ZH
EN
ES

Полупроводники и УФ-излучение

Полупроводники и УФ-излучение, Всего: 106 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Полупроводники и УФ-излучение, являются: Оптика и оптические измерения, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Аналитическая химия, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Керамика, Полупроводниковые приборы, Полупроводниковые материалы, Неорганические химикаты, Ветеринария, Электронные компоненты в целом.

Association Francaise de Normalisation, Полупроводники и УФ-излучение

NF ISO 10677:2011 Техническая керамика - источники УФ-излучения для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
NF EN 62007-1/A1:2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Спецификация модели по основным значениям и характеристикам.
NF EN 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Спецификация модели по основным значениям и характеристикам.
NF EN 2714-008:2007 Аэрокосмическая серия. Кабели электрические, одножильные и многожильные общего назначения. Рабочие температуры от -55°C до 260°C. Часть 008. Экранированные (плетеные) и в оболочке, с УФ-лазерной маркировкой. Стандарт на продукцию.
NF EN 2266-007:2006 Аэрокосмическая серия. Кабели электрические общего назначения. Рабочая температура от - 55 °C до 200 °C. Часть 007: многожильные кабели с оболочкой, маркируемые УФ-лазером. Стандарт на продукцию.
XP PR EN 2712-007:1996 Аэрокосмическая серия. Кабели электрические, одножильные и многожильные, общего назначения. Рабочая температура от - 55 до 150 градусов Цельсия. Часть 007: армированные (обернутые) и оболочки, маркируемые УФ-лазером...
NF EN 2713-011:2006 Аэрокосмическая серия. Кабели электрические, одножильные и многожильные общего назначения. Рабочие температуры от -55°C до 200°C. Часть 011: посеребренная медь, экранированная (обернутая и в оболочке), маркируемая УФ-лазером. Стандарт ...
NF EN 2713-007:2006 Аэрокосмическая серия. Электрические кабели, одножильные и многожильные для общего использования. Рабочие температуры от -55°C до 200°C. Часть 007: экранированные (покрытые) и в оболочке, с маркировкой УФ-лазером. Стандарт на продукцию.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Полупроводники и УФ-излучение

GB/T 37131-2018 Нанотехнологии - метод испытания полупроводникового нанопорошка с использованием спектроскопии диффузного отражения УФ-ВИД.
GB/T 39771.1-2021 Оптическая радиационная безопасность светодиодов. Часть 1. Требования безопасности и классификация.

Professional Standard - Electron, Полупроводники и УФ-излучение

SJ/T 11818.1-2022 Полупроводниковые УФ-диоды. Часть 1. Методы испытаний.
SJ/T 11818.2-2022 Полупроводниковые УФ-излучающие диоды. Часть 2. Технические характеристики чипа
SJ/T 11818.3-2022 Полупроводниковые ультрафиолетовые диоды часть 3: характеристики устройства
SJ 2684-1986 Физические размеры светоизлучающего устройства из полупроводника
SJ 2247-1982 Контурные размеры полупроводниковых оптоэлектронных приборов
SJ 2750-1987 Габаритные размеры полупроводниковых лазерных диодов
SJ 2658.1-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Общие правила
SJ 20744-1999 Общие правила спектрального анализа инфракрасного поглощения на концентрацию примесей в полупроводниковых материалах
SJ 2658.6-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения выходной оптической мощности
SJ 50033/110-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на инфракрасный светодиод типа GR9413.
SJ 53930/1-2002 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация инфракрасного диода типа GR8813
SJ 2658.4-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения емкости
SJ 2658.12-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пиковой длины волны излучения и полуширины спектра
SJ 2658.2-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого падения напряжения
SJ 2658.3-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения обратного напряжения
SJ 2658.7-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения лучистого потока
SJ 2658.10-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения модулированных широкополосных диодов
SJ 2658.13-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения температурного коэффициента выходной оптической мощности
SJ/T 2658.16-2016 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 16: Эффективность фотоэлектрического преобразования.
SJ 50923/2-1995 Детальная спецификация на металлический корпус типа Г2-01Б-М1,Г2-01Б-З1 для полупроводниковых светочувствительных приборов
SJ 2658.8-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения нормальной яркости
SJ 2658.5-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого последовательного сопротивления
SJ 2658.11-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения импульсных характеристик
SJ 50923/1-1995 Подробная спецификация для типов A6-02A-M2(Z2) и A6-01B-M1(Z1) металлический корпус для полупроводниковых фотопар
SJ 2658.9-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пространственного распределения интенсивности и угла половинной интенсивности излучения
SJ/T 11067-1996 Обычно используемая терминология для полупроводниковых фотоэлектрических материалов и пироэлектрических материалов в материалах для обнаружения инфракрасного излучения.
SJ/T 10827-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. Драйверы CJ0451 HTL с двойным периферийным положительным И.
SJ/T 10826-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. Драйверы CJ0450 HTL с двойным периферийным положительным И.
SJ/T 10828-1996 Подробные спецификации электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные схемы. Драйверы NAND CJ0452 HTL с двумя периферийными положительными сторонами.
SJ/T 2658.12-2015 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 12: Пиковая длина волны излучения и спектральная полоса излучения.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Полупроводники и УФ-излучение

KS D 2717-2008(2018) Оценка соотношения металл/полупроводник в саже одностенных углеродных нанотрубок с использованием УФ-ВИД-БИК-спектроскопии поглощения
KS C IEC 60748-2-9:2002 Полупроводниковые приборы－Интегральные схемы－Часть 2:Цифровые интегральные схемы－Раздел 9:Пустые подробные спецификации для МОП-стираемых электрически программируемых постоянных запоминающих устройств, работающих в ультрафиолетовом свете
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017) Полупроводниковые приборы－Интегральные схемы－Часть 2:Цифровые интегральные схемы－Раздел 9:Пустые подробные спецификации для МОП-стираемых электрически программируемых постоянных запоминающих устройств, работающих в ультрафиолетовом свете
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022) Полупроводниковые приборы－Интегральные схемы－Часть 2:Цифровые интегральные схемы－Раздел 9:Пустые подробные спецификации для МОП-стираемых электрически программируемых постоянных запоминающих устройств, работающих в ультрафиолетовом свете

KR-KS, Полупроводники и УФ-излучение

KS L ISO 10677-2023 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) — источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.

British Standards Institution (BSI), Полупроводники и УФ-излучение

BS ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS IEC 60747-14-11:2021 Полупроводниковые приборы - Полупроводниковые датчики. Метод испытаний интегральных датчиков на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
19/30390371 DC БС МЭК 60747-14-11. Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний встроенного датчика на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
18/30362458 DC БС МЭК 60747-14-11. Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний встроенного датчика на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
BS QC 790106:1995 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Цифровые интегральные схемы. Пустая подробная спецификация. МОП стираемый в ультрафиолетовом свете, электрически программируемый, только для чтения...
BS IEC 63068-3:2020 Полупроводниковые приборы. Критерии неразрушающего распознавания дефектов гомоэпитаксиальной пластины карбида кремния для силовых устройств - Метод контроля дефектов с использованием фотолюминесценции

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Полупроводники и УФ-излучение

GJB 33/15-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводникового инфракрасного диода типа ВТ401.
GJB 8190-2015 Общие технические условия на полупроводниковые твердотельные источники света для наружного освещения самолетов
GJB 5018-2001 Общие требования к проверке и приемке полупроводниковых оптоэлектронных приборов

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Полупроводники и УФ-излучение

GB/T 29856-2013 Характеристика полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок с использованием ближней инфракрасной фотолюминесцентной спектроскопии
GB/T 17574.9-2006 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 2-9: Цифровые интегральные схемы. Бланковая подробная спецификация для МОП-электрически программируемых постоянных запоминающих устройств, стираемых ультрафиолетовым светом.
GB 7085-1986 Подробная спецификация электронного компонента. Полупроводниковая интегральная схема. CJ0450 Двойные периферийные положительные драйверы И.

International Organization for Standardization (ISO), Полупроводники и УФ-излучение

ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.

Group Standards of the People's Republic of China, Полупроводники и УФ-излучение

T/NAIA 0193-2023 Определение концентрации и чистоты ДНК плазмиды экспрессии одноцепочечных антител методом УФ-спектрофотометрии

Defense Logistics Agency, Полупроводники и УФ-излучение

DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ, ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО
DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ, ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91772-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93248-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ПАМЯТЬ, КМОП, УФ-Стираемая, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УЛЬТРАФИОЛЕТОВАЯ Стираемая, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, 8К Х 8 УФ Стираемые ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91584-1992 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89476-1992 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93245-1993 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ПАМЯТЬ, КМОП, РАСШИРЕННОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, УФ-СТИРАНИЕ, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 32К Х 8-БИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 4К Х 8 УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 262, 144-БИТ (32K X 8), УФ-СТИРАЯ ПРОМЫШЛЕННАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, 64К Х 8 УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕЧНАЯ ЭКСКЛЮЗИВНАЯ ИЛИ ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96816-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ЭКСКЛЮЗИВНАЯ ИЛИ ЗАТВОРА С 2 ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 64K X 16 UV EPROM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 128К Х 8-БИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 2К Х 8 ЗАРЕГИСТРИРОВАННЫЙ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93122-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 2К Х 16-БИТНАЯ МАШИНА УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96817 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ ЭКСКЛЮЗИВНАЯ ИЛИ ЗАТВОРА С 2 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96611 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, ЧЕТЫРЁДНЫЕ ЭКСКЛЮЗИВНЫЕ ИЛИ И ЭКСКЛЮЗИВНЫЕ ВАЛЮТЫ NOR, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 2К Х 8 ЗАРЕГИСТРИРОВАННЫЙ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 8-битный ТТЛ/БТЛ-ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ АСИНХРОННОЕ РЕГИСТРИРУЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЗАРЕГИСТРИРОВАННАЯ 8К Х 8-БИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 512К Х 8-БИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92071-1994 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 64К Х 8-БИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92140-1992 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 128К Х 16-БИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 256К Х 8-БИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89538 REV A-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS 16K X 8 UV EPROM, ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП ЗАРЕГИСТРИРОВАННАЯ 32К Х 8-БИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

RO-ASRO, Полупроводники и УФ-излучение

STAS 12258/6-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ ЭММ-ДИОДЫ Терминология и существенные характеристики

International Electrotechnical Commission (IEC), Полупроводники и УФ-излучение

IEC 60747-14-11:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний интегрированных датчиков на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры.
IEC 60748-2-9:1994 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 2. Схемы цифровые интегральные; Раздел 9: Пустая подробная спецификация для МОП-памяти, стираемой ультрафиолетовым светом, электрически программируемой постоянной памяти

European Committee for Standardization (CEN), Полупроводники и УФ-излучение

CWA 17857:2022 Система адаптеров на основе линз для соединения оптоволокна с инфракрасными полупроводниковыми лазерами

RU-GOST R, Полупроводники и УФ-излучение

GOST 29283-1992 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 5. Оптоэлектронные устройства

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Полупроводники и УФ-излучение

PQC 8 ISSUE 1-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Бланк подробной спецификации: фотопары, рассчитанные на окружающую среду или корпус, с оценочным уровнем выходного сигнала фототранзистора, категории I@ II или III