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Semiconductor ultravioleta

Semiconductor ultravioleta, Total: 500 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Semiconductor ultravioleta son: Óptica y medidas ópticas., Optoelectrónica. Equipo láser, Química analítica, Circuitos integrados. Microelectrónica, Cerámica, Dispositivos semiconductores, Equipos y sistemas eléctricos aeroespaciales., Materiales semiconductores, Equipo medico, químicos inorgánicos, Protección de radiación, Comunicaciones de fibra óptica., Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Productos de la industria química., Aplicaciones de la tecnología de la información., Dibujos tecnicos, Componentes electrónicos en general., Sellos, glándulas, Agricultura y silvicultura, Símbolos gráficos, Circuitos impresos y placas., Vocabularios, Pruebas ambientales, Medicina Veterinaria, Alambres y cables eléctricos., Sistemas de automatización industrial, Física. Química, Mediciones de radiación, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Combustibles.

Association Francaise de Normalisation, Semiconductor ultravioleta

NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF C96-045:1992 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Parte 11: especificación seccional para circuitos integrados semiconductores, excluidos los circuitos híbridos
NF C86-503:1986 Dispositivos semiconductores. Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Fototransistores, transistores fotodarlington y conjuntos de fototrasistores. Especificación de detalle en blanco CECC 20 003.
NF S11-698:1998 Óptica oftálmica. Lentes de contacto. Envejecimiento por exposición a rayos UV y radiaciones visibles (método in vitro).
NF C96-005-5*NF EN IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores. Parte 5-5: dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores.
NF EN IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores - Parte 5-5: dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores.
NF EN 60191-6:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes para dispositivos semiconductores de montaje superficial
NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: métodos de medición.
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
NF C96-013-6*NF EN 60191-6:2011 Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores.
NF EN 17178:2019 Productos derivados del petróleo líquidos: determinación del contenido de azufre volátil en gases licuados del petróleo mediante espectroscopía de fluorescencia ultravioleta
NF C96-005-5/A1*NF EN 60747-5-5/A1:2015 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
NF C96-005-5*NF EN 60747-5-5:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
NF EN 62007-2:2009 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos para aplicación en sistemas de fibra óptica - Parte 2: métodos de medición

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Semiconductor ultravioleta

GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis
GB/T 7092-2021 Dimensiones esquemáticas de circuitos integrados de semiconductores.
GB/T 15879.4-2019 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
GB/T 36358-2018 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia.
GB/T 39771.2-2021 Seguridad de la radiación óptica de los LED. Parte 2: Métodos de medición.
GB/T 21548-2021 Métodos de medición de láseres semiconductores de alta velocidad modulados directamente para sistemas de comunicación por fibra óptica.
GB/T 36646-2018 Equipos para la preparación de materiales semiconductores de nitruro mediante epitaxia en fase vapor de hidruro.

Professional Standard - Electron, Semiconductor ultravioleta

SJ/T 11818.2-2022 Diodos emisores de UV semiconductores, parte 2: especificaciones del chip
SJ/T 11818.3-2022 Diodos semiconductores emisores de UV Parte 3: Especificaciones del dispositivo
SJ/T 11818.1-2022 Diodos semiconductores emisores de UV Parte 1: Métodos de prueba
SJ 2684-1986 Dimensiones físicas del dispositivo emisor de luz de semiconductor
SJ 2247-1982 Describe las dimensiones de los dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
SJ 2750-1987 Dimensiones exteriores de diodos láser semiconductores
SJ 2658.1-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores. Reglas generales.
SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.
SJ 50033/109-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para los diodos láser semiconductores tipos GJ9031T, GJ9032T y GJ9034T.
SJ/T 11397-2009 Fósforos para diodos emisores de luz.
SJ 20642-1997 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación general para
SJ 20786-2000 Especificaciones generales para ensamblajes optoelectrónicos de semiconductores.
SJ 2218-1982 Fotoacopladores semiconductores en modo diodo.
SJ 2219-1982 Fotoacopladores semiconductores en modo transistor.
SJ 2658.6-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la potencia óptica de salida
SJ 20072-1992 Especificaciones detalladas para optoacopladores semiconductores tipo GH24, GH25 y GH26
SJ 50033/110-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz infrarroja tipo GR9413.
SJ 53930/1-2002 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos tipo GR8813
SJ 2658.4-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de capacitancia
SJ 2658.12-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la longitud de onda de emisión máxima y la mitad del ancho espectral
SJ 2220-1982 Fotoacopladores semiconductores en modo transistor Darlington
SJ 2558-1984 Especificación detallada para pantallas numéricas emisoras de luz semiconductoras, tipo SM1~18
SJ 2658.2-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la caída de tensión directa
SJ 2658.3-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de tensión invertida
SJ/T 2215-2015 Métodos de medición para fotoacopladores de semiconductores.
SJ 2749-1987 Método de medición para diodos láser semiconductores.
SJ 2214.1-1982 Procedimientos generales de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ/T 11394-2009 Métodos de medición de diodos emisores de luz semiconductores.
SJ/T 2214-2015 Métodos de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ 2658.7-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición del flujo radiante
SJ 2658.10-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para banda ancha modulada
SJ/T 11856.3-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 3: Chips láser semiconductores modulados por absorción eléctrica para fuentes de luz
SJ 2355.1-1983 Procedimientos generales de medición para dispositivos emisores de luz.
SJ 2215.1-1982 Procedimientos generales de medición para fotoacopladores semiconductores.
SJ/T 11856.2-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 2: Chips láser semiconductores de emisión superficial de cavidad vertical para fuentes de luz
SJ 2658.13-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para el coeficiente de temperatura de potencia óptica de salida
SJ/T 2658.16-2016 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 16: Eficiencia de conversión fotoeléctrica.
SJ 50923/2-1995 Especificación detallada para la caja metálica tipo G2-01B-M1,G2-01B-Z1 para dispositivos semiconductores fotosensibles
SJ 2658.8-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de radiancia normal
SJ 50033.40-1994 Especificación detallada para el fototransistor NPN de silicio semiconductor tipo GT11
SJ 50033/4-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos semiconductores emisores de luz roja para el tipo GF 111 de clases GP y GT.
SJ 50033/6-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos semiconductores emisores de luz verde para el tipo GF 411 de clases GP y GT.
SJ 50033/5-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos semiconductores emisores de luz amarilla para el tipo GF 311 de clases GP y GT.
SJ 50033/3-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para optoacopladores semiconductores para tipos GH21, GH22 y GH23 de clases GP, GT y GCT.
SJ 2214.10-1982 Método de medición de la corriente luminosa de fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ 20642.5-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para optoacopladores tipo GH82
SJ 20642.4-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para optoacopladores tipo GH81
SJ 20642.6-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para optoacopladores tipo GH83
SJ/T 11402-2009 Especificación técnica del chip láser semiconductor utilizado en comunicaciones por fibra óptica.
SJ 2658.5-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de resistencia en serie directa
SJ 2658.11-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de las características de respuesta al pulso
SJ 50923/1-1995 Especificación detallada para los tipos A6-02A-M2（Z2）y A6-01B-M1（Z1）caja metálica para fotoacopladores semiconductores
SJ/T 11399-2009 Métodos de medición para chips de diodos emisores de luz.
SJ/T 11401-2009 Programa en serie para diodos emisores de luz semiconductores.
SJ 50033/111-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación de demora para el fototransistor tipo GT16 Si.NPN
SJ 50033/41-1994 Especificación detallada para el diodo emisor de luz infrarroja semiconductor tipo GR9414
SJ 2658.9-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la distribución espacial de intensidad y el ángulo de radiación de intensidad media
SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
SJ 2355.5-1983 Método de medición de la intensidad luminosa y del ángulo de semiintensidad de los dispositivos emisores de luz.
SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
SJ 50033/101-1995 Especificación detallada para módulos de diodos láser semiconductores para el tipo GJ1325
SJ 50033/35-1994 Especificación detallada para el optoacoplador semiconductor de alta velocidad tipo GH30
SJ 2355.7-1983 Método de medición de la longitud de onda de emisión máxima y el ancho de banda de radiación espectral de dispositivos emisores de luz.
SJ/Z 9021.4-1987 Normalización mecánica de componentes semiconductores. Parte 4. Sistema de clasificación y codificación de esquemas de embalaje de componentes semiconductores.
SJ/T 10308-1992 Especificación detallada del paquete plano cerámico para circuitos integrados semiconductores.
SJ/T 10176-1991 Especificación detallada del paquete de rombo metálico para circuitos integrados de semiconductores.
SJ/T 11856.1-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 1: Chips láser semiconductores de tipo Fabry-Perot y de retroalimentación distribuida para fuentes de luz
SJ 50033/112-1996 Dispositivos optoelectrónicos scmiconductores. Especificación detallada para fotodiodos tipo GD3251Y.
SJ 2355.6-1983 Método de medición del flujo luminoso de dispositivos emisores de luz.
SJ 50033/113-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para fotodiodos tipo GD3252Y.
SJ 2214.3-1982 Método de medición de corriente oscura de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.5-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.8-1982 Método de medición del voltaje de corriente oscura de fototransistores semiconductores.
SJ/T 11398-2009 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia.
SJ 20642.3-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para el módulo optorreceptor PIN-FET tipo GD83
SJ 20644.1-2001 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el fotodiodo PIN tipo GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el fotodiodo PIN tipo GD101
SJ 20642.2-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para el módulo optorreceptor PIN-FET tipo GD82
SJ 2214.2-1982 Método de medición de la tensión directa de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.7-1982 Método de medición del voltaje de saturación de fototransistores semiconductores.
SJ 20957-2006 Especificaciones generales para conjuntos de diodos láser semiconductores de gran potencia
SJ 20786.1-2002 Conjunto fotoeléctrico semiconductor Especificación detallada para localizador fotoeléctrico dúplex en miniatura para el tipo CBGS 2301
SJ 50033/136-1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz roja para el tipo GF116.
SJ 50033/143-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor rojo tipo GF1120.
SJ 50033/137-1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz naranja-rojo para el tipo GF216
SJ 20642.1-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para el módulo optorreceptor PIN-FET tipo GD81
SJ/T 11405-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición
SJ 50033/139-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz verde para el tipo GF4111.
SJ 50033/138-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz amarillo para el tipo GF318.
SJ 50033/58-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz verde para tipo GF413
SJ/T 11393-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia
SJ 50033/142-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor verde tipo GF4112.
SJ 50033/57-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz roja para tipo GF115
SJ/T 10307-1992 Especificación detallada del paquete plano cerámico con sello de frita para circuitos integrados semiconductores
SJ 2757-1987 Método de medición por reflexión infrarroja de la concentración de portadores de carga en semiconductores fuertemente dopados.
SJ 51420/1-1996 Especificación detallada del DIP cerámico tipo D para circuitos integrados semiconductores
SJ 51420/2-1998 Especificación detallada de FP cerámico tipo F para circuitos integrados semiconductores
SJ 51420/3-2003 Especificación detallada de PGA cerámico para circuitos integrados semiconductores.
SJ/T 11866-2022 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificaciones detalladas para diodos emisores de luz de potencia de luz blanca con sustrato de silicio
SJ/T 11400-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de menor potencia
SJ 2215.6-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.8-1982 Método de medición del voltaje de saturación de salida de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ/T 2658.1-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos.Parte 1: Generalidades
SJ 20074-1992 Especificaciones detalladas para la interfaz de equipo periférico programable Jμ8305 del circuito integrado semiconductor
SJ/T 2658.12-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 12: Longitud de onda de emisión máxima y ancho de banda radiante espectral.
SJ 50033/99-1995 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para diodo emisor de luz de doble color o/G para tipo GF511
SJ 20642.7-2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el módulo de diodo emisor de luz tipo GR1325J
SJ/T 11817-2022 Especificaciones detalladas en blanco para diodos emisores de luz para dispositivos optoelectrónicos semiconductores y lámparas de incandescencia.
SJ 2215.14-1982 Método de medición del voltaje de aislamiento de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores
SJ 2215.3-1982 Método de medición de la corriente directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2214.4-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotodiodos semiconductores.
SJ 2215.4-1982 Método de medición de corriente inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.10-1982 Método de medición de la relación de transferencia de corriente continua de fotoacopladores de semiconductores.
SJ 2215.12-1982 Método de medición de la capacitancia de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores.
SJ 50033/114-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el detector sensible a la posición tipo GD3283Y

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Semiconductor ultravioleta

KS D 2717-2008(2018) Evaluación de la relación metálica/semiconductora de hollines de nanotubos de carbono de pared simple mediante espectroscopia de absorción UV-VIS-NIR
KS C 6942-1999 Regla general de módulos de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
KS C 6943-1999 Métodos de prueba de módulos láser para transmisión de fibra óptica.
KS C IEC 60748-11:2004 Dispositivos semiconductores －Circuitos integrados－Parte 11: Especificación seccional para circuitos integrados semiconductores, excluidos los circuitos híbridos
KS C IEC 60748-2-9:2002 Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017) Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022) Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2:Circuitos integrados digitales－Sección 9:Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS
KS C IEC 62007-2:2003 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica － Parte 2: Métodos de medición
KS C IEC 60748-11-1:2004 Dispositivos semiconductores －Circuitos integrados－Parte 11－1: Examen visual interno de circuitos integrados semiconductores, excluidos los circuitos híbridos
KS C IEC 60747-5:2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5: Dispositivos optoelectrónicos.
KS C IEC PAS 62240-2008(2018) Uso de dispositivos semiconductores fuera del rango de temperatura especificado por el fabricante
KS C IEC 62007-2-2003(2018) Dispositivos fotoeléctricos semiconductores para sistemas de comunicación óptica. Parte 2: Métodos de medición.

British Standards Institution (BSI), Semiconductor ultravioleta

BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
BS IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
BS IEC 60747-14-11:2021 Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores. Método de prueba de sensores integrados basados en ondas acústicas de superficie para medir ultravioleta, iluminación y temperatura.
19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4. Dispositivos semiconductores. Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Dispositivos semiconductores - Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
18/30362458 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
19/30390371 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
BS EN IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores
BS IEC 60748-11:2000 Dispositivos semiconductores - Circuitos integrados - Especificación seccional para circuitos integrados semiconductores, excluidos los circuitos híbridos
BS IEC 60748-11:1991 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Especificación seccional para circuitos integrados de semiconductores, excluidos los circuitos híbridos.
BS EN 62007-2:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
BS EN ISO 11985:1998 Óptica oftálmica - Lentes de contacto - Envejecimiento por exposición a rayos UV y radiación visible (método in vitro)
BS EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
PD IEC TR 61292-9:2023 Cambios rastreados. Amplificadores ópticos. Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
BS EN 60191-4:2014 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Sistema de codificación y clasificación en formas de contornos de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
BS EN 60191-4:2014+A1:2018 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores: sistema de codificación y clasificación en formas de contornos de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
BS ISO 17915:2018 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
BS EN 60747-5-5:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores
BS EN 60191-6:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie.
BS EN 60191-6:2005 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie.
BS EN 60191-6:2004 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie.
BS EN 60191-6:2009 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie.
BS EN 62007-1:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica: clasificaciones y características esenciales
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KR-KS, Semiconductor ultravioleta

KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
KS C IEC 60747-5-2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5: Dispositivos optoelectrónicos.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Semiconductor ultravioleta

GJB 33/15-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos semiconductor tipo BT401
GJB 8190-2015 Especificaciones generales para fuentes de luz semiconductoras de estado sólido para iluminación exterior de aeronaves.
GJB 33/16-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fototransistor semiconductor tipo 3DU32.
GJB 33/17-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador semiconductor tipo GO11.
GJB/Z 41.3-1993 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB 33/18-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador semiconductor de interruptor analógico bidireccional tipo GO417
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GJB 8121-2013 Especificaciones generales para ensamblajes optoelectrónicos de semiconductores.
GJB 8120-2013 Especificación general para módulo optoelectrónico semiconductor.
GJB 3519-1999 Especificación general para diodos láser semiconductores
GJB 1420B-2011 Especificaciones generales para paquetes de circuitos integrados semiconductores.
GJB 923A-2004 Especificaciones generales para paquetes de dispositivos semiconductores discretos.
GJB 923B-2021 Especificación general para gabinetes de dispositivos discretos semiconductores
GJB 8119-2013 Especificaciones generales para dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
GJB 2146A-2011 Especificaciones generales para dispositivos semiconductores de diodos emisores de luz.
GJB 1934-1994 Especificación general para cables de radiofrecuencia coaxiales semirrígidos con conductores exteriores arrugados
GJB 1557A-2021 Dimensiones del diodo de microondas de dispositivo semiconductor discreto
GJB 1557-1992 Dimensiones del diodo de microondas de dispositivo semiconductor discreto
GJB 1934A-2009 Cables, frecuencia raido, conductor exterior coaxial, semirrígido, corrugado, especificación general para
GJB 1420/1-2000 Especificaciones detalladas para cajas cerámicas de doble fila para circuitos integrados de semiconductores
GJB 33/20-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH302.
GJB 33/22-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GO103.
GJB 1420B-2011(XG1-2015) Hoja de modificación de especificaciones generales para envolventes de circuitos integrados semiconductores 1-2015
GJB 33/21-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para la fotocopiadora de la serie GD310A.
GJB 33/23-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH3201Z-4
GJB 33/19-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH302-4
GJB 5018-2001 Requisitos generales para el cribado y aceptación de dispositivos optoelectrónicos semiconductores.

Society of Automotive Engineers (SAE), Semiconductor ultravioleta

SAE AIR5468-2000 Láseres ultravioleta (UV) para marcado de cables aeroespaciales

International Electrotechnical Commission (IEC), Semiconductor ultravioleta

IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
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IEC TR 61292-9:2013 Amplificadores ópticos - Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
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IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores.
IEC 60747-5-7:2016 Dispositivos semiconductores - Parte 5-7: Dispositivos optoelectrónicos - Fotodiodos y fototransistores
IEC 60747-5-6:2016 Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
IEC 60747-5-6:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
IEC 60191-4:2002
IEC 60191-4:1987 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para dispositivos semiconductores.
IEC 62007-2:1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
IEC 60747-5-6:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
IEC 60191-4:1999 Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores.
IEC 60191-4:2013 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores
IEC 60191-4:2018 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores
IEC 60191-6:1990 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores; parte 6: reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie
IEC 60191-6:2004 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie
IEC 60191-6:2009 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie
IEC PAS 62240:2001 Uso de dispositivos semiconductores fuera de los rangos de temperatura especificados por el fabricante.
IEC 62007-2:1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
IEC 60191-4/AMD1:2001 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores; Enmienda 1
IEC 60191-4/AMD2:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores; Enmienda 2
IEC 60747-18-2:2020 Dispositivos semiconductores - Parte 18-2: Biosensores semiconductores - Proceso de evaluación de módulos de paquetes de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes
IEC 60191-6/AMD1:1999 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Enmienda 1
IEC 60191-4:2013/AMD1:2018 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores; Enmienda 1
IEC 60747-5-5:2007/AMD1:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
IEC 60747-5-5:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Semiconductor ultravioleta

GB/T 15167-1994 Especificaciones generales para fuentes de luz de láseres semiconductores.
GB/T 31358-2015 Especificaciones generales para láseres semiconductores.
GB/T 29856-2013 Caracterización de nanotubos de carbono semiconductores de pared simple mediante espectroscopia de fotoluminiscencia en el infrarrojo cercano
GB 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos Láseres semiconductores
GB/T 7092-1993 Dimensiones de Qutline de circuitos integrados semiconductores.
GB/T 7581-1987 Dimensiones de contornos para dispositivos semiconductores discretos.
GB/T 31359-2015 Métodos de prueba de láseres semiconductores.
GB/T 17574.9-2006 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Parte 2-9: Circuitos integrados digitales. Especificación detallada en blanco para memorias de solo lectura programables eléctricamente y borrables con luz ultravioleta MOS.
GB 12565-1990 Especificación seccional para dispositivos semiconductores y dispositivos optoelectrónicos
GB/T 11417.9-2012 Óptica oftálmica.Lentes de contacto.Parte 9:Envejecimiento por exposición a rayos UV y radiaciones visibles (método in vitro)
GB/T 11493-1989 Especificación detallada en blanco de paquetes para circuitos integrados de semiconductores.
GB/T 15529-1995 Especificación detallada en blanco para pantallas numéricas LED
GB/T 15649-1995 Especificación detallada en blanco para diodos láser semiconductores
GB/T 29299-2012 Especificaciones generales del telémetro láser semiconductor.
GB/T 36356-2018 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia.
GB/T 15878-2015 Circuitos integrados semiconductores. Especificación de marcos conductores para paquetes de contorno pequeño.
GB/T 15651.6-2023 Dispositivos semiconductores Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos Diodos emisores de luz
GB/T 36357-2018 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia media.
GB/T 21548-2008 Métodos de medición de láseres semiconductores de alta velocidad modulados directamente para sistemas de comunicación por fibra óptica.
GB/T 14862-1993 Métodos de prueba de resistencia térmica de unión a caja de paquetes para circuitos integrados de semiconductores
GB/T 24370-2009 Caracterización de nanocristales de puntos cuánticos de CdSe. Espectroscopia de absorción UV-Vis.
GB/T 36359-2018 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de menor potencia
GB/T 36360-2018 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia media
GB/T 12565-1990 Dispositivos semiconductores. Especificación seccional para dispositivos optoelectrónicos.

Group Standards of the People's Republic of China, Semiconductor ultravioleta

T/CASME 698-2023 Aparatos de terapia con láser semiconductor
T/JGXH 008-2020 Láser de estado sólido con bomba de diodo
T/QGCML 2041-2023
T/CZSBDTHYXH 001-2023 Defectos de oblea Equipo de inspección óptica automática
T/QGCML 1407-2023 Dispositivo de sellado de doble funda para fabricación de semiconductores fotovoltaicos.
T/NAIA 0193-2023 Determinación de la concentración y pureza del ADN plasmídico de expresión eucariótica de anticuerpos monocatenarios mediante espectrofotometría UV

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, Semiconductor ultravioleta

DB22/T 2725-2017 Láser semiconductor de rejilla de fibra de 980 nm

RU-GOST R, Semiconductor ultravioleta

GOST 24458-1980 Acopladores optoelectrónicos de semiconductores. Parámetros esenciales
GOST R 50471-1993 Fotoemisores semiconductores. Método de medición del ángulo de media intensidad
GOST 23900-1987 Dispositivos semiconductores de potencia. Dimensiones totales y de montaje.
GOST 23448-1979 Diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Dimensiones básicas
GOST 27591-1988 Módulos semiconductores de potencia. Dimensiones generales y de montaje
GOST 19834.4-1979 Diodos semiconductores radiantes de infrarrojos. Métodos de medición de la potencia de radiación.
GOST 27299-1987 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Términos, definiciones y símbolos de letras de parámetros.
GOST R 59605-2021 Óptica y fotónica. Detectores fotoeléctricos semiconductores. Dispositivos fotoeléctricos y fotorreceptores. Términos y definiciones
GOST 17704-1972 Dispositivos semiconductores. Receptores fotoeléctricos de energía radiante. Clasificación y designaciones del sistema.
GOST 21934-1983 Detectores fotoeléctricos semiconductores y dispositivos fotoeléctricos receptores. Términos y definiciones

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Semiconductor ultravioleta

GB/T 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.

Professional Standard - Nuclear Industry, Semiconductor ultravioleta

EJ/T 296.2-2014 Determinación de trazas de uranio en orina mediante fluorometría líquida mediante ultravioleta.
EJ/T 20057-2014 Determinación de la concentración de uranio en la lluvia radiactiva atmosférica. Fluorometría líquida por ultravioleta.

International Organization for Standardization (ISO), Semiconductor ultravioleta

ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO/TS 17915:2013 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
ISO 17915:2018 Óptica y fotónica: método de medición de láseres semiconductores para detección.
ISO/TS 17466:2015 Uso de espectroscopía de absorción UV-Vis en la caracterización de puntos cuánticos coloidales de calcogenuro de cadmio.

机械工业部, Semiconductor ultravioleta

JB/T 6306-1992 Dimensiones del módulo semiconductor de potencia

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Semiconductor ultravioleta

DB35/T 1193-2011 Chip LED semiconductor

Defense Logistics Agency, Semiconductor ultravioleta

DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS UV BORRABLE, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE
DLA MIL-PRF-19500/210 B NOTICE 1-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, FOTO TIPO 2N986
DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, PROGRAMABLE BORRABLE UV, DISPOSITIVO LÓGICO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91772-1993
DLA SMD-5962-93248-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, BORRABLE UV, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, MEMORIA, CMOS BORRABLE UV, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, BORRABLE ULTRAVIOLETA, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 MICROCIRCUITOS, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 8K X 8 UV BORRABLE PROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91584-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89476-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93245-1993 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, MEMORIA, CMOS, TENSIÓN EXTENDIDA, BORRABLE UV, MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM DE 32K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 4K X 8 UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 262, 144 BITS (32K X 8) PROM BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/467 A-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, EMISOR DE LUZ, TIPO 1N5765 JAN Y TX
DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 MICROCIRCUITOS, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 64K X 8 UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA QPL-28830-QPD-2011 Cable, radiofrecuencia, coaxial, semirrígido, conductor exterior corrugado, especificación general para
DLA QPL-28830-2013 Cable, radiofrecuencia, coaxial, semirrígido, conductor exterior corrugado, especificación general para
DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 64K X 16 UV EPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM 128K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 2K X 8, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93122-1993 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 2K X 16 BITS MÁQUINA DE ESTADOS UVEPROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-DTL-28830 D-2005 CABLE, RADIOFRECUENCIA, COAXIAL, SEMIRIGIDO, CONDUCTOR EXTERIOR CORRUGADO, ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA [Uso en lugar de: DLA MIL-C-0028830 A]
DLA QPL-28830-13 NOTICE 1-2008 Cable, radiofrecuencia, coaxial, semirrígido, conductor exterior corrugado, especificación general para
DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 2K X 8, SILICIO MONOLÍTICO
DLA QPL-28830-13-2007 CABLE, RADIOFRECUENCIA, COAXIAL, SEMIRIGIDO, CONDUCTOR EXTERNO CORRUGADO, ESPECIFICACION GENERAL PARA
DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS DISPOSITIVO LÓGICO PROGRAMABLE REGISTRADO ASÍNCRONO BORRABLE UV, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, UVEPROM REGISTRADO 8K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO

Professional Standard - Machinery, Semiconductor ultravioleta

JB/T 5631-1991 Horno epitaxial para dispositivos semiconductores. Estándar de eficiencia energética
JB/T 8175-1999 Dimensiones generales del disipador de calor extruido para dispositivos semiconductores de potencia

IN-BIS, Semiconductor ultravioleta

IS 5000 OD.15-1973 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD15
IS 5000 OD.16-1973 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD16
IS 5000 OD.30-1981 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD30
IS 5000 OB.1-1969 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA BASE OB1
IS 5000 OB.5-1969 DIMENSIONES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA BASE OB5
IS 5000 OB.2-1969 DIMENSIONES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA BASE OB2
IS 5000 OB.6-1969 DIMENSIONES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA BASE OB6
IS 5000 OB.7-1969 DIMENSIONES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA BASE OB7
IS 5000 OB.4-1969 DIMENSIONES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA BASE OB4
IS 5000 OD.4-1969 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD4
IS 5000 OD.7-1969 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD7
IS 5000 OD.9-1969 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD9
IS 5000 OD.1-1969 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD1
IS 5000 OD.6-1969 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD6
IS 5000 OD.2-1969 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD2
IS 5000 OD.5-1969 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD5
IS 5000 OD.8-1969 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD8
IS 5000 OD.31-1981 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD31
IS 5000 OD.13-1971 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD13
IS 5000 OD.19-1974 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD19
IS 5000 OD.12-1971 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD12
IS 5000 OD.18-1974 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD18
IS 5000 OD.14-1971 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD14
IS 5000 OD.33-1981 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD33
IS 5000 OD.10-1971 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD1O
IS 5000 OD.17-1974 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD17
IS 5000 OD.35-1981 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD35
IS 5000 OD.11-1971 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD11
IS 5000 OD.21-1979 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD 21
IS 5000 OD.23-1978 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD 23
IS 5000 OD.28-1978 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD 28
IS 5000 OD.20-1978 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD 20
IS 5000 OD.26-1978 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD 26
IS 5000 OD.27-1978 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD 27
IS 5000 OD.22-1978 DIMENSIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD 22
IS 5000 OD.25-1978 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD 25
IS 5000 OD.24-1979 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD 24
IS 5000 OD.29-1979 DIMENSIONES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO OD 29
IS 5000 OD.36-1981 DIMENSIÓN DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESQUEMA DEL DISPOSITIVO 36
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Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Semiconductor ultravioleta

CNS 13805-1997 Método de medición de fotoluminiscencia de obleas semiconductoras optoelectrónicas

RO-ASRO, Semiconductor ultravioleta

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SR CEI 748-11-1-1992 Dispositivos semiconductores Circuitos integrados Parte 11: Sección 1: Examen visual internacional de circuitos integrados semiconductores, excluidos los circuitos híbridos

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Semiconductor ultravioleta

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JEDEC JEP78-1969 Curvas de respuesta espectral relativa para detectores infrarrojos semiconductores

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DISTRB FEEDB SEMI LAS-1998 Láseres semiconductores de retroalimentación distribuida

PL-PKN, Semiconductor ultravioleta

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German Institute for Standardization, Semiconductor ultravioleta

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DIN 41888:1976 Casos tipo 106 y 107 para dispositivos semiconductores; dimensiones principales
DIN 41871:1971 Casos 1 A 2 y 1 A 3 para dispositivos semiconductores; dimensiones principales
DIN 41884:1971 Caso 118 A 2 para dispositivos semiconductores; dimensiones principales
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DIN 41814-2:1976 Estuches para dispositivos semiconductores; maletas tipo 160 a 168, dimensiones principales
DIN EN 60191-6:2010-06 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie (IEC 60191-6:2009); Versión alemana EN 60191-6:2009 / Nota: DIN EN 60191-6 (2005-04) re...
DIN 50449-2:1998
DIN EN 60191-6-1:2002-08 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-1: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Guía de diseño para terminales de cables de ala de gaviota (IEC 60191-6-1:2001); Versión alemana EN 60...
DIN EN 60191-6-5:2002-05 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-5: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Guía de diseño para redes de bolas de paso fino (FBGA) (IEC 60191-6-5:2001); versión alemana...
DIN EN 60191-6-3:2001-06 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-3: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes planos quat (QFP) (IEC 60191-6-3:200...
DIN EN 60191-6-6:2002-02 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-6: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Guía de diseño para redes terrestres de paso fino (FLGA) (IEC 60191-6-6:2001); versión alemana...
DIN EN 60191-6-8:2002-05 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-8: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Guía de diseño para paquete plano cuádruple de cerámica sellada con vidrio (G-QFP) (IEC 60191-6-8:2001); G...
DIN EN 60191-6-2:2002-09 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-2: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Guía de diseño para paquetes de terminales de columna y bolas con paso de 1,50 mm, 1,27 mm y 1,00 mm...
DIN IEC/TR 61292-9:2013 Amplificadores ópticos. Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA) (IEC 86C/1109/CD:2013)
DIN 41867:1972 Casos 50 B3 y 50 B4 para dispositivos semiconductores; dimensiones principales
DIN 41891:1971 Casos 200 A 3 y 200 B 3 para dispositivos semiconductores; dimensiones principales
DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
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DIN EN 60191-6-22:2013-08 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-22: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para paquetes de semiconductores Silicon Fine-pitch Ball Grid Array y Sil...
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DIN EN 17178:2019-12 Productos derivados del petróleo líquidos - Determinación del contenido total de azufre volátil en gases licuados del petróleo mediante espectroscopia de fluorescencia ultravioleta; Versión alemana EN 17178:2019
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Professional Standard - Medicine, Semiconductor ultravioleta

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Professional Standard - Petrochemical Industry, Semiconductor ultravioleta

SH/T 0409-1992 Determinación del contenido de aromáticos en parafina líquida (espectrofotometría UV)

CZ-CSN, Semiconductor ultravioleta

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CSN 35 8762-1973 Dispositivos semiconductores. Fotodiodos fototransistores. Medición de corriente oscura.

工业和信息化部, Semiconductor ultravioleta

SJ/T 2749-2016 Métodos de prueba de diodos láser semiconductores
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American Society for Testing and Materials (ASTM), Semiconductor ultravioleta

ASTM G177-03(2020) Tablas estándar para distribuciones espectrales ultravioleta solares de referencia: hemisféricas en 37° Superficie inclinada
ASTM G177-03(2012) Tablas estándar para distribuciones espectrales ultravioleta solares de referencia: hemisférica en 37 grados; Superficie inclinada
ASTM G177-03 Tablas estándar para distribuciones espectrales ultravioleta solares de referencia: hemisféricas en 37 superficies inclinadas
ASTM G177-03e1 Tablas estándar para distribuciones espectrales ultravioleta solares de referencia: hemisféricas en 37 superficies inclinadas
ASTM G177-03(2008)e1 Tablas estándar para distribuciones espectrales ultravioleta solares de referencia: hemisférica en 37x00B0; Superficie inclinada
ASTM F584-06 Práctica estándar para la inspección visual de cables semiconductores
ASTM F584-06e1 Práctica estándar para la inspección visual de cables semiconductores

European Committee for Standardization (CEN), Semiconductor ultravioleta

CWA 17857:2022 Sistema adaptador basado en lentes para acoplar fibra óptica a láseres semiconductores infrarrojos
EN ISO 24443:2021 Cosméticos - Determinación de la fotoprotección solar UVA in vitro (ISO 24443:2021, Versión corregida 2022-02)
EN ISO 24443:2012 Determinación de la fotoprotección solar UVA in vitro

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YD/T 701-1993 Método de prueba para el ensamblaje de diodos láser semiconductores.
YD/T 1687.1-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 1: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa refrigerado de 2,5 Gbit/s
YD/T 1687.2-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 2: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa no refrigerado de 2,5 Gbit/s
YD/T 2001.2-2011 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: métodos de medición.

JP-JEITA, Semiconductor ultravioleta

JEITA ED 7300A-2008 Práctica recomendada sobre normas para la preparación de esquemas de paquetes de semiconductores.

Danish Standards Foundation, Semiconductor ultravioleta

DS/EN ISO 11985:1998 Óptica oftálmica - Lentes de contacto - Envejecimiento por exposición a rayos UV y radiación visible (método in vitro)
DS/EN 60191-4/A2:2002
DS/EN 60191-4:2001
DS/EN 60191-4/A1:2002
DS/EN 60191-6:2010
DS/IEC 747-12:1993 Dispositivos semiconductores. Parte 12: Especificaciones seccionales para dispositivos optoelectrónicos
DS/EN 60191-6-22:2013 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-22: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para paquetes de semiconductores Silicon Fine-pitch Ball Grid Array y Silico
DS/IEC 747-5:1986 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 5: Servicios optoelectrónicos
DS/EN 60747-5-5:2011
DS/EN 60191-6-21:2010

IEC - International Electrotechnical Commission, Semiconductor ultravioleta

IEC TR 61292-9:2017 Amplificadores ópticos – Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA) (Edición 2.0)

American National Standards Institute （ANSI), Semiconductor ultravioleta

ANSI/TIA/EIA 455-128-1996 Procedimientos para determinar la corriente umbral de láseres semiconductores

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Semiconductor ultravioleta

EN IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
EN 60191-6:2009 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie
EN 60191-6-22:2013 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-22: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para paquetes de semiconductores Silicon Fine-pitch Ball Grid Array y Silico

ES-UNE, Semiconductor ultravioleta

UNE-EN IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en octubre de 2020.)
UNE-EN 60191-6:2009 Normalización mecánica de dispositivos semiconductores -- Parte 6: Normas generales para la elaboración de planos generales de envases de dispositivos semiconductores de superficie (Ratificada por AENOR en abril de 2010.)
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EN 60191-6:2004 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores Parte 6: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie
EN 62007-2:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica Parte 2: Métodos de medición
EN 60191-4:2014 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores (Incorpora la Enmienda A1: 2018)

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JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.

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LST EN 60191-6-2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie (IEC 60191-6:2009)
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