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新型半导体材料与器件

本专题涉及新型半导体材料与器件的标准有150条。

国际标准分类中，新型半导体材料与器件涉及到半导体分立器件、输电网和配电网、整流器、转换器、稳压电源、电子电信设备用机电元件、电子设备用机械构件、集成电路、微电子学、半导体材料、电工器件。

在中国标准分类中，新型半导体材料与器件涉及到、半导体分立器件综合、电力半导体器件、部件、基础标准与通用方法、其他、半导体集成电路、电缆及其附件。

国家质检总局，关于新型半导体材料与器件的标准

• GB 7423.2-1987 半导体器件散热器 型材散热器

英国标准学会，关于新型半导体材料与器件的标准

• BS IEC 62951-5:2019 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性材料热特性测试方法
• BS EN 62047-2:2006 半导体器件.微型机电器件.薄膜材料的拉伸试验方法
• BS EN 62047-18:2013 半导体器件.微型机电装置.薄膜材料的弯曲测试方法
• BS EN 62047-21:2014 半导体器件. 微型机电装置. 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
• BS EN 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.半导体器件用有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
• BS EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候测试方法 测量用于半导体元件的有机材料的水分扩散率和水溶性
• BS IEC 62047-31:2019 半导体器件 微机电器件 层状MEMS材料界面粘附能的四点弯曲测试方法
• BS EN 62047-11:2013 半导体器件. 微型机电装置. 微型机电装置用无需支撑物材料线性热膨胀系数试验方法
• 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量

行业标准-机械，关于新型半导体材料与器件的标准

• JB/T 5781-1991 电力半导体器件用型材散热器技术条件
• JB/T 8175-1999 电力半导体器件用型材散热体.外形尺寸

机械电子工业部，关于新型半导体材料与器件的标准

• JB 5781-1991 电力半导体器件用型材散热器 技术条件

日本工业标准调查会，关于新型半导体材料与器件的标准

• JIS C 7012:1982 分立半导体器件型号的名称与符号系统
• JIS C 5630-2:2009 半导体器件.微型机电器件.第2部分:薄膜材料的拉伸测试方法
• JIS C 5630-18:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第18部分: 薄膜材料的弯曲试验方法
• JIS C 5630-6:2011 半导体器件.微电机装置.第6部分:薄膜材料的轴向疲劳测试方法
• JIS C 5630-12:2014 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法

国际电工委员会，关于新型半导体材料与器件的标准

• IEC 62047-18:2013 半导体器件.微型机电器件.第18部分:薄膜材料的弯曲测试方法
• IEC 62951-5:2019 半导体器件.柔性和可伸展半导体器件.第5部分:柔性材料热特性的试验方法
• IEC 62047-21:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第21部分: 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
• IEC 60749-39:2021 RLV 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
• IEC 60749-39:2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
• IEC 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体器件使用的有机材料的湿气扩散性和水溶解性的测量
• IEC 62047-31:2019 半导体器件微机电器件第31部分:层状MEMS材料界面结合能的四点弯曲试验方法
• IEC 62047-11:2013 半导体器件.微型机电装置.第11部分:微型机电装置用无需支撑物材料线性热膨胀系数试验方法
• IEC 62047-12:2011 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法
• IEC 60749-20:2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第20部分:塑料封装Smds的电阻与水分和焊接热的组合效应

美国国防后勤局，关于新型半导体材料与器件的标准

• DLA MIL-PRF-19500/672-2001 半导体器件、晶体管、塑料、NPN、硅、开关、2N2222AUE1 型 JAN、JANTX、JANJ
• DLA MIL-PRF-19500/672 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件、晶体管、塑料、NPN、硅、开关、类型 2N2222AUE1 JAN、JANTX、JANJ
• DLA MIL-PRF-19500/686 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件、晶体管、塑料、PNP、硅、开关、类型 2N2907AUE1 JAN、JANTX、JANJ
• DLA MIL-PRF-19500/695 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件、晶体管、塑料、PNP、硅、开关、类型 2N4033UE1 JAN、JANTX、JANJ
• DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 半导体器件、场效应晶体管、塑料、N 沟道、硅、类型 2N7537、2N7537A、JAN 和 JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 半导体器件，场效应晶体管，塑料，N 沟道，硅，类型 2N7537、2N7537A，JAN 和 JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/714-2009 半导体器件、场效应晶体管、封装塑料、N 沟道、硅、类型 2N7558、2N7559 2N7560、JAN、JANTX 和 JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/715-2009 半导体器件、场效应晶体管、封装塑料、N 沟道、硅、类型 2N7563、2N764、2N7565、JAN、JANTX 和 JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应晶体管、封装塑料、N 沟道、硅、类型 2N7558、2N7559 2N7560、JAN、JANTX 和 JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应晶体管、封装塑料、N 沟道、硅、类型 2N7563、2N764、2N7565、JAN、JANTX 和 JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 2N3700UE1,JAN,JANTX,JANJ型能量切换半导体器件的晶体管,塑料,三极管和硅片的标准规格

陕西省标准，关于新型半导体材料与器件的标准

• DB61/T 1250-2019 Sic（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范

行业标准-航天，关于新型半导体材料与器件的标准

• QJ 2300-1992 微波铁氧体材料与器件系列型谱

法国标准化协会，关于新型半导体材料与器件的标准

• NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 半导体器件 微型机电装置 第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
• NF EN 62047-2:2006 半导体器件 微机电器件 第 2 部分：薄膜材料拉伸测试方法
• NF EN 62047-18:2014 半导体器件 微机电器件 第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
• NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 半导体器件.微电子机械器件.第10部分:MEMES材料微极压缩测试
• NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第21部分: 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
• NF EN 62047-6:2010 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
• NF EN 62047-21:2014 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜MEMS材料泊松比的测试方法
• NF EN 62047-14:2012 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属层材料成形极限的测量方法
• NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
• NF EN 62047-10:2012 半导体器件 - 微机电器件 - 第 10 部分：使用微柱技术对 MEMS 材料进行压缩测试
• NF EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 39 部分：半导体元件中使用的有机材料的水分扩散率和水溶性的测量
• NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 半导体器件 - 微型机电装置 - 第12部分: 使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法.
• NF C96-050-11*NF EN 62047-11:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第11部分: 微型机电装置用无需支撑物材料线性热膨胀系数试验方法
• NF EN 62047-11:2014 半导体器件 微机电器件 第11部分：微机电系统自含材料线性热膨胀系数的测试方法
• NF EN 62007-1/A1:2022 光纤系统中应用的光电半导体器件第1部分：与基本值和特性相关的规格模型
• NF EN 62007-1:2015 光纤系统中应用的光电半导体器件第1部分：与基本值和特性相关的规格模型

丹麦标准化协会，关于新型半导体材料与器件的标准

• DS/EN 62047-10:2011 半导体器件-微机电器件-第10部分：MEMS 材料的微柱压缩试验
• DS/EN 62047-2:2007 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料的拉伸试验方法
• DS/EN 62047-18:2013 半导体器件微机电器件第18部分：薄膜材料的弯曲试验方法
• DS/EN 62047-6:2010 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
• DS/EN 62047-14:2012 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属薄膜材料成形极限测量方法
• DS/EN 60749-39:2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
• DS/EN 62047-12:2012 半导体器件-微机电器件-第12部分：利用MEMS结构共振的薄膜材料弯曲疲劳试验方法
• DS/EN 62047-11:2013 半导体器件-微机电设备-第11部分：微机电系统用独立材料的线性热膨胀系数的测试方法

韩国科技标准局，关于新型半导体材料与器件的标准

• KS C IEC 62047-18:2016 半导体器件《微机电器件》第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
• KS C IEC 62047-22:2016 半导体器件《微机电器件》第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
• KS C IEC 62047-18-2016(2021) 半导体器件微机电器件第18部分:薄膜材料弯曲试验方法
• KS C IEC 62047-22-2016(2021) 半导体器件微机电器件第18部分:薄膜材料弯曲试验方法
• KS C IEC 60749-39-2006(2016) 半导体器件机械和气候试验方法第39部分:半导体器件用有机材料水分扩散率和水溶性的测定
• KS C IEC 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体器件使用的有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
• KS C IEC 60749-39-2006(2021) 半导体器件机械和气候试验方法第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
• KS C IEC 60749-20:2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第20部分:塑料封装Smds的电阻与水分和焊接热的组合效应

ES-UNE，关于新型半导体材料与器件的标准

• UNE-EN 62047-10:2011 半导体器件 微机电器件 第10部分：MEMS 材料的微柱压缩测试
• UNE-EN 62047-18:2013 半导体器件 微机电器件 第18部分：薄膜材料的弯曲测试方法
• UNE-EN 62047-6:2010 半导体器件 微机电器件 第6部分：薄膜材料的轴向疲劳测试方法
• UNE-EN 62047-21:2014 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜 MEMS 材料泊松比的测试方法
• UNE-EN 62047-14:2012 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
• UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 半导体器件 - 微机电器件 - 第 2 部分：薄膜材料的拉伸测试方法（IEC 62047-2:2006）。
• UNE-EN 62047-2:2006 半导体器件 - 微机电器件 - 第 2 部分：薄膜材料的拉伸测试方法（IEC 62047-2:2006）。
• UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 半导体器件 - 微机电器件 - 第 2 部分：薄膜材料的拉伸测试方法（IEC 62047-2:2006）。
• UNE-EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
• UNE-EN 60749-39:2006 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量(IEC 60749-39:2006)
• UNE-EN 62047-12:2011 半导体器件 微机电器件 第12部分：利用 MEMS 结构共振的薄膜材料弯曲疲劳测试方法
• UNE-EN 62047-11:2013 半导体器件 微机电器件 第11部分：微机电系统自支撑材料线性热膨胀系数的测试方法

德国标准化学会，关于新型半导体材料与器件的标准

• DIN EN 62047-2:2007-02 半导体器件微机电器件第2部分：薄膜材料拉伸测试方法
• DIN EN 62047-10:2012-03 半导体器件-微机电器件-第10部分：MEMS材料的微柱压缩测试
• DIN EN 62047-18:2014-04 半导体器件-微机电器件-第18部分：薄膜材料的弯曲测试方法
• DIN EN 62047-6:2010-07 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
• DIN EN 62047-14:2012-10 半导体器件微机电器件第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
• DIN EN 60749-39:2007 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:测量用于半导体元件的有机材料的湿气扩散性和水溶解性
• DIN EN 60749-39:2007-01 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
• DIN EN 62047-21:2015-04 半导体器件-微机电器件-第21部分：薄膜MEMS材料泊松比的测试方法（IEC 62047-21:2014）
• DIN EN 62047-12:2012-06 半导体器件-微机电器件-第12部分：利用MEMS结构共振的薄膜材料弯曲疲劳测试方法
• DIN EN IEC 60749-39:2021-07 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 39 部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量 (IEC 47/2652/CDV:2020)
• DIN EN 62047-11:2014-04 半导体器件-微机电器件-第11部分：微机电系统自支撑材料线性热膨胀系数的测试方法
• DIN EN 62047-18:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第18部分:薄膜材料的弯曲试验方法 (IEC 62047-18-2013); 德文版本EN 62047-18-2013
• DIN EN 62047-21:2015 半导体器件-微机电器件-第21部分：薄膜MEMS材料泊松比测试方法（IEC 62047-21:2014）；德文版 EN 62047-21:2014
• DIN EN 62047-10:2012 半导体器件.微电子机械器件.第10部分:MEMES材料微极压缩试验(IEC 62047-10-2011).德文版本 EN 62047-10-2011
• DIN EN IEC 60749-39:2021 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量（IEC 47/2652/CDV:2020）；英文版 prEN IEC 60749-39:2020
• DIN EN IEC 60749-39:2023-10 半导体器件 机械和气候测试方法 第 39 部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量（IEC 60749-39:2021）；德文版 EN IEC 60749-39:2022 / 注：DIN...
• DIN 49018-1:1972 电气设备用导管和配件.第1部分:中型和轻型压力负荷用绝缘材料和耦合器的柔性波纹导管与易燃导管
• DIN EN 62047-12:2012 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法(IEC 62047-12-2011).德文版本EN 62047-12-2011
• DIN EN 62047-11:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第11部分:微型机电装置用无需支撑物材料线性热膨胀系数试验方法 (IEC 62047-11-2013); 德文版本EN 62047-11-2013
• DIN EN 62047-6:2010 半导体器件. 微电机设备. 第6部分: 薄膜材料的轴向疲劳试验方法（IEC 62047-6: 2009）; 德文版本EN 62047-6: 2010

欧洲电工标准化委员会，关于新型半导体材料与器件的标准

• EN 62047-18:2013 半导体器件微机电器件第18部分：薄膜材料的弯曲试验方法
• EN 62047-21:2014 半导体器件微机电器件第21部分：薄膜MEMS材料泊松比测试方法
• EN 62047-6:2010 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
• EN 62047-10:2011 半导体器件.微型电机装置.第10部分:微型电机系统(MEMS)材料的微柱压缩试验
• EN 62047-14:2012 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属薄膜材料成形极限测量方法
• EN 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元器件用有机材料湿气扩散率和水溶率的测试 IEC 60749-39-2006
• EN 62047-2:2006 半导体器件微电机器件.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法 IEC 62047-2:2006
• EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
• EN 62047-12:2011 半导体器件.微型电机装置.第12部分:用微型电机系统(MEMS)结构谐振进行薄膜材料的弯曲疲劳试验方法
• EN 62047-11:2013 半导体器件-微机电设备-第11部分：微机电系统用独立材料的线性热膨胀系数的测试方法

立陶宛标准局，关于新型半导体材料与器件的标准

• LST EN 62047-14-2012 半导体器件微机电器件第14部分：金属薄膜材料成型极限测量方法（IEC 62047-14:2012）
• LST EN 62047-10-2011 半导体器件-微机电器件-第10部分：MEMS材料的微柱压缩试验（IEC 62047-10:2011）
• LST EN 62047-2-2007 半导体器件微机电器件第2部分：薄膜材料的拉伸试验方法（IEC 62047-2:2006）
• LST EN 62047-6-2010 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法（IEC 62047-6:2009）
• LST EN 60749-39-2006 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量（IEC 60749-39:2006）
• LST EN 62047-12-2011 半导体器件-微机电器件-第12部分：利用MEMS结构共振的薄膜材料弯曲疲劳试验方法（IEC 62047-12:2011）

未注明发布机构，关于新型半导体材料与器件的标准

• DIN EN 62047-18 E:2011-06 半导体器件 微型机电装置 第18部分：薄膜材料的弯曲试验方法（草案）
• DIN EN 62047-21 E:2012-11 半导体器件-微机电器件-第21部分：薄膜MEMS材料泊松比测试方法（草案）

行业标准-电子，关于新型半导体材料与器件的标准

• SJ/T 10827-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ0451型HTL双外围正与驱动器
• SJ/T 10826-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ0450型HTL双外围正与驱动器
• SJ/T 10828-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ0452型HTL双外围正与非驱动器
• SJ/T 10042-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路.CT54LS00/CT74LS00型四2输入与非门
• SJ/T 10823-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CH2009型HTL三3输入与非门
• SJ/T 10084-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CT54H20/CT74H20型双4输入与非门
• SJ/T 10824-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CH2010型HTL四2输入与非门
• SJ/T 10822-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CH2008型HTL双4输入与非门
• SJ/T 10820-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CH2001型HTL双4输入与非门
• SJ/T 10815-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1030型TTL8输入与非门（可供认证用）
• SJ/T 10842-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CE10104型ECL四2输入与门（可供认证用）
• SJ/T 10816-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1040型TTL双4输入与非缓冲器（可供认证用）
• SJ/T 10808-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1000型TTL四2输入与非门（可供认证用）
• SJ/T 10809-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1002型TTL四2输入与非门（可供认证用）
• SJ/T 10811-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1008型TTL四2输入与非门（可供认证用）
• SJ/T 10813-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1020型TTL双4输入与非门（可供认证用）
• SJ/T 10814-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1027型TTL三3输入与非门（可供认证用）
• SJ/T 10812-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1010型TTL三3输入与非门（可供认证用）
• SJ/T 10849-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CE10121型ECL4路3-3-3-3输入或与/或与非门（可供认证用）
• SJ/T 10848-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CE10117型ECL双2路2-3输入或与/或与非门（可供认证用）
• SJ/T 10817-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1054型TTL4路2-2-2-2输入与或非门（可供认证用）

美国绝缘电缆工程师协会，关于新型半导体材料与器件的标准

• ICEA T-32-645-2012 确定阻水元件与挤压半导体屏蔽材料的体积电阻相容性的测试方法

KR-KS，关于新型半导体材料与器件的标准

• KS C IEC 62047-18-2016 半导体器件 - 微机电装置 - 第18部分:薄膜材料弯曲试验方法
• KS C IEC 62047-22-2016 半导体器件 - 微机电装置 - 第18部分:薄膜材料弯曲试验方法
• KS C IEC 60749-20-2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第20部分:塑料封装Smds的电阻与水分和焊接热的组合效应

IEC - International Electrotechnical Commission，关于新型半导体材料与器件的标准

• IEC 62047-31:2017 半导体器件《微机电器件》第31部分：层状MEMS材料界面粘附能四点弯曲测试方法（1.0版）

AT-OVE/ON，关于新型半导体材料与器件的标准

• OVE EN IEC 60749-39:2020 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量（IEC 47/2652/CDV）（英文版）

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