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Fotodiodo clasificado

Fotodiodo clasificado, Total: 448 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Fotodiodo clasificado son: Optoelectrónica. Equipo láser, Dispositivos semiconductores, Dispositivos de visualización electrónica., Vocabularios, Lámparas y equipos relacionados., Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Componentes electrónicos en general., Comunicaciones de fibra óptica., Circuitos impresos y placas., Ingeniería de audio, vídeo y audiovisual., Difusión de radio y televisión, ingeniería de energía nuclear, ingeniería de energía solar, Pequeña embarcación, tubos electronicos, Odontología, Gas natural, Accesorios electricos, Pruebas eléctricas y electrónicas., Pilas y baterías galvánicas., Cerámica.

Professional Standard - Military and Civilian Products, Fotodiodo clasificado

WJ 2100-2004 Método de prueba para fotodiodos de silicio y fotodiodos de avalancha de silicio.
WJ 2506-1998 Reglamento de verificación para el probador dinámico de fotodiodos
WJ 2265-1995 Especificaciones para fotodiodos de avalancha de silicio preamplificados

ES-UNE, Fotodiodo clasificado

UNE-EN 120005:1992 BDS: FOTODIODOS, Matrices de fotodiodos (NO DESTINADOS A APLICACIONES DE FIBRA ÓPTICA). (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)
UNE-EN 120001:1992 BDS: DIODOS EMISORES DE LUZ, MATRICES DE DIODOS EMISORES DE LUZ, DISPLAYS DE DIODOS EMISORES DE LUZ SIN LÓGICA INTERNA Y RESISTENCIA. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)
UNE-EN 120006:1992 BDS: PIN-FOTODIODOS PARA APLICACIONES DE FIBRA ÓPTICA. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)
UNE-EN 120004:1992 BDS: FOTOACOPLADORES AMBIENTE CON SALIDA A FOTOTRANSISTORES. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)
UNE-EN 62504:2015/A1:2018 Iluminación general - Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados - Términos y definiciones
UNE-EN IEC 60700-3:2023 Válvulas de tiristores para transmisión de energía en corriente continua de alta tensión (HVDC) - Parte 3: Clasificaciones (valores límite) esenciales y características (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en febrero de 2023.)
UNE-EN IEC 62149-12:2023 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica - Estándares de rendimiento - Parte 12: Dispositivo de diodo láser de retroalimentación distribuida para sistemas de radio analógica sobre fibra (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en mayo de 2023.)

German Institute for Standardization, Fotodiodo clasificado

DIN EN 120005:1996 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica); Versión alemana EN 120005:1992
DIN EN 120005:1996-11 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica); Versión alemana EN 120005:1992
DIN EN 120001:1993-06 Especificaciones detalladas en blanco: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia; Versión alemana EN 120001:1992
DIN EN 120001:1993 Especificaciones detalladas en blanco: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia; Versión alemana EN 120001:1992
DIN IEC 62088:2002-09 Instrumentación nuclear. Fotodiodos para detectores de centelleo. Procedimientos de prueba (IEC 62088:2001).
DIN EN 62341-6-1:2011-07 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos (IEC 62341-6-1:2009); Versión alemana EN 62341-6-1:2011
DIN EN 62504:2018-11 Iluminación general - Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados - Términos y definiciones (IEC 62504:2014 + A1:2018); Versión alemana EN 62504:2014 + A1:2018 / Nota: DIN EN 62504 (2015-06) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2021-04-17.
DIN EN 62384:2007 Equipo de control electrónico suministrado en CC o CA para módulos LED - Requisitos de rendimiento (IEC 62384:2006); Versión alemana EN 62384:2006
DIN 49406-2:1989 Enchufes bipolares para aparatos clase II de 10 A 250 V dc, 16 A 250 V ac, a prueba de salpicaduras
DIN IEC 62088:2002 Instrumentación nuclear. Fotodiodos para detectores de centelleo. Procedimientos de prueba (IEC 62088:2001).
DIN EN 120004:1997-02 Especificación detallada en blanco: Fotoacopladores con clasificación ambiental con salida de fototransistor; Versión alemana EN 120004:1992
DIN 40742:1999 Baterías de plomo-ácido - Baterías estacionarias reguladas por válvula con placas tubulares positivas y electrolito inmovilizado - Capacidades nominales, dimensiones principales, pesos
DIN EN 62384:2010 Equipo de control electrónico suministrado en CC o CA para módulos LED - Requisitos de rendimiento (IEC 62384:2006 + A1:2009); Versión alemana EN 62384:2006 + A1:2009
DIN 40736-1:1992 Baterías de plomo ácido; células estacionarias con placas tubulares positivas; celdas en contenedores de plástico; capacidades nominales, dimensiones principales, pesos
DIN 40736-2:1992 Baterías de plomo ácido; células estacionarias con placas tubulares positivas; celdas en contenedores de goma dura; capacidades nominales, dimensiones principales, pesos
DIN EN 61347-2-13:2007 Equipo de control de lámpara - Parte 2-13: Requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados con CC o CA para módulos LED (IEC 61347-2-13:2006); Versión alemana EN 61347-2-13:2006
DIN EN 62595-2:2013 Unidad de retroiluminación LCD - Parte 2: Métodos de medición electroóptica de la unidad de retroiluminación LED (IEC 62595-2:2012); Versión alemana EN 62595-2:2013
DIN EN 62341-6-1:2011 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos (IEC 62341-6-1:2009); Versión alemana EN 62341-6-1:2011
DIN EN 62504:2015 Iluminación general - Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados - Términos y definiciones (IEC 62504:2014); Versión alemana EN 62504:2014
DIN 40744:1999 Baterías de plomo-ácido - Baterías estacionarias reguladas por válvula con placas tubulares positivas y electrolito inmovilizado en contenedores monobloque de plástico - Capacidades nominales, dimensiones principales, pesos

European Standard for Electrical and Electronic Components, Fotodiodo clasificado

CECC 50 008- 004 Diodo rectificador de clasificación ambiental (En)
CECC 50 008- 005 Diodo rectificador de clasificación ambiental (En)
EN 120005:1992 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
EN 120001:1992 Especificación detallada en blanco; diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
CECC 50 008- 014 UTE C 86-818/014; Diodos rectificadores con clasificación ambiental (Fr)
EN 120006:1992 Especificación detallada en blanco: fotodiodos PIN para aplicaciones de fibra óptica
CECC 50 001- 059 ISSUE 2 BS CECC 50 001-059; Diodo de conmutación de silicio con clasificación ambiental en encapsulación de vidrio (En)
CECC 50 001- 065 BS CECC 50 001-065 Edición 1; Par de diodos de conmutación de alta velocidad con clasificación ambiental de silicio (cátodo común) en encapsulación de plástico (En)
CECC 20 004- 001 ED 1-1984 UTE C 86-504; Fotoacopladores de clasificación ambiental con salida de fototransistor (Fr)
CECC 50 009- 023 ISSUE 1-1980 BS CECC 50 009-023; Diodo rectificador de silicio con clasificación de caja de avalancha controlada; 48 amperios 600 a 1400 V; montado en perno; Sellado Herméticamente (Es)

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Fotodiodo clasificado

JEDEC JESD211-2009 Pruebas de verificación y caracterización de diodos Zener y reguladores de voltaje
JEDEC JESD51-51-2012 Implementación del Método de Prueba Eléctrica para la Medición de Resistencia Térmica Real e Impedancia de Diodos Emisores de Luz con Enfriamiento Expuesto
JEDEC JESD4-1983 Definición de distancias de fuga y espacio libre externo de paquetes de semiconductores discretos para tiristores y diodos rectificadores

Association Francaise de Normalisation, Fotodiodo clasificado

NF EN 120005:1992 Especificación de marco especial: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica}
NF C93-120-005*NF EN 120005:1992 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
NF EN 120001:1992 Especificación marco particular: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin resistencia ni circuitos lógicos internos
NF C93-120-001*NF EN 120001:1992 Especificaciones detalladas en blanco: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
NF C96-551/A2:1981 Optoelectrónicos Diodos emisores de luz Optoacopladores Hojas de artículos relevantes
NF C96-551/A3:1981 Optoelectrónicos Diodos emisores de luz Optoacopladores Hojas de artículos relevantes
NF C86-502:1983 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de infrarrojos, matrices de diodos emisores de infrarrojos.
NF C93-872:1987 Receptores digitales con fotodiodo pin.
NF C86-501:1983 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz.
NF C86-505:1986 Dispositivos semiconductores. Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Fotodiodos. Matrices de fotodiodos. Especificación de detalle en blanco CECC 20 005.
NF EN 62341-6-1:2011 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
NF C96-565-2*NF EN 62595-2:2013 Unidad de retroiluminación LCD - Parte 2: métodos de medición electroóptica de la unidad de retroiluminación LED
NF C71-504*NF EN 62504:2014 Iluminación general - Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados - Términos y definiciones
NF C71-504/A1*NF EN 62504/A1:2018 Iluminación general - Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados - Términos y definiciones
NF EN 62504:2014 Iluminación general - Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados - Términos y definiciones
NF EN 62504/A1:2018 Iluminación general - Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados - Términos y definiciones
NF C71-305*NF EN 62384:2006 Equipos de control electrónicos suministrados en CC o CA para módulos LED - Requisitos de rendimiento.
NF C93-120-004*NF EN 120004:1992 Especificación detallada en blanco: fotoacopladores con clasificación ambiental y salida de fototransistor
NF C96-541-6-1*NF EN 62341-6-1:2011 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
NF EN IEC 63286:2022 Paneles flexibles de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) para iluminación general: requisitos de rendimiento
NF C71-251*NF EN 62560:2013 Lámparas LED con balasto automático para servicios de iluminación general para tensión > 50 V - Especificaciones de seguridad
NF C86-819/A2:1984 Componentes electrónicos Diodos rectificadores con caja nominal Manual de especificaciones detalladas en el ámbito de las normas francesas NF C 86-010 y NF C 86-819 (CECC 50 000 - CECC 50 009)
NF EN IEC 60700-3:2023 Válvulas de tiristor para transmisión de energía en corriente continua de alto voltaje (HVDC) - Parte 3: valores nominales (valores límite) y características esenciales
NF C71-247-13:2006 Equipo de control de lámpara - Parte 2-13: requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados con CC para módulos LED con suministro de CA.
NF C71-247-13*NF EN 61347-2-13:2014 Equipo de control de lámpara - Parte 2-13: requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados con CC o CA para módulos LED
NF EN IEC 62149-12:2023 Componentes y dispositivos activos fibrónicos. Normas de rendimiento. Parte 12: dispositivo de diodo láser de retroalimentación distribuida para sistemas de radio analógicos sobre fibra.
NF C86-506:1986 Dispositivos semiconductores. Sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos fotodiodos pin para aplicaciones de fibra óptica. Especificación detallada en blanco.
NF C32-500*NF EN 50143:2009 Cables para instalaciones de señales y tubos descargadores luminosos que funcionen con una tensión nominal de salida en vacío superior a 1 000 V pero inferior o igual a 10 000 V

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Fotodiodo clasificado

KS C 7103-2005(2020) Pantalla de diodo emisor de luz orgánica (OLED): clasificaciones y características esenciales
KS C 7103-2005 Pantalla de diodo emisor de luz orgánica (OLED): clasificaciones y características esenciales
KS C 6990-2001 Reglas generales de fotodiodos para transmisión por fibra óptica.
KS C 6905-2001 Reglas generales de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
KS C 6991-2001 Métodos de prueba de fotodiodos para transmisión por fibra óptica.
KS C 6906-2001 Métodos de prueba de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
KS C 6990-2013 REGLAS GENERALES DE FOTODIODOS PARA TRANSMISIÓN POR FIBRA ÓPTICA
KS C 6991-2013 MÉTODOS DE PRUEBA DE FOTODIODOS PARA TRANSMISIÓN POR FIBRA ÓPTICA
KS C 7121-1990 Métodos de medición para diodos emisores de luz (para indicación)
KS C 6990-2001(2011) REGLAS GENERALES DE FOTODIODOS PARA TRANSMISIÓN POR FIBRA ÓPTICA
KS C 6991-2001(2011) MÉTODOS DE PRUEBA DE FOTODIODOS PARA TRANSMISIÓN POR FIBRA ÓPTICA
KS C IEC 60747-2-2-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corriente
KS C IEC 60747-2-2-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corriente
KS C IEC 60747-2-1-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A
KS C IEC 60747-2-1-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A
KS P ISO 10650-2-2009(2014) Odontología－Activadores de polimerización motorizados－Parte 2: Lámparas de diodos emisores de luz (LED)
KS C IEC 62341-6-1:2020 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
KS C IEC 62504:2020 Iluminación general. Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados. Términos y definiciones.
KS C IEC 62384:2011 Equipo de control electrónico suministrado por CC o CA para módulos LED: requisitos de rendimiento
KS C IEC 60747-7-2-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de baja frecuencia
KS C IEC 62341-6:2007 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) －Parte 6: Métodos de medición
KS C IEC TS 62972:2018 Iluminación general. Productos de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) y equipos relacionados. Términos y definiciones.
KS C IEC 60747-2-2:2006 Dispositivos semiconductores-Dispositivos discretos-Parte 2: Diodos rectificadores-Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A
KS C IEC 60747-2-1:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A
KS C IEC 61347-2-13:2011 Equipo de control de lámpara－Parte 2-13: Requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados con CC o CA para módulos LED
KS C IEC 60747-6-2-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 6: Tiristores －Sección dos: Especificación detallada en blanco para tiristores de triodo bidireccionales (triacs), ambientales o de caja, hasta 100 A
KS C IEC 60747-6-2-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 6: Tiristores －Sección dos: Especificación detallada en blanco para tiristores de triodo bidireccionales (triacs), ambientales o de caja, hasta 100 A

SE-SIS, Fotodiodo clasificado

SIS SS CECC 20005-1988 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
SIS SS-CECC 20001-1991 Especificación detallada en blanco: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
SIS SS-CECC 50009-1991 Especificación detallada en blanco: diodos rectificadores con clasificación de caja
SIS SS-CECC 50008-1991 Especificación detallada en blanco: diodos rectificadores con clasificación ambiental
SIS SS CECC 20006-1988 Especificación detallada en blanco: fotodiodos PIN para aplicaciones de fibra óptica
SIS SS CECC 20004-1988 Especificación detallada en blanco: Fotoacopladores con clasificación ambiental con salida de fototransistor
SIS SS CECC 20004-1984 Especificación detallada en blanco: Fotoacopladores con clasificación ambiental con salida de fototransistor

Lithuanian Standards Office , Fotodiodo clasificado

LST EN 120005-2001 Especificación detallada en blanco. Fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
LST EN 120001-2001 Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
LST EN 120004-2001 Especificación detallada en blanco. Fotoacopladores con clasificación ambiental con salida de fototransistor
LST EN 62341-6-1-2011 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos (IEC 62341-6-1:2009)

British Standards Institution (BSI), Fotodiodo clasificado

BS IEC 60747-5-8:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de eficiencias optoelectrónicas de diodos emisores de luz.
BS EN 120005:1986 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos - Especificación detallada en blanco - Fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
BS EN 120001:1991 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos - Especificaciones detalladas en blanco - Diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
BS IEC 60747-5-16:2023 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana de diodos emisores de luz basados en GaN basado en la espectroscopia de fotocorriente
BS IEC 60747-5-11:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de corrientes radiativas y no radiativas de diodos emisores de luz.
BS EN 120001:1993 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
BS QC 750109:1993 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A
18/30367363 DC BSIEC 60747-5-8. Dispositivos semiconductores. Parte 5-8. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de eficiencias optoelectrónicas de diodos emisores de luz.
BS EN 120005:1993 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
BS PD IEC/TS 62916:2017 Módulos fotovoltaicos. Prueba de susceptibilidad a descargas electrostáticas de diodos de derivación
18/30388245 DC BS EN IEC 60747-5-11. Dispositivos semiconductores. Parte 5-11. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de corrientes radiativas y no radiativas de diodos emisores de luz.
BS EN ISO 19009:2015 Pequeña embarcación. Luces de navegación eléctricas. Rendimiento de las luces LED
PD IEC/TS 62916:2017 Módulos fotovoltaicos. Prueba de susceptibilidad a descargas electrostáticas de diodos de derivación
BS EN 120002:1993 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco: diodos emisores de infrarrojos, conjuntos de diodos emisores de infrarrojos
BS CECC 50008:1992 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco: diodos rectificadores con clasificación ambiental
PD IEC TS 63109:2022 Módulos y células fotovoltaicas (PV). Medición del factor de idealidad del diodo mediante análisis cuantitativo de imágenes de electroluminiscencia.
BS EN 62341-6-1:2011 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
PD IEC TR 60747-5-12:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de eficiencias LED.
BS CECC 50009:1992 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco: diodos rectificadores clasificados en caja
BS E9375:1975 Especificación - Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos - Especificación detallada en blanco: diodos reguladores de tensión y diodos de referencia de tensión, excluidos los diodos de referencia de tensión de precisión con compensación de temperatura
BS IEC 60747-5-15:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana basado en la espectroscopia de electrorreflectancia.
BS CECC 50008:1982 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco: diodos rectificadores con clasificación ambiental
BS CECC 50009:1982 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco: diodos rectificadores clasificados en caja
19/30392174 DC BS EN 60747-5-6. Dispositivos semiconductores. Parte 5-6. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos
13/30286043 DC BS EN 62341-2-1. Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 2-1. Clasificaciones y características esenciales de los módulos de pantalla OLED
BS EN 62384:2006 Equipo de control electrónico alimentado por CC o CA para módulos LED: requisitos de rendimiento
BS EN 62504:2014 Iluminación general. Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados. Términos y definiciones
BS EN 62504:2014+A1:2018 Iluminación general. Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados. Términos y definiciones
BS IEC 60747-5-9:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de la eficiencia cuántica interna basado en la electroluminiscencia dependiente de la temperatura.
BS EN 61347-2-13:2006
BS EN 61347-2-13:2014 Equipo de control de lámparas. Requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados en CC o CA para módulos LED
BS EN 62384:2006+A1:2009 Equipo de control electrónico alimentado por CC o CA para módulos LED: requisitos de rendimiento
BS PD IEC/TS 62972:2016 Iluminación general. Productos de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) y equipos relacionados. Términos y definiciones
PD IEC/TS 62972:2016 Iluminación general. Productos de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) y equipos relacionados. Términos y definiciones
14/30313209 DC BS EN 62341-6-1. Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1. Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
23/30475452 DC BS EN IEC 62341-6-1. Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED): Parte 6-1. Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
20/30430108 DC BS EN IEC 62341-6-1. Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1. Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
21/30440970 DC BS EN IEC 60747-5-16. Dispositivos semiconductores - Parte 5-16. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana basado en la espectroscopia de fotocorriente.
20/30422995 DC BS EN IEC 60747-5-15. Dispositivos semiconductores. Parte 5-15. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana basado en la espectroscopia de electrorreflectancia.
23/30433255 DC BS EN ISO 2612. Análisis de gas natural. Biometano. Determinación del contenido de amoníaco mediante espectroscopía de absorción con láser de diodo sintonizable
BS IEC 60747-5-10:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de la eficiencia cuántica interna basado en el punto de referencia de temperatura ambiente.
BS EN 62560:2012 Lámparas LED autobalastadas para servicios de iluminación general para voltaje 50 V. Especificaciones de seguridad
BS EN 62341-6-2:2012 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Métodos de medición de la calidad visual y el rendimiento ambiental.
BS EN IEC 62149-12:2023 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Estándares de desempeño: dispositivo de diodo láser de retroalimentación distribuida para sistemas de radio analógicos sobre fibra
18/30367367 DC BSIEC 60747-5-62. Dispositivos semiconductores. Parte 5-9. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de la eficiencia cuántica interna basado en la electroluminiscencia dependiente de la temperatura.
BS ISO 23946:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Métodos de prueba para determinar las propiedades ópticas de fósforos cerámicos para diodos emisores de luz blanca utilizando un gonioespectrofluorómetro
BS EN 150014:1997 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificaciones detalladas en blanco: diodos tiristores, supresores de sobretensión transitoria.
BS EN 150014:1995 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco: diodos tiristores, supresores de sobretensión transitoria
18/30367371 DC BSIEC 60747-5-63. Dispositivos semiconductores. Parte 5-10. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de la eficiencia cuántica interna mediante el punto de referencia de temperatura ambiente.

International Electrotechnical Commission (IEC), Fotodiodo clasificado

IEC TS 62504:2011 Iluminación general - LED y módulos LED - Términos y definiciones
IEC 60747-5-8:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 5-8: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba de eficiencias optoelectrónicas de diodos emisores de luz
IEC 91/926/PAS:2010 Placa de circuito electrónico para LED de alto brillo.
IEC 60747-5-7:2016 Dispositivos semiconductores - Parte 5-7: Dispositivos optoelectrónicos - Fotodiodos y fototransistores
IEC 60747-5-16:2023 Dispositivos semiconductores - Parte 5-16: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba del voltaje de banda plana de diodos emisores de luz basados en GaN basado en la espectroscopia de fotocorriente
IEC 60747-5-11:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 5-11: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba de corrientes radiativas y no radiativas de diodos emisores de luz
IEC TS 62916:2017 Módulos fotovoltaicos: prueba de susceptibilidad a descargas electrostáticas de diodos de derivación
IEC 60747-2-2:1993 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 2: diodos rectificadores; sección 2: especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A
IEC 60747-2-1:1989 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 2: diodos rectificadores; sección uno: especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A
IEC 60747-5-6:2016 Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
IEC 60747-5-6:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
IEC 91/928/PAS:2010 Métodos de prueba para placas de circuitos electrónicos para LED de alto brillo.
IEC 62341-2-1:2015 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED): Parte 2-1: Clasificaciones y características esenciales de los módulos de pantalla OLED
IEC 60747-5-6:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
IEC TS 63109:2022 Módulos y células fotovoltaicas (PV): medición del factor de idealidad del diodo mediante análisis cuantitativo de imágenes de electroluminiscencia
IEC 62341-6-3:2017/COR1:2019 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
IEC 62341-6-1:2022 RLV Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
IEC 62341-6-1:2017 RLV Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
IEC 62341-6-1:2022 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
IEC 62595-2:2012 Unidad de retroiluminación LCD - Parte 2: Métodos de medición electroóptica de la unidad de retroiluminación LED
IEC 62504:2014 Iluminación general - Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados - Términos y definiciones
IEC 62504:2014/AMD1:2018 Iluminación general - Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados - Términos y definiciones
IEC 62504:2014+AMD1:2018 CSV Iluminación general - Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados - Términos y definiciones
IEC 62384:2006 Equipo de control electrónico alimentado por CC o CA para módulos LED: requisitos de rendimiento
IEC 62384:2011 Equipo de control electrónico alimentado por CC o CA para módulos LED: requisitos de rendimiento
IEC TR 60747-5-12:2021 Dispositivos semiconductores - Parte 5-12: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba de eficiencias de LED
IEC 62341-6-1:2017 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
IEC 62341-6-1:2009 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
IEC TS 62972:2016 Iluminación general - Productos de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) y equipos relacionados - Términos y definiciones
IEC 60747-5-15:2022 Dispositivos semiconductores - Parte 5-15: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba del voltaje de banda plana basado en la espectroscopia de electrorreflectancia
IEC 60747-12-3:1998 Dispositivos semiconductores. Parte 12-3: Dispositivos optoelectrónicos. Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz. Aplicación de visualización.
IEC 62560:2011 Lámparas LED con balasto automático para servicios de iluminación general para tensión > 50 V - Especificaciones de seguridad
IEC 62560:2015 Lámparas LED con balasto automático para servicios de iluminación general para tensión > 50 V - Especificaciones de seguridad
IEC 60700-3:2022 Válvulas de tiristor para transmisión de energía en corriente continua de alto voltaje (HVDC) - Parte 3: Clasificaciones esenciales (valores límite) y características
IEC 61347-2-13:2014 Equipo de control de lámpara - Parte 2-13: Requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados con CC o CA para módulos LED
IEC 61347-2-13:2006 Equipo de control de lámpara - Parte 2-13: Requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados con CC o CA para módulos LED
IECQ 03-8-2018 Sistema de evaluación de calidad IEC para componentes electrónicos (Sistema IECQ) - Reglas de procedimiento - Parte 8: Esquema IECQ para iluminación LED
IEC 60747-5-9:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 5-9: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba de la eficiencia cuántica interna basado en la electroluminiscencia dependiente de la temperatura
IEC 60747-5-14:2022 Dispositivos semiconductores - Parte 5-14: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba de la temperatura de la superficie basado en el método de termorreflectancia
IEC 62149-12:2023 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Estándares de rendimiento. Parte 12: Dispositivo de diodo láser de retroalimentación distribuida para sistemas de radio analógicos sobre fibra.
IEC 60747-12-6:1997 Dispositivos semiconductores - Parte 12-6: Dispositivos optoelectrónicos - Especificación detallada en blanco para fotodiodos de avalancha con/sin pigtail, para sistemas o subsistemas de fibra óptica
IEC 60747-5-10:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 5-10: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba de la eficiencia cuántica interna basado en el punto de referencia de temperatura ambiente
IEC 60747-12-2:1995 Dispositivos semiconductores - Parte 12: Dispositivos optoelectrónicos - Sección 2: Especificación detallada en blanco para módulos de diodos láser con pigtail para sistemas y subsistemas de fibra óptica

Professional Standard - Machinery, Fotodiodo clasificado

JB/T 5837-1991 Diodos rectificadores con clasificación de caja serie ZP 2000A y superiores
JB/T 5186-1991 Fotodiodos de silicio para cámaras.
JB/T 5836-1991 Diodos rectificadores de recuperación rápida con clasificación de caja serie ZK 5A y superiores

机械电子工业部, Fotodiodo clasificado

JB 5837-1991 Diodos rectificadores clasificados en caja de la serie ZP por encima de 2000A

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Fotodiodo clasificado

JIS C 8152-2:2012 Fotometría de diodos emisores de luz blanca para iluminación general. Parte 2: módulos LED y motores de luz LED.
JIS C 5990:1997 Reglas generales de fotodiodos para transmisión por fibra óptica.
JIS C 8152-2 AMD 1:2014 Fotometría de diodos emisores de luz blanca para iluminación general. Parte 2: módulos LED y motores de luz LED (Enmienda 1).
JIS C 8152-1:2012 Fotometría de diodos emisores de luz blanca para iluminación general - Parte 1: Paquetes LED
JIS C 5991:1997 Métodos de medición de fotodiodos para transmisión por fibra óptica.
JIS C 7036:1985 Métodos de medición para diodos emisores de luz (para indicación)
JIS C 62504:2016 Iluminación general - Productos de diodos emisores de luz (LED) y equipos relacionados - Términos y definiciones
JIS C 8156:2011 Lámparas LED autobalastadas para servicios de iluminación general para tensión > 50 V -- Especificaciones de seguridad
JIS C 8156:2017 Lámparas LED autobalastadas para servicios de iluminación general para tensión > 50 V -- Especificaciones de seguridad

YU-JUS, Fotodiodo clasificado

JUS N.R1.372-1979 Diodos semiconductores. Ratios y características esenciales: diodos rectificadores
JUS N.R1.375-1980 Diodo semiconductor s. Clasificaciones y características esenciales. Diodos de capacitancia variable
JUS N.R1.374-1980 Diodos semiconductores. Calificaciones y características esenciales. Ttmneldiodos
JUS N.R1.371-1979 Diodos semiconductores. Clasificaciones y características esenciales: Diodos reguladores de voltaje y de referencia de voltaje.

RU-GOST R, Fotodiodo clasificado

GOST R 54814-2018 Diodos emisores de luz y módulos de diodos emisores de luz para aplicaciones generales. Términos y definiciones
GOST R 54814-2011 Diodos emisores de luz y módulos de diodos emisores de luz para aplicaciones generales. Términos y definiciones
GOST 19656.6-1974 Diodos mezcladores UHF semiconductores. Métodos de medición del factor de ruido general estándar.
GOST 18986.4-1973 Diodos semiconductores. Métodos para medir la capacitancia.
GOST 18986.6-1973 Diodos semiconductores. Método para medir la carga de recuperación.
GOST 18986.0-1974 Diodos semiconductores. Métodos de medida de parámetros eléctricos. Requerimientos generales
GOST 21107.10-1978 Dispositivos de descarga de gas. Métodos de medición de parámetros eléctricos de condiciones de operación y medición para tiratrones de descarga luminiscente y rectificadores llenos de gas.
GOST 18986.1-1973 Diodos semiconductores. Método para medir la corriente inversa directa.
GOST 18986.3-1973 Diodos semiconductores. Método de medición de tensión directa directa y corriente directa directa.
GOST R IEC 62384-2011 Equipos de control electrónico alimentados desde fuentes de corriente directa o alternativa para módulos de diodos luminosos. Requisitos de desempeño
GOST 21316.6-1975
GOST 21316.7-1975
GOST 19656.10-1988 Diodos semiconductores de conmutación y limitación de microondas. Métodos de medición de resistencias a pérdidas.
GOST R IEC 62560-2011 Lámparas LED autobalastadas para servicios de iluminación general para voltaje 50 V. Especificaciones de seguridad

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Fotodiodo clasificado

QC 750101/SU 0004-1990 Especificación detallada para componentes electrónicos Diodos semiconductores@ Clasificación ambiental Designados para circuitos en receptores de TV Diodos de conmutación (Sw)@ Tipo KD805A
QC 750101/GB 0001 ISSUE 1-1990 Diodo de conmutación de alta velocidad con clasificación ambiental de silicio en encapsulación de plástico
QC 750108/ CN 0010-1992 Especificación detallada para componentes electrónicos Diodo rectificador de silicio con clasificación ambiental para tipo 2CZ305
QC 750108/ CN 0008-1992 Especificación detallada para componentes electrónicos Diodo rectificador de silicio con clasificación ambiental para tipo 2CZ317
QC 750108/ CN 0006-1992 Especificación detallada para componentes electrónicos Diodo rectificador de silicio con clasificación ambiental para tipo 2CZ312
QC 750108/ CN 0007-1992 Especificación detallada para componentes electrónicos Diodo rectificador de silicio con clasificación ambiental para tipo 2CZ313
QC 750108/ CN 0005-1992 Especificación detallada para componentes electrónicos Diodo rectificador de silicio con clasificación ambiental para tipo 2CZ308
QC 750108/ CN 0009-1992 Especificación detallada para componentes electrónicos Diodo rectificador de silicio con clasificación ambiental para tipo 2CZ318
PQC 75-1991 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Diodos rectificadores Especificación detallada en blanco: Diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha) a temperatura ambiente y con clasificación de caja a más de 100 A
QC 750108/ CN 0002-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos Diodo rectificador de silicio con clasificación ambiental para el nivel de evaluación II tipo 2CZ321
QC 750108/ CN 0003-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos Diodo rectificador de silicio con clasificación ambiental para el nivel de evaluación II tipo 2CZ322
QC 750101/SU 0001-1990 Especificación detallada para componentes electrónicos Epitaxia semiconductora de señal: diodos planos con clasificación ambiental para circuitos digitales y de pulso de equipos electrónicos tipo KD5I0A
QC 750101/SU 0003-1990 Especificación detallada para componentes electrónicos Epitaxia semiconductora de señal: diodos planos con clasificación ambiental para circuitos digitales y de pulso de equipos electrónicos tipo KD522B
QC 750101/SU 0002-1990 Especificación detallada para componentes electrónicos Diodos semiconductores de señal epitaxia planos con clasificación ambiental para circuitos digitales y de pulso de equipos electrónicos tipo KD52IA @ KD52IB
QC 750103/ CN 0001-1992 Especificación detallada para componentes electrónicos Transistores bipolares con carcasa nominal para amplificación de baja frecuencia tipo 3DD870
QC 750102/ SU 0001-1990 Especificación detallada para componentes electrónicos Transistores bipolares con clasificación ambiental plano epitaxia de alta frecuencia tipo KT3II7A
QC 750103-1989 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 7: Transistores bipolares Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de baja frecuencia (IEC 747-7-2 ED 1)
QC 750102/CN 0001-1988 Especificación detallada para componentes electrónicos Transistores bipolares para amplificación de alta frecuencia con clasificación ambiental del tipo 3DG130 Nivel de evaluación II
QC 750102/CN 0003-1990 Especificación detallada para componentes electrónicos Transistores bipolares para amplificación de alta frecuencia con clasificación ambiental del tipo 3DG1815 Nivel de evaluación II

Professional Standard - Electron, Fotodiodo clasificado

SJ/T 2216-2015 Especificación técnica para fotodiodo de silicio.
SJ/T 10055-1991 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: diodo rectificador de silicio con clasificación de caja, tipo 2CZ58
SJ/T 10054-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos: diodo rectificador de silicio con clasificación de caja para tipo 2CZ57
SJ/T 10056-1991 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: diodo rectificador de silicio con clasificación de caja, tipo 2CZ59
SJ/T 10057-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos: diodo rectificador de silicio con clasificación de caja, tipo 2CZ60
SJ/T 2214-2015 Métodos de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ/T 10058-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos. Diodo rectificador de silicio con clasificación ambiental para tipo 2CZ103
SJ/T 10060-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos. Diodo rectificador de silicio con clasificación ambiental para tipo 2CZ117
SJ/T 10059-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos. Diodo rectificador de silicio con clasificación ambiental para tipo 2CZ116
SJ/T 2354-2015 Métodos de medición para fotodiodos de PIN、APD
SJ/T 2354-2015/0352 Métodos de medición para fotodiodos de PIN、APD
SJ 2354.1-1983 Procedimientos generales de medición de parámetros eléctricos y ópticos de fotodiodos PIN y de avalancha.
SJ 2354.5-1983 Método de medición de capacitancia de fotodiodos PIN y de avalancha.
SJ 50033/102-1995 Especificación detallada del fotodiodo PIN InGaAs/InP para el tipo GD 218
SJ 2214.10-1982 Método de medición de la corriente luminosa de fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ 50033/112-1996 Dispositivos optoelectrónicos scmiconductores. Especificación detallada para fotodiodos tipo GD3251Y.
SJ 50033/113-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para fotodiodos tipo GD3252Y.
SJ 2354.3-1983 Método de medición de corriente oscura de fotodiodos PIN y de avalancha.
SJ 20644.1-2001 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el fotodiodo PIN tipo GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el fotodiodo PIN tipo GD101
SJ 2354.10-1983 Método de medición del factor de luz cruzada de PIN y matriz de fotodiodos de avalancha.
SJ 2354.6-1983 Método de medición de la capacidad de respuesta de PIN y fotodiodos de avalancha.
SJ 2354.13-1983 Método de medición del factor de multiplicación de PIN y fotodiodos de avalancha.
SJ 2214.3-1982 Método de medición de corriente oscura de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.5-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotodiodos semiconductores.
SJ/T 10952-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: diodos rectificadores de silicio con clasificación ambiental 2CZ323 (aplicable para certificación)
SJ/T 10950-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: diodos rectificadores de silicio con clasificación ambiental 2CZ322 (aplicable para certificación)
SJ/T 10951-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: diodos rectificadores de silicio con clasificación ambiental 2CZ33 (aplicable para certificación)
SJ/T 10953-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: diodos rectificadores de silicio con clasificación ambiental 2CZ324Q (aplicable para certificación)
SJ/T 10949-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: diodos rectificadores de silicio con clasificación ambiental 2CZ321 (aplicable para certificación)
SJ/T 11403-2009 Módulos de diodos láser utilizados para telecomunicaciones. Evaluación de confiabilidad.
SJ 2354.4-1983 Método de medición de la caída de tensión directa de PIN y fotodiodos de avalancha
SJ 2354.2-1983 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotodiodos PIN y de avalancha
SJ 50033/136-1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz roja para el tipo GF116.
SJ 50033/143-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor rojo tipo GF1120.
SJ 50033/137-1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz naranja-rojo para el tipo GF216
SJ 50033/139-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz verde para el tipo GF4111.
SJ 50033/138-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz amarillo para el tipo GF318.
SJ 50033/58-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz verde para tipo GF413
SJ/T 11393-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia
SJ 50033/142-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor verde tipo GF4112.
SJ 50033/57-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz roja para tipo GF115
SJ/Z 9171-1995 Especificaciones para la determinación de LED verdes de φ3 mm utilizados para VCR
SJ 2354.14-1983 Método de medición del factor de exceso de ruido de PIN y fotodiodos de avalancha.
SJ 2215.6-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ/T 11866-2022 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificaciones detalladas para diodos emisores de luz de potencia de luz blanca con sustrato de silicio
SJ/T 11400-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de menor potencia
SJ 2138-1982 Métodos de medición de la corriente regulada de diodos reguladores de corriente de silicio.
SJ 2354.11-1983 Método de medición del ancho de la zona ciega del PIN y de la matriz de fotodiodos de avalancha
SJ 2215.3-1982 Método de medición de la corriente directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2214.4-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotodiodos semiconductores.
SJ 2215.4-1982 Método de medición de corriente inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2354.9-1983 Método de medición de la potencia equivalente de ruido de fotodiodos PIN y de avalancha
SJ 50033/99-1995 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para diodo emisor de luz de doble color o/G para tipo GF511
SJ 20642.7-2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el módulo de diodo emisor de luz tipo GR1325J
SJ/T 11817-2022 Especificaciones detalladas en blanco para diodos emisores de luz para dispositivos optoelectrónicos semiconductores y lámparas de incandescencia.
SJ 2354.7-1983 Método de medición de la curva de respuesta espectral y el rango de respuesta espectral de fotodiodos PIN y de avalancha
SJ 2354.12-1983 Método de medición del factor de temperatura del voltaje de ruptura inverso de PIN y fotodiodos de avalancha
SJ 50033/109-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para los diodos láser semiconductores tipos GJ9031T, GJ9032T y GJ9034T.
SJ 2354.8-1983 Método de medición del tiempo de subida y bajada del pulso de fotodiodos PIN y de avalancha
SJ 50033/110-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz infrarroja tipo GR9413.
SJ 2215.5-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 53930/1-2002 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos tipo GR8813
SJ 2658.4-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de capacitancia
SJ 2672.7-1986 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz con clasificación de caja, tipo 3DA307
SJ/T 10947-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: diodos emisores de luz verde semiconductores FG341052 y FG343053
SJ 2658.3-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de tensión invertida
SJ 2672.2-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 Mhz, tipo 3DA302
SJ 2672.3-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz, tipo 3DA303
SJ 2672.4-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz, tipo 3DA304
SJ 2672.5-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz, tipo 3DA305
SJ 2672.6-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz, tipo 3DA306
SJ 2672.8-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz, tipo 3DA308
SJ 2672.9-1986 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz con clasificación de caja, tipo 3DA309
SJ 2673.1-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 470 MHz, tipo 3DA311
SJ 2673.2-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 470 MHz, tipo 3DA312
SJ 2673.3-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 470 MHz, tipo 3DA313
SJ 2673.4-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 470 MHz, tipo 3DA314
SJ 2673.5-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 470 MHz, tipo 3DA315
SJ 2673.6-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores bipolares de bajo voltaje de 470 MHz, tipo 3DA316
SJ 2672.1-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz, tipo 3DA301
SJ/T 2658.16-2016 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 16: Eficiencia de conversión fotoeléctrica.
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SJ 3124-1988 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de carcasa para amplificación de baja frecuencia NPN de silicio, tipo 3DD1942
SJ 3125-1988 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de carcasa para amplificación de baja frecuencia NPN de silicio, tipo 3DD2027
SJ 3126-1988 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de carcasa para amplificación de baja frecuencia NPN de silicio, tipo 3DD869
SJ 3127-1988 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de carcasa para amplificación de baja frecuencia NPN de silicio, tipo 3DD871
SJ 3128-1988 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de carcasa para amplificación de baja frecuencia NPN de silicio, tipo 3DD820
SJ 3123-1988 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de alta frecuencia, tipo 3DG1779
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SJ/T 10050-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos. Transistor bipolar con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia NPN de silicio para tipo 3DA1722
SJ/T 10051-1991 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos. Transistor bipolar con carcasa nominal para amplificación de alta frecuencia NPN de silicio para tipo 3DA 2688
SJ/T 10052-1991 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos. Transistor bipolar con carcasa nominal para amplificación de baja frecuencia de silicio PNP para tipo 3CD 507
SJ 3120-1988 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de alta frecuencia, tipo 3DG1215
SJ 3121-1988 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de alta frecuencia, tipo 3DG2464
SJ 3122-1988 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de alta frecuencia, tipo 3DG3177
SJ/T 10959-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: tiristores de triodo de avalancha con clasificación de caja 3CT320 (aplicable para certificación)
SJ/T 10053-1991 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos. Transistor bipolar con carcasa nominal para amplificación de baja frecuencia NPN de silicio para tipo 3DD 313
SJ/T 10886-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Transistores bipolares 3DD201 para caja de amplificación de baja frecuencia (Aplicable para certificación)
SJ/T 10885-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos -Transistores bipolares 3DA150B y 3DA150C para caja de amplificación de alta frecuencia (Aplicable para certificación)
SJ/T 10958-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: tiristores de triodo de bloqueo inverso con clasificación de caja 3CT320 (aplicable para certificación)
SJ/T 10887-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos -Transistores bipolares 3DD102B para caja de amplificación de baja frecuencia (Aplicable para certificación)
SJ/T 10973-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares 3DD200 para caja de amplificación de baja frecuencia NPN de silicio (aplicable para certificación)
SJ/T 10955-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de clasificación ambiental 3DG107 para amplificación de baja y alta frecuencia (aplicable para certificación)
SJ/T 11052-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de clasificación ambiental 3DG162 para amplificación de baja y alta frecuencia (aplicable para certificación)
SJ/T 11054-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de clasificación ambiental 3DG140 para amplificación de baja y alta frecuencia (aplicable para certificación)
SJ/T 11053-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de clasificación ambiental 3DG182 para amplificación de baja y alta frecuencia (aplicable para certificación)
SJ/T 11060-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de clasificación ambiental 3DG3130 para amplificación de baja y alta frecuencia (aplicable para certificación)
SJ/T 10833-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de clasificación ambiental 3DG80 para amplificación de baja y alta frecuencia (aplicable para certificación)
SJ/T 10772-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de clasificación ambiental 3DG201C para amplificación de baja y alta frecuencia (aplicable para certificación)
SJ/T 10837-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores bipolares de clasificación ambiental 3DG131A, 3DG131B y 3DG131C para amplificación de alta frecuencia (aplicable para certificación)
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ASTM D7904-15 Método de prueba estándar para la determinación de vapor de agua (concentración de humedad) en gas natural mediante espectroscopia láser de diodo sintonizable (TDLAS)
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ASTM D8488-22 Método de prueba estándar para la determinación de sulfuro de hidrógeno (H2S) en gas natural mediante espectroscopia láser de diodo sintonizable (TDLAS)
ASTM F3095-14 Práctica estándar para tecnologías láser para la medición directa de la forma de la sección transversal de tuberías y conductos mediante diodos láser giratorios y sistemas de cámaras CCTV
ASTM F3095-17a Práctica estándar para tecnologías láser para la medición directa de la forma de la sección transversal de tuberías y conductos mediante diodos láser giratorios y sistemas de cámaras CCTV
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