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Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

Modelo de equipo de prueba de semiconductores., Total: 183 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Modelo de equipo de prueba de semiconductores. son: Componentes para equipos eléctricos., Medidas lineales y angulares., Dispositivos semiconductores, Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., pruebas de metales, Materiales semiconductores, Optoelectrónica. Equipo láser, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Circuitos integrados. Microelectrónica, Redes de transmisión y distribución de energía., Construcción naval y estructuras marinas en general, Sistemas de automatización industrial, Tecnología de vacío, Idiomas utilizados en la tecnología de la información., Calidad del aire, Dibujos tecnicos, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Equipos de interfaz e interconexión..

Professional Standard - Machinery, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

JB/T 4219-1999 Designación de tipo de equipos de medición para dispositivos semiconductores de potencia.
JB/T 6307.4-1992 Método de prueba para módulo semiconductor de potencia Brazo y par de brazos de transistor bipolar
JB/T 6307.5-1994 Métodos de prueba del módulo semiconductor de potencia Transistores bipolares Puente monofásico y puente trifásico

Group Standards of the People's Republic of China, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

T/ZACA 041-2022 Equipo de prueba de dispositivos semiconductores de señal mixta
T/ZAQ 10113-2022 Equipos de prueba de vida útil intermitente para dispositivos semiconductores.
T/CZSBDTHYXH 001-2023 Defectos de oblea Equipo de inspección óptica automática
T/GVS 005-2022 Especificación de prueba para el método de contraste del vacuómetro de diafragma de capacitancia de presión absoluta en equipos semiconductores

YU-JUS, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

JUS N.A3.500-1980 Dispositivos semiconductores. Símbolos gráficos

RO-ASRO, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

STAS 7128/2-1986 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMIONDUCTORES Y MICROCIRCUITOS INTERADOS Símbolos para transistores bipolares
STAS 6693/2-1975 Dispositivos semiconductores TRANSISTORES Métodos para medir propiedades eléctricas.
STAS 7128/6-1986 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos para tiristores
STAS 7128/9-1980 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos de letras para transistores de unión
STAS 7128/8-1986 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos para transitores de efecto de campo
STAS 7128/5-1985 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y NICROCIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos para diodos rectificadores
STAS 7128/1-1985 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Reglas generales
STAS 7128/11-1985 T.ETTJ?R SÍMBOLOS PARA DISPOSITIVOS EMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos para circuitos integrados digitales
STAS 7128/4-1971 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos de letras para diodos de lunnel
STAS 7128/3-1985 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS ONDUCR SEM1 Y IRCUTS M SOROC INTERADOS Símbolos para dispositivos de señal de baja potencia
STAS 7128/10-1984 SIMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ANI) CIRCUITOS INTEGRADOS Sinibols para circuitos integrados analógicos
STAS 7128/7-1986 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos para diodos de capacitancia variable y diodos mezcladores
STAS 12124/1-1982 Dispositivos semiconductores TRANZISTORES BIPOLARES Métodos para medir parámetros eléctricos estáticos.
STAS 7128/12-1985 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS EMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos para diodos reguladores de voltaje y de referencia de voltaje
STAS 12123/2-1983 Dispositivos semiconductores DIODOS DE SEÑAL DE BAJA POTENCIA, INCLUIDOS LOS DIODOS DE CONMUTACIÓN Métodos de medición de las características eléctricas
STAS 12124/3-1983 Dispositivos semiconductores TRANZISTORES DE EFECTO D FIFL Métodos para medir parámetros eléctricos estáticos
STAS 12124/4-1983 Dispositivos semiconductores TRANZISTORES DE EFECTO DE CAMPO Métodos para medir parámetros eléctricos estáticos
STAS 12123/4-1984 Dispositivos semiconductores DIODOS DE CAPACITANCIA VARIABLE Métodos de medición de características eléctricas

Defense Logistics Agency, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

DLA MIL-S-19500/173 A VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipos 2N389 y 2N424 (azul marino)
DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, transistores, cuádruple, efecto de campo, canal NC, silicio, tipo 2N7334, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKCA2N7334 y JANHCA2N7334
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DE BUS DE PRUEBA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86864-1988 MICROCIRCUITOS DIGITALES BORRABLES CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE
DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 MICROCIRCUITO LINEAL, CONTROLADORES BIMOS II CON BLOQUEO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/534 F-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N5002 Y 2N5004, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG, JANSH, JANHCB, JANKCB, JANKCBM, JANKCBD, JANKCBP, JANKCBL, JANKCBR, JANKCBF, JANKCBG Y JANKCBH
DLA MIL-PRF-19500/420 L-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, ENERGÍA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD y JANKCE
DLA SMD-5962-87641-1988 MICROCIRCUITOS LINEALES, BIMOS DE 8 BITS, ENTRADA SERIE, CONDUCTOR ENCLAVADO, SILICIO MONOLÍTICO

SE-SIS, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

SIS SS-IEC 749:1991 Dispositivos semiconductores: métodos de prueba mecánicos y climáticos.
SIS SS 499 07 07-1990 Sistema de iniciación con conductor de señal no eléctrico de tipo baja energía - Requisitos generales y pruebas
SIS SEN 47 10 03-1973 Interferencias de radio. Límites y métodos de medida de tensión perturbadora para controles de regulación que incorporan dispositivos semiconductores.

CZ-CSN, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

CSN IEC 749:1994 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos.
CSN 35 8754-1973 Dispositivos semiconductores. Transistores. Medición de la admitancia de salida de cortocircuito.
CSN 35 8756-1973 Dispositivos semiconductores. Transistores Medición de parámetros y
CSN 35 8742-1973 Dispositivos semiconductores. Transistores. Medida de corrientes de corte
CSN 35 8759-1977 Dispositivos semiconductores. Transistores. Métodos de medición de los tiempos de conmutación.
CSN 35 8737-1975 Dispositivos semiconductores. Diodos. Medición de rosistanoe diferencial.
CSN IEC 747-3-2:1991 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores. Sección dos. Especificación detallada en blanco para diodos reguladores de voltaje y diodos de referencia de voltaje, excluidas las referencias de precisión con compensación de temperatura.
CSN 35 8749-1973 Dispositivos semiconductores. Transistores. Medición del valor absoluto de la admitancia de transferencia directa de cortocircuito
CSN 35 8797 Cast.3 IEC 747-3 ZA1+A2:1996
CSN 35 8731-1975 Dispositivos semiconductores. Diodos Medición de tensión directa de CC
CSN 35 8763-1973 Dispositivos semiconductores. Diodos. ¿Medida o? tensión de ruptura inversa
CSN 35 8761-1973
CSN 35 8762-1973 Dispositivos semiconductores. Fotodiodos fototransistores. Medición de corriente oscura.
CSN 35 8752-1976 Dispositivos semiconductores. Transistores. Métodos de medición de capacitancia de salida de base común.
CSN 35 8785-1975 Dispositivos semiconductores. Varicaps. Medición del coeficiente de capacitancia térmica.
CSN 35 8733-1975 Dispositivos semiconductores. Diodos. Medición de voltago inverso (voltago de trabajo)
CSN 35 8764-1976 Dispositivos semiconductores. Diodos de conmutación. Medición ¿dónde? tiempo de recuperación inverso.
CSN 35 8765-1976 Dispositivos semiconductores. Diodos de conmutación. Medición de la carga de recuperación inversa.
CSN 35 8746-1973 Dispositivos semiconductores. transistor. Medición del valor absoluto de la relación de transferencia de corriente directa y frecuencias fT, fh21b, fh21e
CSN 35 8745-1973 Dispositivos semiconductores. transistor. Medición de la relación de transferencia de voltaje inverso en circuito abierto y el coeficiente pequeño a altas frecuencias.

PL-PKN, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

PN T01208-01-1992
PN T01501 ArkusZ4-1973 Diseño de semiconductores Símbolos de letras de los parámetros de los transistores de efecto de campo

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

JEDEC JEP104C.01-2003 Guía de referencia sobre símbolos de letras para dispositivos semiconductores
JEDEC JESD57-1996 Procedimientos de prueba para la medición de efectos de un solo evento en dispositivos semiconductores debido a la irradiación de iones pesados
JEDEC JESD66-1999 Estándar de supresor de voltaje transitorio para verificación de clasificación y prueba de características del dispositivo de protección contra sobretensiones de tiristores
JEDEC JESD89A-2006 Medición e informes de errores leves inducidos por partículas alfa y rayos cósmicos terrestres en dispositivos semiconductores

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

ECA CB 5-1969 Procedimiento de prueba recomendado para dispositivos semiconductores de disipación térmica
ECA CB 5-1-1971 Procedimiento de prueba recomendado para dispositivos semiconductores de disipación térmica Anexo a CB5

Lithuanian Standards Office , Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

LST EN 62417-2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010)
LST EN IEC 60749-15:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 15: Resistencia a la temperatura de soldadura para dispositivos montados en orificios pasantes (IEC 60749-15:2020)
LST EN IEC 60749-30:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad (IEC 60749-30:2020)
LST EN 60749-5-2004 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 5: Prueba de vida útil del sesgo de humedad y temperatura en estado estacionario (IEC 60749-5:2003)
LST EN 60749-37-2008 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 37: Método de prueba de caída a nivel de placa utilizando un acelerómetro (IEC 60749-37:2008).
LST EN 60749-26-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 26: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM) (IEC 60749-26:2006).
LST EN 60191-6-1-2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-1: Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie. Guía de diseño para terminales de cables de ala de gaviota (IEC 60191-6-1:2001)

HU-MSZT, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

MNOSZ 700-3.lap-1955 SZENEK VIZSG?LATA AZ ELEMZ?SI MINTA ELK?SZ?T?SE A LABORAT?RIUMI MINT?B?L

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

GB/T 1550-2018 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB 35007-2018 Método de prueba de circuito de señal diferencial de bajo voltaje de circuito integrado semiconductor
GB/T 24468-2009 Especificación para la definición y medición de la confiabilidad, disponibilidad y mantenibilidad (RAM) de los equipos semiconductores.
GB/T 4937.26-2023 Métodos de prueba mecánicos y climáticos para dispositivos semiconductores Parte 26: Prueba de susceptibilidad a descargas electrostáticas (ESD) Modelo de cuerpo humano (HBM)

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

IEEE 425-1957 CÓDIGO DE PRUEBA para TRANSISTORES DEFINICIONES DE SEMICONDUCTOR y SÍMBOLOS DE LEITER

British Standards Institution (BSI), Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

BS EN 62047-3:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Pieza de prueba estándar de película delgada para ensayos de tracción
BS EN IEC 60749-28:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo de dispositivo cargado (CDM). nivel del dispositivo
BS EN 62047-13:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de tipo flexión y corte para medir la resistencia adhesiva para estructuras MEMS
BS EN 60749-44:2016 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Método de prueba de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores
20/30419235 DC BS EN 60749-28. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 28. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo de dispositivo cargado (CDM). Nivel de dispositivo
BS IEC 62047-40:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba del umbral del interruptor de choque inercial microelectromecánico.
BS IEC 60747-5-13:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. Prueba de corrosión por sulfuro de hidrógeno para paquetes de LED
BS EN IEC 60749-10:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Choque mecánico. dispositivo y subconjunto
BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
BS EN 60749-26:2006 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD) - Modelo del cuerpo humano (HBM)
BS EN 60749-26:2014 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM)
BS IEC 62047-27:2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: prueba de resistencia de unión para estructuras unidas por frita de vidrio mediante pruebas de microchevron (MCT)
BS IEC 62526:2007 Estándar para extensiones del lenguaje de interfaz de prueba estándar (STIL) para entornos de diseño de semiconductores
PD 6574-1994 Determinación de las emisiones de aparatos que queman combustibles gaseosos durante las pruebas de tipo.
BS EN IEC 60749-26:2018 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM)
BS IEC 62047-38:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para la resistencia de adhesión de pasta de polvo metálico en interconexión MEMS
21/30435579 DC BS EN 60749-10. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 10. Choque mecánico. Dispositivo y subconjunto
BS EN 60749-15:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Resistencia a la temperatura de soldadura para dispositivos montados en orificios pasantes
BS EN 60749-15:2003 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Resistencia a la temperatura de soldadura para dispositivos montados en orificios pasantes
BS EN 60749-15:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Resistencia a la temperatura de soldadura para dispositivos montados en orificios pasantes
BS EN 60749-27:2006 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD) - Modelo de máquina (MM)
BS EN 60749-27:2006+A1:2012 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo de máquina (MM)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

GB/T 36005-2018 Métodos de medición de la seguridad radiológica óptica para equipos y sistemas de iluminación semiconductores.
GB/T 35007-2018 Circuitos integrados semiconductores: método de medición de circuitos de señalización diferencial de bajo voltaje.

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

JJF 1895-2021 Especificación de calibración para dispositivos semiconductores Equipos de prueba de parámetros de baja frecuencia y CC

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

NAS4118-1996 Disipador de calor @ Componentes eléctricos y electrónicos @ Dispositivos semiconductores @ Tipo de clip de retención

Association Francaise de Normalisation, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

NF EN 62779-3:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicaciones a través del cuerpo humano. Parte 3: tipo funcional y sus condiciones de uso.
NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 3: probeta estándar de película delgada para ensayos de tracción
NF C96-022-26*NF EN IEC 60749-26:2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 26: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM).
NF EN IEC 60749-26:2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 26: Pruebas de susceptibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM).
NF C96-013-6-1*NF EN 60191-6-1:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-1: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de estacionamientos de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para terminales de cables de ala de gaviota.
NF C96-022-26:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 26: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM).
NF C96-022-15*NF EN 60749-15:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 15: resistencia a la temperatura de soldadura para dispositivos montados en orificios pasantes.
NF EN 60749-27:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 27: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo de máquina (MM).
NF EN 60749-27/A1:2013 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 27: Prueba de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo de máquina (MM).

Aerospace Industries Association, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

AIA NAS 4118-1996 Disipador de Calor, Componente Eléctrico-Electrónico, Dispositivos Semiconductores, Tipo Clip de Retención

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

EN IEC 60749-10:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 10: Choque mecánico. Dispositivo y subconjunto.
EN 60749-34:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía.
EN IEC 60749-30:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad.
EN IEC 60749-37:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 37: Método de prueba de caída a nivel de placa utilizando un acelerómetro.
EN 60749-26:2014 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 26: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM).
EN IEC 60749-26:2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 26: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM).

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

JJG(电子) 04008-1987 Reglamento de verificación de prueba para el probador de tubos semiconductores de doble base QE1A
JJG(电子) 04023-1989 Especificación para la verificación del probador tf de triodo semiconductor de alta potencia modelo BJ2970

Danish Standards Foundation, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

DS/EN 60749-34:2011
DS/EN 62047-9:2011
DS/EN 60749-30/A1:2011
DS/EN 60749-30:2005
DS/EN 60749-37:2008
DS/EN 60749-14:2004
DS/EN 60749-26:2006
DS/EN 60749-27:2006
DS/EN 60749-27/A1:2013 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 27: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo de máquina (MM).

Professional Standard - Electron, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

SJ/T 11820-2022 Requisitos técnicos y métodos de medición para equipos de prueba de parámetros de CC de dispositivos semiconductores discretos.
SJ 20233-1993 Reglamento de verificación del sistema de prueba de dispositivos discretos semiconductores modelo IMPACT-II
SJ/T 11007-1996 Circuitos integrados de TV semiconductores: principios generales de los métodos de medición para circuitos de procesamiento de señales de video y señales de crominancia.
SJ/T 10740-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para memorias de acceso aleatorio bipolares.

工业和信息化部, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

SJ/T 11702-2018 Método de prueba de interfaz periférica serie de circuito integrado semiconductor

国家质量监督检验检疫总局, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

SN/T 3480.4-2016 Requisitos técnicos para la inspección de juegos completos de equipos para la industria eléctrica y electrónica importada Parte 4: Equipos de prueba y embalaje de semiconductores

German Institute for Standardization, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

DIN 41772:1979 Convertidores de potencia estáticos; Equipo rectificador semiconductor, formas y símbolos de letras de curvas características.
DIN 41772:1979-02 Convertidores de potencia estáticos; Equipo rectificador semiconductor, formas y símbolos de letras de curvas características.
DIN EN 62047-3:2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 3: Pieza de prueba estándar de película delgada para ensayos de tracción (IEC 62047-3:2006); Versión alemana EN 62047-3:2006
DIN EN 62047-8:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 8: Método de prueba de flexión de tiras para medir la propiedad de tracción de películas delgadas (IEC 62047-8:2011); Versión alemana EN 62047-8:2011
DIN EN IEC 60749-37:2023 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 37: Método de prueba de caída a nivel de placa utilizando un acelerómetro (IEC 47/2651/CDV:2020); Versión alemana e inglesa prEN IEC 60749-37:2020
DIN EN 60749-44:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 44: Método de prueba de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores (IEC 60749-44:2016); Versión alemana EN 60749-44:2016

United States Navy, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

NAVY MIL-STD-287 A NOTICE 2-1997 SEÑALES DE PRUEBA PARA EQUIPOS ELECTRÓNICOS DE NAVEGACIÓN AÉREA TÁCTICA (TACAN)
NAVY MIL-STD-287 A VALID NOTICE 1-1991 SEÑALES DE PRUEBA PARA EQUIPOS ELECTRÓNICOS DE NAVEGACIÓN AÉREA TÁCTICA (TACAN)
NAVY MIL-STD-287 A-1958 SEÑALES DE PRUEBA PARA EQUIPOS ELECTRÓNICOS DE NAVEGACIÓN AÉREA TÁCTICA (TACAN)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

KS C IEC 62526-2015(2020) Estándar para extensiones del lenguaje de interfaz de prueba estándar (STIL) para entornos de diseño de semiconductores
KS C IEC 62526:2015 Estándar para extensiones del lenguaje de interfaz de prueba estándar (STIL) para entornos de diseño de semiconductores

AENOR, Modelo de equipo de prueba de semiconductores.

UNE-EN 60749-30:2005/A1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad.
UNE 73350-1:2003 Procedimiento para la determinación de la radiactividad ambiental. Equipo de medicion. Parte 1: Espectrometría gamma mediante sensores semiconductores.
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