPROCESADOR DE RED DE ÁREA LOCAL DE 32 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94567-1996 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, FIFO X 9 CON RELOJ, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 MICROCIRCUITO, CMOS, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 MICROCIRCUITO, CONTROLADOR DE INTERRUPCIONES UNIVERSAL, MOS DE CANAL N, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89665-1989 MICROCIRCUITO, DIGITAL, RÁPIDO, CMOS, REGISTROS CON BUFFER DE 9 BITS DE ANCHO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94604 REV A-2002
DLA SMD-5962-89715 REV B-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, SECUENCIAR DE REMUESTREO DE IMAGEN, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 MICROCIRCUITO, BÚFERS DE BUS CMOS DE ALTO RENDIMIENTO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89726 REV D-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROCONTROLADOR AMPLIADO DE E/S, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, MULTIPLEXOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, LÓGICA DE ARRAY PROGRAMABLE EE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92106-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE DIRECCIONES 2, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, NMOS, PROCESADOR DE DATOS NUMÉRICOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90518 REV A-1992 MICROCIRCUITOS DIGITALES CMOS GENERADOR DE BIT-RATE PROGRAMABLE SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88599-1988 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, UNIDAD DE CONTROL DE TIEMPO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR DE ALTA INTEGRACIÓN DE 32 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, INTERRUPTOR ANALÓGICO CUADRÍCULO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, INTERFAZ PARALELA DE 8-16 BITS/ TEMPORIZADOR DE SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, QUAD, INTERRUPTOR ANALÓGICO SPDT, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93182 REV D-2004 MICROCIRCUITO, LINEAL, CARRIL A CARRIL, AMPLIFICADOR OPERACIONAL CUÁDRUPLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93255 REV A-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS QUAD, INTERRUPTOR ANALÓGICO SPST, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, PUERTAS NAND, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96803-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, INVERSOR HEXAGONAL CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PESTILLO OCTAL TRANSPARENTE CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95652 REV C-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, PUERTA NAND TRIPLE DE TRES ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, COMPARADOR DE MAGNITUD DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84090 REV D-2005
DLA SMD-5962-84092 REV D-2002
DLA SMD-5962-77055 REV B-1981 MICROCIRCUITOS DIGITALES CMOS DUAL MULTIVIBRADOR MONOESTABLE REDISPARABLE/RESETABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, FLIP-FLOP HEX D, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, NMOS, MICROCONTROLADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91513-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTAS Y O INVERTIDAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 MICROCIRCUITO, MEMORIA, CMOS, FIFO SINCRÓNICO PARALELO 4K X 9, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR PARALELO DE 16 X 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE UNA VEZ, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94564-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL DE USO GENERAL DE 24 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, CONVERTIDOR D/A DE VIDEO DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 MICROCIRCUITO LINEAL CMOS DE 12 BITS CONVERTIDOR A/D DE ALTA VELOCIDAD SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 MICROCIRCUITO, LINEAL, DUAL, CMOS, 12 BITS, CONVERTIDOR D/A, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SISTEMA GRÁFICO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94608-1994
DLA SMD-5962-89716 REV B-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, REGISTRO DE TUBERÍA MULTINIVEL DE 4 X 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 MICROCIRCUITO, LINEAL, DUAL, CMOS, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, COMPARADOR DE IDENTIDAD DE 8 BITS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90504 REV C-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, FILTRO BINARIO Y COINCIDENCIA DE PLANTILLAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88568-1988 MICROCIRCUITOS DIGITALES, NMOS, MONOCOMPONENTE, MICROCOMPUTADORA DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE DE PUERTA CMOS 5000, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ DE PUERTA PROGRAMABLE EN CAMPO 4000 PUERTAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CIRCUITO DE INTERFAZ DEL PROCESADOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92284-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR RISC DE 32 BITS, SILICIO MONOLÍTICO

British Standards Institution (BSI), Contenido de oxígeno del semiconductor

BS EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
BS IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos: transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia
BS 3839:1978 Especificación para cobre de alta conductividad sin oxígeno para tubos electrónicos y dispositivos semiconductores
13/30264596 DC BS EN 60747-14-7. Dispositivos semiconductores. Parte 14-7. Sensor semiconductor. Medidor de corriente
BS EN 62830-3:2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía: recolección de energía electromagnética basada en vibraciones.
BS IEC 62830-1:2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía: recolección de energía piezoeléctrica basada en vibraciones.
BS IEC 62830-7:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para captación y generación de energía. Recolección de energía triboeléctrica en modo deslizante lineal
BS IEC 62373-1:2020 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET): prueba BTI rápida para MOSFET
BS IEC 62830-3:2017 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para captación y generación de energía. - Parte 3: Recolección de energía electromagnética basada en vibraciones.
BS EN IEC 62969-3:2018 Dispositivos semiconductores. Interfaz de semiconductores para vehículos automotores: recolección de energía piezoeléctrica impulsada por choque para sensores de vehículos automotrices
BS EN 60749-7:2002
BS IEC 62830-2:2017 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para captación y generación de energía. - Parte 2: Recolección de energía termoeléctrica basada en energía termoeléctrica
BS EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
BS EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
BS EN 62007-2:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
BS IEC 62830-5:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para captación y generación de energía. Método de prueba para medir la energía generada a partir de dispositivos termoeléctricos flexibles.
BS IEC 63275-1:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio - Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización
18/30381548 DC BS EN 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
17/30366375 DC BSIEC 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
BS IEC 62830-4:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía: métodos de prueba y evaluación para dispositivos piezoeléctricos flexibles de recolección de energía.
BS QC 790101:1992 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Especificación seccional para circuitos integrados de semiconductores, excluidos los circuitos híbridos. Examen visual interno para la integración de semiconductores...
BS EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
14/30296894 DC BS EN 62830-1. Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para captación y generación de energía. Parte 1. Recolección de energía piezoeléctrica basada en vibraciones
18/30380675 DC BS EN IEC 62830-7. Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para captación y generación de energía. Parte 7. Captación de energía triboeléctrica en modo deslizante lineal
BS QC 790130:1992 Especificación para el sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos - Dispositivos semiconductores - Circuitos integrados - Especificación detallada en blanco - Circuitos integrados digitales HCMOS (series 54/74 HC, 54/74 HCT, 54/74 HCU)
BS EN 61788-9:2005 Superconductividad - Parte 9: Medidas para superconductores de alta temperatura en masa - Densidad de flujo atrapado de superconductores de óxido de grano grande
18/30355426 DC BS EN 62830-5. Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para captación y generación de energía. Parte 5. Método de prueba para medir la energía generada a partir de dispositivos termoeléctricos flexibles.
BS IEC 62830-6:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía: métodos de prueba y evaluación para dispositivos triboeléctricos de recolección de energía en modo de contacto vertical.
BS EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS IEC 60747-14-11:2021 Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores. Método de prueba de sensores integrados basados en ondas acústicas de superficie para medir ultravioleta, iluminación y temperatura.
BS ISO 17299-5:2014 Textiles. Determinación de la propiedad desodorante. Método del sensor semiconductor de óxido metálico
PD ES 59008-4-1:2001 Requisitos de datos para matrices semiconductoras. Requisitos y recomendaciones específicas. Prueba y calidad
20/30406230 DC BS IEC 63275-1. Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 1. Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización.
BS EN 14756:2006 Determinación de la concentración límite de oxígeno (LOC) para gases y vapores inflamables.
BS EN 14756:2007 Determinación de la concentración límite de oxígeno (LOC) para gases y vapores inflamables.

Group Standards of the People's Republic of China, Contenido de oxígeno del semiconductor

T/CECA 35-2019 Sensor de gas semiconductor de óxido metálico
T/QGCML 743-2023 Especificaciones para el proceso de anodizado de piezas de equipos semiconductores.
T/CASAS 006-2020 La especificación general para el transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de carburo de silicio
T/CASAS 015-2022 Método de prueba de ciclo de energía para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico de carburo de silicio (MOSFET de SiC)
T/CNIA 0143-2022 Recipientes de resina ultrapura para análisis de trazas de impurezas de materiales semiconductores

Association Francaise de Normalisation, Contenido de oxígeno del semiconductor

NF C80-203*NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores semiconductores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET)
NF C86-010:1986 Dispositivos semiconductores. Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Dispositivos semiconductores discretos. Especificación genérica.
NF EN IEC 62969-3:2018 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para vehículos automotores. Parte 3: Recolección de energía de choque piezoeléctrico para sensores automotrices.
NF C96-051*NF EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
NF M03-051:2002 Combustibles minerales sólidos - Cálculo de la tensión en oxígeno por diferencia
NF EN 62373:2006 Pruebas de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
NF C96-022-7*NF EN 60749-7:2012 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 7: medición del contenido de humedad interna y análisis de otros gases residuales.
NF EN 60749-7:2012 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 7: medición del contenido de humedad interna y análisis de otros gases residuales.
NF C31-888-9*NF EN 61788-9:2005 Superconductividad - Parte 9: mediciones de superconductores a granel de alta temperatura - Densidad de flujo atrapado de superconductores de óxido de grano grande.
NF C96-069-3*NF EN IEC 62969-3:2018 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para vehículos automotores. Parte 3: recolección de energía piezoeléctrica impulsada por choque para sensores de vehículos automotores.
NF EN 61788-9:2005 Superconductividad - Parte 9: mediciones de superconductores masivos de alta temperatura - Densidad de flujo residual de superconductores de óxido de grano grueso
NF C86-503:1986 Dispositivos semiconductores. Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Fototransistores, transistores fotodarlington y conjuntos de fototrasistores. Especificación de detalle en blanco CECC 20 003.

International Electrotechnical Commission (IEC), Contenido de oxígeno del semiconductor

IEC 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos. Parte 8-4: Transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia.
IEC 62830-2:2017 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía - Parte 2: Recolección de energía termoeléctrica basada en energía termoeléctrica
IEC 62830-3:2017 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para la captación y generación de energía - Parte 3: Captación de energía electromagnética basada en vibraciones
IEC 62373-1:2020 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET). Parte 1: Prueba rápida BTI para MOSFET.
IEC 62830-1:2017 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía - Parte 1: Recolección de energía piezoeléctrica basada en vibraciones
IEC 62969-3:2018 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para vehículos automotores. Parte 3: Captación de energía piezoeléctrica impulsada por choque para sensores de vehículos automotores.
IEC 60749-7/COR1:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 7: Medición del contenido de humedad interna y análisis de otros gases residuales.
IEC 62830-7:2021 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía - Parte 7: Recolección de energía triboeléctrica en modo deslizante lineal
IEC 62830-5:2021 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para recolección y generación de energía - Parte 5: Método de prueba para medir la energía generada a partir de dispositivos termoeléctricos flexibles
IEC 60749-7:2002 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 7: Medición del contenido de humedad interna y análisis de otros gases residuales.
IEC 60749-7:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 7: Medición del contenido de humedad interna y análisis de otros gases residuales.
IEC 63275-1:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 1: Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización.
IEC 61788-9:2005 Superconductividad - Parte 9: Medidas para superconductores de alta temperatura en masa - Densidad de flujo atrapado de superconductores de óxido de grano grande
IEC 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
IEC 63275-2:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2: Método de prueba para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo del cuerpo.
IEC 60749-39:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.

Professional Standard - Electron, Contenido de oxígeno del semiconductor

SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.
SJ 20025-1992 Especificación genérica para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
SJ 20026-1992 Métodos de medición para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
SJ 20079-1992 Métodos de prueba para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
SJ/T 9533-1993 Norma de clasificación de calidad para dispositivos semiconductores discretos.
SJ/T 9534-1993 Norma de clasificación de calidad para circuitos integrados semiconductores.
SJ/T 11487-2015 Método de medición sin contacto para la resistividad de una oblea semiconductora semiaislante.
SJ/T 10705-1996 Práctica estándar para la inspección de la calidad de la superficie del cable conductor de semiconductores
SJ/T 11824-2022 Método de prueba de tasa de cambio de voltaje y capacitancia equivalente del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET)
SJ/T 2658.7-2015 Método de medición para diodos emisores de infrarrojos semiconductores. Parte 7: Flujo radiante
SJ 2355.6-1983 Método de medición del flujo luminoso de dispositivos emisores de luz.

Danish Standards Foundation, Contenido de oxígeno del semiconductor

German Institute for Standardization, Contenido de oxígeno del semiconductor

DIN EN 62417:2010-12 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
DIN 50449-2:1998
DIN EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
DIN 50447:1995 Ensayo de materiales para la tecnología de semiconductores: determinación sin contacto de la resistencia eléctrica de las capas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas
DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
DIN EN 62373:2007 Prueba de estabilidad de la temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62373:2006); Versión alemana EN 62373:2006
DIN 50438-2:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del contenido de impurezas en silicio mediante absorción infrarroja; carbón
DIN EN 60749-7:2012 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 7: Medición del contenido de humedad interna y análisis de otros gases residuales (IEC 60749-7:2011); Versión alemana EN 60749-7:2011
DIN EN 62373:2007-01 Prueba de estabilidad de la temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62373:2006); Versión alemana EN 62373:2006
DIN 50441-2:1998 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 2: Ensayos del perfil de los bordes.
DIN EN 60749-7:2012-02 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 7: Medición del contenido de humedad interna y análisis de otros gases residuales (IEC 60749-7:2011); Versión alemana EN 60749-7:2011 / Nota: DIN EN 60749-7 (2003-04) sigue siendo válida solo...
DIN 50450-9:2003 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de impurezas en gases portadores y gases dopantes. Parte 9: Determinación de oxígeno, nitrógeno, monóxido de carbono, dióxido de carbono, hidrógeno e hidrocarburos CC en hidróxido gaseoso.
DIN 43653:1976 Fusibles de alta capacidad de ruptura para convertidores de semiconductores
DIN 51722-1:1990-07 Pruebas de combustibles sólidos; determinación del contenido de nitrógeno; método semimicro Kjeldahl
DIN EN 14756:2007 Determinación de la concentración límite de oxígeno (LOC) para gases y vapores inflamables; Versión en inglés de DIN EN 14756:2007-02
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