ZH
EN
ES

Модели испытательного оборудования для полупроводников

Модели испытательного оборудования для полупроводников, Всего: 183 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Модели испытательного оборудования для полупроводников, являются: Компоненты для электрооборудования, Линейные и угловые измерения, Полупроводниковые приборы, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Испытание металлов, Полупроводниковые материалы, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Сети передачи и распределения электроэнергии, Судостроение и морские сооружения в целом, Системы промышленной автоматизации, Вакуумная техника, Языки, используемые в информационных технологиях, Качество воздуха, Технические рисунки, Механические конструкции электронного оборудования, Интерфейсное и соединительное оборудование.

Professional Standard - Machinery, Модели испытательного оборудования для полупроводников

JB/T 4219-1999 Обозначение типа измерительной аппаратуры для силовых полупроводниковых приборов
JB/T 6307.4-1992 Метод испытания силового полупроводникового модуля Плечо и пара плеч биполярного транзистора
JB/T 6307.5-1994 Методы испытаний силовых полупроводниковых модулей. Биполярные транзисторы. Однофазный мост и трехфазный мост.

Group Standards of the People's Republic of China, Модели испытательного оборудования для полупроводников

T/ZACA 041-2022 Оборудование для испытания полупроводниковых приборов смешанного сигнала
T/ZAQ 10113-2022 Оборудование для испытания полупроводниковых приборов на срок прерывистой работы
T/CZSBDTHYXH 001-2023 Дефекты пластин Автоматическое оборудование для оптического контроля
T/GVS 005-2022 Спецификация испытаний контрастного метода емкостно-диафрагменного вакуумметра абсолютного давления в полупроводниковой аппаратуре

YU-JUS, Модели испытательного оборудования для полупроводников

JUS N.A3.500-1980 Полупроводниковые приборы. Графические символы

RO-ASRO, Модели испытательного оборудования для полупроводников

STAS 7128/2-1986 БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОЦЕПЕЙ. Обозначения биполярных транзисторов.
STAS 6693/2-1975 Полупроводниковые приборы ТРАНЗИСТОРЫ Методы измерения электрических свойств
STAS 7128/6-1986 БУКВЕННЫЕ СИМВОЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ЦЕПЕЙ Символы тиристоров
STAS 7128/9-1980 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ Буквенные обозначения однопереходных транзисторов
STAS 7128/8-1986 БУКВЕННЫЕ СИМВОЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ. Символы полевых транзисторов.
STAS 7128/5-1985 БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. Обозначения выпрямительных диодов.
STAS 7128/1-1985 БУКВЕННЫЕ СИМВОЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ЦЕПЕЙ Общие правила
STAS 7128/11-1985 СИМВОЛЫ T.ETTJ?R ДЛЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ И ИНТЕГРИРОВАННЫХ ЦЕПЕЙ Символы для цифровых интегральных схем
STAS 7128/4-1971 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ Буквенные обозначения диодов Луннеля
STAS 7128/3-1985 БУКВЕННЫЕ СИМВОЛЫ ДЛЯ УСТРОЙСТВ SEM1-ONDUCR И ИНТЕГРИРОВАННЫХ M SOROC IRCUTS Символы для маломощных сигнальных диодов
STAS 7128/10-1984 БУКВЕННЫЕ СИМВОЛЫ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ ANI) INTF.GHATED CIRCU1TS Синиболы для аналоговых включенных цепей
STAS 7128/7-1986 БУКВЕННЫЕ СИМВОЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРИРОВАННЫХ СХЕМ. Символы диодов переменной емкости и смесительных диодов.
STAS 12124/1-1982 Полупроводниковые приборы БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Методы измерения электрических статических параметров
STAS 7128/12-1985 БУКВЕННЫЕ СИМВОЛЫ ЭМИПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ И ИНТЕГРИРОВАННЫЕ ЦЕПИ, обозначающие диоды опорного напряжения и регулятора напряжения.
STAS 12123/2-1983 Полупроводниковые приборы СИГНАЛЬНЫЕ ДИОДЫ МАЛОЙ МОЩНОСТИ, ВКЛЮЧАЯ КОММУТАЦИОННЫЕ ДИОДЫ Методы измерения электрических характеристик
STAS 12124/3-1983 Полупроводниковые приборы FIFL D-EFFECT TRANZISTORS Методы измерения электрических статических параметров
STAS 12124/4-1983 Полупроводниковые приборы ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Методы измерения электрических статических параметров
STAS 12123/4-1984 Полупроводниковые приборы ДИОДЫ ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ Методы измерения электрических характеристик

Defense Logistics Agency, Модели испытательного оборудования для полупроводников

DLA MIL-S-19500/173 A VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковые приборы, транзисторы типов 2N389 и 2N424 (ВМФ)
DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008 Полупроводниковые приборы, транзисторы, четырехъядерные, полевые, NChannel, кремниевые, тип 2N7334, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKCA2N7334 и JANHCA2N7334.
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР ТЕСТОВОЙ ШИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86864-1988 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ СТИРАЕМЫЕ КМОП-ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА
DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДРАЙВЕРЫ BIMOS II, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/534 F-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИЙ, МОЩНОСТЬ, ТИПЫ 2N5002 И 2N5004, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG, JANSH, JANHCB, JANKCB, JANKCBM, JANKCBD, JAN КСБП, JANKCBL, JANKCBR, JANKCBF, JANKCBG И JANKCBH
DLA MIL-PRF-19500/420 L-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, КРЕМНИевый, СИЛОВОЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬ, ТИПЫ 1N5550 ДО 1N5554, 1N5550US ДО 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANK КД И ЯНКСЕ
DLA SMD-5962-87641-1988 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, БИМОС 8-БИТНЫЕ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ ВХОД, ДРАЙВЕР С ФИКСировкой, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

SE-SIS, Модели испытательного оборудования для полупроводников

SIS SS-IEC 749:1991 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний
SIS SS 499 07 07-1990 Система инициирования с неэлектрическим сигнальным проводником малоэнергетического типа. Общие требования и испытания
SIS SEN 47 10 03-1973 Радиопомехи. Пределы и методы измерения напряжения помех для регулирующих органов на основе полупроводниковых приборов

CZ-CSN, Модели испытательного оборудования для полупроводников

CSN IEC 749:1994 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний.
CSN 35 8754-1973 Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Измерение допуска короткого замыкания на выходе
CSN 35 8756-1973 Полупроводниковые приборы. Транзисторы Измерение y-параметров
CSN 35 8742-1973 Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Измерение токов отключения
CSN 35 8759-1977 Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Методы измерения времени переключения
CSN 35 8737-1975 Полупроводниковые приборы. Диоды. Измерение дифференциального росистаэя
CSN IEC 747-3-2:1991 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды. Раздел второй. Бланковая подробная спецификация на диоды стабилизатора напряжения и диоды опорного напряжения, за исключением прецизионных эталонных образцов с температурной компенсацией.
CSN 35 8749-1973 Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Измерение абсолютного значения прямой передачи короткого замыкания
CSN 35 8797 Cast.3 IEC 747-3 ZA1+A2:1996 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды
CSN 35 8731-1975 Полупроводниковые приборы. Диоды Измерение прямого напряжения постоянного тока
CSN 35 8763-1973 Полупроводниковые приборы. Диоды. Измерение о? обратное напряжение пробоя
CSN 35 8761-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы фотодиоды. Измерение фотоэлектрического тока
CSN 35 8762-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы, фотодиоды. Измерение темнового тока
CSN 35 8752-1976 Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Методы измерения выходной емкости с общей базой.
CSN 35 8785-1975 Полупроводниковые приборы. Варикапы. Измерение коэффициента термоемкости.
CSN 35 8733-1975 Полупроводниковые приборы. Диоды. Измерение обратного напряжения (рабочего напряжения)
CSN 35 8764-1976 Полукоадуктивные устройства. Переключение диодов. Измерение о? обратное время восстановления.
CSN 35 8765-1976 Полупроводниковые приборы. Переключение диодов. Измерение обратного возмещения.
CSN 35 8746-1973 Полупроводниковые приборы. Транзистор. Измерение абсолютного значения коэффициента передачи прямого тока и частот fT, fh21b, fh21e
CSN 35 8745-1973 Полупроводниковые приборы. Транзистор. Измерение коэффициента передачи обратного напряжения холостого хода и коэффициента Тини на высоких частотах.

PL-PKN, Модели испытательного оборудования для полупроводников

PN T01208-01-1992 Полупроводниковые приборы Биполярные транзисторы Терминология и буквенные обозначения
PN T01501 ArkusZ4-1973 Полупроводниковые символы deyictj Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Модели испытательного оборудования для полупроводников

JEDEC JEP104C.01-2003 Справочное руководство по буквенным обозначениям полупроводниковых приборов
JEDEC JESD57-1996 Методики испытаний для измерения одиночных эффектов в полупроводниковых устройствах от облучения тяжелыми ионами
JEDEC JESD66-1999 Стандарт ограничителя переходного напряжения для проверки номинальных характеристик и испытаний тиристорных устройств защиты от перенапряжения
JEDEC JESD89A-2006 Измерение и отчетность об альфа-частицах и мягких ошибках, вызванных земными космическими лучами, в полупроводниковых устройствах

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Модели испытательного оборудования для полупроводников

ECA CB 5-1969 Рекомендуемая процедура испытаний полупроводниковых теплорассеивающих устройств
ECA CB 5-1-1971 Дополнение к Рекомендуемой процедуре испытаний полупроводниковых теплорассеивающих устройств к CB5

Lithuanian Standards Office , Модели испытательного оборудования для полупроводников

LST EN 62417-2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010)
LST EN IEC 60749-15:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 15. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых через сквозное отверстие (IEC 60749-15:2020)
LST EN IEC 60749-30:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств для поверхностного монтажа перед испытанием на надежность (IEC 60749-30:2020)
LST EN 60749-5-2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 5. Испытание на долговечность при установившемся смещении температуры и влажности (IEC 60749-5:2003).
LST EN 60749-37-2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 37. Метод испытания падением уровня платы с использованием акселерометра (IEC 60749-37:2008)
LST EN 60749-26-2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM) (IEC 60749-26:2006).
LST EN 60191-6-1-2003 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-1: Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию выводных клемм типа «крыло чайки» (IEC 60191-6-1:2001)

HU-MSZT, Модели испытательного оборудования для полупроводников

MNOSZ 700-3.lap-1955 Подготовка проб в испытательной лаборатории для анализа моделей полупроводников

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Модели испытательного оборудования для полупроводников

GB/T 1550-2018 Методы испытаний типа проводимости примесных полупроводниковых материалов

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Модели испытательного оборудования для полупроводников

GB/T 1550-1997 Стандартные методы измерения типа проводимости примесных полупроводниковых материалов
GB 35007-2018 Метод тестирования дифференциальной сигнальной цепи низкого напряжения на полупроводниковой интегральной схеме
GB/T 24468-2009 Спецификация для определения и измерения надежности, доступности и ремонтопригодности полупроводникового оборудования (ОЗУ)
GB/T 4937.26-2023 Механические и климатические методы испытаний полупроводниковых приборов. Часть 26. Испытание на чувствительность к электростатическому разряду (ESD) Модель человеческого тела (HBM)

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Модели испытательного оборудования для полупроводников

IEEE 425-1957 ТЕСТОВЫЙ КОД ТРАНЗИСТОРОВ. ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ЛЕЙТЕРНЫЕ СИМВОЛЫ.

British Standards Institution (BSI), Модели испытательного оборудования для полупроводников

BS EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
BS EN IEC 60749-28:2022 Отслеживаемые изменения. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Тестирование чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель заряженного устройства (CDM). уровень устройства
BS EN 62047-13:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний на изгиб и сдвиг для измерения прочности сцепления МЭМС-структур
BS EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Метод испытания на однособытийный эффект (SEE) при облучении нейтронным лучом для полупроводниковых приборов
20/30419235 DC БС ЕН 60749-28. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 28. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель заряженного устройства (CDM). Уровень устройства
BS IEC 62047-40:2021 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний порога микроэлектромеханического инерционного ударного выключателя
BS IEC 60747-5-13:2021 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Испытание сероводородной коррозии для корпусов светодиодов
BS EN IEC 60749-10:2022 Отслеживаемые изменения. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Механический шок. устройство и узел
BS EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб
BS EN 60749-26:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
BS EN 60749-26:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Тестирование чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM)
BS IEC 62047-27:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Испытание прочности соединения стеклянных фриттовых конструкций с использованием микрошевронных испытаний (MCT)
BS IEC 62526:2007 Стандарт для расширений стандартного языка тестового интерфейса (STIL) для сред проектирования полупроводников.
PD 6574-1994 Определение выбросов от приборов, работающих на газообразном топливе, во время типовых испытаний
BS EN IEC 60749-26:2018 Отслеживаемые изменения. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Тестирование чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM)
BS IEC 62047-38:2021 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания прочности сцепления пасты из металлического порошка в соединении МЭМС
21/30435579 DC БС ЕН 60749-10. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар. Устройство и узел сборки
BS EN 60749-15:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых в сквозное отверстие.
BS EN 60749-15:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых в сквозные отверстия.
BS EN 60749-15:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых в сквозное отверстие.
BS EN 60749-27:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (ММ).
BS EN 60749-27:2006+A1:2012 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Тестирование чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (ММ)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Модели испытательного оборудования для полупроводников

GB/T 36005-2018 Методы измерения оптической радиационной безопасности полупроводниковых осветительных приборов и систем
GB/T 35007-2018 Полупроводниковые интегральные схемы. Метод измерения схем дифференциальной сигнализации низкого напряжения.

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, Модели испытательного оборудования для полупроводников

JJF 1895-2021 Спецификация калибровки полупроводниковых приборов, испытательного оборудования для измерения параметров постоянного и низкочастотного тока

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., Модели испытательного оборудования для полупроводников

NAS4118-1996 Радиатор@ Электрические и электронные компоненты@ Полупроводниковые приборы@ Тип фиксатора

Association Francaise de Normalisation, Модели испытательного оборудования для полупроводников

NF EN 62779-3:2016 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для связи через тело человека. Часть 3. Функциональный тип и условия его использования.
NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
NF C96-022-26*NF EN IEC 60749-26:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
NF EN IEC 60749-26:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание на чувствительность к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
NF C96-013-6-1*NF EN 60191-6-1:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-1: Общие правила подготовки габаритных чертежей парков полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию выводных выводов типа «крыло чайки».
NF C96-022-26:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
NF C96-022-15*NF EN 60749-15:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 15. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых через сквозное отверстие.
NF EN 60749-27:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание на чувствительность к электростатическому разряду (ЭСР). Модель машины (ММ).
NF EN 60749-27/A1:2013 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание на чувствительность к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (ММ)

Aerospace Industries Association, Модели испытательного оборудования для полупроводников

AIA NAS 4118-1996 Радиатор, Электрические и электронные компоненты, Полупроводниковые приборы, Тип фиксатора

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Модели испытательного оборудования для полупроводников

EN IEC 60749-10:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар. Устройство и узлы.
EN 60749-34:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
EN IEC 60749-30:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность
EN IEC 60749-37:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 37. Метод испытания падением уровня платы с использованием акселерометра.
EN 60749-26:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
EN IEC 60749-26:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Модели испытательного оборудования для полупроводников

JJG(电子) 04008-1987 Правила пробной проверки для тестера полупроводниковых трубок с двойной базой QE1A
JJG(电子) 04023-1989 Спецификация для проверки TF-тестера мощного полупроводникового триода модели BJ2970

Danish Standards Foundation, Модели испытательного оборудования для полупроводников

DS/EN 60749-34:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
DS/EN 62047-9:2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС.
DS/EN 60749-30/A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность
DS/EN 60749-30:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность
DS/EN 60749-37:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 37. Метод испытания падением уровня платы с использованием акселерометра.
DS/EN 60749-14:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 14. Прочность выводов (целостность выводов)
DS/EN 60749-26:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
DS/EN 60749-27:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (ММ)
DS/EN 60749-27/A1:2013 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (ММ)

Professional Standard - Electron, Модели испытательного оборудования для полупроводников

SJ/T 11820-2022 Технические требования и методы измерения параметров постоянного тока аппаратуры полупроводниковых дискретных приборов
SJ 20233-1993 Регламент поверки системы испытания дискретных полупроводниковых приборов модели IMPACT-II
SJ/T 11007-1996 Полупроводниковые телевизионные интегральные схемы. Общие принципы методов измерения схем обработки видеосигналов и сигналов цветности.
SJ/T 10740-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения биполярных запоминающих устройств с произвольным доступом.

工业和信息化部, Модели испытательного оборудования для полупроводников

SJ/T 11702-2018 Метод испытаний последовательного периферийного интерфейса полупроводниковой интегральной схемы

国家质量监督检验检疫总局, Модели испытательного оборудования для полупроводников

SN/T 3480.4-2016 Технические требования к проверке комплектов оборудования для импортной электронной и электротехнической промышленности. Часть 4. Оборудование для упаковки и испытаний полупроводников.

German Institute for Standardization, Модели испытательного оборудования для полупроводников

DIN 41772:1979 Статические преобразователи мощности; полупроводниковое выпрямительное оборудование, формы и буквенные обозначения характеристических кривых
DIN 41772:1979-02 Статические преобразователи мощности; полупроводниковое выпрямительное оборудование, формы и буквенные обозначения характеристических кривых
DIN EN 62047-3:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение (IEC 62047-3:2006); Немецкая версия EN 62047-3:2006.
DIN EN 62047-8:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 8. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение (IEC 62047-8:2011); Немецкая версия EN 62047-8:2011
DIN EN IEC 60749-37:2023 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 37. Метод испытания падением уровня платы с использованием акселерометра (IEC 47/2651/CDV:2020); Немецкая и английская версия prEN IEC 60749-37:2020.
DIN EN 60749-44:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод однособытийного испытания (SEE) нейтронным лучом для полупроводниковых приборов (IEC 60749-44:2016); Немецкая версия EN 60749-44:2016

United States Navy, Модели испытательного оборудования для полупроводников

NAVY MIL-STD-287 A NOTICE 2-1997 ТЕСТОВЫЕ СИГНАЛЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОГО ТАКТИЧЕСКОГО АЭРОНАВИГАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ (ТАКАН)
NAVY MIL-STD-287 A VALID NOTICE 1-1991 ТЕСТОВЫЕ СИГНАЛЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОГО ТАКТИЧЕСКОГО АЭРОНАВИГАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ (ТАКАН)
NAVY MIL-STD-287 A-1958 ТЕСТОВЫЕ СИГНАЛЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОГО ТАКТИЧЕСКОГО АЭРОНАВИГАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ (ТАКАН)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Модели испытательного оборудования для полупроводников

KS C IEC 62526-2015(2020) Стандарт расширений стандартного языка тестового интерфейса (STIL) для сред проектирования полупроводников
KS C IEC 62526:2015 Стандарт расширений стандартного языка тестового интерфейса (STIL) для сред проектирования полупроводников

AENOR, Модели испытательного оборудования для полупроводников

UNE-EN 60749-30:2005/A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность
UNE 73350-1:2003 Процедура определения радиоактивности окружающей среды. Измерительное оборудование. Часть 1: Гамма-спектрометрия полупроводниковыми датчиками.
UNE 73350-2:2003 Процедура определения радиоактивности окружающей среды. Измерительное оборудование. Часть 2: Альфа-спектрометрия полупроводниковыми датчиками.

RU-GOST R, Модели испытательного оборудования для полупроводников

GOST 14343-1969 Диоды полупроводниковые типа Д 223, Д 223а, Д 223Б для приборов широкого применения

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Модели испытательного оборудования для полупроводников

IEEE Std C62.37/COR-2009 Ошибки в стандартных спецификациях испытаний IEEE для устройств защиты от перенапряжения на тиристорных диодах
IEEE 1450.1-2005 Стандарт IEEE для расширений стандартного языка тестового интерфейса (STIL) (IEEE Std 1450–999) для сред проектирования полупроводников Документ IEEE Computer Society; Исправление: 20.12.2005.

AT-OVE/ON, Модели испытательного оборудования для полупроводников

OVE EN IEC 60749-10:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар. Устройство и узлы (IEC 47/2692/CDV) (английская версия)

未注明发布机构, Модели испытательного оборудования для полупроводников

BS IEC 62526:2007(2010) Стандарт расширений стандартного языка тестового интерфейса (STIL) для сред проектирования полупроводников

Canadian Standards Association (CSA), Модели испытательного оборудования для полупроводников

CSA C22.2 No.199-M89-CAN/CSA-1989 Dispositifs De Surveillance De Flamme et Allumeurs A Semi-conducteurs Pour Appareils A Gaz et A Mazout Fiche No 1

International Electrotechnical Commission (IEC), Модели испытательного оборудования для полупроводников

IEC 60749-27:2006+AMD1:2012 CSV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (ММ)
IEC 60749-37:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 37. Метод испытания падением уровня платы с использованием акселерометра.
IEC 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
IEC 62047-28:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 28. Метод испытания рабочих характеристик вибрационных МЭМС электретных устройств сбора энергии.
IEC 62047-16:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Кривизна пластины и методы отклонения консольной балки
IEC 62830-8:2021 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 8. Методы испытаний и оценки гибких и растяжимых суперконденсаторов для использования в маломощной электронике.
IEC 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
IEC 60749-26:2013 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
IEC 60749-26:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
IEC 60749-30:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 30. Предварительная подготовка негерметичных устройств поверхностного монтажа перед испытанием на надежность

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Модели испытательного оборудования для полупроводников

GJB 4295-2001 Метод условного наименования средств измерения и контроля на полигонах ракет и космических аппаратов
GJB 4295A-2017 Метод условного наименования контрольно-измерительной и контрольной аппаратуры полигонов ракет и космических аппаратов

ECIA - Electronic Components Industry Association, Модели испытательного оборудования для полупроводников

EIA CB-5-1:1971 Рекомендуемая процедура испытаний полупроводниковых теплорассеивающих устройств (Дополнение к Бюллетеню № 5; (СТАБИЛИЗИРОВАНО))

Professional Standard - Aerospace, Модели испытательного оборудования для полупроводников

QJ 3156-2002 Метод стресс-тестирования крупногабаритных конструкций наземного оборудования ракет.

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Модели испытательного оборудования для полупроводников

QC 750101/SU 0001-1990 Подробные спецификации электронных компонентов Сигнальные полупроводниковые эпитаксионно-планарные диоды, рассчитанные на окружающую среду, для импульсных и цифровых схем электронного оборудования типа КД5И0А
QC 750101/SU 0003-1990 Подробные спецификации электронных компонентов Сигнальные полупроводниковые эпитаксионно-планарные диоды, рассчитанные на окружающую среду, для импульсных и цифровых схем электронного оборудования типа КД522Б
QC 750101/SU 0002-1990 Подробные спецификации электронных компонентов Сигнальные полупроводниковые эпитаксионно-планарные амбиентные диоды для импульсных и цифровых схем электронного оборудования типа KD52IA@ KD52IB

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Модели испытательного оборудования для полупроводников

JIS C 5630-3:2009 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
JIS C 5630-2:2009 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Модели испытательного оборудования для полупроводников

EN 60749-26:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
EN 60191-6-12:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-12: Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых устройств поверхностного монтажа. Руководство по проектированию для поверхностной решетки с мелким шагом (FLGA) прямоугольного типа.

ES-UNE, Модели испытательного оборудования для полупроводников

UNE-EN IEC 60749-26:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM). (Одобрено Испанской ассоциацией нормализации в мае 2018 г.)
UNE-EN 60749-27:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (MM) (IEC 60749-27:2006) (Одобрено AENOR в ноябре 2006 г.)
UNE-EN 60749-27:2006/A1:2012 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (MM) (Одобрено AENOR в январе 2013 г.)

American National Standards Institute （ANSI), Модели испытательного оборудования для полупроводников

ANSI/IEEE 1450.1:2005 Стандарт расширений стандартного языка тестового интерфейса (STIL) (IEEE Std. 1450-1999) для сред проектирования полупроводников