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transportador
transportador, Total: 58 artículos.
En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en transportador son: pruebas de metales, Dispositivos semiconductores, Materiales semiconductores, Metales no ferrosos, químicos inorgánicos, Fluidos aislantes, ingeniería de energía nuclear, ingeniería de energía solar, Química analítica.
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, transportador
- GB/T 8757-1988 Determinación de la concentración de portadores en arseniuro de galio mediante el mínimo de resonancia plasmática
- GB/T 8757-2006 Determinación de la concentración de portadores en arseniuro de galio mediante el mínimo de resonancia plasmática
- GB/T 36705-2018 Método de prueba para la concentración de portadores de sustratos de nitruro de galio: método del espectro Raman
- GB/T 11068-1989 Capa epitaxial de arseniuro de galio. Determinación de la concentración de portador. Método de voltaje-capacitancia.
- GB/T 14146-1993 Capas epitaxiales de silicio--Determinación de la concentración de portadores--Sonda de mercurio Método de valtage-capacitancia
- GB/T 11068-2006 Capa epitaxial de arseniuro de galio. Determinación del método de capacitancia-voltaje de concentración de portadores
- GB/T 14146-2009 Capas epitaxiales de silicio-determinación de la concentración de portadores-voltajes de sonda de mercurio-método de capacitancia
- GB 11068-1989 Método de medición de voltaje-capacitancia de concentración de portador de capa epitaxial de GaAs
- GB/T 1553-1997 Métodos de prueba estándar para la vida útil de los portadores minoritarios en germanio y silicio a granel mediante la medición de la decadencia de la fotoconductividad
- GB/T 1553-2009 Métodos de prueba para determinar la vida útil de los portadores minoritarios en germanio y silicio a granel mediante la medición de la decadencia de la fotoconduividad.
- GB/T 1553-2023 Determinación de la vida útil de los portadores minoritarios en silicio y germanio mediante el método de desintegración de la fotoconductividad
- GB/T 26068-2010 Método de prueba para determinar la vida útil de la recombinación de portadores en obleas de silicio mediante medición sin contacto de la decadencia de la fotoconductividad mediante reflectancia de microondas
- GB/T 42907-2023 Método de inducción por corrientes de Foucault sin contacto para probar la vida útil de la recombinación de portadores en desequilibrio en lingotes, bloques y obleas de silicio
- GB/T 26068-2018 Medición de la vida útil de la recombinación del portador de lingotes y obleas de silicio Método de desintegración de la fotoconductividad por reflexión de microondas sin contacto
- GB/T 14863-2013 Método para la densidad neta de portadores en capas epitaxiales de silicio mediante capacitancia de voltaje de diodos activados y no activados
- GB/T 14863-1993 Método de prueba estándar para la densidad neta de portadores en capas equitaxiales de silicio mediante capacitancia de voltaje de diodos activados y no activados
Association Francaise de Normalisation, transportador
Danish Standards Foundation, transportador
ES-UNE, transportador
- UNE-EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayo de portadora caliente en transistores MOS (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
German Institute for Standardization, transportador
- DIN EN 62416:2010-12 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS (IEC 62416:2010); Versión alemana EN 62416:2010
- DIN 50440:1998 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Medición de la vida útil del portador en monocristales de silicio - Vida útil del portador de recombinación con baja inyección mediante el método de fotoconductividad
- DIN EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS (IEC 62416:2010); Versión alemana EN 62416:2010
- DIN IEC/TS 62607-5-1:2016-07*DIN SPEC 42607-5-1:2016-07 Nanofabricación - Características de control clave - Parte 5-1: Dispositivos nanoelectrónicos/orgánicos de película delgada - Mediciones de transporte de portadores (IEC/TS 62607-5-1:2014)
- DIN V VDE V 0126-18-4-1:2007 Obleas solares - Parte 4-1: Proceso para medir las características eléctricas de las obleas de silicio - Vida útil de los portadores minoritarios, método de medición en línea
- DIN V VDE V 0126-18-4-2:2007 Obleas solares - Parte 4-2: Proceso para medir las características eléctricas del silicio - Vida útil de los portadores minoritarios, método de medición de laboratorio
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, transportador
- GB/T 14146-2021 Método de prueba para la concentración de portadores de capas epitaxiales de silicio: método de capacitancia-voltaje
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), transportador
- JIS H 0603:1978 Medición de la vida útil de los portadores minoritarios en germanio mediante el método de desintegración fotoconductora.
- JIS H 0604:1995 Medición de la vida útil de los portadores minoritarios en monocristales de silicio mediante el método de desintegración fotoconductora
Professional Standard - Electron, transportador
- SJ 2757-1987 Método de medición por reflexión infrarroja de la concentración de portadores de carga en semiconductores fuertemente dopados.
- SJ 3248-1989 Métodos para medir la concentración de portadores de arseniuro de galio y fosfuro de indio añadidos mediante reflexión infrarroja
- SJ 3244.1-1989 Métodos de medición de la movilidad del pasillo y la concentración de portadores de arseniuro de galio y fosfuro de indio.
- SJ 3244.4-1989 Métodos de medición para la distribución del perfil de la concentración de portadores de materiales de arseniuro de galio y fosfuro de indio - Método de capacitancia de voltaje electroquímico
Lithuanian Standards Office , transportador
- LST EN 62416-2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS (IEC 62416:2010)
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), transportador
- KS D 0265-1989(2019) Medición de la vida útil de los portadores minoritarios en germanio mediante el método de desintegración fotoconductora.
- KS D 0257-2002(2017) Medición de la vida útil de la minoría - portador en un monocristal de silicio mediante el método de desintegración fotoconductora
- KS D 0257-2002(2022) Medición de la vida útil de la minoría - portador en un monocristal de silicio mediante el método de desintegración fotoconductora
- KS D 0265-1989 Medición de la vida útil de los portadores minoritarios en germanio mediante el método de desintegración fotoconductora.
- KS D 0257-2002 Medición de la vida útil de la minoría - portador en un monocristal de silicio mediante el método de desintegración fotoconductora
Xinjiang Provincial Standard of the People's Republic of China, transportador
- DB65/T 3485-2013 Método de medición de la vida útil del portador minoritario de un bloque de polisilicio de grado solar
American Society for Testing and Materials (ASTM), transportador
- ASTM F28-91(1997) Métodos de prueba estándar para la vida útil de los portadores minoritarios en germanio y silicio a granel mediante la medición de la degradación de la fotoconductividad
- ASTM F1393-92(1997) Método de prueba estándar para determinar la densidad neta del portador en obleas de silicio mediante mediciones del perfilador de retroalimentación Miller con una sonda de mercurio
- ASTM F1392-00 Método de prueba estándar para determinar perfiles de densidad de portadora neta en obleas de silicio mediante mediciones de capacitancia-voltaje con una sonda de mercurio
- ASTM F398-92(1997) Método de prueba estándar para la concentración de portadores mayoritarios en semiconductores mediante la medición del número de onda o la longitud de onda de la resonancia mínima del plasma
- ASTM F391-96 Métodos de prueba estándar para la longitud de difusión de portadores minoritarios en semiconductores extrínsecos mediante la medición de fotovoltaje superficial en estado estacionario
Group Standards of the People's Republic of China, transportador
- T/CASAS 026-2023 Método de prueba para determinar la vida útil de los portadores minoritarios en carburo de silicio: desintegración fotoconductora por microondas
- T/IAWBS 003-2017 Determinación de la concentración de portador en la capa epitaxial de SiC_Método de capacitancia-voltaje de la sonda de mercurio
RU-GOST R, transportador
- GOST 18986.7-1973 Diodos semiconductores. Métodos para medir el tiempo de vida.
- GOST 27235-1987 Preparaciones radioactivas. Cloruro de cobalto 57 sin carrera producido en ciclotrón. Requisitos
British Standards Institution (BSI), transportador
- BS EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
- PD IEC TS 62607-5-3:2020 Nanofabricación. Características clave de control. Dispositivos nanoelectrónicos orgánicos/de película fina. Medidas de concentración de portadores de carga.
工业和信息化部, transportador
- YS/T 679-2018 Método de fotovoltaje de superficie para medir la longitud de difusión de portadores minoritarios en semiconductores extrínsecos
CZ-CSN, transportador
- CSN 40 4120-1986 Sustancias radioactivas. Cloruro de [57Co]cobalto(II), producido en ciclotrón, sin portadores. Requerimientos técnicos.
Professional Standard - Non-ferrous Metal, transportador
- YS/T 679-2008 Métodos de prueba para la longitud de difusión de portadores minoritarios en semiconductores extrínsecos mediante la medición del fotovoltaje superficial en estado estacionario
International Electrotechnical Commission (IEC), transportador
- IEC TS 62607-6-16:2022 Nanofabricación. Características clave de control. Parte 6-16: Materiales bidimensionales. Concentración de portadores: método del transistor de efecto de campo.
- IEC TS 62607-5-3:2020 Nanofabricación - Características de control clave - Parte 5-3: Dispositivos nanoelectrónicos/orgánicos de película delgada - Mediciones de la concentración de portadores de carga
IEC - International Electrotechnical Commission, transportador
- TS 62607-5-1-2014 Nanofabricación – Características de control clave – Parte 5-1: Dispositivos electrónicos orgánicos de película delgada – Mediciones de transporte de portadores (Edición 1.0)
International Organization for Standardization (ISO), transportador
- ISO/WD TR 23683:2023 Análisis químico de superficies: microscopía con sonda de barrido. Directrices para la cuantificación experimental de la concentración de portadores en dispositivos semiconductores mediante microscopía con sonda de barrido eléctrica.