ZH
EN
ES

Номинальный фотодиод

Номинальный фотодиод, Всего: 448 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Номинальный фотодиод, являются: Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Полупроводниковые приборы, Электронные устройства отображения, Словари, Лампы и сопутствующее оборудование, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Электронные компоненты в целом, Оптоволоконная связь, Печатные схемы и платы, Аудио, видео и аудиовизуальная техника, Телевидение и радиовещание, Атомная энергетика, Солнечная энергетика, Малый корабль, Электронные лампы, Стоматология, Натуральный газ, Электрические аксессуары, Электрические и электронные испытания, Гальванические элементы и батареи, Керамика.

Professional Standard - Military and Civilian Products, Номинальный фотодиод

WJ 2100-2004 Метод испытаний кремниевых фотодиодов и кремниевых лавинных фотодиодов
WJ 2506-1998 Правила поверки фотодиодного динамического тестера
WJ 2265-1995 Технические характеристики кремниевых лавинных фотодиодов с предусилением

ES-UNE, Номинальный фотодиод

UNE-EN 120005:1992 BDS: ФОТОДИОДЫ, ФОТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ (НЕ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ).
UNE-EN 120001:1992 BDS: СВЕТОДИОДЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ ДИСПЛЕИ БЕЗ ВНУТРЕННЕЙ ЛОГИКИ И РЕЗИСТОРА. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)
UNE-EN 120006:1992 BDS: PIN-ФОТОДИОДЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)
UNE-EN 120004:1992 BDS: ФОТОПАРЫ ДЛЯ ОКРУЖАЮЩИХ УСЛОВИЙ С ВЫХОДОМ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)
UNE-EN 62504:2015/A1:2018 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения
UNE-EN IEC 60700-3:2023 Тиристорные клапаны для передачи электроэнергии постоянного тока высокого напряжения (HVDC). Часть 3: Основные номинальные параметры (предельные значения) и характеристики (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в феврале 2023 г.)
UNE-EN IEC 62149-12:2023 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 12. Лазерное диодное устройство с распределенной обратной связью для аналоговой радиосвязи по оптоволокну (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в мае 2023 г.)

German Institute for Standardization, Номинальный фотодиод

DIN EN 120005:1996 Бланковая подробная спецификация - Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений); Немецкая версия EN 120005:1992.
DIN EN 120005:1996-11 Пустая подробная спецификация - Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
DIN EN 120001:1993-06 Пустая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
DIN EN 120001:1993 Бланковая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, дисплеи светодиоды без внутренней логики и резистора; Немецкая версия EN 120001:1992.
DIN IEC 62088:2002-09 Ядерное приборостроение. Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Процедуры испытаний (IEC 62088:2001)
DIN EN 62341-6-1:2011-07 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров (IEC 62341-6-1:2009); Немецкая версия EN 62341-6-1:2011
DIN EN 62504:2018-11 Общее освещение. Светодиодные (LED) изделия и сопутствующее оборудование. Термины и определения (IEC 62504:2014 + A1:2018); Немецкая версия EN 62504:2014 + A1:2018 / Примечание: DIN EN 62504 (2015-06) остается действительным наряду с этим стандартом до 17 апреля 2021 г.
DIN EN 62384:2007 Электронные устройства управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей. Требования к рабочим характеристикам (IEC 62384:2006); Немецкая версия EN 62384:2006.
DIN 49406-2:1989 Двухполюсные вилки для приборов класса II, рассчитанные на 10 А, 250 В постоянного тока, 16 А, 250 В переменного тока, брызгозащищенные.
DIN IEC 62088:2002 Ядерное приборостроение. Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Процедуры испытаний (IEC 62088:2001)
DIN EN 120004:1997-02 Пустая подробная спецификация: фотопары, рассчитанные на окружающую среду, с фототранзисторным выходом.
DIN 40742:1999 Аккумуляторы свинцово-кислотные. Аккумуляторы стационарные с регулируемым клапаном и положительными трубчатыми пластинами и иммобилизованным электролитом. Номинальная емкость, основные размеры, масса.
DIN EN 62384:2010 Электронные устройства управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к рабочим характеристикам (IEC 62384:2006 + A1:2009); Немецкая версия EN 62384:2006 + A1:2009
DIN 40736-1:1992 Свинцово-кислотные аккумуляторы; стационарные ячейки с положительными трубчатыми пластинами; клетки в пластиковых контейнерах; номинальная мощность, основные размеры, вес
DIN 40736-2:1992 Свинцово-кислотные аккумуляторы; стационарные ячейки с положительными трубчатыми пластинами; элементы в контейнерах из твердой резины; номинальная мощность, основные размеры, вес
DIN EN 61347-2-13:2007 Аппаратура управления лампами. Часть 2-13. Частные требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей (IEC 61347-2-13:2006); Немецкая версия EN 61347-2-13:2006.
DIN EN 62595-2:2013 Блок подсветки ЖК-дисплея. Часть 2. Электрооптические методы измерения блока светодиодной подсветки (IEC 62595-2:2012); Немецкая версия EN 62595-2:2013
DIN EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров (IEC 62341-6-1:2009); Немецкая версия EN 62341-6-1:2011
DIN EN 62504:2015 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения (IEC 62504:2014); Немецкая версия EN 62504:2014.
DIN 40744:1999 Аккумуляторы свинцово-кислотные. Аккумуляторы стационарные клапанные регулируемые с положительными трубчатыми пластинами и иммобилизованным электролитом в пластиково-моноблочных контейнерах. Номинальные емкости, основные размеры, масса

European Standard for Electrical and Electronic Components, Номинальный фотодиод

CECC 50 008- 004 Выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду (En)
CECC 50 008- 005 Выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду (En)
EN 120005:1992 Пустая подробная спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
EN 120001:1992 Пустая подробная спецификация; светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
CECC 50 008- 014 УТЕ С 86-818/014; Выпрямительные диоды, рассчитанные на окружающую среду (фр.)
EN 120006:1992 Бланк спецификации: PIN-фотодиоды для оптоволоконных приложений.
CECC 50 001- 059 ISSUE 2 БС CECC 50 001-059; Кремниевый переключающий диод, рассчитанный на окружающую среду, в стеклянной капсуле (En)
CECC 50 001- 065 BS CECC 50 001-065 Выпуск 1; Пара кремниевых быстродействующих переключающих диодов, рассчитанных на окружающую среду (общий катод) в пластиковом корпусе (En)
CECC 20 004- 001 ED 1-1984 УТЕ С 86-504; Фотопары, рассчитанные на окружающую среду, с фототранзисторным выходом (Fr)
CECC 50 009- 023 ISSUE 1-1980 БС CECC 50 009-023; Кремниевый выпрямительный диод с управляемым лавинным корпусом; 48 А, от 600 до 1400 В; Крепление на шпильке; Герметично запечатанный (Ан)

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Номинальный фотодиод

JEDEC JESD211-2009 Проверка номинальных характеристик стабилитронов и диодов стабилизатора напряжения и испытания характеристик
JEDEC JESD51-51-2012 Реализация метода электрических испытаний для измерения реального термического сопротивления и импеданса светодиодов с открытым охлаждением
JEDEC JESD4-1983 Определение внешнего зазора и путей утечки дискретных полупроводниковых корпусов для тиристоров и выпрямительных диодов

Association Francaise de Normalisation, Номинальный фотодиод

NF EN 120005:1992 Пустая спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений).
NF C93-120-005*NF EN 120005:1992 Пустая подробная спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
NF EN 120001:1992 Пустая спецификация: светоизлучающие диоды, светоизлучающие диодные матрицы, светоизлучающие диодные дисплеи без резисторов или внутренних логических схем.
NF C93-120-001*NF EN 120001:1992 Пустая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, дисплеи на светодиодах без внутренней логики и резистора.
NF C96-551/A2:1981 Оптоэлектроника Светодиоды Оптопары Листы статей по теме
NF C96-551/A3:1981 Оптоэлектроника Светодиоды Оптопары Листы статей по теме
NF C86-502:1983 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
NF C93-872:1987 Цифровые приемники с штыревым фотодиодом.
NF C86-501:1983 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Светодиоды, светодиодные матрицы.
NF C86-505:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Фотодиоды. Фотодиоды-матрицы. Спецификация бланка детали CECC 20 005.
NF EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
NF C96-565-2*NF EN 62595-2:2013 Блок подсветки ЖК-дисплея. Часть 2. Электрооптические методы измерения блока светодиодной подсветки.
NF C71-504*NF EN 62504:2014 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения
NF C71-504/A1*NF EN 62504/A1:2018 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения
NF EN 62504:2014 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения
NF EN 62504/A1:2018 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения
NF C71-305*NF EN 62384:2006 Электронные устройства управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности.
NF C93-120-004*NF EN 120004:1992 Пустая подробная спецификация: фотопары, рассчитанные на окружающую среду, с фототранзисторным выходом.
NF C96-541-6-1*NF EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1: методы измерения оптических и электрооптических параметров.
NF EN IEC 63286:2022 Гибкие панели на органических светоизлучающих диодах (OLED) для общего освещения – требования к производительности
NF C71-251*NF EN 62560:2013 Светодиодные лампы с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности
NF C86-819/A2:1984 Электронные компоненты Выпрямительные диоды с номинальным корпусом. Руководство с подробными спецификациями в рамках французских стандартов NF C 86-010 и NF C 86-819 (CECC 50 000 - CECC 50 009).
NF EN IEC 60700-3:2023 Тиристорные клапаны для передачи энергии постоянного тока высокого напряжения (HVDC). Часть 3: номинальные значения (предельные значения) и существенные характеристики
NF C71-247-13:2006 Устройство управления лампами. Часть 2-13: Особые требования к постоянному току для электронных устройств управления переменным током для светодиодных модулей.
NF C71-247-13*NF EN 61347-2-13:2014 Аппаратура управления лампой. Часть 2-13. Особые требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.
NF EN IEC 62149-12:2023 Волоконно-активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 12. Лазерно-диодное устройство с распределенной обратной связью для аналоговых волоконно-оптических радиосистем.
NF C86-506:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов pin-фотодиодов для оптоволоконных применений. Пустая подробная спецификация.
NF C32-500*NF EN 50143:2009 Кабели для знаков и светоразрядных установок, работающих от номинального выходного напряжения холостого хода более 1000 В, но не более 10 000 В.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Номинальный фотодиод

KS C 7103-2005(2020) Органический светоизлучающий диод (OLED) дисплей – основные номиналы и характеристики
KS C 7103-2005 Органический светоизлучающий диод (OLED) дисплей – основные номиналы и характеристики
KS C 6990-2001 Общие правила использования фотодиодов для оптоволоконной передачи
KS C 6905-2001 Общие правила использования лазерных диодов для оптоволоконной передачи
KS C 6991-2001 Методы испытаний фотодиодов для оптоволоконной передачи
KS C 6906-2001 Методы испытаний лазерных диодов для волоконно-оптической передачи данных
KS C 6990-2013 ОБЩИЕ ПРАВИЛА О ФОТОДИОДАХ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 6991-2013 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ФОТОДИОДОВ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 7121-1990 Методы измерения светоизлучающих диодов (для индикации)
KS C 6990-2001(2011) ОБЩИЕ ПРАВИЛА О ФОТОДИОДАХ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 6991-2001(2011) МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ФОТОДИОДОВ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C IEC 60747-2-2-2006(2021) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 2: Выпрямительные диоды－Раздел второй: Пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, на ток
KS C IEC 60747-2-2-2006(2016) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 2: Выпрямительные диоды－Раздел второй: Пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, на ток
KS C IEC 60747-2-1-2006(2016) Полупроводниковые устройства－Дискретные устройства－Часть 2: Выпрямительные диоды－Раздел первый: Пустые подробные спецификации для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А
KS C IEC 60747-2-1-2006(2021) Полупроводниковые устройства－Дискретные устройства－Часть 2: Выпрямительные диоды－Раздел первый: Пустые подробные спецификации для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А
KS P ISO 10650-2-2009(2014) Стоматология－Активаторы полимеризации－Часть 2:Светодиодные (LED) лампы
KS C IEC 62341-6-1:2020 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
KS C IEC 62504:2020 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (СИД) и сопутствующее оборудование. Термины и определения.
KS C IEC 62384:2011 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
KS C IEC 60747-7-2-2006(2021) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел второй: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для усиления низкой частоты
KS C IEC 62341-6:2007 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6: Методы измерения.
KS C IEC TS 62972:2018 Общее освещение. Изделия на органических светоизлучающих диодах (OLED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения.
KS C IEC 60747-2-2:2006 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 2. Выпрямительные диоды. Раздел второй. Бланк подробной спецификации выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, для токов более 100 А.
KS C IEC 60747-2-1:2006 Полупроводниковые устройства－Дискретные устройства－Часть 2: Выпрямительные диоды－Раздел первый: Пустые подробные спецификации для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А
KS C IEC 61347-2-13:2011 Аппаратура управления лампой. Часть 2-13: Особые требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.
KS C IEC 60747-6-2-2006(2021) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 6: Тиристоры－Раздел второй: Пустые подробные спецификации для двунаправленных триодных тиристоров (симисторов), рассчитанных на окружающую среду или корпус, до 100 А
KS C IEC 60747-6-2-2006(2016) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 6: Тиристоры－Раздел второй: Пустые подробные спецификации для двунаправленных триодных тиристоров (симисторов), рассчитанных на окружающую среду или корпус, до 100 А

SE-SIS, Номинальный фотодиод

SIS SS CECC 20005-1988 Бланковая детальная спецификация: Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных сетей)
SIS SS-CECC 20001-1991 Пустая детальная спецификация: светоизлучающие диоды, светоизлучающие диодные матрицы, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
SIS SS-CECC 50009-1991 Пустая подробная спецификация:Выпрямительные диоды с номинальным корпусом
SIS SS-CECC 50008-1991 Пустая подробная спецификация: выпрямительные диоды, рассчитанные на окружающую среду.
SIS SS CECC 20006-1988 Бланк спецификации: PIN-фотодиоды для оптоволоконных приложений.
SIS SS CECC 20004-1988 Пустая детальная спецификация: фотопары, рассчитанные на окружающую среду, с фототранзисторным выходом.
SIS SS CECC 20004-1984 Пустая подробная спецификация: фотопары, рассчитанные на окружающую среду, с фототранзисторным выходом.

Lithuanian Standards Office , Номинальный фотодиод

LST EN 120005-2001 Пустая подробная спецификация. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
LST EN 120001-2001 Пустая подробная спецификация. Светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
LST EN 120004-2001 Пустая подробная спецификация. Фотопары, рассчитанные на окружающую среду, с фототранзисторным выходом
LST EN 62341-6-1-2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров (IEC 62341-6-1:2009)

British Standards Institution (BSI), Номинальный фотодиод

BS IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светодиодов
BS EN 120005:1986 Спецификация для гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланк подробной спецификации. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
BS EN 120001:1991 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Бланковая детальная спецификация. Светодиоды, светодиодные матрицы, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
BS IEC 60747-5-16:2023 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытаний плоскозонного напряжения светодиодов на основе GaN на основе спектроскопии фототока
BS IEC 60747-5-11:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светодиодов
BS EN 120001:1993 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
BS QC 750109:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, на токи более 100 А
18/30367363 DC БС МЭК 60747-5-8. Полупроводниковые приборы. Часть 5-8. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светодиодов
BS EN 120005:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
BS PD IEC/TS 62916:2017 Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасного диода к электростатическому разряду
18/30388245 DC БС ЕН МЭК 60747-5-11. Полупроводниковые приборы. Часть 5-11. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светодиодов
BS EN ISO 19009:2015 Маленькое судно. Электрические навигационные огни. Производительность светодиодных фонарей
PD IEC/TS 62916:2017 Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасного диода к электростатическому разряду
BS EN 120002:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
BS CECC 50008:1992 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: выпрямительные диоды, рассчитанные на окружающую среду.
PD IEC TS 63109:2022 Фотоэлектрические (PV) модули и элементы. Измерение коэффициента идеальности диода путем количественного анализа электролюминесцентных изображений
BS EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Методы измерения оптических и электрооптических параметров
PD IEC TR 60747-5-12:2021 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания эффективности светодиодов
BS CECC 50009:1992 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: корпусные выпрямительные диоды
BS E9375:1975 Спецификация - Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов - Бланковая детальная спецификация: диоды стабилизатора напряжения и опорные диоды напряжения, за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией напряжения.
BS IEC 60747-5-15:2022 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения на основе спектроскопии электроотражения
BS CECC 50008:1982 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: выпрямительные диоды, рассчитанные на окружающую среду.
BS CECC 50009:1982 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: корпусные выпрямительные диоды
19/30392174 DC БС ЕН 60747-5-6. Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды
13/30286043 DC БС ЕН 62341-2-1. Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 2-1. Основные характеристики и характеристики модулей OLED-дисплеев
BS EN 62384:2006 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
BS EN 62504:2014 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Понятия и определения
BS EN 62504:2014+A1:2018 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Понятия и определения
BS IEC 60747-5-9:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания внутренней квантовой эффективности на основе температурно-зависимой электролюминесценции
BS EN 61347-2-13:2006 Устройство управления лампами. Особые требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.
BS EN 61347-2-13:2014 Устройство управления лампой. Особые требования к электронным устройствам управления светодиодными модулями с питанием постоянным или переменным током.
BS EN 62384:2006+A1:2009 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
BS PD IEC/TS 62972:2016 Общее освещение. Продукция на органических светодиодах (OLED) и сопутствующее оборудование. Понятия и определения
PD IEC/TS 62972:2016 Общее освещение. Продукция на органических светодиодах (OLED) и сопутствующее оборудование. Понятия и определения
14/30313209 DC БС ЕН 62341-6-1. Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров
23/30475452 DC БС ЕН МЭК 62341-6-1. Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров
20/30430108 DC БС ЕН МЭК 62341-6-1. Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров
21/30440970 DC БС ЕН МЭК 60747-5-16. Полупроводниковые приборы. Часть 5-16. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения на основе спектроскопии фототока
20/30422995 DC БС ЕН МЭК 60747-5-15. Полупроводниковые приборы. Часть 5-15. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения на основе спектроскопии электроотражения
23/30433255 DC BS EN ISO 2612. Анализ природного газа. Биометан. Определение содержания аммиака методом абсорбционной спектроскопии перестраиваемого диодного лазера
BS IEC 60747-5-10:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания внутренней квантовой эффективности, основанный на контрольной точке при комнатной температуре
BS EN 62560:2012 Светильники светодиодные самобалластные для общего освещения напряжением 50 В. Характеристики безопасности
BS EN 62341-6-2:2012 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Методы измерения качества изображения и характеристик окружающей среды
BS EN IEC 62149-12:2023 Оптоволоконные активные компоненты и устройства. Стандарты производительности — лазерное диодное устройство с распределенной обратной связью для аналоговой радиосвязи по оптоволоконным системам.
18/30367367 DC БС МЭК 60747-5-62. Полупроводниковые приборы. Часть 5-9. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания внутренней квантовой эффективности на основе температурно-зависимой электролюминесценции
BS ISO 23946:2020 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Методы испытаний оптических свойств керамических люминофоров для белых светодиодов с использованием гонио-спектрофлуориметра
BS EN 150014:1997 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Бланковая спецификация: Тиристорные диоды, ограничители переходных перенапряжений.
BS EN 150014:1995 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Бланковая детальная спецификация: Тиристорные диоды, ограничители переходных перенапряжений.
18/30367371 DC БС МЭК 60747-5-63. Полупроводниковые приборы. Часть 5-10. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания внутренней квантовой эффективности по эталонной точке при комнатной температуре

International Electrotechnical Commission (IEC), Номинальный фотодиод

IEC TS 62504:2011 Общее освещение - Светодиоды и светодиодные модули - Термины и определения
IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 5-8. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светоизлучающих диодов.
IEC 91/926/PAS:2010 Электронная плата для светодиодов высокой яркости
IEC 60747-5-7:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 5-7. Оптоэлектронные приборы. Фотодиоды и фототранзисторы.
IEC 60747-5-16:2023 Полупроводниковые приборы. Часть 5-16. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения светодиодов на основе GaN на основе спектроскопии фототока.
IEC 60747-5-11:2019 Приборы полупроводниковые. Часть 5-11. Приборы оптоэлектронные. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светоизлучающих диодов.
IEC TS 62916:2017 Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасных диодов к электростатическому разряду
IEC 60747-2-2:1993 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 2: выпрямительные диоды; раздел 2: пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, для токов более 100 А.
IEC 60747-2-1:1989 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 2: выпрямительные диоды; раздел первый: пустая подробная спецификация на выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А.
IEC 60747-5-6:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 60747-5-6:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 91/928/PAS:2010 Методы испытаний электронных плат светодиодов высокой яркости
IEC 62341-2-1:2015 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 2-1. Основные характеристики и характеристики модулей дисплеев OLED.
IEC 60747-5-6:2021 RLV Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC TS 63109:2022 Фотоэлектрические (PV) модули и элементы. Измерение коэффициента идеальности диода путем количественного анализа электролюминесцентных изображений.
IEC 62341-6-3:2017/COR1:2019 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62341-6-1:2022 RLV Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62341-6-1:2017 RLV Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62341-6-1:2022 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62595-2:2012 Блок подсветки ЖК-дисплея. Часть 2. Электрооптические методы измерения блока светодиодной подсветки.
IEC 62504:2014 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения
IEC 62504:2014/AMD1:2018 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения
IEC 62504:2014+AMD1:2018 CSV Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения
IEC 62384:2006 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
IEC 62384:2011 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
IEC TR 60747-5-12:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 5-12. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды. Метод испытания эффективности светодиодов.
IEC 62341-6-1:2017 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62341-6-1:2009 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC TS 62972:2016 Общее освещение. Изделия из органических светоизлучающих диодов (OLED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения
IEC 60747-5-15:2022 Полупроводниковые приборы. Часть 5-15. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения на основе спектроскопии электроотражения.
IEC 60747-12-3:1998 Полупроводниковые приборы. Часть 12-3. Оптоэлектронные устройства. Бланк подробной спецификации для светодиодов. Применение дисплея
IEC 62560:2011 Светодиодные лампы с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности
IEC 62560:2015 Светодиодные лампы с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности
IEC 60700-3:2022 Тиристорные клапаны для передачи энергии постоянного тока высокого напряжения (HVDC). Часть 3. Основные номинальные параметры (предельные значения) и характеристики.
IEC 61347-2-13:2014 Устройство управления лампами. Часть 2-13. Частные требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.
IEC 61347-2-13:2006 Устройство управления лампами. Часть 2-13. Частные требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.
IECQ 03-8-2018 Система оценки качества IEC для электронных компонентов (Система IECQ) – Правила процедуры – Часть 8: Схема IECQ для светодиодного освещения
IEC 60747-5-9:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 5-9. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытания внутреннего квантового выхода на основе температурно-зависимой электролюминесценции.
IEC 60747-5-14:2022 Полупроводниковые приборы. Часть 5-14. Оптоэлектронные приборы. Светоизлучающие диоды. Метод определения температуры поверхности на основе метода термоотражения.
IEC 62149-12:2023 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 12. Лазерное диодное устройство с распределенной обратной связью для аналоговой радиосвязи по оптоволоконным системам.
IEC 60747-12-6:1997 Полупроводниковые приборы. Часть 12-6. Оптоэлектронные устройства. Бланковая подробная спецификация для лавинных фотодиодов с косичкой или без нее, для волоконно-оптических систем или подсистем
IEC 60747-5-10:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 5-10. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды. Метод испытания внутреннего квантового выхода на основе эталонной точки при комнатной температуре.
IEC 60747-12-2:1995 Полупроводниковые приборы. Часть 12. Оптоэлектронные устройства. Раздел 2. Подробная спецификация для лазерных диодных модулей с пигтейлом для волоконно-оптических систем и подсистем.

Professional Standard - Machinery, Номинальный фотодиод

JB/T 5837-1991 Выпрямительные диоды серии ZP 2000A и выше, рассчитанные на корпус
JB/T 5186-1991 Кремниевые фотодиоды для фотоаппаратов
JB/T 5836-1991 Выпрямительные диоды с быстрым восстановлением серии ZK 5А и выше, рассчитанные на корпус

机械电子工业部, Номинальный фотодиод

JB 5837-1991 Выпрямительные диоды серии ZP, рассчитанные на ток выше 2000 А

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Номинальный фотодиод

JIS C 8152-2:2012 Фотометрия диода белого света для общего освещения. Часть 2. Светодиодные модули и светодиодные источники света.
JIS C 5990:1997 Общие правила использования фотодиодов для оптоволоконной передачи
JIS C 8152-2 AMD 1:2014 Фотометрия диода белого света для общего освещения. Часть 2. Светодиодные модули и светодиодные светильники (поправка 1)
JIS C 8152-1:2012 Фотометрия диода белого света для общего освещения. Часть 1. Комплекты светодиодов.
JIS C 5991:1997 Методы измерения фотодиодов для оптоволоконной передачи
JIS C 7036:1985 Методы измерения светодиодов (для индикации)
JIS C 62504:2016 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения
JIS C 8156:2011 Лампы светодиодные с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности
JIS C 8156:2017 Лампы светодиодные с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности

YU-JUS, Номинальный фотодиод

JUS N.R1.372-1979 Полупроводниковые диоды. Основные номиналы и характеристики: выпрямительные диоды.
JUS N.R1.375-1980 Полупроводниковый диод с. Основные рейтинги и характеристики. Диоды переменной емкости
JUS N.R1.374-1980 Полупроводниковые диоды. Основные рейтинги и характеристики. Ттмнельдиоды
JUS N.R1.371-1979 Полупроводниковые диоды. Основные номиналы и характеристики: Диоды опорного напряжения и стабилизатора напряжения.

RU-GOST R, Номинальный фотодиод

GOST R 54814-2018 Светодиоды и светодиодные модули общего назначения. Понятия и определения
GOST R 54814-2011 Светодиоды и светодиодные модули общего назначения. Понятия и определения
GOST 19656.6-1974 Полупроводниковые диоды смесителя УВЧ. Методы измерения стандартного общего коэффициента шума
GOST 18986.4-1973 Полупроводниковые диоды. Методы измерения емкости
GOST 18986.6-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения восстановительного сбора
GOST 18986.0-1974 Полупроводниковые диоды. Методы измерения электрических параметров. Общие требования
GOST 21107.10-1978 Газоразрядные устройства. Методы измерения электрических параметров режима работы и условий измерения тиратронов тлеющего разряда и газонаполненных выпрямителей
GOST 18986.1-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения прямого обратного тока
GOST 18986.3-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения прямого прямого напряжения и прямого прямого тока
GOST R IEC 62384-2011 Электронная аппаратура управления, питаемая от источников постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
GOST 21316.6-1975 Фотоэлементы. Метод определения соответствия амперной характеристики фотоэлемента заданному пределу линейности в условиях непрерывной работы
GOST 21316.7-1975 Фотоэлементы. Метод определения соответствия амперной характеристики фотоэлемента заданному пределу линейности в импульсном режиме работы
GOST 19656.10-1988 Полупроводниковые переключающие и ограничительные диоды СВЧ. Методы измерения сопротивлений потерь
GOST R IEC 62560-2011 Светильники светодиодные самобалластные для общего освещения напряжением 50 В. Характеристики безопасности

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Номинальный фотодиод

QC 750101/SU 0004-1990 Подробные спецификации для электронных компонентов Полупроводниковые диоды @ для окружающей среды Предназначены для цепей в ТВ-приемниках Коммутационные диоды (Sw) @ Тип KD805A
QC 750101/GB 0001 ISSUE 1-1990 Кремниевый высокоскоростной переключающий диод, рассчитанный на окружающую среду, в пластиковом корпусе
QC 750108/ CN 0010-1992 Подробные спецификации электронных компонентов, кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду, для типа 2CZ305
QC 750108/ CN 0008-1992 Подробные спецификации электронных компонентов, кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду, для типа 2CZ317
QC 750108/ CN 0006-1992 Подробные спецификации электронных компонентов, кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду, для типа 2CZ312
QC 750108/ CN 0007-1992 Подробные спецификации электронных компонентов, кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду, для типа 2CZ313
QC 750108/ CN 0005-1992 Подробные спецификации электронных компонентов, кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду, для типа 2CZ308
QC 750108/ CN 0009-1992 Подробные спецификации электронных компонентов, кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду, для типа 2CZ318
PQC 75-1991 Полупроводниковые приборы — дискретные устройства — выпрямительные диоды. Бланк подробной спецификации: выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды) @ для окружающей среды и номинальный ток @ более 100 А.
QC 750108/ CN 0002-1991 Подробные спецификации электронных компонентов, кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду, для типа 2CZ321, уровень оценки II
QC 750108/ CN 0003-1991 Подробные спецификации электронных компонентов, кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду, для типа 2CZ322, уровень оценки II
QC 750101/SU 0001-1990 Подробные спецификации электронных компонентов Сигнальные полупроводниковые эпитаксионно-планарные диоды, рассчитанные на окружающую среду, для импульсных и цифровых схем электронного оборудования типа КД5И0А
QC 750101/SU 0003-1990 Подробные спецификации электронных компонентов Сигнальные полупроводниковые эпитаксионно-планарные диоды, рассчитанные на окружающую среду, для импульсных и цифровых схем электронного оборудования типа КД522Б
QC 750101/SU 0002-1990 Подробные спецификации электронных компонентов Сигнальные полупроводниковые эпитаксионно-планарные амбиентные диоды для импульсных и цифровых схем электронного оборудования типа KD52IA@ KD52IB
QC 750103/ CN 0001-1992 Подробные спецификации электронных компонентов Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для низкочастотного усиления типа 3DD870
QC 750102/ SU 0001-1990 Подробные спецификации электронных компонентов. Высокочастотные эпитаксионно-планарные биполярные транзисторы типа КТ3II7А, рассчитанные на окружающую среду.
QC 750103-1989 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы. Раздел второй. Пустая подробная спецификация для корпусных биполярных транзисторов для низкочастотного усиления (IEC 747-7-2 ED 1)
QC 750102/CN 0001-1988 Подробные спецификации электронных компонентов Биполярные транзисторы для усиления высоких частот типа 3DG130, рассчитанные на окружающую среду, уровень оценки II
QC 750102/CN 0003-1990 Подробные спецификации для электронных компонентов Биполярные транзисторы для усиления высоких частот типа 3DG1815, рассчитанные на окружающую среду, уровень оценки II

Professional Standard - Electron, Номинальный фотодиод

SJ/T 2216-2015 Техническая спецификация фотодиода кремниевого
SJ/T 10055-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на корпус, тип 2CZ58.
SJ/T 10054-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевый выпрямительный диод с номинальным корпусом для типа 2CZ57.
SJ/T 10056-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевый выпрямительный диод с номинальным корпусом, тип 2CZ59.
SJ/T 10057-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на корпус, тип 2CZ60.
SJ/T 2214-2015 Методы измерения полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ/T 10058-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду, для типа 2CZ103.
SJ/T 10060-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду, для типа 2CZ117.
SJ/T 10059-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевый выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду, для типа 2CZ116.
SJ/T 2354-2015 Методы измерения фотодиодов PIN、APD
SJ/T 2354-2015/0352 Методы измерения фотодиодов PIN、APD
SJ 2354.1-1983 Общие методики измерения электрических и оптических параметров PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.5-1983 Метод измерения емкости PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/102-1995 Детальная спецификация PIN-фотодиода InGaAs/InP типа GD 218
SJ 2214.10-1982 Метод измерения светового тока полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 50033/112-1996 Оптоэлектронные устройства Scmiconductor. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3251Y
SJ 50033/113-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3252Y
SJ 2354.3-1983 Метод измерения темнового тока PIN и лавинных фотодиодов
SJ 20644.1-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD101
SJ 2354.10-1983 Метод измерения коэффициента перекрестной освещенности матрицы PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.6-1983 Метод измерения чувствительности PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.13-1983 Метод измерения коэффициента умножения PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2214.3-1982 Метод измерения темнового тока полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.5-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотодиодов
SJ/T 10952-1996 Подробные спецификации электронных компонентов — кремниевые выпрямительные диоды 2CZ323, рассчитанные на окружающую среду (применимо для сертификации)
SJ/T 10950-1996 Подробные спецификации электронных компонентов — кремниевые выпрямительные диоды 2CZ322, рассчитанные на окружающую среду (применимо для сертификации)
SJ/T 10951-1996 Подробные спецификации электронных компонентов — кремниевые выпрямительные диоды 2CZ33, рассчитанные на окружающую среду (применимо для сертификации)
SJ/T 10953-1996 Подробные спецификации электронных компонентов — кремниевые выпрямительные диоды 2CZ324Q, рассчитанные на окружающую среду (применимо для сертификации)
SJ/T 10949-1996 Подробные спецификации электронных компонентов — кремниевые выпрямительные диоды 2CZ321, рассчитанные на окружающую среду (применимо для сертификации)
SJ/T 11403-2009 Лазерные диодные модули, используемые в телекоммуникациях. Оценка надежности.
SJ 2354.4-1983 Метод измерения прямого падения напряжения на PIN и лавинных фотодиодах
SJ 2354.2-1983 Метод измерения напряжения обратного пробоя PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/136-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на красный светодиод типа ГФ116
SJ 50033/143-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация красного диода типа GF1120.
SJ 50033/137-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на светодиод оранжево-красный светодиод типа ГФ216
SJ 50033/139-1998 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на зеленый светодиод типа ГФ4111
SJ 50033/138-1998 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Детальная спецификация на светодиод желтый типа ГФ318
SJ 50033/58-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация зеленого светодиода типа GF413
SJ/T 11393-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.
SJ 50033/142-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация зеленого диода типа GF4112.
SJ 50033/57-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация красного светодиода типа GF115
SJ/Z 9171-1995 Характеристики для определения зеленых светодиодов диаметром 3 мм, используемых в видеомагнитофонах
SJ 2354.14-1983 Метод измерения коэффициента избыточного шума PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2215.6-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ/T 11866-2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Подробные характеристики кремниевых подложек мощных светодиодов белого света.
SJ/T 11400-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
SJ 2138-1982 Методы измерения регулируемого тока кремниевых диодов-регуляторов тока
SJ 2354.11-1983 Метод измерения ширины слепой зоны ПИН и матрицы лавинного фотодиода
SJ 2215.3-1982 Метод измерения прямого тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2214.4-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя полупроводниковых фотодиодов
SJ 2215.4-1982 Метод измерения обратного тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2354.9-1983 Метод измерения эквивалентной мощности помех PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/99-1995 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Подробная спецификация двухцветного светодиода o/G для типа GF511.
SJ 20642.7-2000 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация светодиодного модуля типа GR1325J
SJ/T 11817-2022 Бланк рабочей спецификации на светодиоды для полупроводниковых оптоэлектронных приборов, ламп накаливания
SJ 2354.7-1983 Метод измерения кривой спектрального отклика и диапазона спектрального отклика PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.12-1983 Метод измерения температурного коэффициента напряжения обратного пробоя PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/109-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация полупроводниковых лазерных диодов типов GJ9031T и GJ9032T и GJ9034T.
SJ 2354.8-1983 Метод измерения времени нарастания и спада импульсов PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/110-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на инфракрасный светодиод типа GR9413.
SJ 2215.5-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 53930/1-2002 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация инфракрасного диода типа GR8813
SJ 2658.4-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения емкости
SJ 2672.7-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы низкого напряжения, частота 175 МГц, тип 3DA307.
SJ/T 10947-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - полупроводниковые зеленые светодиоды FG341052 и FG343053.
SJ 2658.3-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения обратного напряжения
SJ 2672.2-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные силовые транзисторы низкого напряжения, частота 175 МГц, тип 3DA302.
SJ 2672.3-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы низкого напряжения, частота 175 МГц, тип 3DA303.
SJ 2672.4-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные силовые транзисторы низкого напряжения 175 МГц, тип 3DA304.
SJ 2672.5-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы низкого напряжения, частота 175 МГц, тип 3DA305.
SJ 2672.6-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы низкого напряжения, частота 175 МГц, тип 3DA306.
SJ 2672.8-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы с частотой 175 МГц, тип 3DA308.
SJ 2672.9-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы низкого напряжения, частота 175 МГц, тип 3DA309.
SJ 2673.1-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы низкого напряжения, частота 470 МГц, тип 3DA311.
SJ 2673.2-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы с частотой 470 МГц, тип 3DA312.
SJ 2673.3-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы с частотой 470 МГц, тип 3DA313.
SJ 2673.4-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы с частотой 470 МГц, тип 3DA314.
SJ 2673.5-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы с номинальной частотой 470 МГц, тип 3DA315.
SJ 2673.6-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные низковольтные транзисторы низкого напряжения, 470 МГц, тип 3DA316.
SJ 2672.1-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы с номинальной частотой 175 МГц, тип 3DA301.
SJ/T 2658.16-2016 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 16: Эффективность фотоэлектрического преобразования.
SJ/T 10948-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - полупроводниковых красных светодиодов FG313052, FG314053, FG313054 и FG314055.
SJ 3124-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для кремниевого NPN низкочастотного усиления, тип 3DD1942.
SJ 3125-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для кремниевого NPN низкочастотного усиления, тип 3DD2027.
SJ 3126-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для кремниевого NPN низкочастотного усиления, тип 3DD869.
SJ 3127-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для кремниевого NPN низкочастотного усиления, тип 3DD871.
SJ 3128-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для кремниевого NPN низкочастотного усиления, тип 3DD820.
SJ 3123-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с защитой от окружающей среды для высокочастотного усиления, тип 3DG1779.
SJ 2658.5-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого последовательного сопротивления
SJ/T 10049-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярный транзистор для кремниевого NPN высокочастотного усиления типа 3DA1162.
SJ/T 10050-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярный транзистор для кремниевого NPN высокочастотного усиления типа 3DA1722.
SJ/T 10051-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярный транзистор с корпусом для кремниевого NPN высокочастотного усиления для типа 3DA 2688.
SJ/T 10052-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярный транзистор с корпусом для кремниевого PNP усиления низкой частоты для типа 3CD 507
SJ 3120-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с защитой от окружающей среды для высокочастотного усиления, тип 3DG1215.
SJ 3121-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с защитой от окружающей среды для высокочастотного усиления, тип 3DG2464.
SJ 3122-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с защитой от окружающей среды для высокочастотного усиления, тип 3DG3177.
SJ/T 10959-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - тиристоры лавинного триода 3CT320 (применимо для сертификации)
SJ/T 10053-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярный транзистор с корпусом для кремниевого NPN усиления низкой частоты для типа 3DD 313
SJ/T 10886-1996 Подробные характеристики электронных компонентов - Транзисторы биполярные 3DD201 для корпуса усиления низкой частоты (применяются для сертификации)
SJ/T 10885-1996 Подробные характеристики электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DA150B и 3DA150C для корпуса высокочастотного усиления (применяются для сертификации)
SJ/T 10958-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - триодные тиристоры с обратной блокировкой 3CT320 (применимо для сертификации)
SJ/T 10887-1996 Подробные характеристики электронных компонентов - Транзисторы биполярные 3ДД102Б для корпуса усилителя низкой частоты (применяются для сертификации)
SJ/T 10973-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DD200 для кремниевого NPN корпуса усилителя низкой частоты (применимо для сертификации)
SJ/T 10955-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DG107, рассчитанные на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ/T 11052-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DG162, рассчитанные на условия окружающей среды, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ/T 11054-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DG140, рассчитанные на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ/T 11053-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DG182, рассчитанные на эксплуатацию в условиях окружающей среды, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ/T 11060-1996 Подробные спецификации электронных компонентов — биполярные транзисторы 3DG3130, рассчитанные на условия окружающей среды, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ/T 10833-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DG80, рассчитанные на эксплуатацию в условиях окружающей среды, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ/T 10772-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DG201C, рассчитанные на условия окружающей среды, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ/T 10837-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DG131A, 3DG131B и 3DG131C, рассчитанные на условия окружающей среды, для высокочастотного усиления (применимо для сертификации)
SJ/T 10770-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DG130A-3DG130D, рассчитанные на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)

CZ-CSN, Номинальный фотодиод

CSN 35 8761-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы фотодиоды. Измерение фотоэлектрического тока
CSN 35 8762-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы, фотодиоды. Измерение темнового тока
CSN IEC 747-2-1:1993 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 2: Выпрямительные диоды. Раздел 1. Бланковая подробная спецификация на выпрямительные диоды (включая лавинные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А.
CSN 35 8585 Cast.3-1987 Кинескопы цветного телевидения. Методы измерения яркости экрана белого света и определения соотношения анодных токов при белом свете

Professional Standard - Post and Telecommunication, Номинальный фотодиод

YD/T 835-1996 Метод испытания лавинных фотодиодов

邮电部, Номинальный фотодиод

YD/T 0835-1996 Лавинный фотодиодный метод обнаружения

IN-BIS, Номинальный фотодиод

IS 3700 Pt.11-1984 Основные номиналы и характеристики полупроводниковых приборов Часть 11 Светодиоды
IS 3700 Pt.9-1972 Основные номиналы и характеристики полупроводниковых приборов. Часть IX. Диоды переменной емкости.
IS 3700 Pt.8-1970 Основные номиналы и характеристики полупроводниковых приборов. Часть VIII. Регуляторы напряжения и диоды опорного напряжения.

工业和信息化部, Номинальный фотодиод

SJ/T 11461.2-2016 Устройства отображения на органических светодиодах. Часть 2. Основные характеристики и характеристики.

Group Standards of the People's Republic of China, Номинальный фотодиод

T/COEMA 004LCD-2022 Поляризационная пленка для ТВ-дисплеев на органических светодиодах
T/CVIA 59-2016 Методы измерения телевизоров с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
T/CVIA 11-2016 Методы измерения телевизоров с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
T/CVIA 58-2016 Общие технические требования к телевизорам с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
T/CVIA 10-2016 Общие технические требования к телевизорам с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
T/CSA 048-2019 Измерение электрических и фотометрических характеристик светодиодов общего освещения при различных токах/температурах

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Номинальный фотодиод

GB/T 16894-1997 Бланковая подробная спецификация на выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, на ток более 100 А.
GB/T 23729-2009 Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Методика испытаний.
GB/T 6351-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 2: Выпрямительные диоды. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, до 100 А.
GB/T 15651.6-2023 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды.
GB/T 42243-2022 Общие технические характеристики телевизоров на органических светодиодах (OLED)
GB/T 36359-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
GB/T 36360-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды средней мощности.
GB/T 20871.61-2013 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1: Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
GB/T 18904.3-2002 Полупроводниковые приборы. Часть 12-3. Оптоэлектронные устройства. Бланковая детальная спецификация для светоизлучающих диодов. Применение дисплея.
GB 9520-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевые NPN низкочастотные биполярные транзисторы с усилителем типа 3DD200 (доступны для сертификации).
GB/T 18904.5-2003 Полупроводниковые устройства Часть 12-5: Оптоэлектронные устройства. Бланковая подробная спецификация для штыревых фотодиодов с пигтейлом или без него для волоконно-оптических систем или подсистем.
GB/T 6590-1998 Полупроводниковые устройства Дискретные устройства Часть 6. Раздел «Тиристоры». Двухполосная подробная спецификация для двунаправленных триодных тиристоров (триаков), рассчитанных на окружающую среду или корпус, до 100 А.
GB/T 13150-2005 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Пустая подробная спецификация для двунаправленных триодных тиристоров (триаков), рассчитанных на окружающую среду и корпус, для токов более 100 А.
GB/T 18904.2-2002 Полупроводниковые приборы. Часть 12-2. Оптоэлектронные устройства. Бланковая подробная спецификация для модулей лазерных диодов с пигтейлом для волоконно-оптических систем или подсистем.

PT-IPQ, Номинальный фотодиод

NP 3234-2-1987 Электронный оригинал. Класс электролюминесцентных диодов. Матрица электролюминесцентных диодов, подробные характеристики

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Номинальный фотодиод

NEMA C78.51-2016 Электрические лампы. Светодиодные лампы. Метод обозначения.
NEMA C78.52-2017 Электрические лампы – светодиодные (светодиодные) лампы прямой замены – метод обозначения

RO-ASRO, Номинальный фотодиод

STAS 12258/2-1984 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ПИОТОДИОДЫ Терминология и суть] Характеристики
STAS 12258/4-1986 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы СВЕТОДИОДЫ Терминология и основные характеристики
STAS 12258/6-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ ЭММ-ДИОДЫ Терминология и существенные характеристики

PL-PKN, Номинальный фотодиод

PN T01010 ArkusZ05-1974 Электронные лампы Вакуумные диоды Термины и определения
PN T01504-67-1987 Диоды Методы измерения Последовательное эквивалентное сопротивление

TH-TISI, Номинальный фотодиод

TIS 1596-1999 Полупроводниковые устройства.дискретные устройства.часть 2: выпрямительные диоды. Раздел 2: пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, для токов более 100 А.

Defense Logistics Agency, Номинальный фотодиод

DLA MIL-DTL-3976/1 B-2007 СВЕТОДИОД (LED), ЗАЗОР МАРКЕРА-ЗАТЕМНЕНИЕ, 14 И 28 ВОЛЬТ
DLA DSCC-DWG-94030 REV B-2001 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ПОДАВИТЕЛЬ ПЕРЕХОДНЫХ ДИОДОВ
DLA MIL-DTL-28803/1 E-2013 ДИСПЛЕЙ, ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ, СЕГМЕНТИРОВАННЫЙ СЧИТЫВАНИЕ, С ПОДСВЕТКОЙ, СТИЛЬ II (СВЕТОДИОДНЫЙ), ЭКРАНИРОВАННЫЙ от радиочастотных помех, ВЛАГОГЕРМЕТИЧНЫЙ, ВЫСОКИЙ УДАР, ТИП R01

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Номинальный фотодиод

GB/T 36358-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.
GB/T 37946-2019 Метод испытания термостойкости материалов для дисплеев на органических светодиодах (OLED)
GB/T 37949-2019 Метод проверки чистоты низкомолекулярных материалов, применяемых в дисплеях на органических светодиодах (OLED) — высокоэффективная жидкостная хроматография (ВЭЖХ).

IEC - International Electrotechnical Commission, Номинальный фотодиод

TS 62916-2017 Фотоэлектрические модули – проверка чувствительности байпасных диодов к электростатическому разряду (редакция 1.0)

American Society for Testing and Materials (ASTM), Номинальный фотодиод

ASTM C1307-21 Стандартный метод испытаний плутония с помощью диодной спектрофотометрии плутония (III)
ASTM C1307-15 Стандартный метод испытаний плутония с помощью диодной спектрофотометрии плутония (III)
ASTM D7904-15 Стандартный метод определения содержания водяного пара (концентрации влаги) в природном газе методом перестраиваемой диодной лазерной спектроскопии (TDLAS)
ASTM D7904-21 Стандартный метод определения содержания водяного пара (концентрации влаги) в природном газе методом перестраиваемой диодной лазерной спектроскопии (TDLAS)
ASTM F3095-17 Стандартная практика использования лазерных технологий для прямого измерения формы поперечного сечения трубопровода и кабелепровода с помощью вращающихся лазерных диодов и системы камер видеонаблюдения
ASTM D8488-22 Стандартный метод определения сероводорода (H2S) в природном газе методом перестраиваемой диодной лазерной спектроскопии (TDLAS)
ASTM F3095-14 Стандартная практика использования лазерных технологий для прямого измерения формы поперечного сечения трубопровода и кабелепровода с помощью вращающихся лазерных диодов и системы камер видеонаблюдения
ASTM F3095-17a Стандартная практика использования лазерных технологий для прямого измерения формы поперечного сечения трубопровода и кабелепровода с помощью вращающихся лазерных диодов и системы камер видеонаблюдения
ASTM F3095-17a(2022) Стандартная практика использования лазерных технологий для прямого измерения формы поперечного сечения трубопровода и кабелепровода с помощью вращающихся лазерных диодов и системы камер видеонаблюдения

未注明发布机构, Номинальный фотодиод

BS EN 150008:1993(1999) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланковая детальная спецификация. Выпрямительные диоды, рассчитанные на окружающую среду.
BS EN 150009:1993(2000) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланковая детальная спецификация. Выпрямительные диоды, рассчитанные на корпус.
BS EN 120008:1995(2000) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланковая подробная спецификация. Светоизлучающие диоды и инфракрасные диоды для волоконно-оптической системы или подсистемы.
BS EN 120006:1993(1999) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Детальная спецификация бланка. Штыревые фотодиоды для волоконно-оптических приложений.

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Номинальный фотодиод

GB/T 33762-2017 Метод измерения характеристик дисплея телевизора на органических светодиодах (OLED)

GB-REG, Номинальный фотодиод

REG NASA-LLIS-1840--2006 Извлеченные уроки: Электрический отказ узла детектора лавинного фотодиода (APD) CALIPSO
REG NASA-LLIS-0989-2001 Извлеченные уроки Отказ блока лазерных диодных насосов ETU: короткое замыкание индиевой прокладки между контактами привело к отказу электрической системы

KR-KS, Номинальный фотодиод

KS C IEC 62341-6-1-2020 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
KS C IEC 62504-2020 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (СИД) и сопутствующее оборудование. Термины и определения.
KS C IEC TS 62972-2018 Общее освещение. Изделия на органических светоизлучающих диодах (OLED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения.

National Electrical Manufacturers Association（NEMA), Номинальный фотодиод

NEMA C78.374-2015 Электрические лампы — спецификация корпуса светодиодов для общего освещения

Danish Standards Foundation, Номинальный фотодиод

DS/EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
DS/IEC 747-2-1:1990 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 2: Выпрямительные диоды. Раздел первый: Пустая подробная спецификация на выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Номинальный фотодиод

EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
EN 62504:2014 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения
EN IEC 62149-12:2023 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 12. Лазерное диодное устройство с распределенной обратной связью для аналоговой радиосвязи по оптоволоконным системам.

GOSTR, Номинальный фотодиод

GOST IEC 62341-6-1-2016 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров
GOST R 58229-2018 Органические светодиоды для общего освещения и сопутствующего оборудования. Понятия и определения

International Organization for Standardization (ISO), Номинальный фотодиод

ISO/FDIS 2612:2023 Анализ природного газа — Биометан — Определение содержания аммиака методом перестраиваемой диодной лазерной абсорбционной спектроскопии
ISO/DIS 2612 Анализ природного газа — Биометан — Определение содержания аммиака методом абсорбционной спектроскопии перестраиваемого диодного лазера

AENOR, Номинальный фотодиод

UNE-EN 62504:2015 Общее освещение. Светоизлучающие диоды (LED) и сопутствующее оборудование. Термины и определения

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Номинальный фотодиод

GJB 33/15-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводникового инфракрасного диода типа ВТ401.

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Номинальный фотодиод

CNS 13780-1996 Методы испытания на долговечность инфракрасных излучающих диодов (для автоматизации) — испытание постоянным напряжением
CNS 13090-1992 Метод испытания на выносливость больших светодиодных ламп (для наружных дисплеев) — испытание на непрерывную подачу тока

International Commission on Illumination (CIE), Номинальный фотодиод

CIE S 017-SP1/E-2015 ILV: Международный словарь по освещению. Приложение 1. Светоизлучающие диоды (СИД) и светодиодные сборки. Термины и определения.

HU-MSZT, Номинальный фотодиод

MSZ 11453/2-1987 Прямое подключение к инструментам и интегральным схемам. Исправить определение диодного обнаружения

European Committee for Standardization (CEN), Номинальный фотодиод

prEN ISO 2612 Анализ природного газа. Биометан. Определение содержания аммиака с помощью абсорбционной спектроскопии перестраиваемого диодного лазера (ISO/DIS 2612:2023)

American National Standards Institute （ANSI), Номинальный фотодиод

BS EN IEC 60700-3:2022 Тиристорные клапаны для передачи энергии постоянного тока высокого напряжения (HVDC) Основные номиналы (предельные значения) и характеристики (Британский стандарт)

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Номинальный фотодиод

IEEE 1789-2015 Рекомендуемые методы регулирования тока в светодиодах высокой яркости для снижения риска для здоровья зрителей