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氧 半导体
本专题涉及氧 半导体的标准有357条。
国际标准分类中，氧 半导体涉及到半导体分立器件、集成电路、微电子学、电子元器件综合、阀门、半导体材料、电工和电子试验、光纤通信、电学、磁学、电和磁的测量、航空航天制造用材料、纺织产品、滤波器。
在中国标准分类中，氧 半导体涉及到半导体分立器件综合、半导体三极管、半导体集成电路、、敏感元器件及传感器、电工绝缘材料及其制品、半导体分立器件、阀门、光通信设备、微电路综合、电子测量与仪器综合、航空与航天用金属铸锻材料、计算机应用、基础标准与通用方法、场效应器件、计算机设备。
欧洲电工标准化委员会，关于氧 半导体的标准
- EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
- EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006
美国国防后勤局，关于氧 半导体的标准
- DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 硅单片金属氧化半导体时钟脉冲驱动器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94532-1994 64位微处理器,氧化物半导体微型电路
- DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 硅单片无栅氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
- DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 硅单片128 X 8比特随机存取记忆体,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 硅单片六反相器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 硅单片四重虚拟开关,氧化物半导体微型电路
- DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 硅单片异或门高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 硅单片总线控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 硅单片可调稳压器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 硅单片量值比较器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 硅单片,二维卷积器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 硅单片双重升计数器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 硅单片四重D锁存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 硅单片译码器-解码器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94533-1994 硅单片,32位微处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 硅单块 16X16倍增器互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-06208-2006 硅单片数字信号处理机氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 硅单片,16比特微处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 硅单片时钟发生驱动器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 硅单片3重3输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 硅单片双重4输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 硅单片双重4输入或栅,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 硅单片静态移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 硅单片3重与非门缓冲,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 硅单片六位反相缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89638-1989 硅单片,氧化物半导体电流方式控制器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 硅单片,64位输出相关仪,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94642-1994 硅单片,扩展多功能外围,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 硅单片,同步串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 硅单片,RS232型双重收发器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 硅单片,16位微型控制器,氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92331-1993 硅单片,16X16位坐标变换器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 硅单片,通用串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 硅单片,16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 硅单片,差动总线收发器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 硅单片3-8线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 硅单片可编程间隔计时器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 硅单片可编程序外围接口,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 硅单块 总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-79017-1979 硅单片通用异步接收器/发送器,氧化物半导体微型电路
- DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 硅单片,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 硅单片定点双信息处理器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 硅单片,低功率脉宽调制器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 硅单片,微处理器监督电路,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94537-1994 硅单片,8位记忆处理单元,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 硅单块 真实时钟,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 硅单片,16位可级联运算器,氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 硅单片,锁相环路文件,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
- DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 硅单片沟道金属氧化物半导体中断发生器数字微电路
- DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 硅单片,高性能微型控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 硅单片,四重双向转换开关,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 硅单块 8X8倍增器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 硅单片,12 X 10位矩阵乘数,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 硅单片,两重4输入无门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 硅单片,两重2输入或门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 硅单片,三重3输入与门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 硅单片10-4优先编码器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 硅单片八位锁存总线驱动器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 硅单片四重三态R/S锁存器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77035-1977 4-16行译码器,4比特锁存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77056-1977 六位N沟道开路漏极缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 硅单片12级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 硅单片串联控制器接口,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 硅单片14级二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 硅单片12比特二进制计数器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-03251-2004 硅单片解算器至数字变换器氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94517 REV C-2004 硅单片,宽带增益可变扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 硅单片,8位交流/直流转变器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 硅单块 八进制高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89652-1990 硅单片,四冲双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 硅单片,14位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 硅单片,16位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 硅单片,12位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89695-1990 硅单片,双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92026-1992 硅单块 定点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87744-1987 硅单片1M(64K X 16) BIT,沟道金属氧化物半导体,UVEPROM数字微电路
- DLA SMD-5962-92103-1992 硅单块 浮点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89954 REV A-2007 硅单片,双重同步计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 硅单片,通用异步接收发送器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90543 REV D-2006 硅单片,存储票接存取控制器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 硅单片信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-85528-1986 硅单块 总线调停器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93008-1994 硅单片,16K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93109-1993 硅单片,高集成嵌入式处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 硅单片8 X 8乘数互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 硅单片,96位浮点双口处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 硅单片,32K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 硅单片,12位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 硅单块 互补金属氧化物半导体总线界面直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 硅单片精密定时器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 硅单片,两重4输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84046 REV F-2002 硅单片,两重2输入异或门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 硅单片,两重2输入正与门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85030 REV H-2007 硅单片可编程中断控制器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 硅单片1至64比特移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 硅单片,四重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 硅单片,三重3输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 硅单片,两重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 硅单片,2K X 9先进先出型氧化物半导体,数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 硅单片,4K X 9先进先出型氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 硅单片,视频多路复用器/扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94542-1994 硅单片,32位局域网络协处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94567-1996 硅单片,X 9时控先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 硅单块 八进制总线接收器,互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,万能中断控制器微型电路
- DLA SMD-5962-89665-1989 硅单片,9位宽缓冲寄存器,氧化物半导体高速数字微型电路
- DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 硅单片,双重低功率运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89715 REV B-1998 硅单片,图象重采样序列发生器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
- DLA SMD-5962-89726 REV D-2006 硅单片,I/O扩大的微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 硅单块 多路调制器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 硅单片,EE可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92106-1993 硅单块 地址处理器2,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 硅单片数字数据处理器沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90518 REV A-1992 硅单片,可编程比特速率发生器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88599-1988 硅单片时序控制组件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 硅单片,32位高集成微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 硅单片四方模拟开关互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 硅单片,8-16位并行接口/限时器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 硅单片,四重单刀双投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93182 REV D-2004 硅单片,轨到轨四重运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93255 REV A-2002 硅单片,四重单刀单投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体与非硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96803-1996 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-84090 REV D-2005 硅单片双重三态双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84092 REV D-2002 硅单片双重2至4线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77055 REV B-1981 可再触发可重调单稳多谐振荡器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 硅单片六位D型双稳多谐振荡器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 硅单片,16位微型控制器,沟道金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91513-1993 硅单块 是或倒转门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 硅单片,4K X 9并行同步先进先出,氧化物半导体记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 硅单片,16 X 16位并行多路复用器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 硅单片,一次可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94564-1994 硅单片,24位通用数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 硅单片,8位视频直流/交流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 硅单片,12位高速交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 硅单片,12位直流/交流转变器,双重氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 硅单块 图像系统处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94608-1994 硅单片,12位可级联乘法器加法器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89716 REV B-1996 硅单片,4 X 16-BIT多级廉线寄存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 硅单片,可编程逻辑阵列,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 硅单块 操作放大器,互补金属氧化物半导体,双直线式微型电路
- DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90504 REV C-1997 硅单片,二元滤波器及模板匹配器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88568-1988 硅单片8位微机单一组装沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 硅单片,5000栅可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 可编程陈列4000GATES互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 硅单片处理器接口电路互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-92284-1993 硅单片,精简指令集电脑微处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92305 REV E-2002 硅单片,10000栅可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 硅单片,八位并行互连总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 硅单块 浮点协同处理机,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 硅单片远程终端多协议互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88653-1989 硅单片缓冲收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86032 REV H-2005 硅单块 32比特微处理器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93112-1994 硅单片,可编程低失真时钟缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93124 REV B-2005 硅单片,2K X 9并行先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 硅单片8位互补型金属氧化物半导体闪光转换器线性微电路
- DLA SMD-5962-93138 REV C-2001 硅单片,1K X 8并行同步先进先出,氧化物半导体记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93173-1993 硅单片,512 X 9并行先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93177 REV E-2003 硅单片,16K X 9并行先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-86846 REV C-2001 硅单块 互补金属氧化物半导体64X5平行先进先出,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88758-1991 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 硅单片,双重四重电流反馈扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-86864-1988 可编程逻辑设备互补金属氧化物半导体可擦除数字微型电路
- DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 硅单片总线收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89508-1989 硅单片1/4译码器高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体发生器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 硅单片256 X 4静态记忆体复位沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-84070 REV D-2005 硅单片双重2比特透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77032 REV G-2005 硅单片4-16行译码器,4比特锁存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-81024 REV F-2005 硅单片4096比特静态随机存取存储器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84093 REV F-2006 硅单片双重4通道多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84100 REV E-2005 硅单片双重4比特二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91532 REV C-2004 硅单块 稳压器,低功率双互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89630 REV A-2001 硅单片,双重氧化物半导体可兼容差动线路接收器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94573 REV B-1996 硅单片,分布统计器/累积缓冲器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 硅单片,8位TTL/BTL寄存的收发器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 硅单块 互补金属氧化物半导体,可兼容时间钟,微处理器微型电路
- DLA SMD-5962-89707-1989 硅单片,同步复位二-十进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87685-1987 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,8比特微处理器芯片,微型电路
- DLA SMD-5962-92009 REV B-1995 硅单块 VME总线地址控制器,互补金属氧化物半导体,,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92010 REV B-2001 硅单块 VME总线地址控制器,互补金属氧化物半导体,,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87723-1987 硅单块 13输入是非门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92093 REV C-2005 硅单块 操作放大器,互补金属氧化物半导体,四列直线式微型电路
- DLA SMD-5962-92104-1993 硅单块 地址处理器1,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-87805 REV A-2005 硅单片双多谐振荡器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88566 REV C-1994 硅单片双异步接收器/发送器沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93128 REV A-1995 硅单片,256K X 1静态随机存取存储器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86809 REV C-2004 硅单块 16比特微控制器N沟道金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88740 REV D-2007 硅单片2K X 8静态RAM 互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 128K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合微型电路
- DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 硅单片,可擦除程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-86824 REV A-1987 硅单块 4比特计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90864 REV A-1993 硅单块 高速互补金属氧化物半导体多功能边缘的数字微型电路
- DLA SMD-5962-93187 REV L-2007 128K X 32位静态随机存取存储器,氧化物半导体数字混合微型电路
- DLA SMD-5962-93196-1994 硅单片,低失真锁相环路时钟驱动器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 硅单片16位片状微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93221 REV A-2007 硅单片,4000栅场致程序逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89546-1989 硅单片可编程同步状态机互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 互补金属氧化物半导体微功率定相锁环硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96683-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体4BIT位运算硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 128K X 8-BIT数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 四重互补金属氧化物半导体线路激励器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-84056 REV E-2002 硅单片D型双重双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84091 REV F-2002 硅单片六位反相施密特触发电路,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77031 REV A-1979 14阶行波进位计数器/驱动器及振动器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-81006 REV J-2005 硅单片装有驱动器的高电平模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-83013 REV D-1995 硅单片中央处理机的8比特微处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93262 REV D-2006 硅单片,6位动画文件交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-91605-1992 硅单块 平行D允许登记,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94556 REV B-2004 硅单片,氧化物半导体RF/视频信号倍增器/信号分离器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-87611 REV D-2006 硅单块 三倍三输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87614 REV G-2007 硅单块 四列二输入或门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87615 REV E-2007 硅单块 四列二输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89661-1989 硅单片,可级联64 X 9先进先出式,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89664 REV B-2007 硅单片,可级联64 X 8先进先出式,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-87623 REV B-2004 硅单块 双1选4译码器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 硅单片,TTL可兼容输入,六位倒相器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 互补金属氧化物半导体,双重单刀单掷(开关)硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87713 REV A-1991 硅单块 系列控制器多协议高性能金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87722 REV A-2005 硅单块 三倍三输出或门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87734 REV B-1992 硅单片准备接口时钟发生器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89777 REV C-2007 硅单片,8位交流/直流动画文件转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-92057-1993 硅单块 1KX18平行先进先出,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-92101 REV A-1995 硅单块 512X18平行先进先出,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89942 REV A-1993 硅单片,2K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89943 REV A-1994 硅单片,4K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89971-1992 硅单片,远程通用外围接口,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92201 REV A-2003 硅单片,9位奇偶发生器/校验器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94734-1995 16 MEG X 1 DRAM数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88574 REV A-1994 硅单片H互补型金属氧化物半导体8位输入或无通道数字微电路
- DLA SMD-5962-88576 REV A-2005 硅单片双4输入和通道超速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90553 REV A-2006 硅单片,8位同步二进降值计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90557 REV B-2003 硅单片,双重准确单稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88628 REV E-2007 硅单片总线控制器远程终端互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 紫外线擦除可编程逻辑器件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86009 REV C-1991 硅单块 高速互补金属氧化物半导体,双二进制计数器数字微型电路
- DLA SMD-5962-86012 REV C-2005 硅单块 七态波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88713 REV A-2006 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 硅单片,电可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90901-1992 硅单块 八进制记名的收发器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-93189 REV C-1995 硅单片,4K X 18并行同步先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-86862 REV B-1989 硅单块 万能移位寄存器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89481 REV A-2004 硅单片12位乘法D/A转换器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89497 REV B-2006 硅单片256K X 4 视频内存互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 硅单片56位数字信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89514 REV A-2006 硅单片并行输入/输出控制器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93249 REV B-2006 硅单片,512 X 9并行同步先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89532 REV C-2006 硅单片双异步接收器/发送器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89536 REV F-2006 硅单片1K X 9先进先出互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89552 REV A-1997 硅单片四方D型触发器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重与非门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 抗辐射互补金属氧化物半导体母线控制器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 互补金属氧化物半导体,超电压防护多路器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96786-1996 8-BIT双向互补金属氧化物半导体或转换器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95715-1996 数字的互补金属氧化物半导体时钟驱动器硅单片电路线型微电路
英国标准学会，关于氧 半导体的标准
- BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
- BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
- 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
- 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
- BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
- BS ISO 17299-5:2014 纺织品 除臭剂性能的测定 金属氧化物半导体传感器方法
法国标准化协会，关于氧 半导体的标准
- NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
- NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验
- NF EN 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
国际电工委员会，关于氧 半导体的标准
- IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
- IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
丹麦标准化协会，关于氧 半导体的标准
- DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
- DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试
德国标准化学会，关于氧 半导体的标准
- DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
- DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
- DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
ES-UNE，关于氧 半导体的标准
- UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
- UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
中国团体标准，关于氧 半导体的标准
- T/CECA 35-2019 金属氧化物半导体气体传感器
- T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
- T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
立陶宛标准局，关于氧 半导体的标准
- LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
- LST EN 62373-2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试（IEC 62373:2006）
行业标准-电子，关于氧 半导体的标准
- SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
- SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
- SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
- SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
国家质检总局，关于氧 半导体的标准
- GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范
- GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
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- ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63320 A-1981 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48632-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48634-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
- ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
- ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63321 A-1981 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A-1981 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
PH-BPS，关于氧 半导体的标准
- PNS IEC 62373-1:2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验
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美国电气电子工程师学会，关于氧 半导体的标准
- ANSI/IEEE Std 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的 IEEE 标准定义和表征
美国通用公司（北美），关于氧 半导体的标准
- GM GM6078M-1989 固体膜润滑剂涂层树脂粘合的金属氧化物半导体和聚四氟乙烯
国际标准化组织，关于氧 半导体的标准
- ISO 17299-5:2014 纺织品. 除臭性能的测定. 第5部分: 金属氧化物半导体传感器法
工业和信息化部，关于氧 半导体的标准
- SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
