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Semiconductores y luz ultravioleta.

Semiconductores y luz ultravioleta., Total: 106 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Semiconductores y luz ultravioleta. son: Óptica y medidas ópticas., Optoelectrónica. Equipo láser, Química analítica, Circuitos integrados. Microelectrónica, Cerámica, Dispositivos semiconductores, Materiales semiconductores, químicos inorgánicos, Medicina Veterinaria, Componentes electrónicos en general..

Association Francaise de Normalisation, Semiconductores y luz ultravioleta.

NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF EN 62007-1/A1:2022 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos para aplicación en sistemas de fibra óptica - Parte 1: Modelo de especificación relativo a valores y características esenciales
NF EN 62007-1:2015 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos para aplicación en sistemas de fibra óptica - Parte 1: modelo de especificación relativo a valores y características esenciales
NF EN 2714-008:2007 Serie aeroespacial - Cables eléctricos, monoconductores y multiconductores para uso general - Temperaturas de funcionamiento entre -55 oC y 260 oC - Parte 008: blindados (trenzados) y enfundados, marcables con láser UV - Norma de producto
NF EN 2266-007:2006 Serie aeroespacial - Cables eléctricos de uso general - Temperaturas de funcionamiento entre - 55 oC y 200 oC - Parte 007: marcable con láser UV con revestimiento multiconductor - Norma de producto
XP PR EN 2712-007:1996 Serie aeroespacial - Cables eléctricos, monoconductores y multiconductores, para uso general - Temperaturas de funcionamiento entre - 55 grados Celsius y 150 grados Celsius - Parte 007: blindados (envueltos) y fundas, marcables con láser UV...
NF EN 2713-011:2006 Serie aeroespacial - Cables eléctricos, monoconductores y multiconductores para uso general - Temperaturas de funcionamiento entre -55oC y 200oC - Parte 011: cobre plateado, blindado (envuelto y enfundado), marcable con láser UV - Estándar de...
NF EN 2713-007:2006 Serie aeroespacial - Cables eléctricos monoconductores y multiconductores de uso general - Temperaturas de funcionamiento entre -55 oC y 200 oC - Parte 007: blindados (envueltos) y enfundados, marcables con láser UV - Estándar de producto

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Semiconductores y luz ultravioleta.

GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis
GB/T 39771.1-2021 Seguridad de la radiación óptica de los LED. Parte 1: Requisitos de seguridad y clasificación.

Professional Standard - Electron, Semiconductores y luz ultravioleta.

SJ/T 11818.2-2022 Diodos emisores de UV semiconductores, parte 2: especificaciones del chip
SJ/T 11818.3-2022 Diodos semiconductores emisores de UV Parte 3: Especificaciones del dispositivo
SJ/T 11818.1-2022 Diodos semiconductores emisores de UV Parte 1: Métodos de prueba
SJ 2684-1986 Dimensiones físicas del dispositivo emisor de luz de semiconductor
SJ 2247-1982 Describe las dimensiones de los dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
SJ 2750-1987 Dimensiones exteriores de diodos láser semiconductores
SJ 2658.1-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores. Reglas generales.
SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.
SJ 2658.6-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la potencia óptica de salida
SJ 50033/110-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz infrarroja tipo GR9413.
SJ 53930/1-2002 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos tipo GR8813
SJ 2658.4-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de capacitancia
SJ 2658.12-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la longitud de onda de emisión máxima y la mitad del ancho espectral
SJ 2658.2-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la caída de tensión directa
SJ 2658.3-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de tensión invertida
SJ 2658.7-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición del flujo radiante
SJ 2658.10-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para banda ancha modulada
SJ 2658.13-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para el coeficiente de temperatura de potencia óptica de salida
SJ/T 2658.16-2016 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 16: Eficiencia de conversión fotoeléctrica.
SJ 50923/2-1995 Especificación detallada para la caja metálica tipo G2-01B-M1,G2-01B-Z1 para dispositivos semiconductores fotosensibles
SJ 2658.8-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de radiancia normal
SJ 2658.5-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de resistencia en serie directa
SJ 2658.11-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de las características de respuesta al pulso
SJ 50923/1-1995 Especificación detallada para los tipos A6-02A-M2（Z2）y A6-01B-M1（Z1）caja metálica para fotoacopladores semiconductores
SJ 2658.9-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la distribución espacial de intensidad y el ángulo de radiación de intensidad media
SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
SJ/T 10827-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CJ0451 HTL controladores AND positivos periféricos duales
SJ/T 10826-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - Controladores AND positivos periféricos duales CJ0450 HTL
SJ/T 10828-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - Controladores NAND positivos periféricos duales HTL CJ0452
SJ/T 2658.12-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 12: Longitud de onda de emisión máxima y ancho de banda radiante espectral.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Semiconductores y luz ultravioleta.

KS D 2717-2008(2018) Evaluación de la relación metálica/semiconductora de hollines de nanotubos de carbono de pared simple mediante espectroscopia de absorción UV-VIS-NIR
KS C IEC 60748-2-9:2002 Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017) Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022) Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS

British Standards Institution (BSI), Semiconductores y luz ultravioleta.

BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS IEC 60747-14-11:2021 Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores. Método de prueba de sensores integrados basados en ondas acústicas de superficie para medir ultravioleta, iluminación y temperatura.
18/30362458 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
19/30390371 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
BS QC 790106:1995 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Circuitos integrados digitales. Especificación detallada en blanco. MOS luz ultravioleta borrable eléctricamente programable sólo lectura...
BS IEC 63068-3:2020 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia - Método de prueba para defectos mediante fotoluminiscencia

KR-KS, Semiconductores y luz ultravioleta.

KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Semiconductores y luz ultravioleta.

GJB 33/15-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos semiconductor tipo BT401
GJB 8190-2015 Especificaciones generales para fuentes de luz semiconductoras de estado sólido para iluminación exterior de aeronaves.
GJB 5018-2001 Requisitos generales para el cribado y aceptación de dispositivos optoelectrónicos semiconductores.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Semiconductores y luz ultravioleta.

GB/T 29856-2013 Caracterización de nanotubos de carbono semiconductores de pared simple mediante espectroscopia de fotoluminiscencia en el infrarrojo cercano
GB/T 17574.9-2006 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Parte 2-9: Circuitos integrados digitales. Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS.
GB 7085-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos - Circuito integrado semiconductor - CJ0450 Controladores Y positivos periféricos duales

International Organization for Standardization (ISO), Semiconductores y luz ultravioleta.

ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores

Group Standards of the People's Republic of China, Semiconductores y luz ultravioleta.

T/NAIA 0193-2023 Determinación de la concentración y pureza del ADN plasmídico de expresión eucariótica de anticuerpos monocatenarios mediante espectrofotometría UV

Defense Logistics Agency, Semiconductores y luz ultravioleta.

DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS UV BORRABLE, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE
DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, PROGRAMABLE BORRABLE UV, DISPOSITIVO LÓGICO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91772-1993
DLA SMD-5962-93248-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, BORRABLE UV, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, MEMORIA, CMOS BORRABLE UV, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, BORRABLE ULTRAVIOLETA, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 MICROCIRCUITOS, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 8K X 8 UV BORRABLE PROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91584-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89476-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93245-1993 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, MEMORIA, CMOS, TENSIÓN EXTENDIDA, BORRABLE UV, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM DE 32K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 4K X 8 UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 262, 144 BITS (32K X 8) PROM BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 MICROCIRCUITOS, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 64K X 8 UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96646 REV C-2003
DLA SMD-5962-96816-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, CUÁDRUPLE 2 ENTRADAS EXCLUSIVAS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 64K X 16 UV EPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM 128K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 2K X 8, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93122-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 2K X 16 BITS MÁQUINA DE ESTADOS UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96817 REV B-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO DE ALTA VELOCIDAD, CUÁDRUPLE 2 ENTRADAS EXCLUSIVAS O PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96611 REV C-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS ENDURECIDO POR RADIACIÓN, QUAD EXCLUSIVO O Y EXCLUSIVO NOR GATES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 2K X 8, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR TTL/BTL DE 8 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE REGISTRADO ASÍNCRONO BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 8K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 512K X 8-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92071-1994 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 64K X 8-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92140-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 128K X 16-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 256K X 8-BIT UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89538 REV A-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 16K X 8 UV EPROM, APAGADO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS REGISTRADO UVEPROM 32K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO

RO-ASRO, Semiconductores y luz ultravioleta.

STAS 12258/6-1987 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES OPTOELECTRÓNICOS DIODOS EMM1TING INFRARROJOS Terminología y características esenciales

International Electrotechnical Commission (IEC), Semiconductores y luz ultravioleta.

IEC 60747-14-11:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 14-11: Sensores semiconductores. Método de prueba de sensores integrados basados en ondas acústicas de superficie para medir ultravioleta, iluminación y temperatura.
IEC 60748-2-9:1994 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Parte 2: Circuitos integrados digitales; Sección 9: Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS

European Committee for Standardization (CEN), Semiconductores y luz ultravioleta.

CWA 17857:2022 Sistema adaptador basado en lentes para acoplar fibra óptica a láseres semiconductores infrarrojos

RU-GOST R, Semiconductores y luz ultravioleta.

GOST 29283-1992 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 5. Dispositivos optoelectrónicos

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Semiconductores y luz ultravioleta.

PQC 8 ISSUE 1-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada en blanco: Fotoacopladores de ambiente o de caja con categoría de nivel de evaluación de salida de fototransistor I@II o III