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Semiconductor de oxígeno

Semiconductor de oxígeno, Total: 357 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Semiconductor de oxígeno son: Dispositivos semiconductores, Circuitos integrados. Microelectrónica, Componentes electrónicos en general., válvulas, Materiales semiconductores, Pruebas eléctricas y electrónicas., Comunicaciones de fibra óptica., Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Materiales para la construcción aeroespacial., Productos de la industria textil., Filtros electricos.


European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Semiconductor de oxígeno

  • EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
  • EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)

Defense Logistics Agency, Semiconductor de oxígeno

British Standards Institution (BSI), Semiconductor de oxígeno

  • BS EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
  • BS EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
  • BS IEC 62373-1:2020 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET): prueba BTI rápida para MOSFET
  • 17/30366375 DC BSIEC 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
  • 18/30381548 DC BS EN 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
  • BS IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos: transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia
  • BS ISO 17299-5:2014 Textiles. Determinación de la propiedad desodorante. Método del sensor semiconductor de óxido metálico

Association Francaise de Normalisation, Semiconductor de oxígeno

  • NF C80-203*NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
  • NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores semiconductores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET)
  • NF C96-051*NF EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
  • NF EN 62373:2006 Pruebas de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)

International Electrotechnical Commission (IEC), Semiconductor de oxígeno

  • IEC 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
  • IEC 62373-1:2020 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET). Parte 1: Prueba rápida BTI para MOSFET.
  • IEC 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
  • IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos. Parte 8-4: Transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia.

Danish Standards Foundation, Semiconductor de oxígeno

German Institute for Standardization, Semiconductor de oxígeno

  • DIN EN 62417:2010-12 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
  • DIN EN 62373:2007 Prueba de estabilidad de la temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62373:2006); Versión alemana EN 62373:2006
  • DIN EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
  • DIN EN 62373:2007-01 Prueba de estabilidad de la temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62373:2006); Versión alemana EN 62373:2006

ES-UNE, Semiconductor de oxígeno

  • UNE-EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayos de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
  • UNE-EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)

Group Standards of the People's Republic of China, Semiconductor de oxígeno

  • T/CECA 35-2019 Sensor de gas semiconductor de óxido metálico
  • T/CASAS 006-2020 La especificación general para el transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de carburo de silicio
  • T/CASAS 015-2022 Método de prueba de ciclo de energía para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico de carburo de silicio (MOSFET de SiC)

Lithuanian Standards Office , Semiconductor de oxígeno

  • LST EN 62417-2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010)
  • LST EN 62373-2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET) (IEC 62373:2006)

Professional Standard - Electron, Semiconductor de oxígeno

  • SJ 20025-1992 Especificación genérica para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
  • SJ 20026-1992 Métodos de medición para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
  • SJ 20079-1992 Métodos de prueba para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
  • SJ/T 11824-2022 Método de prueba de tasa de cambio de voltaje y capacitancia equivalente del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Semiconductor de oxígeno

  • GB/T 15652-1995 Especificación genérica para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
  • GB/T 15653-1995 Métodos de medición para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.

U.S. Military Regulations and Norms, Semiconductor de oxígeno

PH-BPS, Semiconductor de oxígeno

  • PNS IEC 62373-1:2021 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET). Parte 1: Prueba BTI rápida para MOSFET.

RU-GOST R, Semiconductor de oxígeno

  • GOST 26239.7-1984 Silicio semiconductor. Método de determinación de oxígeno, carbono y nitrógeno.

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Semiconductor de oxígeno

  • CNS 8104-1981 Método para medir el voltaje de umbral lineal MOSFET
  • CNS 8106-1981 Método para medir el voltaje umbral saturado de MOSFET

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Semiconductor de oxígeno

  • IEEE 641-1987 DEFINICIONES ESTÁNDAR Y CARACTERIZACIÓN DE Matrices de semiconductores de óxido de nitruro metálico

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Semiconductor de oxígeno

  • ANSI/IEEE Std 641-1987 Definiciones estándar IEEE y caracterización de matrices de semiconductores de óxido de nitruro metálico

GM North America, Semiconductor de oxígeno

  • GM GM6078M-1989 Recubrimientos lubricantes de película sólida MOS2 y PTFE unidos con resina

International Organization for Standardization (ISO), Semiconductor de oxígeno

  • ISO 17299-5:2014 Textiles. Determinación de la propiedad desodorante. Parte 5: Método del sensor semiconductor de óxido metálico.

工业和信息化部, Semiconductor de oxígeno

  • SJ/T 9014.8.2-2018 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 8-2: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico de superunión




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