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半导体氧含量

本专题涉及半导体氧含量的标准有499条。

国际标准分类中，半导体氧含量涉及到半导体材料、半导体分立器件、集成电路、微电子学、非金属矿、光电子学、激光设备、电子元器件综合、有色金属产品、核能工程、化工产品、信息技术应用、电工和电子试验、阀门、绝缘材料、整流器、转换器、稳压电源、煤、金属材料试验、电学、磁学、电和磁的测量、导体材料、光学和光学测量、空气质量、分析化学、燃料、采矿和挖掘、电信终端设备、辐射测量、光纤通信、铁合金、无机化学、绝缘流体、航空航天制造用材料、防爆、电子设备用机械构件、纺织产品、结构和结构元件。

在中国标准分类中，半导体氧含量涉及到半导体分立器件综合、半导体三极管、、半导体集成电路、半金属与半导体材料综合、一般有机化工原料、敏感元器件及传感器、电子技术专用材料、能源、场效应器件、电工绝缘材料及其制品、核仪器与核探测器综合、金属物理性能试验方法、工业气体与化学气体、元素半导体材料、数据媒体、化合物半导体材料、阀门、半导体分立器件、核探测器、电工材料和通用零件综合、半金属及半导体材料分析方法、光通信设备、废气排放污染物分析方法、固体燃料矿综合、电力半导体器件、部件、通信设备综合、半导体发光器件、半导体整流器件、低压配电电器、钢铁与铁合金分析方法、其他物质成份分析仪器、石油产品综合、金属无损检验方法、能源、核技术综合、光电子器件综合、其他、物理学与力学、微电路综合、电子测量与仪器综合、航空与航天用金属铸锻材料、工厂防火防爆安全技术、粘结材料、半导体光敏器件、计算机应用、电子元器件。

HU-MSZT，关于半导体氧含量的标准

MNOSZ 700-16.lap-1955 半导体镍含量的检测
MNOSZ 700-19.lap-1955 意法半导体沥青含量
MNOSZ 700-18.lap-1956 半导体氯含量的检测
MNOSZ 700-15.lap-1955 意法半导体硫酸盐含量的测定
MSZ 7200/5-1985 大功率半导体工具的测量方法
MSZ 700/41.lap-1961 意法半导体测试．快速测定硫总量
MSZ KGST 1200-1978 铁矿石，精矿，团聚体和氧化钙和氧化镁的含量定义
MSZ 3782-1982 分析用30%含量的亚硝酸．过氧化氢．液体
MSZ KGST 1872-1979 工业氢氧化钠碳化钠含量的体积测定
MSZ 21456/5-1986 空气气体污染检测．二氧化硫含量检测
MSZ KGST 1243-1978 三氧化二铝含量的铝矾土与体积法定义

欧洲电工标准化委员会，关于半导体氧含量的标准

EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
EN IEC 62969-3:2018 半导体设备汽车半导体接口第3部分：汽车传感器的冲击驱动压电能量收集
EN 60749-7:2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第7部分:其他残余气体的分析和内部含水量测量
EN 61788-9:2005 超导性.第9部分:成批高温超导体的测量.大粒氧化物超导体的陷波流量密度
EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006
EN 60747-5-3:2001 分立半导体器件和集成电路.第5-3部分:光电设备.测量方法;包含修改件A1-2002

RU-GOST R，关于半导体氧含量的标准

GOST 26239.7-1984 半导体硅.氧、碳、氮测定法
GOST 7619.5-1981 萤石.倍半氧化物含量测定法
GOST R 50471-1993 半导体光电发射体.半值角的测量方法
GOST 18986.10-1974 半导体二极管.电感测量方法
GOST 18986.12-1974 遂道式半导体二极管.过渡负导纳测量方法
GOST 18986.11-1984 半导体二级管.损耗电阻测量方法
GOST 18986.15-1975 半导体稳压管.稳定电压测量方法
GOST 18986.24-1983 半导体二极管.击穿电压测量方法
GOST 24461-1980 电力半导体器件.测量和试验方法
GOST 2408.3-1995 固体矿物燃料.氧含量测定法
GOST 19834.0-1975 半导体辐射器.参数测量的一般要求
GOST 18986.23-1980 半导体稳压管.噪声频谱密度测量方法
GOST 26222-1986 电离辐射半导体探测器.参数测量方法
GOST R IEC 748-11-1-2001 半导体设备集成电路.第11部分:第1节:不包含混合电路的半导体设备集成电路的内部可视检查
GOST 18986.14-1985 半导体二极管.微分与动态电阻测量方法
GOST 18986.22-1978 半导体稳压管和限压管.微分电阻测量方法
GOST 19656.5-1974 超高频混频半导体二极管.噪音比测量方法
GOST 19834.4-1979 红外辐射半导体二极管.辐射功率测量方法
GOST 18986.8-1973 半导体二极管.反向阻恢复时间的测量方法
GOST 19656.0-1974 超高频半导体二极管.电参数测量方法.总则
GOST 18986.17-1973 半导体稳压管.稳定电压温度系数的测量方法
GOST 19834.2-1974 半导体辐射器.辐射强度和高能亮度测量方法
GOST 19656.4-1974 超高频混频半导体二极管.变频损耗测量方法

美国国防后勤局，关于半导体氧含量的标准

DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 硅单片量值比较器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94532-1994 64位微处理器,氧化物半导体微型电路
DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 硅单片无栅氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 硅单片六反相器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 硅单片四重虚拟开关,氧化物半导体微型电路
DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 硅单片异或门高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 硅单片总线控制器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 硅单片可调稳压器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 硅单片,二维卷积器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96674 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,类似体4BIT数量比较器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 硅单片双重升计数器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 硅单片四重D锁存器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 硅单片译码器-解码器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94533-1994 硅单片,32位微处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 硅单块 16X16倍增器互补金属氧化物半导体,微型电路
DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 硅单块 4比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 硅单块八比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 硅单块 8比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 硅单块 8比特量值比较器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-06208-2006 硅单片数字信号处理机氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 硅单片,16比特微处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 硅单片时钟发生驱动器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 硅单片3重3输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 硅单片双重4输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 硅单片双重4输入或栅,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 硅单片静态移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 硅单片3重与非门缓冲,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 硅单片六位反相缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89638-1989 硅单片,氧化物半导体电流方式控制器,线性微型电路
DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 硅单片,64位输出相关仪,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94642-1994 硅单片,扩展多功能外围,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 硅单片,同步串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 硅单片,RS232型双重收发器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 硅单片,16位微型控制器,氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92331-1993 硅单片,16X16位坐标变换器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 硅单片,通用串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 硅单片,16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 硅单片,差动总线收发器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,8-BIT数量比较器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 硅单片128 X 8比特随机存取记忆体,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 硅单片3-8线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 硅单片可编程间隔计时器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 硅单片可编程序外围接口,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 硅单块总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路
DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 硅单片金属氧化半导体时钟脉冲驱动器,数字微型电路
DLA SMD-5962-79017-1979 硅单片通用异步接收器/发送器,氧化物半导体微型电路
DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 硅单片,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 硅单片定点双信息处理器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 硅单片,低功率脉宽调制器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 硅单片,微处理器监督电路,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-94537-1994 硅单片,8位记忆处理单元,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 硅单块真实时钟,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 硅单片,16位可级联运算器,氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 硅单片,锁相环路文件,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路数字的互补金属氧化物半导体
DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 硅单片沟道金属氧化物半导体中断发生器数字微电路
DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 硅单片,高性能微型控制器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 硅单片,四重双向转换开关,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 硅单块 8X8倍增器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 硅单片,12 X 10位矩阵乘数,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 硅单片256 X 4静态记忆体复位沟道金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 硅单片,两重4输入无门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 硅单片,两重2输入或门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 硅单片,三重3输入与门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 硅单片10-4优先编码器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 硅单片八位锁存总线驱动器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 硅单片四重三态R/S锁存器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77035-1977 4-16行译码器,4比特锁存器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77056-1977 六位N沟道开路漏极缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 硅单片12级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 硅单片串联控制器接口,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 硅单片12比特二进制计数器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-03251-2004 硅单片解算器至数字变换器氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
DLA SMD-5962-94517 REV C-2004 硅单片,宽带增益可变扬声器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 硅单片,8位交流/直流转变器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 硅单块八进制高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89652-1990 硅单片,四冲双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 硅单片,14位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 硅单片,16位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 硅单片,12位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89695-1990 硅单片,双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92026-1992 硅单块定点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-87744-1987 硅单片1M(64K X 16) BIT,沟道金属氧化物半导体,UVEPROM数字微电路
DLA SMD-5962-92103-1992 硅单块浮点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89954 REV A-2007 硅单片,双重同步计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 硅单片,通用异步接收发送器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90543 REV D-2006 硅单片,存储票接存取控制器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 硅单片信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-85528-1986 硅单块总线调停器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93008-1994 硅单片,16K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93109-1993 硅单片,高集成嵌入式处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 硅单片8 X 8乘数互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 硅单片,96位浮点双口处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 硅单片,32K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 硅单片,12位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 硅单块互补金属氧化物半导体总线界面直线式微型电路
DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 硅单片精密定时器互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 硅单块 8比特允许的量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 硅单片,两重4输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84046 REV F-2002 硅单片,两重2输入异或门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 硅单片,两重2输入正与门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85030 REV H-2007 硅单片可编程中断控制器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 硅单片1至64比特移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 硅单片,四重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 硅单片,两重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 硅单片,2K X 9先进先出型氧化物半导体,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 硅单片,4K X 9先进先出型氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 硅单片,视频多路复用器/扬声器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-94542-1994 硅单片,32位局域网络协处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94567-1996 硅单片,X 9时控先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 硅单块八进制总线接收器,互补金属氧化物半导体,微型电路
DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,万能中断控制器微型电路
DLA SMD-5962-89665-1989 硅单片,9位宽缓冲寄存器,氧化物半导体高速数字微型电路
DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 硅单片,双重低功率运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89715 REV B-1998 硅单片,图象重采样序列发生器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
DLA SMD-5962-89726 REV D-2006 硅单片,I/O扩大的微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 硅单块多路调制器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 硅单片,EE可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-92106-1993 硅单块地址处理器2,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 硅单片数字数据处理器沟道金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-90518 REV A-1992 硅单片,可编程比特速率发生器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88599-1988 硅单片时序控制组件互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 硅单片,32位高集成微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 硅单片四方模拟开关互补型金属氧化物半导体线性微电路
DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 硅单片,8-16位并行接口/限时器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 硅单片,四重单刀双投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-93182 REV D-2004 硅单片,轨到轨四重运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-93255 REV A-2002 硅单片,四重单刀单投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体与非硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96803-1996 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95652 REV C-2000 数字反射先进互补金属氧化物半导体三倍输出量与非硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT数量比较器晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-84090 REV D-2005 硅单片双重三态双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84092 REV D-2002 硅单片双重2至4线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-77055 REV B-1981 可再触发可重调单稳多谐振荡器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 硅单片六位D型双稳多谐振荡器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 硅单片,16位微型控制器,沟道金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-91513-1993 硅单块是或倒转门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 硅单片,4K X 9并行同步先进先出,氧化物半导体记忆微型电路
DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 硅单片,16 X 16位并行多路复用器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 硅单片,一次可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94564-1994 硅单片,24位通用数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 硅单片,8位视频直流/交流转变器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 硅单片,12位高速交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 硅单片,12位直流/交流转变器,双重氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 硅单块图像系统处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-94608-1994 硅单片,12位可级联乘法器加法器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89716 REV B-1996 硅单片,4 X 16-BIT多级廉线寄存器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 硅单片,可编程逻辑阵列,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 硅单块操作放大器,互补金属氧化物半导体,双直线式微型电路
DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-90504 REV C-1997 硅单片,二元滤波器及模板匹配器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88568-1988 硅单片8位微机单一组装沟道金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 硅单片,5000栅可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 可编程陈列4000GATES互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 硅单片处理器接口电路互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-92284-1993 硅单片,精简指令集电脑微处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92305 REV E-2002 硅单片,10000栅可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路

英国标准学会，关于半导体氧含量的标准

BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
BS 3839:1978 电子管及半导体器件用高导电率无氧铜规范
13/30264596 DC BS EN 60747-14-7 半导体器件第14-7部分半导体传感器流量计
BS EN 62830-3:2017 半导体器件用于能量收集和生成的半导体器件基于振动的电磁能量收集
BS IEC 62830-1:2017 半导体器件用于能量收集和生成的半导体器件基于振动的压电能量收集
BS IEC 62830-7:2021 半导体器件。用于能量收集和发电的半导体器件。线性滑模摩擦电能量收集
BS IEC 62373-1:2020 半导体器件金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
BS IEC 62830-3:2017 半导体器件. 收集和产生能量的半导体器件. 第3部分: 基于振动的电磁能量收集
BS EN IEC 62969-3:2018 半导体器件汽车半导体接口用于汽车传感器的冲击驱动压电能量收集
BS EN 60749-7:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.其他残余气体的内部湿气含量的测量和分析
BS IEC 62830-2:2017 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件第2部分：基于热电的热电能量收集
BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
BS EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
BS EN 62007-2:2000 光纤系统半导体光电器件.测量方法
BS IEC 62830-5:2021 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件测量柔性热电装置发电功率的试验方法
BS IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法偏置温度不稳定性测试方法
18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试第1部分.快速BTI测试方法
17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试第1部分.快速BTI测试方法
BS IEC 62830-4:2019 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件柔性压电能量收集器件的测试和评估方法
BS QC 790101:1992 电子元件质量评估协调制度半导体器件集成电路不包括混合电路的半导体集成电路分规范半导体集成内部目视检查
BS EN 62007-2:2009 光纤系统用半导体光电器件.测量方法
14/30296894 DC BS EN 62830-1 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件第1部分：基于振动的压电能量收集
18/30380675 DC BS EN IEC 62830-7 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件第7部分：线性滑模摩擦电能量收集
BS QC 790130:1992 电子元器件质量评估协调体系.半导体器件.集成电路.空白详细规范.54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列的高密度互补金属氧化物半导体(HCMOS)数字集成电路
BS EN 61788-9:2005 超导性.第9部分:成批高温超导体的测量.大粒氧化物超导体的截留流量密度
18/30355426 DC BS EN 62830-5 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件第5部分测量柔性热电装置发电量的测试方法
BS IEC 62830-6:2019 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件垂直接触模式摩擦电能量收集器件的测试和评估方法
BS EN 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.半导体器件用有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
BS IEC 60747-14-11:2021 半导体器件半导体传感器基于声表面波的紫外、照度和温度测量集成传感器的测试方法
BS ISO 17299-5:2014 纺织品除臭剂性能的测定金属氧化物半导体传感器方法
PD ES 59008-4-1:2001 半导体芯片的数据要求具体要求和建议测试和质量
20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法第1部分.偏置温度不稳定性测试方法
BS EN 14756:2006 燃烧气体和蒸气用限制氧含量(LOC)的测定
BS EN 14756:2007 燃烧气体和蒸气用限制氧含量（LOC）的测定

中国团体标准，关于半导体氧含量的标准

T/CECA 35-2019 金属氧化物半导体气体传感器
T/QGCML 743-2023 半导体设备零部件阳极氧化工艺规范
T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法
T/CNIA 0143-2022 半导体材料痕量杂质分析用超纯树脂器皿

法国标准化协会，关于半导体氧含量的标准

NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
NF C86-010:1986 半导体器件.电子器件质量评估协调体系电子元件.半导体分立器件.一般规范
NF EN IEC 62969-3:2018 半导体器件 - 汽车半导体接口 - 第 3 部分：收集汽车传感器的压电冲击能量
NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验
NF M03-051:2002 固体矿物燃料.差值计算氧含量
NF EN 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
NF C96-022-7*NF EN 60749-7:2012 半导体装置.机械和气候试验方法.第7部分:内部水分含量的测量和其他残余气体的分析
NF EN 60749-7:2012 半导体器件机械和气候试验方法第7部分：内部水分含量的测量和其他残留气体的分析
NF C31-888-9*NF EN 61788-9:2005 超导性.第9部分:成批高温超导体的测量.大粒氧化物超导体的陷磁通量密度
NF C96-069-3*NF EN IEC 62969-3:2018 半导体设备机动车辆的半导体接口第3部分：机动车辆传感器的冲击驱动压电能量收集
NF EN 61788-9:2005 超导性 - 第 9 部分：块体高温超导体的测量 - 粗粒氧化物超导体的剩余磁通密度
NF C86-503:1986 半导体器件.电子元器件统一质量评审体系.光电晶体管、光电复合晶体管和光电半导体电路.空白详细规范CESS 20 003

国际电工委员会，关于半导体氧含量的标准

IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
IEC 62830-2:2017 半导体器件. 收集和产生能量的半导体器件. 第2部分: 基于热能的热电能量收集
IEC 62830-3:2017 半导体器件. 收集和产生能量的半导体器件. 第3部分: 基于振动的电磁能量收集
IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
IEC 62830-1:2017 半导体器件用于能量采集和发电的半导体器件第1部分：基于振动的压电能量采集
IEC 62969-3:2018 半导体器件汽车半导体接口第3部分:汽车传感器的冲击驱动压电能量收集
IEC 60749-7/COR1:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第7部分:其他残余气体的分析和内部含水量的测量
IEC 62830-7:2021 半导体器件.能量收集和产生用半导体器件.第7部分:线性滑动模式摩擦电能收集
IEC 62830-5:2021 半导体器件.能量收集和产生用半导体器件.第5部分:测量柔性热电器件产生功率的试验方法
IEC 60749-7:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第7部分:其他残余气体的分析和内部水分含量的测量
IEC 60749-7:2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第7部分:其他残余气体的分析和内部水分含量的测量
IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
IEC 61788-9:2005 超导性.第9部分:成批高温超导体的测量.大粒氧化物超导体的陷波流量密度
IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
IEC 60749-39:2021 RLV 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
IEC 60749-39:2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量

行业标准-电子，关于半导体氧含量的标准

SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
SJ/T 9533-1993 半导体分立器件质量分等标准
SJ/T 9534-1993 半导体集成电路质量分等标准
SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
SJ/T 10705-1996 半导体器件键合丝表面质量检验方法
SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法第7部分:辐射通量
SJ 2355.6-1983 半导体发光器件测试方法.光通量的测试方法

丹麦标准化协会，关于半导体氧含量的标准

DS/EN 62417:2010 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试
DS/EN 60749-7:2011 半导体器件机械和气候试验方法第7部分：内部水分含量测量和其他残留气体的分析

德国标准化学会，关于半导体氧含量的标准

DIN EN 62417:2010-12 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
DIN 50449-2:1998 半导体工艺材料试验.通过红外线吸收测定半导体中杂质含量.第2部分:砷化镓中的硼
DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
DIN 50447:1995 半导体工艺材料的检验.用涡流法无接点测量半导体层的表面电阻
DIN 50449-1:1997 半导体工艺用材料的检验.通过红外线吸收测定Ⅲ-Ⅴ-连接半导体杂质含量.第1部分:砷化镓中的碳素
DIN 50441-1:1996 半导体工艺材料试验.半导体片几何尺寸测量.第1部分:厚度和厚度变化
DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
DIN 50438-2:1982 半导体工艺材料的检验.第2部分:用红外线吸收法测量硅中杂质含量.碳
DIN EN 60749-7:2012 半导体器件.机械和气候试验方法.第7部分:内部水分含量测量和其他残留气体分析
DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
DIN 50441-2:1998 半导体工艺材料的试验.半导体芯片几何尺寸的测量.第2部分:棱角剖面的试验
DIN EN 60749-7:2012-02 半导体器件机械和气候试验方法第7部分：内部水分含量测量和其他残留气体的分析
DIN 50450-9:2003 半导体工艺材料测试.载气和掺杂气体杂质测定.第9部分:用气相色谱法测定气态氯化氢中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳、氢和C<下标1>-C<下标3>-烃类含量
DIN 43653:1976 半导体换流器用高遮断容量的熔断器
DIN 51722-1:1990-07 固体燃料测试；氮含量的测定；半微量凯氏定氮法
DIN EN 14756:2007 测定燃烧气体和蒸汽极限氧含量(LOC)
DIN 50443-1:1988 半导体工艺使用材料的检验.第1部分:用X射线外形测量法检测半导体单晶硅中晶体缺陷和不均匀性
DIN 51726:2004 固体燃料检验.碳酸盐二氧化碳含量测定

ES-UNE，关于半导体氧含量的标准

UNE-EN 62417:2010 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
UNE-EN IEC 62969-3:2018 半导体器件汽车半导体接口第3部分：汽车传感器的冲击驱动压电能量收集
UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
UNE-EN 60749-7:2011 半导体器件机械和气候测试方法第7部分：内部水分含量测量和其他残留气体的分析
UNE-EN 61788-9:2005 超导性第9部分：块状高温超导体的测量大颗粒氧化物超导体的俘获通量密度

立陶宛标准局，关于半导体氧含量的标准

LST EN 62417-2010 半导体设备金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
LST EN 62373-2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试（IEC 62373:2006）
LST EN 60749-7-2011 半导体器件-机械和气候试验方法-第7部分：内部水分含量测量和其他残留气体的分析（IEC 60749-7:2011）

美国材料与试验协会，关于半导体氧含量的标准

ASTM UOP649-10 高温分解法测定固体、半固体和高沸点液烃中的总氧含量
ASTM F1893-98(2003) 测量半导体器件电离剂量率熔蚀的指南
ASTM F1893-98 测量半导体器件电离剂量率熔蚀的指南
ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
ASTM F1893-18 电离剂量生存率和半导体器件烧坏测量指南
ASTM F1893-11 测量半导体器件电离剂量率存活性和烧断的指南

CZ-CSN，关于半导体氧含量的标准

CSN 35 8754-1973 半导体设备．晶体管．短路输出导纳测量
CSN 35 8773-1977 半导体器件的测量．半导体闸流管．阻断电流和反向阻断电流的测量
CSN 35 8756-1973 半导体设备．晶体管Y参数的测量
CSN 35 8740-1973 半导体器件．晶体管．饱和电压测量
CSN 35 8732-1964 半导体二极管．正向电流测量
CSN 44 1350-1974 固体燃料氧含量的测定
CSN 35 8742-1973 半导体设备．晶体管．截止电流的测量
CSN 35 8736-1964 半导体二极管．极间电容的测量
CSN 35 1603-1983 电力半导体器件．一般测量方法
CSN 35 8759-1977 半导体设备．晶体管．开关时间的测量方法
CSN 35 8770-1970 半导体闸流管．开态电压测量方法
CSN 35 8734-1975 半导体器件．二极管．反向电流测量．
CSN 35 8749-1973 半导体设备．晶体管．短路正向传递导纳绝对值的测量
CSN 35 8767-1982 半导体二极管．电气参数的测量方法
CSN 35 8850 Cast.1-1984 半导体散热器．测量方法的主要参数
CSN 35 8737-1975 半导体设备．二极管．微分电阻的测量
CSN 35 8772-1970 半导体闸流管．保持电流的测量方法
CSN 35 8760-1973 半导体．稳压二极管．电压温度系数测量
CSN 35 8735-1964 半导体二极管．直流电流和电压的测量
CSN 35 8769-1983 半导体齐纳二极管．电气参数测量方法
CSN 35 8768-1983 半导体开关二极管．电气参数测量方法
CSN 35 8761-1973 半导体设备．光电晶体管光电二极管．光电流测量
CSN 35 8762-1973 半导体设备．光电晶体管光电二极管．暗电流测量
CSN 35 8752-1976 半导体设备．晶体管．共基极输出电容的测量方法
CSN 35 8766-1976 半导体器件．开关二极管．正向电压的测量
CSN 35 8731-1975 半导体设备．二极管．直流正向电压的测量
CSN 35 8850 Cast.2-1984 半导体辐射探测器．测量方法的主要参数
CSN 35 8763-1973 半导体设备．二极管．反向击穿电压的测量
CSN 35 8785-1975 半导体设备．变容二极管．热电容系数的测量
CSN 35 8733-1975 半导体设备．二极管．反向电压的测量（工作电压）
CSN 35 8764-1976 半导体设备．开关二极管．反向恢复时间的测量．
CSN 35 8765-1976 半导体设备．开关二极管．反向恢复电荷的测量

国家质检总局，关于半导体氧含量的标准

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GB/T 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法
GB/T 21115-2007(英文版) 体氧化物超导体悬浮力的测量
GB/T 5201-2012 带电粒子半导体探测器测量方法
GB/T 42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
GB/T 21115-2007 块状氧化物超导体磁浮力的测量
GB/T 14144-1993 硅晶体中间隙氧含量经向变化测量方法
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 41853-2022 半导体器件微机电器件晶圆间键合强度测量

YU-JUS，关于半导体氧含量的标准

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JUS H.F8.125-1986 气体．氧气含量测定．比色法
JUS H.G8.050-1983 试剂．过氧化氢．过氧化氢含量测定．体积法
JUS H.G8.284-1987 试剂．氧化铜（II）．氧化铜（II）含量测定．体积法
JUS H.F8.122-1986 气体．氧气含量测定．气相色谱法
JUS H.F8.191-1986 气体．一氧化碳含量测定．吸收法
JUS H.B8.654-1983 工业用过氧化氢．过氧化氢含量测定．体积法
JUS H.F8.190-1989 气体．一氧化碳含量测定．方法选择
JUS H.F8.151-1986 气体．二氧化碳含量的测定．吸收法
JUS H.F8.150-1989 气体．二氧化碳含量测定．方法选择
JUS H.F8.180-1989 气体．二氧化硫含量测定．方法选择
JUS H.G8.410-1991 试剂．氢氧化钠．氢氧化钠及碳酸盐含量测定．体积法
JUS H.F8.152-1986 气体．二氧化碳含量的测定．气相色谱法
JUS H.G8.509-1991 试剂．氢氧化钾．氢氧化钾和碳酸盐含量的测定．体积法

PH-BPS，关于半导体氧含量的标准

PNS IEC 62830-2:2021 半导体器件.能量收集和发电用半导体器件.第2部分：热电能量收集
PNS IEC 62373-1:2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验
PNS IEC 62830-4:2021 半导体器件.能量收集和产生用半导体器件.第4部分：柔性压电能量收集器件的试验和评估方法

韩国科技标准局，关于半导体氧含量的标准

KS C 2607-1974(2000) 如何测量半导体的电阻率
KS C 2607-1980 如何测量半导体的电阻率
KS C IEC 60749-7:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第7部分:其他残余气体的分析和内部含水量的测量
KS C IEC 60749-7:2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第7部分:内部水分含量测量和其他残留气体的分析
KS C 6563-1996(2016) 主要测量方法的半导体压力传感器元件
KS C 6563-1996(2021) 半导体压力传感器元件的主要测量方法
KS C 6520-2021 半导体工艺的部件和材料.用等离子体测量磨损特性
KS C IEC 60748-2-5:2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB
KS C IEC 60748-2-4:2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB
KS C IEC 60749-39-2006(2021) 半导体器件机械和气候试验方法第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量

PL-PKN，关于半导体氧含量的标准

PN T01208-03-1992 半导体装置．双极晶体管．测量方法
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ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63320 A-1981 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48632-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-I-48634-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63321 A-1981 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
ARMY MIL-M-63324 A-1981 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路

工业和信息化部，关于半导体氧含量的标准

SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
YB/T 4908.6-2021 钒铝合金氧、氮含量的测定惰性气体熔融红外吸收法和热导法

美国机动车工程师协会，关于半导体氧含量的标准

SAE AMS2315A-1980 游离铁氧体含量的测定
SAE AMS2315-1963 游离铁氧体含量测定百分比的方法
SAE AIR1921-1994 使用受控能量水平的火花点火器半导体电阻测量

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体氧含量的标准

GB/T 40789-2021 气体分析一氧化碳含量、二氧化碳含量和氧气含量在线自动测量系统性能特征的确定
GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 41040-2021 宇航用商业现货（COTS）半导体器件质量保证要求

ESDU - Engineering Sciences Data Unit，关于半导体氧含量的标准

ESDU 02002 A-2005 液体的导热性：含氧的芳香族化合物

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于半导体氧含量的标准

JEDEC JEB5-A-1970 半导体逻辑门微电路测量方法
JEDEC JEB15-1969 双稳半导体微电路测量的术语和方法
JEDEC EIA-318-B-1996 半导体信号二极管的反向恢复时间测量
JEDEC JESD286-B-2000 测量半导体二极管前向交换特性的标准

IN-BIS，关于半导体氧含量的标准

IS 4400 Pt.4-1981 半导体器件测量方法第 IV 部分晶体管
IS 4400 Pt.1-1967 半导体器件测量方法第 Ⅰ 部分总则
IS 4400 Pt.10-1983 半导体器件的测量方法第10部分场效应晶体管
IS 12737-1988 半导体 X 射线能量光谱仪的标准测试程序

IPC - Association Connecting Electronics Industries，关于半导体氧含量的标准

IPC TM-650 5.1.412-1975 环氧树脂的固体含量分析

台湾地方标准，关于半导体氧含量的标准

CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法
CNS 13805-1997 光电半导体晶圆之光激光谱量测法

德国机械工程师协会，关于半导体氧含量的标准

VDI/VDE 3713 Blatt 8-1995 技术采购规范半导体芯片用环氧树脂密封剂

CU-NC，关于半导体氧含量的标准

NC 66-13-1984 电子线路．半导体散热器．质量规范
NC 24-22-1984 无机化学产品．液体钠氢氧化物．钠氢氧化物含量测定

RO-ASRO，关于半导体氧含量的标准

STAS 10954-1977 半导体整流器．通用质量技术要求
STAS 12124/1-1982 半导体设备．双极晶体管．测量电气静态参数的方法
STAS 12124/3-1983 半导体设备．场效应晶体管，测量电气的静态参数的方法
STAS 12124/4-1983 半导体设备．场效应晶体管，测量电气的静态参数的方法

日本工业标准调查会，关于半导体氧含量的标准

JIS H 7313:2007 超导性.成批高温超导体的测量.大粒氧化物超导体的陷波流量密度
JIS K 0301:1998 烟道气体中氧含量的测定方法
JIS K 0301:2016 烟道气体中氧含量的测定方法
JIS B 7983:1994 烟道气体中氧含量的连续分析仪
JIS K 0098:1998 烟道气体中一氧化碳含量的测定方法
JIS K 0098:2016 烟道气体中一氧化碳含量的测定方法

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于半导体氧含量的标准

EN 60749-7:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第7部分:其他残余气体的分析和内部含水量测量
EN 60749:1999 半导体器件机械和气候测试方法（包含修正案 A1：2000 和 A2：2001）

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于半导体氧含量的标准

IEEE 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的标准定义和表征

印度尼西亚标准，关于半导体氧含量的标准

SNI 13-4125-1996 地下矿藏. 一氧化碳气体含量测量方法
SNI 19-1432-1989 排放气体. 二氧化氮含量测试方法
SNI 19-2877-1992 排放气体. 一氧化碳含量测试方法

KR-KS，关于半导体氧含量的标准

KS C IEC 60749-7-2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第7部分:内部水分含量测量和其他残留气体的分析

行业标准-邮电通信，关于半导体氧含量的标准

YD/T 682-1994 通信用半导体整流设备质量分等标准

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体氧含量的标准

GB/T 4702.17-2016 金属铬氧、氮、氢含量的测定惰性气体熔融红外吸收法和热导法
GB/T 30537-2014 超导电性块状高温超导体的测量大晶粒氧化物超导体的俘获磁通密度

四川省标准，关于半导体氧含量的标准

DB51/T 2043-2015 钒铝合金氧、氮含量的测定惰性气体熔融-红外吸收法和热导法

美国电气电子工程师学会，关于半导体氧含量的标准

ANSI/IEEE Std 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的 IEEE 标准定义和表征

行业标准-石油化工，关于半导体氧含量的标准

SH/T 0341-1992 催化剂载体中氧化铝含量测定法

SE-SIS，关于半导体氧含量的标准

SIS SS 18 71 67-1984 固体矿物燃料．测定二氧化碳含量．重量法

行业标准-航天，关于半导体氧含量的标准

QJ 10004-2008 宇航用半导体器件总剂量辐射试验方法

美国通用公司（北美），关于半导体氧含量的标准

GM GM6078M-1989 固体膜润滑剂涂层树脂粘合的金属氧化物半导体和聚四氟乙烯

VN-TCVN，关于半导体氧含量的标准

TCVN 4920-2007 固体矿物燃料.二氧化碳含量的测定.重量法

行业标准-建材，关于半导体氧含量的标准

JC/T 2133-2012 半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 —电感耦合等离子体原子发射光谱法

SAE - SAE International，关于半导体氧含量的标准

SAE AIR1921-1985 使用受控能量水平的火花点火器半导体电阻测量

国际标准化组织，关于半导体氧含量的标准

ISO/TS 17915:2013 光学和光电.传感用半导体激光器测量方法
ISO 991:1976 工业氢氧化钾.碳酸盐含量的测定.气体容量法
ISO 980:1976 工业氢氧化钠.碳酸盐含量的测定.气体容量法
ISO 17915:2018 光学和光子学.传感用半导体激光器测量方法
ISO 925:1980 固体矿物燃料.二氧化碳含量的测定.重量分析法

欧洲标准化委员会，关于半导体氧含量的标准

EN 14756:2006 燃烧气体和蒸气用限制氧含量(LOC)的测定