ZH
EN
ES

Новые полупроводниковые материалы и устройства

Новые полупроводниковые материалы и устройства, Всего: 150 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Новые полупроводниковые материалы и устройства, являются: Механические конструкции электронного оборудования, Полупроводниковые приборы, Сети передачи и распределения электроэнергии, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Полупроводниковые материалы, Электрические аксессуары.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Новые полупроводниковые материалы и устройства

GB/T 7423.2-1987 Радиатор полупроводниковых приборов. Радиатор, экструдированные формы.
GB 7423.2-1987 Радиатор профиля полупроводникового устройства
GB 7085-1986 Подробная спецификация электронного компонента. Полупроводниковая интегральная схема. CJ0450 Двойные периферийные положительные драйверы И.

British Standards Institution (BSI), Новые полупроводниковые материалы и устройства

BS IEC 62951-5:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.
BS EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
BS EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб
BS EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов
BS EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
BS IEC 62047-31:2019 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания на четырехточечный изгиб для определения энергии межфазной адгезии слоистых МЭМС-материалов.
BS EN IEC 60749-39:2022 Отслеживаемые изменения. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для изготовления полупроводниковых компонентов.
BS EN 62047-11:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения отдельно стоящих материалов для микроэлектромеханических систем
20/30425840 DC БС ЕН МЭК 60749-39. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых деталей

Professional Standard - Machinery, Новые полупроводниковые материалы и устройства

JB/T 5781-1991 Секционированный радиатор для силовых полупроводниковых приборов. Техническая спецификация
JB/T 8175-1999 Габаритные размеры экструдированного радиатора для силовых полупроводниковых приборов

机械电子工业部, Новые полупроводниковые материалы и устройства

JB 5781-1991 Технические характеристики профильных радиаторов для силовых полупроводниковых приборов

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Новые полупроводниковые материалы и устройства

JIS C 7012:1982 Система обозначения типа дискретных полупроводниковых приборов
JIS C 5630-2:2009 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
JIS C 5630-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
JIS C 5630-6:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
JIS C 5630-12:2014 Полупроводниковые приборы.Микроэлектромеханические устройства.Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.

International Electrotechnical Commission (IEC), Новые полупроводниковые материалы и устройства

IEC 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
IEC 62951-5:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 5. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.
IEC 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
IEC 60749-39:2021 RLV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 60749-39:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 62047-31:2019 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 31. Метод испытания на четырехточечный изгиб для определения энергии межфазной адгезии слоистых материалов МЭМС.
IEC 62047-11:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 11. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения отдельных материалов для микроэлектромеханических систем.
IEC 62047-12:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.
IEC 60749-20:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 20. Устойчивость SMD в пластиковой капсуле к совместному воздействию влаги и тепла пайки.

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Новые полупроводниковые материалы и устройства

DB61/T 1250-2019 Общие спецификации для полупроводниковых дискретных устройств из материала Sic (карбид кремния)

Defense Logistics Agency, Новые полупроводниковые материалы и устройства

DLA MIL-PRF-19500/672-2001 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, ПЛАСТИК, NPN, КРЕМНИЙ, КОММУТАЦИОННЫЙ, ТИП 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/672 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, транзистор, пластик, NPN, кремний, переключающий, тип 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/686 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, транзистор, пластик, PNP, кремний, переключающий, тип 2N2907AUE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/695 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, транзистор, пластик, PNP, кремний, переключающий, тип 2N4033UE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ПЛАСТИК, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7537, 2N7537A, JAN AND JANTX
DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, пластик, N-канальный, кремний, тип 2N7537, 2N7537A, JAN и JANTX
DLA MIL-PRF-19500/714-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ГРАНИЦОВАННЫЙ ПЛАСТИК, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ГРАНИЦОВАННЫЙ ПЛАСТИК, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ГРАНИЦОВАННЫЙ ПЛАСТИК, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, инкапсулированный пластик, N-канальный, кремниевый, тип 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX и JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 Полупроводниковый прибор, транзистор, пластик, NPN, кремний, переключающий, тип 2N3700UE1, JAN, JANTX, JANJ

Association Francaise de Normalisation, Новые полупроводниковые материалы и устройства

NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний на изгиб тонкопленочных материалов.
NF EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Методы испытаний тонкопленочных материалов на растяжение.
NF EN 62047-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний на изгиб тонкопленочных материалов.
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС.
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
NF EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний на осевую усталость тонкопленочных материалов.
NF EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
NF EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формования материалов с металлическими слоями.
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
NF EN 62047-10:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие методом микростолбиков для МЭМС-материалов.
NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых в полупроводниковых компонентах.
NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.
NF C96-050-11*NF EN 62047-11:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 11. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения отдельных материалов для микроэлектромеханических систем.
NF EN 62047-11:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 11. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения автономных материалов для микроэлектромеханических систем.
NF EN 62007-1/A1:2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Спецификация модели по основным значениям и характеристикам.
NF EN 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Спецификация модели по основным значениям и характеристикам.

Professional Standard - Aerospace, Новые полупроводниковые материалы и устройства

QJ 2300-1992 Ферритовые материалы и серии устройств для СВЧ-излучения Тип Спектр

Danish Standards Foundation, Новые полупроводниковые материалы и устройства

DS/EN 62047-10:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС.
DS/EN 62047-2:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
DS/EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
DS/EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
DS/EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов.
DS/EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов
DS/EN 62047-12:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.
DS/EN 62047-11:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 11. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения отдельных материалов для микроэлектромеханических систем.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Новые полупроводниковые материалы и устройства

KS C IEC 62047-18:2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
KS C IEC 62047-22:2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
KS C IEC 62047-18-2016(2021) Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
KS C IEC 62047-22-2016(2021) Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C IEC 60749-20:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 20. Устойчивость SMD в пластиковой капсуле к совместному воздействию влаги и тепла пайки.

ES-UNE, Новые полупроводниковые материалы и устройства

UNE-EN 62047-10:2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов MEMS (одобрено AENOR в декабре 2011 г.).
UNE-EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб (одобрено AENOR в ноябре 2013 г.).
UNE-EN 62047-6:2010 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (одобрено AENOR в июне 2010 г.)
UNE-EN 62047-21:2014 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов (одобрен AENOR в ноябре 2014 г.)
UNE-EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов (одобрено AENOR в июне 2012 г.).
UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).
UNE-EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).
UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).
UNE-EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для изготовления полупроводниковых компонентов (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в марте 2022 г.).
UNE-EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006). (Одобрено AENOR в ноябре 2006 г.)
UNE-EN 62047-12:2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытания тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур (одобрено AENOR в феврале 2012 г.)
UNE-EN 62047-11:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 11. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения отдельных материалов для микроэлектромеханических систем (одобрено AENOR в ноябре 2013 г.).

German Institute for Standardization, Новые полупроводниковые материалы и устройства

DIN EN 62047-2:2007-02 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006); Немецкая версия EN 62047-2:2006.
DIN EN 62047-10:2012-03 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на микростолбчатое сжатие материалов МЭМС (IEC 62047-10:2011); Немецкая версия EN 62047-10:2011.
DIN EN 62047-18:2014-04 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб (IEC 62047-18:2013); Немецкая версия EN 62047-18:2013
DIN EN 62047-6:2010-07 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (IEC 62047-6:2009); Немецкая версия EN 62047-6:2010.
DIN EN 62047-14:2012-10 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов (IEC 62047-14:2012); Немецкая версия EN 62047-14:2012.
DIN EN 60749-39:2007 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006.
DIN EN 60749-39:2007-01 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006 / Примечание: Быть...
DIN EN 62047-21:2015-04 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов (IEC 62047-21:2014).
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 47/2652/CDV:2020).
DIN EN 62047-12:2012-06 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур (IEC 62047-12:2011); Немецкая версия EN 62047-12:2011.
DIN EN 62047-11:2014-04 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 11. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения отдельных материалов для микроэлектромеханических систем (IEC 62047-11:2013); Немецкая версия EN 62047-11:2013
DIN EN 62047-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб (IEC 62047-18:2013); Немецкая версия EN 62047-18:2013
DIN EN 62047-21:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов (IEC 62047-21:2014); Немецкая версия EN 62047-21:2014
DIN EN 62047-10:2012 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на микростолбчатое сжатие материалов МЭМС (IEC 62047-10:2011); Немецкая версия EN 62047-10:2011.
DIN EN IEC 60749-39:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 47/2652/CDV:2020); Английская версия prEN IEC 60749-39:2020
DIN EN IEC 60749-39:2023-10 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2021); Немецкая версия EN IEC 60749-39:2022 / Примечание: DIN...
DIN 49018-1:1972 Кабелепроводы и арматура для электромонтажа; гибкие гофрированные и негорючие каналы из изоляционного материала и муфты для средних и легких нагрузок давления
DIN EN 62047-12:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур (IEC 62047-12:2011); Немецкая версия EN 62047-12:2011.
DIN EN 62047-11:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 11. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения отдельных материалов для микроэлектромеханических систем (IEC 62047-11:2013); Немецкая версия EN 62047-11:2013
DIN EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (IEC 62047-6:2009); Немецкая версия EN 62047-6:2010.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Новые полупроводниковые материалы и устройства

EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
EN 62047-10:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС.
EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов.
EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
EN 62047-12:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.
EN 62047-11:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 11. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения отдельных материалов для микроэлектромеханических систем.

Lithuanian Standards Office , Новые полупроводниковые материалы и устройства

LST EN 62047-14-2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов (IEC 62047-14:2012)
LST EN 62047-10-2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбов для материалов МЭМС (IEC 62047-10:2011)
LST EN 62047-2-2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).
LST EN 62047-6-2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (IEC 62047-6:2009).
LST EN 60749-39-2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006)
LST EN 62047-12-2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур (IEC 62047-12:2011)

Professional Standard - Electron, Новые полупроводниковые материалы и устройства

SJ/T 10827-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. Драйверы CJ0451 HTL с двойным периферийным положительным И.
SJ/T 10826-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. Драйверы CJ0450 HTL с двойным периферийным положительным И.
SJ/T 10828-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. Драйверы NAND CJ0452 HTL с двумя периферийными положительными сторонами.
SJ/T 10042-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Полупроводниковая интегральная схема. CT54LS00/CT74LS00 четверной логический элемент положительного И-НЕ с 2 входами
SJ/T 10823-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CH2009 HTL, тройной вентиль положительного И-НЕ с 3 входами.
SJ/T 10084-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Полупроводниковая интегральная схема CT54H20/CT74H20 с двойным логическим элементом положительного И-НЕ с 4 входами.
SJ/T 10824-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CH2010 HTL Quad, вентиль положительного И-НЕ с 2 входами.
SJ/T 10822-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CH2008 HTL, двойной логический элемент положительного И-НЕ с 4 входами.
SJ/T 10820-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CH2001 HTL, двойной логический элемент положительного И-НЕ с 4 входами.
SJ/T 10815-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CT1030 TTL8, входной логический элемент положительного И-НЕ (применимо для сертификации).
SJ/T 10842-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CE10104 ECL Quad, вентиль И с 2 входами (применимо для сертификации)
SJ/T 10816-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CT1040 TTL двойной буфер положительного NAND с 4 входами (применимо для сертификации)
SJ/T 10808-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CT1000 TTL Quad, 2-входовой логический элемент положительного И-НЕ (применимо для сертификации)
SJ/T 10809-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CT1002 TTL Quad, 2-входовой логический элемент положительного И-НЕ (применимо для сертификации)
SJ/T 10811-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CT1008 TTL Quad, 2-входовой логический элемент положительного И-НЕ (применимо для сертификации)
SJ/T 10813-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CT1020 TTL, двойной логический элемент положительного И-НЕ с 4 входами (применимо для сертификации).
SJ/T 10814-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CT1027 TTL Тройной вентиль положительного И-НЕ с 3 входами (применимо для сертификации)
SJ/T 10812-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CT1010 TTL Тройной вентиль положительного И-НЕ с 3 входами (применимо для сертификации)
SJ/T 10849-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CE10121 ECL4-канальный вентиль И-ИЛИ/ИЛИ-И-НЕ с 3-3-3-3 входами (применимо для сертификации)
SJ/T 10848-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. CE10117 ECL двойной 2-канальный вентиль И-ИЛИ/ИЛИ-И-НЕ с 2-3 входами (применимо для сертификации)
SJ/T 10817-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - Полупроводниковые интегральные схемы - CT1054 TTL4-канальный вход 2-2-2-2 И ИЛИ ИНВЕНТ (применимо для сертификации)

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), Новые полупроводниковые материалы и устройства

ICEA T-32-645-2012 МЕТОД ИСПЫТАНИЙ ДЛЯ УСТАНОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНОЙ СОВМЕСТИМОСТИ ВОДОБЛОКИРУЮЩИХ КОМПОНЕНТОВ С ЭКСТРУДИРОВАННЫМИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ЭКРАНИРУЮЩИМИ МАТЕРИАЛАМИ

KR-KS, Новые полупроводниковые материалы и устройства

KS C IEC 62047-18-2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
KS C IEC 62047-22-2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
KS C IEC 60749-20-2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 20. Устойчивость SMD в пластиковой капсуле к совместному воздействию влаги и тепла пайки.

IEC - International Electrotechnical Commission, Новые полупроводниковые материалы и устройства

IEC 62047-31:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 31. Метод испытания на четырехточечный изгиб для определения энергии межфазной адгезии слоистых МЭМС-материалов (Редакция 1.0).

AT-OVE/ON, Новые полупроводниковые материалы и устройства

OVE EN IEC 60749-39:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 47/2652/CDV) (английская версия)