ZH
RU
EN

medio ancho y veta

medio ancho y veta, Total: 18 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en medio ancho y veta son: Optoelectrónica. Equipo láser, Circuitos integrados. Microelectrónica, Componentes electrónicos en general., pruebas de metales, Dispositivos semiconductores.

Professional Standard - Electron, medio ancho y veta

• SJ 2355.7-1983 Método de medición de la longitud de onda de emisión máxima y el ancho de banda de radiación espectral de dispositivos emisores de luz.
• SJ 2658.12-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la longitud de onda de emisión máxima y la mitad del ancho espectral
• SJ/T 2658.12-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 12: Longitud de onda de emisión máxima y ancho de banda radiante espectral.

International Electrotechnical Commission (IEC), medio ancho y veta

• IEC 62435-5:2017 Componentes electrónicos. Almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.

British Standards Institution (BSI), medio ancho y veta

• BS EN 62435-5:2017 Componentes electrónicos: almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. - Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.

Association Francaise de Normalisation, medio ancho y veta

• NF A04-503:1988 Semiproductos elaborados a partir de aluminio, cobre, níquel y sus aleaciones. Determinación del tamaño de grano. Aluminio y aleaciones de aluminio.
• NF A04-505:1988 Semiproductos elaborados a partir de aluminio, cobre, níquel y sus aleaciones. Determinación del tamaño de grano. Níquel y aleaciones de níquel.

Defense Logistics Agency, medio ancho y veta

• DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7405, 2N7406, 2N7407 Y 2N7408, JANSD Y JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7488T3, 2N7489T3 Y 2N7490T3, JANTXVR Y JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal P tipo 2N7438 y 2N7439 JANSD y JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), canal N, tipos de silicio 2N7497T2, 2N7498T2 y 2N7499T2, JANTXVR y JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
• DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal N tipos 2N7512, 2N7513 y 2N7514 JANTXVD, R y JANSD, R
• DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal N, tipos 2N7509, 2N7510 y 2N7511, JANTXVD, R y JANSD, R
• DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal PC, silicio, varios tipos, JANHC y JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/747-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO, TIPO 2N7504T2, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVG, JANTXVH, JANSF, JANSG, JANSR Y JANSH
• DLA MIL-PRF-19500/739-2006 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR CUÁDRUPLE, CANAL N Y CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7518 Y 2N7518U, JANTXVR, F Y JANSR, F
• DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), canal N, silicio, tipos 2N7494U5, 2N7495U5 y 2N7496U5, JANTXVR, F, G y H, y JANSR, F, G y H

Otros:   Ancho de medio pico y tamaño de grano., Tamaño de grano de medio ancho, Tamaño de grano de medio ancho, Ancho de medio pico y tamaño de grano., Tamaño de grano medio pico, Tamaño de grano y ancho de medio pico., grano de medio ancho, medio ancho y veta, Tamaño de grano medio ancho, ancho de medio pico y ancho de pico completo, Ancho de medio pico y tamaño de grano., Ancho de medio pico y tamaño de grano., grano medio pico, Tamaño de grano de medio ancho, Medio ancho y z, Cómo convertir el ancho de pico y el ancho de medio pico, Ancho de medio pico y tamaño de grano., Tamaño de grano de medio ancho, Cromatografía de gases con ancho de medio pico y, Tamaño de grano y ancho de medio pico..