ZH
RU
EN

grano de medio ancho

grano de medio ancho, Total: 19 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en grano de medio ancho son: Bebidas, Materiales semiconductores, Optoelectrónica. Equipo láser, pruebas de metales, Circuitos integrados. Microelectrónica, Componentes electrónicos en general., Dispositivos semiconductores, Pruebas no destructivas.

Group Standards of the People's Republic of China, grano de medio ancho

T/BJWA 004-2022 Agua potable natural de bajo hercio 17O-NMR FWHM
T/BJWA 005-2022 Determinación de 17O-NMR FWHM en agua Método de RMN
T/IAWBS 017-2022 Método de prueba para el ancho total a la mitad del máximo de curva de oscilación de rayos X de cristal doble de sustrato de cristal único de diamante
T/IAWBS 015-2021 Método de prueba para el ancho total a la mitad del máximo de la curva de oscilación de rayos X de cristal doble del sustrato de cristal único de Ga2O3
T/IAWBS 016-2022 Método de prueba FWHM de curva oscilante de doble cristal de rayos X para oblea única de carburo de silicio

Professional Standard - Electron, grano de medio ancho

SJ 2355.7-1983 Método de medición de la longitud de onda de emisión máxima y el ancho de banda de radiación espectral de dispositivos emisores de luz.
SJ 2658.12-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la longitud de onda de emisión máxima y la mitad del ancho espectral
SJ/T 2658.12-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 12: Longitud de onda de emisión máxima y ancho de banda radiante espectral.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, grano de medio ancho

GB/T 32188-2015 Método de prueba para el ancho total a la mitad del máximo de la curva de oscilación de rayos X de cristal doble del sustrato de cristal único de GaN
GB/T 23413-2009 Determinación del tamaño de los cristalitos y microdeformación de nanomateriales. Método de ampliación de la línea de difracción de rayos X.

International Electrotechnical Commission (IEC), grano de medio ancho

IEC 62435-5:2017 Componentes electrónicos. Almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.

British Standards Institution (BSI), grano de medio ancho

BS EN 62435-5:2017 Componentes electrónicos: almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. - Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.

BE-NBN, grano de medio ancho

NBN A 23-114-1983 BANDES MAGNETIQUES EN ACIER ALLIE A GRAINS NON ORIENTES LAMINEES A FROID ET LIVREES A L'ETAT SEMI-FINI

Association Francaise de Normalisation, grano de medio ancho

NF A04-503:1988 Semiproductos elaborados a partir de aluminio, cobre, níquel y sus aleaciones. Determinación del tamaño de grano. Aluminio y aleaciones de aluminio.
NF A04-505:1988 Semiproductos elaborados a partir de aluminio, cobre, níquel y sus aleaciones. Determinación del tamaño de grano. Níquel y aleaciones de níquel.

Defense Logistics Agency, grano de medio ancho

DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7405, 2N7406, 2N7407 Y 2N7408, JANSD Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7488T3, 2N7489T3 Y 2N7490T3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal P tipo 2N7438 y 2N7439 JANSD y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), canal N, tipos de silicio 2N7497T2, 2N7498T2 y 2N7499T2, JANTXVR y JANSR