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现场效应晶体管

本专题涉及现场效应晶体管的标准有410条。

国际标准分类中，现场效应晶体管涉及到半导体分立器件、电子设备用机械构件、半导体材料、阀门、电工和电子试验、电子元器件综合、电学、磁学、电和磁的测量、分析化学、涂料和清漆、集成电路、微电子学、环境试验。

在中国标准分类中，现场效应晶体管涉及到半导体二极管、场效应器件、电力半导体器件、部件、半导体三极管、电子元器件、半导体分立器件综合、半导体集成电路、技术管理、计量综合、、微波、毫米波二、三极管、阀门、基础标准与通用方法、涂料基础标准与通用方法、开关、半导体分立器件。

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于现场效应晶体管的标准

JEDEC JES2-1992 电晶体,砷化镓场效应晶体管,总规范
JEDEC JESD73-4-2001 7 3867描述标准：2.5V,双重5-比特,2-端口,DDR 场效晶体管开关

韩国科技标准局，关于现场效应晶体管的标准

KS C 5202-1980(2000) 可靠性保证场效应晶体管
KS C 5202-2004 可靠性有保证的场效应晶体管
KS C IEC 60747-8:2002 半导体器件.第8部分:场效应晶体管
KS C IEC 60747-8:2020 半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管
KS C IEC 60747-4-1-2002(2017) 半导体器件分立器件第4－1部分:微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范

YU-JUS，关于现场效应晶体管的标准

JUS N.R1.353-1979 半导体装置的字母符号．双极场效应和场效应晶体管
JUS N.R1.323-1979 半导体装置的术语及定义．双极场效应及场效应晶体管
JUS N.R1.451-1982 场效应晶体管．测量方法的一般原则
JUS N.R1.330-1979 双极场效应晶体管．散射参数的定义
JUS N.R1.373-1980 双极场效应晶体管．重要额定值和特性．小功率信号晶体管
JUS N.R1.390-1979 双极场效应晶体管．重要额定值和特性．小功率信号晶体管
JUS N.R1.391-1979 双极场效应晶体管．重要额定值和特性．功率管
JUS N.R1.392-1980 场效晶体管．重要额定值和特性

日本工业标准调查会，关于现场效应晶体管的标准

JIS C 7214:1978 有可靠性保证的场效应晶体管

IET - Institution of Engineering and Technology，关于现场效应晶体管的标准

MICROW FLD-EFFE TRANSIS-1994 微波场效应晶体管：理论设计与应用
RF MICROW MDL MEAS TECHNQ FLD EFFT TRANSIS-2010 场效应晶体管的射频和微波建模与测量技术

国际电工委员会，关于现场效应晶体管的标准

IEC 60747-8:2000 半导体装置.第8部分:场效应晶体管
IEC 60747-8-1:1987 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第1节:5W、1GHz以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
IEC 60747-8-3:1995 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第3节:外壳额定开关场效应晶体管空白详细规范
IEC 60747-8-2:1993 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第2节:外壳额定功率放大场效应晶体管空白详细规范
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
IEC 60747-8:2010 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
IEC 60747-8:1984 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
IEC 60747-8:2021 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
IEC 60747-4-1:2000 半导体器件分立器件第4-1部分:微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范
IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
IEC TS 62607-6-16:2022 纳米制造.关键控制特性.第6-16部分:二维材料.载流子浓度:场效应晶体管法
IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法

英国标准学会，关于现场效应晶体管的标准

BS IEC 60747-8:2010 半导体装置.分立器件.场效应晶体管
BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 半导体器件分立器件场效应晶体管
BS IEC 60747-8:2001 分立半导体器件和集成电路.场效应晶体管.电源转换场效应晶体管测量方法中附加功率、特性和amds
BS QC 750114:1996 电子元件质量评估协调制度半导体器件离散设备场效应晶体管用于开关应用的外壳额定场效应晶体管的空白详细规范
BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
BS EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
19/30389766 DC BS IEC 60747-8 AMD1 半导体器件离散设备第8部分：场效应晶体管
BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
BS IEC 62373-1:2020 半导体器件金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
BS QC 750106:1993 电子元件质量评估协调制度规范半导体分立器件空白详细规范用于外壳额定功率放大器应用的场效应晶体管
BS IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法偏置温度不稳定性测试方法
17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试第1部分.快速BTI测试方法
18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试第1部分.快速BTI测试方法

CZ-CSN，关于现场效应晶体管的标准

CSN 35 8803-1983 场效应晶体管．电气参数．测量方法
CSN 35 8797 Cast.8 IEC 747-8 ZA1+A2:1996 半导体设备．离散设备．第8部分：场效应晶体管

欧洲电工电子元器件标准，关于现场效应晶体管的标准

EN 150012:1991 空白详细规范.单栅场效应晶体管

PL-PKN，关于现场效应晶体管的标准

PN T01505 ArkusZ06-1974 场效应晶体管栅电流测量方法 Icdo
PN T01505 ArkusZ11-1974 场效应晶体管．测量方法．漏源事故电压
PN T01501 ArkusZ4-1973 半导体设备．场效应晶体管参数的字母符号
PN T01505 ArkusZ01-1974 场效应．晶体管．测量方法．闸源切断．电压值
PN T01505 ArkusZ10-1974 场效应晶体管栅源击穿电压的测定U（8R） GSS
PN T01505 ArkusZ09-1974 场效应晶体管．测量方法．漏源击穿电压U（BR） DSS
PN T01505 ArkusZ12-1974 场效应晶体管．测量方法．短路输入电导公用源
PN T01505-19-1987 场效应晶体管．测量方法．噪声系数F和等效输入噪声电压U
PN T01505 ArkusZ14-1974 场效应．晶体管测量方法，短路逆向转移电导公用源
PN T01505-17-1987 场效应晶体管测量方法．公同源C22SS中短路输出电容
PN T01505 ArkusZ02-1974 场效应晶体管．测量方法．闸源临界电压．闸源临界电压
PN T01505-16-1987 场效应晶体管．测量方法，公用源CnM中的短路输入电容
PN T01505-18-1987 场效应晶体管．测量方法．带输入短路Cl2j．s的公用源反向转移电容
PN T01505-04-1987 栅截止电流和栅泄漏电流惯性制导系统的场效应晶体管测量方法
PN T01505-15-1987 场效应晶体管测量方法简短了传送接收y21s并简短了在共用源中的互导
PN T01505-13-1987 场效应晶体管．测量方法．在共源极高斯中的短路输出导纳 yy22s和短路输出电导
PN T01505-03-1987 场效应晶体管漏电流测量方法在某一指定的栅源电压 Idsx 和漏电流下．栅源短路

RU-GOST R，关于现场效应晶体管的标准

GOST 17466-1980 双极型和场效应晶体管.基本参数
GOST 20398.2-1974 场效应晶体管.噪声系数测量方法
GOST 20398.3-1974 场效应晶体管.特性曲线测量方法
GOST 20398.6-1974 场效应晶体管.闸门漏电流测量方法
GOST 20398.11-1980 场效应晶体管.噪声电动势测量方法
GOST 20398.0-1983 场效应晶体管.电参数测量的一般要求
GOST 20398.8-1974 场效应晶体管.漏极起始电流测量方法
GOST 20398.13-1980 场效应晶体管.漏极－源极电阻测量方法
GOST 20398.12-1980 场效应晶体管.漏极剩余电流的测量方法
GOST 20398.1-1974 场效应晶体管.直接传送全导纳模数测量方法
GOST 20398.4-1974 场效应晶体管.输出导纳有功分量的测量方法
GOST 20398.7-1974 场效应晶体管.门限电压和截止电压测量方法
GOST 20398.9-1980 场效应晶体管.在脉冲状态下的特性曲线测量方法
GOST 20398.10-1980 场效应晶体管.在脉冲状态下的漏极电流测量方法
GOST 20398.5-1974 场效应晶体管.输入电容、越渡电容和输出电容测量方法
GOST 20398.14-1988 场效应晶体管.输出功率、功率放大系数和漏的有效系数的测量方法

国家质检总局，关于现场效应晶体管的标准

GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范
GB/T 6219-1998 半导体器件分立器件第8部分;场效应晶体管第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范
GB/T 21039.1-2007 半导体器件分立器件第4-1部分:微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范

行业标准-航天，关于现场效应晶体管的标准

QJ 2617-1994 微波场效应晶体管（微波FET）管壳验收规范

TH-TISI，关于现场效应晶体管的标准

TIS 2124-2002 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管.第3节:外壳额定开关场效应晶体管的空白详细规范
TIS 2122-2002 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管.第1节:1ghz 5w以下的单栅极场效应晶体管的空白详细规范
TIS 2121-2002 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
TIS 2123-2002 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管.第2节:外壳限定的功率放大器用场效应晶体管的空白详细规范

欧洲电工标准化委员会，关于现场效应晶体管的标准

EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006

RO-ASRO，关于现场效应晶体管的标准

STAS SR CEI 747-8-1993 半导体装置．分离装置．第8部分：场效应晶体管
STAS 12389-1985 场效应晶体管．限值和基础电器参数命名
STAS 12124/3-1983 半导体设备．场效应晶体管，测量电气的静态参数的方法
STAS 12124/4-1983 半导体设备．场效应晶体管，测量电气的静态参数的方法
STAS 7128/8-1986 半导体设备和集成电路的字母符号．场效应晶体管符号

KR-KS，关于现场效应晶体管的标准

KS C IEC 60747-8-2020 半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

国家军用标准-总装备部，关于现场效应晶体管的标准

GJB/Z 41.4-1993 军用半导体分立器件系列型谱场效应晶体管
GJB 33/24-2021 CS0406-10 型硅场效应微波脉冲功率晶体管详细规范
GJB 33/25-2021 CS0406-350型硅场效应微波脉冲功率晶体管详细规范
GJB 33/003-1989 半导体分立器件 5W、1GHz以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

美国国防后勤局，关于现场效应晶体管的标准

DLA SMD-5962-89659-1990 场效应晶体管缓冲器线性混合微型电路
DLA MIL-PRF-19500/295 E VALID NOTICE 1-2008 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，硅，2N2608 型，JAN 和 UB
DLA MIL-PRF-19500/296 E VALID NOTICE 1-2008 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，硅，2N2609 型，JAN 和 UB
DLA MIL-PRF-19500/296 F-2012 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，硅，2N2609 型，JAN 和 UB
DLA MIL-PRF-19500/295 F-2012 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，硅，2N2608 型，JAN 和 UB
DLA MIL-PRF-19500/750-2008 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、硅、2N7507U3 型、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/750 VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、硅、2N7507U3 型、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/748-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、硅、2N7505T3 型、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/751-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、硅、2N7508U3 型、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/748 VALID NOTICE 1-2013 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，硅，2N7505T3 型，JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/751 VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、硅、2N7508U3 型、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA SMD-5962-01504 REV B-2007 定制场效应晶体管500伏带门级保护混合微电路
DLA SMD-5962-01504 REV D-2011 微电路，混合，定制，场效应晶体管，500 伏，带栅极保护
DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 线性单稳态单硅数字微电路,为低功率双极肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带两个场效应晶体管
DLA SMD-5962-01503 REV A-2005 600V或500V同门保护自定义混合微电路场效应晶体管
DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 半导体器件、场效应晶体管、塑料、N 沟道、硅、类型 2N7537、2N7537A、JAN 和 JANTX
DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 半导体器件，场效应晶体管，塑料，N 沟道，硅，类型 2N7537、2N7537A，JAN 和 JANTX
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 硅单片双极场效应晶体管运算扬声器,线性微型电路
DLA MIL-S-19500/378 B VALID NOTICE 2-2004 类型2N2497到2N2500,2N3329到2N3332,JANTX的P型通道硅场效应晶体管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/378 B NOTICE 1-1999 类型2N2497到2N2500,2N3329到2N3332,JANTX的P型通道硅场效应晶体管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/569 NOTICE 2-1999 JANTX,JANTXV和JANS 2N6966,2N696,2N6968和2N6969型硅制N型通道场效应晶体管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/428 G VALID NOTICE 1-2011 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道硅、类型 2N4416A 和 2N4416AUB、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/547 D-2011 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、硅、类型 2N6660 和 2N6661、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/428 H-2011 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道硅、类型 2N4416A 和 2N4416AUB、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA SMD-5962-90500 REV B-2002 高速场效应晶体管输入运算放大器,线性混合微型电路
DLA SMD-5962-01503 REV C-2013 微电路、混合、定制、场效应晶体管，600 伏或 500 伏，带栅极保护
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
DLA MIL-PRF-19500/430 B VALID NOTICE 2-2008 半导体器件，双场效应晶体管，N 沟道，硅类型 2N5545、2N5546 和 2N5547，JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/430 C-2011 半导体器件，双场效应晶体管，N 沟道，硅类型 2N5545、2N5546 和 2N5547，JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/562 D VALID NOTICE 1-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、硅、2N6804 和 2N6806 型 JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/562 E-2010 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、硅、2N6804 和 2N6806 型 JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/688 B-2012 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、硅、类型 2N7002、2N7002T2 和 2N7002UB、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/562 E (1)-2013 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、硅、2N6804 和 2N6806 型 JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/633 D-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，P 沟道硅，类型 2N7403 和 2N7404，JANSD 和 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7405,2N7406,2N7407和2N7408,JANSD和JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7488T3,2N7489T3和2N7490T3,JANTXVR和JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 D (1)-2009 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅，2N7475T1、2N7476T1 和 2N7477T1 型（总剂量和单事件效应），JANTXVR 和 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 E-2010 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅，2N7475T1、2N7476T1 和 2N7477T1 型（总剂量和单事件效应），JANTXVR 和 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 F-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅，2N7475T1、2N7476T1 和 2N7477T1 型（总剂量和单事件效应），JANTXVR 和 JANSR
DLA SMD-5962-89622 REV A-1994 硅单片,结型场效应晶体管高速运算放大器,数字微型电路
DLA SMD-5962-91574 REV C-2005 输入场效应晶体管,差异操作放大器,直线式混合微型电路
DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 半导体器件.N-通道场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)硅晶体管.型号:2N7485U3,2N7486U3和2N7487U3,JANTXVR和JANSR
DLA MIL-PRF-19500/684 D (1)-2009 半导体器件、晶体管、场效应、硅、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应），类型 2N7472U2、2N7473U2 和 2N7474U2，JANTXVR 和 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道硅，类型 2N7403 和 2N7404，JANSD 和 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，P 沟道硅类型 2N7438 和 2N7439 JANSD 和 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 半导体器件，场效应抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7497T2、2N7498T2 和 2N7499T2，JANTXVR 和 JANSR
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 半导体器件.N-通道高压场效应硅晶体管.型号2N7387和2N7387U1,JAN,JANTX,JANTXV和JANS
DLA MIL-PRF-19500/599 D VALID NOTICE 1-2008 半导体器件，四通道，场效应晶体管，P 沟道，硅型 2N7335 JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应、抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管管芯、N 沟道和 P 沟道、硅、各种类型、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 2N7292,2N7294,2N7296,和2N7298,JANTXVM,D,R,H 和JANSM,D和R型硅N通道耐辐射(仅总计量效应)场效应晶体管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7485U3、2N7486U3 和 2N7487U3，JANTXVR 和 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/752-2010 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、2N7608T2 型、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7485U3、2N7486U3 和 2N7487U3，JANTXVR 和 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7488T3、2N7489T3 和 2N7490T3，JANTXVR 和 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/749-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道抗辐射（总剂量和单事件效应）、硅、2N7506U8 和 2N7506U8C 型、JANTXVR、JANTXVF、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 单片硅互补开关场效应晶体管驱动,耐辐射数字线性微电路
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
DLA MIL-PRF-19500/570 D-2009 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、硅逻辑级、类型 2N6901 和 2N6903、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/542 H-2010 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、硅、类型 2N6756、2N6758、2N6760、2N6762、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/566 B VALID NOTICE 2-2011 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、硅、逻辑电平、2N6902 和 2N6904 型 JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/542 J-2011 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、硅、类型 2N6756、2N6758、2N6760、2N6762、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/542 J (1)-2013 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、硅、类型 2N6756、2N6758、2N6760、2N6762、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/652 C-2013 半导体器件、晶体管、高电压、场效应、N 沟道、硅、类型 2N7387 和 2N7387U1、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/431 E-2011 半导体器件，场效应晶体管，N 沟道，硅，类型 2N4091、2N4092、2N4093、2N4091UB、2N4092UB 和 2N4093UB，JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/714-2009 半导体器件、场效应晶体管、封装塑料、N 沟道、硅、类型 2N7558、2N7559 2N7560、JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715-2009 半导体器件、场效应晶体管、封装塑料、N 沟道、硅、类型 2N7563、2N764、2N7565、JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/476 E-2012 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、硅、类型 2N5114 至 2N5116 和 2N5114UB 至 2N5116UB、JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/675 E-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅类型 2N7463T2、2N7464T2、2N7463U5 和 2N7464U5 JANTXVR 和 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应晶体管、封装塑料、N 沟道、硅、类型 2N7558、2N7559 2N7560、JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应晶体管、封装塑料、N 沟道、硅、类型 2N7563、2N764、2N7565、JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/634 D-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道硅，类型 2N7405、2N7406、2N7407 和 2N7408，JANSD 和 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/476 F-2013 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、硅、类型 2N5114 至 2N5116 和 2N5114UB 至 2N5116UB、JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA SMD-5962-89976 REV B-2006 硅单片,结型场效应晶体管高速准确运算放大器,线性微型电路
DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 硅单片,四重双极结型场效应晶体管,运算放大器,线性微型电路
DLA SMD-5962-90807 REV D-2002 硅单块操作增强器,微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 硅单块高速结型场效应晶体管,双操作增强器,直线型微型电路
DLA SMD-5962-90902 REV A-2002 闭合环路缓冲放大器,输入场效应晶体管,直线式混合微型电路
DLA MIL-PRF-19500/563 F VALID NOTICE 1-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、硅类型 2N6845、2N6845U、2N6847 和 2N6847U JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/657 B-2011 半导体器件、场效应、抗辐射、晶体管芯片、N 和 P 沟道、硅各种类型 JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/660 D-2013 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、P 沟道硅、型号 2N7424、2N7425 和 2N7426、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/660 E-2013 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、P 沟道硅、型号 2N7424、2N7425 和 2N7426、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 C-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道硅，类型 2N7509、2N7510 和 2N7511，JANTXVD，R 和 JANSD，R
DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 2N7467U2,JANTXVR,F,G和H 和JANSR,F,G和H型耐辐射N通道场效应晶体管(总剂量和单粒子效应)半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/747-2008 半导体装置,场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N通道,硅,型号2N7504T2,JANTXVR,JANTXVF,JANTXVG,JANTXVH,JANSF,JANSG,JANSR和JANSH
DLA MIL-PRF-19500/744-2008 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7616UB、2N7616UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道硅，类型 2N7509、2N7510 和 2N7511，JANTXVD，R 和 JANSD，R
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道硅类型 2N7512、2N7513 和 2N7514 JANTXVD、R 和 JANSD、R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道硅，类型 2N7509、2N7510 和 2N7511，JANTXVD，R 和 JANSD，R
DLA MIL-PRF-19500/745-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7626UB、2N7626UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/745 A-2009 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7626UB、2N7626UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/683 C (1)-2009 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）类型 2N7467U2、JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/753-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7580T1、2N7582T1、2N7584T1 和 2N7586T1，JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/755-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7588T3、2N7590T3、2N7592T3 和 2N7594T3，JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/733 B-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道，硅，类型 2N7523T1、2N7523U2、2N7524T1 和 2N7524U2，JANTXVR，F 和 JANSR，F
DLA MIL-PRF-19500/713 B-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道，硅，类型 2N7549T1、2N7549U2、2N7550T1 和 2N7550U2，JANTXVR，F 和 JANSR，F
DLA MIL-PRF-19500/753 B-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7580T1、2N7582T1、2N7584T1 和 2N7586T1，JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009 半导体器件、场效应、抗辐射（总剂量和单事件效应）晶体管芯片、N 沟道和 P 沟道、硅、各种类型、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/757 A-2011 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7624U3 和 2N7625T3、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/570 E-2010 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、硅逻辑级、类型 2N6901 和 2N6903、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/676 E-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅，型号 2N7465T3 和 2N7466T3 和 U3 后缀，JANTXVR 和 JANSR
DLA SMD-5962-89669 REV A-2001 硅单片,四重单刀单掷结型场效应晶体管模拟开关,线性微型电路
DLA SMD-5962-87706 REV A-2000 硅单块操作扩大器,精密结型场效应晶体管输入,直线型微型电路
DLA SMD-5962-90808 REV C-2002 硅单块操作增强器,双微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
DLA MIL-PRF-19500/556 K-2010 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、硅、类型 2N6782、2N6782U、2N6784、2N6784U、2N6786 和 2N6786U、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA SMD-5962-91519 REV C-2007 硅单块高速操作放大器,双精密结型场效应晶体管,直线式微型电路
DLA SMD-5962-87716 REV A-2000 硅单块结型场效应晶体管模拟多路复用器,8沟道直线型微型电路
DLA SMD-5962-87717 REV B-2002 硅单块结型场效应晶体管模拟多路复用器,16沟道直线型微型电路
DLA SMD-5962-89897 REV B-2002 硅单片,结型场效应晶体管四重高速准确运算放大器,线性微型电路
DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 硅单块操作增强器,四列微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
DLA MIL-PRF-19500/732 A-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道，硅，类型 2N7519U3、2N7519U3C、2N7519T3、2N7520U3、2N7520U3C 和 2N7520T3 , JANTXVR, F 和 JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/743-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7503U8 和 2N7503U8C，JANTXVR，F 和 G 以及 JANSR，F 和 G
DLA MIL-PRF-19500/746-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7587U3、2N7587U3C、2N7589U3、2N7589U3C、2N7591U3、2N7591U3C， 2N7593U3、2N7593U3C、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/697 C (1)-2009 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7478T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/758-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7609U8 和 2N7609U8C，JANTXVR，F 和 G 以及 JANSR，F 和 G
DLA MIL-PRF-19500/697 D-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7478T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/746 B-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7587U3、2N7587U3C、2N7589U3、2N7589U3C、2N7591U3、2N7591U3C， 2N7593U3、2N7593U3C、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/655 E-2012 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道硅，类型 2N7424U、2N7425U 和 2N7426U，JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
DLA MIL-PRF-19500/697 E-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7478T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 双信道光耦合器金属氧化物半导体场效应晶体管电源的线性混合微型电路
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
DLA MIL-PRF-19500/375 H-2011 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、耗尽模式、硅、类型 2N3821、2N3821UB、2N3822、2N3822UB、2N3823 和 2N3823UB、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/375 J-2011 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、耗尽模式、硅、类型 2N3821、2N3821UB、2N3822、2N3822UB、2N3823 和 2N3823UB、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/595 K-2013 半导体器件、重复雪崩、场效应、晶体管、P 沟道、硅、类型 2N7236、2N7237、2N7236U 和 2N7237U、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 G VALID NOTICE 1-2008 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、硅类型 2N6796、2N6796U、2N6798、2N6798U、2N6800、2N6800U、2N6802 和 2N6802U JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 H-2010 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、硅类型 2N6796、2N6796U、2N6798、2N6798U、2N6800、2N6800U、2N6802 和 2N6802U JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、和JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 J-2010 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、硅类型 2N6796、2N6796U、2N6798、2N6798U、2N6800、2N6800U、2N6802 和 2N6802U JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、和JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 K-2012 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、硅类型 2N6796、2N6796U、2N6798、2N6798U、2N6800、2N6800U、2N6802 和 2N6802U JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、和JANKC
DLA MIL-PRF-19500/739 A-2013 半导体器件，场效应抗辐射四晶体管，N 沟道和 P 沟道，硅，类型 2N7518 和 2N7518U，JANTXVR，F 和 JANSR，F
DLA MIL-PRF-19500/739-2006 场效应抗辐射半导体装置(总剂量和单粒子效应),N型通道和P型通道硅四晶体管,类型2N7518和2N7518U,JANTXVR,F和JANSR,F
DLA MIL-PRF-19500/743 A-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7503U8 和 2N7503U8C，JANTXVR，F，G 和 H 和 JANSR，F，G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/673 A (1)-2009 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7468U2 和 2N7469U2 JANTXVR，F，G 和 H 和 JANSR，F，G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/698 D-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7470T1 和 2N7471T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/759 REV A-2012 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）双晶体管，N 沟道和 P 沟道，逻辑级硅类型 2N7632UD，JANTXVR，F 和 JANSR，F
DLA MIL-PRF-19500/698 E-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7470T1 和 2N7471T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 半导体器件，场效应抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7494U5、2N7495U5 和 2N7496U5，JANTXVR，F、G 和 H，以及 JANSR、F、G 和 H
DLA SMD-5962-87718 REV A-2000 硅单块结型场效应晶体管模拟多路复用器,4沟道差异直线型微型电路
DLA MIL-PRF-19500/662 E-2013 半导体器件、晶体管、场效应辐射硬化 P 沟道、硅、类型 2N7422、2N7422U、2N7423 和 2N7423U、JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
DLA MIL-PRF-19500/662 F-2013 半导体器件、晶体管、场效应辐射硬化 P 沟道、硅、类型 2N7422、2N7422U、2N7423 和 2N7423U、JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
DLA MIL-PRF-19500/555 K-2010 半导体器件，场效应晶体管，N 沟道，硅，类型 2N6788、2N6788U、2N6790、2N6790U、2N6792、2N6792U、2N6794 和 2N6794U，JAN，JANTX，JANTXV，JANS，JAN HC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/701 A (1)-2009 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7491T2、2N7492T2 和 2N7493T2，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/702 B (1)-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7482T3、2N7483T3 和 2N7484T3，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/702 C-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7482T3、2N7483T3 和 2N7484T3，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/703 B-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7479U3、2N7480U3 和 2N7481U3，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/701 B-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7491T2、2N7492T2 和 2N7493T2，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/700 B-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7494U5、2N7495U5 和 2N7496U5，JANTXVR、F、G 和 H，以及 JANSR、F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/630 F-2012 半导体器件、场效应、抗辐射晶体管、P 沟道、硅、2N7389、2N7390、2N7389U、2N7389U5 和 2N7390U、2N7390U5、JANTXV、R 和 F 以及 JANS、R 和 F
DLA MIL-PRF-19500/663 E-2013 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、N 沟道、硅、类型 2N7431、2N7432 和 2N7433、JANTXVR、F、G 和 H；和 JANSR、F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/664 D-2012 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、N 沟道、硅、类型 2N7431U、2N7432U 和 2N7433U、JANTXVR、F、G 和 H；和 JANSR、F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/663 F-2013 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、N 沟道、硅、类型 2N7431、2N7432 和 2N7433、JANTXVR、F、G 和 H；和 JANSR、F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008 型号为2N7334,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC,JANKCA2N7334以及JANHCA2N7334的硅晶体场效应半导体设备,带N个通道具四个三极管
DLA MIL-PRF-19500/615 F-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，P 沟道，硅，2N7382 和 2N7383 型，JANTXV M、D、R 和 F 以及 JANS M、D、R 和 F
DLA MIL-PRF-19500/740 (1)-2012 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）四晶体管，N 沟道和 P 沟道，硅类型 2N7521U、2N7522U、2N7525 和 2N7526，JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 硅单块单一或双或四列操作增强器,结型场效应晶体管低功率,直线式微型电路
DLA MIL-PRF-19500/592 E VALID NOTICE 1-2009 半导体器件、重复雪崩、场效应晶体管、N 沟道、硅类型 2N7224、2N7225、2N7227、2N7228、2N7224U、2N7225U、2N7227U 和 2N7228U、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/744 A-2010 半导体器件，场效应晶体管，N 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7616UB、2N7616UBC、2N7616UBN、2N7616UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
DLA MIL-PRF-19500/614 G-2012 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7380 和 2N7381，JANTXV，M，D，R，F，G，和 H 和 JANS，M，D，R , F, G, 和 H
DLA MIL-PRF-19500/744 C-2012 半导体器件，场效应晶体管，N 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7616UB、2N7616UBC、2N7616UBN、2N7616UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
DLA MIL-PRF-19500/745 B-2010 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7626UB、2N7626UBC、2N7626UBN、2N7626UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
DLA MIL-PRF-19500/745 C-2011 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7626UB、2N7626UBC、2N7626UBN、2N7626UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
DLA MIL-PRF-19500/745 D-2012 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7626UB、2N7626UBC、2N7626UBN、2N7626UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
DLA SMD-5962-90958 REV B-2003 硅单块操作放大器,低功率高输出驱动器,结型场效应晶体管输入,直线式微型电路
DLA MIL-PRF-19500/592 F-2010 半导体器件，重复雪崩，场效应晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7224、2N7225、2N7227、2N7228、2N7224U、2N7225U、2N7227U 和 2N7228U，JAN，JANTX，J ANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/543 K-2008 半导体器件，场效应晶体管，N 沟道，硅重复雪崩，类型 2N6764、2N6764T1、2N6766、2N6766T1、2N6768、2N6768T1、2N6770 和 2N6770T1，JAN，J ANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/543 M-2011 半导体器件，场效应晶体管，N 沟道，硅重复雪崩，类型 2N6764、2N6764T1、2N6766、2N6766T1、2N6768、2N6768T1、2N6770 和 2N6770T1，JAN，J ANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/543 N-2013 半导体器件，场效应晶体管，N 沟道，硅重复雪崩，类型 2N6764、2N6764T1、2N6766、2N6766T1、2N6768、2N6768T1、2N6770 和 2N6770T1，JAN，J ANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/606 B-2004 2N7291,2N7293,2N7295和2N7297,JANTXVM(D和R)以及JANSM(D和R)型硅N型通道场效应抗辐射加固(仅总剂量)晶体管半导体装置
DLA MIL-PRF-19500/662 C-2008 半导体器件、晶体管、场效应辐射硬化（仅限总剂量）、P 沟道、硅、类型 2N7422、2N7422U、2N7423 和 2N7423U、JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
DLA MIL-PRF-19500/605 D-2013 半导体器件，场效应抗辐射（仅限总剂量）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7292、2N7294、2N7296 和 2N7298，JANTXVM，D、R、H 和 JANSM，D 和 R
DLA MIL-PRF-19500/614 H-2013 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、N 沟道、硅、类型 2N7380 和 2N7381、JANTXV、M、D、R、F、G 和 H 以及 JANS、M、D、R、F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/603 H-2011 半导体器件，场效应抗辐射（仅限总剂量）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7268、2N7269、2N7270、2N7394、2N7268U、2N7269U、2N7270U 和 2N7394U，J ANTXVR, F, G, H; JANSR、F、G 和 H
DLA MIL-PRF-19500/603 J-2013 半导体器件，场效应抗辐射（仅限总剂量）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7268、2N7269、2N7270、2N7394、2N7268U、2N7269U、2N7270U 和 2N7394U，J ANTXVR, F, G, H; JANSR、F、G 和 H

IN-BIS，关于现场效应晶体管的标准

IS 4400 Pt.10-1983 半导体器件的测量方法第10部分场效应晶体管
IS 3700 Pt.10-1982 半导体器件的基本额定值和特性第 X 部分场效应晶体管

行业标准-电子，关于现场效应晶体管的标准

SJ 20231-1993 国洋双栅场效应晶体管Yfs测试仪检定规程
SJ 20184-1992 半导体分立器件CS3821、3822、3823型场效应晶体管详细规范
SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法
SJ 2748-1987 微波低噪声单栅场效应晶体管空白详细规范
SJ 20232-1993 国洋双栅场效应晶体管GP参数测试仪检定规程
SJ 50033/42-1994 半导体分立器件.CSO467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
SJ 50033/78-1995 半导体分立器件.CS0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
SJ 1974-1981 CS1型低频场效应半导体管
SJ 1975-1981 CS2型低频场效应半导体管
SJ 1976-1981 CS3型低频场效应半导体管
SJ 1977-1981 CS4型高频场效应半导体管
SJ 1978-1981 CS5型高频场效应半导体管
SJ 1979-1981 CS6型高频场效应半导体管
SJ 1980-1981 CS7型高频场效应半导体管
SJ 1981-1981 CS8型高频场效应半导体管
SJ 1982-1981 CS9型高频场效应半导体管
SJ 50033/79-1995 半导体分立器件.CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/120-1997 半导体分立器件 CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 20061-1992 半导体分立器件.CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
SJ 50033.51-1994 半导体分立器件.CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
SJ 50033.52-1994 半导体分立器件.CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033.54-1994 半导体分立器件.CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/119-1997 半导体分立器件 CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/81-1995 半导体分立器件.CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/121-1997 半导体分立器件.CS3458～CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/80-1995 半导体分立器件.CS0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/122-1997 半导体分立器件.CS3684～CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/38-1994 半导体分立器件.CS4856～CS4861型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
SJ 50033.53-1994 半导体分立器件.CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
SJ 50033/84-1995 半导体分立器件.CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管.详细规范
SJ 50033/86-1995 半导体分立器件.CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/83-1995 半导体分立器件.CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/87-1995 半导体分立器件.CS4091～CS4093型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/85-1995 半导体分立器件.CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/106-1996 半导体分立器件.CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范
SJ 1990-1981 CS20型低频场效应半导体对管
SJ 1991-1981 CS21型低频场效应半导体对管
SJ 1992-1981 CS22型低频场效应半导体对管
SJ 1989-1981 CS19型低频场效应半导体对管
SJ 50033/89-1995 半导体分立器件.CS6768和CS6770型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范
SJ 50033/88-1995 半导体分立器件.CS6760和CS6762型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范
SJ 1986-1981 CS13型低频低噪声场效应半导体管
SJ 1988-1981 CS15型低频低噪声场效应半导体管
SJ 1984-1981 CS11型低频低噪声场效应半导体管
SJ 1987-1981 CS14型低频低噪声场效应半导体管
SJ 1983-1981 CS10型低频低噪声场效应半导体管
SJ 1985-1981 CS12型低频低噪声场效应半导体管
SJ 20011-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
SJ 20012-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
SJ 20013-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范
SJ/T 11059-1996 电子元器件详细规范 CS4220A型单栅N沟结型场效应晶体管（可供认证用）
SJ 1994-1981 CS24型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 2002-1981 CS32型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 2003-1981 CS33型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 2001-1981 CS31型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1995-1981 CS25型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1997-1981 CS27型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1998-1981 CS28型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 2000-1981 CS30型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 2004-1981 CS34型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1993-1981 CS23型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1996-1981 CS26型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1999-1981 CS29型低频低噪声场效应半导体对管
SJ/T 11057-1996 电子元器件详细规范 4CS142型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
SJ/T 11055-1996 电子元器件详细规范 4CS119型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
SJ/T 11056-1996 电子元器件详细规范 4CS1191型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
SJ/T 10956-1996 电子元器件详细规范 4CS122型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
SJ/T 10957-1996 电子元器件详细规范 4CS103型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
SJ/T 11058-1996 电子元器件详细规范 4CS1421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
SJ/T 10834-1996 电子元器件详细规范 CS111、CS112、CS113、CS114、CS115、CS116型单栅结型场效应晶体管（可供认证用）
SJ 2099-1982 CS42型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2103-1982 CS46型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2104-1982 CS47型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2092-1982 CS35型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2093-1982 CS36型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2094-1982 CS37型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2095-1982 CS38型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2096-1982 CS39型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2097-1982 CS40型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2105-1982 CS48型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2106-1982 CS49型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2107-1982 CS50型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2108-1982 CS51型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2100-1982 CS43型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2102-1982 CS45型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2098-1982 CS41型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2101-1982 CS44型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管

国家计量检定规程，关于现场效应晶体管的标准

JJG(电子) 04049-1995 国洋双栅场效应晶体管CX测试仪检定规程
JJG(电子) 04046-1995 QC-13型场效应晶体管跨导参数测试仪检定规程

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于现场效应晶体管的标准

QC 750106-1993 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第二部分外壳额定功率放大器应用场效应晶体管的空白详细规范（IEC 747-8-2 ED 1）
QC 750114-1995 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第 3 节：用于开关应用的外壳额定场效应晶体管的空白详细规范（IEC 747-8-3 ED 1）
QC 750112-1987 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第一部分单栅极场效应晶体管的空白详细规范高达 5W 和 1 GHz（IEC 747-8-1 ED 1）
QC 750114-1996 电子元件质量评估协调系统半导体器件分立器件场效应晶体管用于开关应用的外壳额定场效应晶体管的空白详细规范（IEC 747-8-3:1995）
QC 750115-2000 半导体器件分立器件第 4-1 部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范（IEC 60747-4-1:2000）

中国团体标准，关于现场效应晶体管的标准

T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
T/CASAS 007-2020 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范
T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法
T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

法国标准化协会，关于现场效应晶体管的标准

NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验
NF C96-008:1985 半导体器件.分立器件和集成电路.第8部分:场效应晶体管
NF EN 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
NF C86-712:1981 电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.单栅极场效应晶体管
NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验

德国标准化学会，关于现场效应晶体管的标准

DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
DIN EN 62417:2010-12 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
DIN 55659-2:2012 色漆和清漆.pH值的测定.第2部分:带有离子敏场效应晶体管(ISFET)的pH电极
DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010

丹麦标准化协会，关于现场效应晶体管的标准

DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试
DS/EN 62417:2010 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
DS/IEC 747-8:1992 国际电工委员会IEC标准No．747-8-1984以及附录No．1-1991半导体装置．分立器件．第8部分：场效应晶体管

ES-UNE，关于现场效应晶体管的标准

UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
UNE-EN 62417:2010 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试

美国电气电子工程师学会，关于现场效应晶体管的标准

IEEE Std 581-1978 金属-氮化物-氧化物场效应晶体管的 IEEE 标准定义、符号和表征
IEEE 581-1978 金属-亚硝酸盐-氧化物场效应晶体管的 IEEE 标准定义、符号和表征

立陶宛标准局，关于现场效应晶体管的标准

LST EN 62373-2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试（IEC 62373:2006）
LST EN 62417-2010 半导体设备金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）

台湾地方标准，关于现场效应晶体管的标准

CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法
CNS 5542-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–场效晶体管连续动作试验
CNS 5544-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–场效晶体管断续动作试验
CNS 5546-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–场效晶体管高温逆向偏压试验

未注明发布机构，关于现场效应晶体管的标准

BS EN 150012:1993(2000) 电子元件质量评估协调制度规范空白详细规范单栅场效应晶体管

美国材料与试验协会，关于现场效应晶体管的标准

ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)

工业和信息化部，关于现场效应晶体管的标准

SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

PH-BPS，关于现场效应晶体管的标准

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