ZH
RU
EN

concentración de portador

concentración de portador, Total: 21 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en concentración de portador son: pruebas de metales, químicos inorgánicos, Fluidos aislantes, Materiales semiconductores, Química analítica.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, concentración de portador

GB/T 8757-1988 Determinación de la concentración de portadores en arseniuro de galio mediante el mínimo de resonancia plasmática
GB/T 8757-2006 Determinación de la concentración de portadores en arseniuro de galio mediante el mínimo de resonancia plasmática
GB/T 36705-2018 Método de prueba para la concentración de portadores de sustratos de nitruro de galio: método del espectro Raman
GB/T 11068-1989 Capa epitaxial de arseniuro de galio. Determinación de la concentración de portador. Método de voltaje-capacitancia.
GB/T 14146-1993 Capas epitaxiales de silicio--Determinación de la concentración de portadores--Sonda de mercurio Método de valtage-capacitancia
GB/T 11068-2006 Capa epitaxial de arseniuro de galio. Determinación del método de capacitancia-voltaje de concentración de portadores
GB/T 14146-2009 Capas epitaxiales de silicio-determinación de la concentración de portadores-voltajes de sonda de mercurio-método de capacitancia
GB 11068-1989 Método de medición de voltaje-capacitancia de concentración de portador de capa epitaxial de GaAs
GB/T 14863-2013 Método para la densidad neta de portadores en capas epitaxiales de silicio mediante capacitancia de voltaje de diodos activados y no activados
GB/T 14863-1993 Método de prueba estándar para la densidad neta de portadores en capas equitaxiales de silicio mediante capacitancia de voltaje de diodos activados y no activados

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, concentración de portador

GB/T 14146-2021 Método de prueba para la concentración de portadores de capas epitaxiales de silicio: método de capacitancia-voltaje

Professional Standard - Electron, concentración de portador

SJ 2757-1987 Método de medición por reflexión infrarroja de la concentración de portadores de carga en semiconductores fuertemente dopados.
SJ 3248-1989 Métodos para medir la concentración de portadores de arseniuro de galio y fosfuro de indio añadidos mediante reflexión infrarroja
SJ 3244.1-1989 Métodos de medición de la movilidad del pasillo y la concentración de portadores de arseniuro de galio y fosfuro de indio.
SJ 3244.4-1989 Métodos de medición para la distribución del perfil de la concentración de portadores de materiales de arseniuro de galio y fosfuro de indio - Método de capacitancia de voltaje electroquímico

Group Standards of the People's Republic of China, concentración de portador

T/IAWBS 003-2017 Determinación de la concentración de portador en la capa epitaxial de SiC_Método de capacitancia-voltaje de la sonda de mercurio

British Standards Institution (BSI), concentración de portador

PD IEC TS 62607-5-3:2020 Nanofabricación. Características clave de control. Dispositivos nanoelectrónicos orgánicos/de película fina. Medidas de concentración de portadores de carga.

International Electrotechnical Commission (IEC), concentración de portador

IEC TS 62607-6-16:2022 Nanofabricación. Características clave de control. Parte 6-16: Materiales bidimensionales. Concentración de portadores: método del transistor de efecto de campo.
IEC TS 62607-5-3:2020 Nanofabricación - Características de control clave - Parte 5-3: Dispositivos nanoelectrónicos/orgánicos de película delgada - Mediciones de la concentración de portadores de carga

American Society for Testing and Materials (ASTM), concentración de portador

ASTM F398-92(1997) Método de prueba estándar para la concentración de portadores mayoritarios en semiconductores mediante la medición del número de onda o la longitud de onda de la resonancia mínima del plasma

International Organization for Standardization (ISO), concentración de portador

ISO/WD TR 23683:2023 Análisis químico de superficies: microscopía con sonda de barrido. Directrices para la cuantificación experimental de la concentración de portadores en dispositivos semiconductores mediante microscopía con sonda de barrido eléctrica.