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金属酸化物の擬似容量特性

金属酸化物の擬似容量特性は全部で 141 項標準に関連している。

金属酸化物の擬似容量特性 国際標準分類において、これらの分類：電子機器、 抵抗器、 物理学、化学、 バルブ、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 半導体ディスクリートデバイス、 電気、磁気、電気および磁気測定、 非鉄金属、 無線通信。

American Society for Testing and Materials (ASTM), 金属酸化物の擬似容量特性

• ASTM F1153-92(1997) 静電容量電圧測定による金属酸化ケイ素の構造特性の試験方法
• ASTM F996-11 亜臨界ボルタンメトリー特性を使用して、酸化ホールおよび界面特性に起因する電離放射線誘起金属酸化物半導体電界応答トランジスタにおける臨界電圧シフトの成分を決定するための標準的な試験方法
• ASTM F996-98 サブスレッショルドアンペアボルト特性を使用して、酸化ホールおよび界面状態による電離放射線誘起金属酸化物半導体電界効果トランジスタのしきい値電圧シフト成分を決定するための標準的な試験方法
• ASTM F996-98(2003) サブスレッショルドアンペアボルト特性を使用して、酸化ホールおよび界面状態による電離放射線誘起金属酸化物半導体電界効果トランジスタのしきい値電圧シフト成分を決定するための標準的な試験方法
• ASTM F996-10 サブスレッショルドアンペア電圧特性を使用して、酸化ホールと界面状態による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの電離放射線誘発しきい値電圧シフトを分離するための標準的なテスト方法

International Telecommunication Union (ITU), 金属酸化物の擬似容量特性

• ITU-T K.77-2009 通信機器保護用金属酸化物抵抗体シートの特性 第5研究班
• ITU-T K.77 CORR 1-2011 通信機器保護用金属酸化物バリスタの特性 修正事項 No.1.5 研究会
• ITU-T K.77 AMD 1-2013 電気通信設備保護用金属酸化物バリスタの特性 修正 1: 新規付録 3. AC ステップストレス試験によるデータ転送順序 (MOV) 保護 研究グループ 5

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, 金属酸化物の擬似容量特性

• NEMA C78.387-1987 電球の特性測定方法 メタルハライドランプ

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 金属酸化物の擬似容量特性

• KS C 4808-2011(2016) ポリマー - 配電線に隙間なく金属酸化物避雷器を収容
• KS C ISO TS 18827:2021 ナノテクノロジー - 金属酸化物ナノ材料によって生成される活性酸素種 (ROS) を測定する方法としての電子スピン共鳴 (ESR)

U.S. Military Regulations and Norms, 金属酸化物の擬似容量特性

• ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 ゲートレス専用相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 ゲートレス専用相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63324 A-1981 ゲートレス専用相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 ゲートレス専用相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-I-48331 A NOTICE 2-1997 相補型金属酸化物半導体で作られたデジタル集積回路、タイムベースおよび特殊機能を備えた鉄製シリコン整流器発電機
• ARMY MIL-I-48331 A VALID NOTICE 1-1988 相補型金属酸化物半導体で作られたデジタル集積回路、タイムベースおよび特殊機能を備えた鉄製シリコン整流器発電機
• ARMY MIL-I-48331 A (2)-1982 相補型金属酸化物半導体で作られたデジタル集積回路、タイムベースおよび特殊機能を備えた鉄製シリコン整流器発電機
• ARMY MIL-I-48331 A-1979 相補型金属酸化物半導体で作られたデジタル集積回路、タイムベースおよび特殊機能を備えた鉄製シリコン整流器発電機

Group Standards of the People's Republic of China, 金属酸化物の擬似容量特性

• T/CECA 27-2017 信頼性指標付き金属酸化物バリスタの一般仕様

British Standards Institution (BSI), 金属酸化物の擬似容量特性

• BS PD IEC TS 62607-8-2:2021 熱誘起脱分極電流を使用したナノスケール金属酸化物界面デバイスの分極特性を決定するためのナノ加工試験方法の主要な制御特性
• PD IEC TS 62607-8-3:2023 ナノ加工の重要な制御特性 ナノ金属酸化物界面デバイスによる抵抗変化と抵抗変動のシミュレーション: 抵抗測定
• PD ISO/TS 18827:2017 金属酸化物ナノ材料によって生成される活性酸素種 (ROS) の測定方法としてのナノテクノロジー電子スピン共鳴 (ESR)
• BS EN IEC 61643-331:2020 金属酸化物バリスタ (MOV)、低電圧サージ保護コンポーネントの性能要件とテスト方法
• PD IEC TS 62607-8-1:2020 ナノ金属酸化物界面デバイスの熱刺激電流欠陥状態のナノ製造試験法の主要な制御特性
• 18/30383392 DC BS EN 61643-331 Ed.3.0 低電圧サージ保護デバイスのコンポーネント パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の性能要件と試験方法

International Electrotechnical Commission (IEC), 金属酸化物の擬似容量特性

• IEC TS 62607-8-2:2021 ナノ加工の重要な制御特性 第8-2部：ナノ金属酸化物界面デバイスの熱誘起脱分極電流分極特性の試験方法
• IEC TS 62607-8-3:2023 ナノ加工の主要な制御特性パート 8-3: ナノスケール金属酸化物界面デバイスの抵抗変化と抵抗変動のモデリング: 抵抗測定
• IEC TS 62607-8-1:2020 ナノ加工、重要な制御特性、パート 8-1: ナノ金属酸化物界面デバイス、熱刺激電流を用いた欠陥状態判定の試験方法
• IEC 61643-331:2020 RLV 低電圧サージ保護コンポーネント パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の性能要件と試験方法

Defense Logistics Agency, 金属酸化物の擬似容量特性

• DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 シリコンモノリシック高性能ダブルスイッチキャパシタフィルター、相補型金属酸化物半導体、リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85133-1986 シリコンモノリシック80ビット拡張デジタルプロセッサ、高性能金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87668 REV C-1991 シリコンモノリシック相補型高性能金属酸化物半導体構造、32ビットマイクロプロセッサデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路と互換性のある入力、トライステート入力付き 10 ビットバスまたは金属酸化膜半導体メインメモリドライバ、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-97528-1997 相補型金属酸化膜半導体、クワッド 2 入力ポジティブ NAND トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-97571-1997 相補型金属酸化膜半導体、クワッド 2 入力ポジティブ NAND トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低電圧相補型金属酸化膜半導体、クワッド 2 入力ポジティブ NAND トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低電圧相補型金属酸化膜半導体、クワッド 2 入力ポジティブ NAND トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 シリコンモノリシックA/D変換トラック/保持された8ビットマイクロプロセッサ互換の相補型金属酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 シリコンモノリシックデュアル12ビットアナログコンバータマイクロプロセッサ互換相補型金属酸化膜半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92155 REV A-2006 シリコンモノリシック登録 32K x 8 ビットプログラム、相補型金属酸化物半導体、メインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、3.3 ボルト八角形バス レシーバーおよびレジスタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 シリコンモノリシック8ビット許容マグニチュードコンパレータ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 デュアルチャネルフォトカプラ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ電源用のリニアハイブリッドマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体、非シュミットトリガー付きクワッド2入力、トランジスタ互換入力シリコンモノリシックリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体 デジタル トリプル トリプル入力 非トランジスタ互換入力 シリコン モノリシック回路 リニア マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 非トランジスタ互換入力を備えた相補型金属酸化膜半導体デジタルデュアル 4 入力シリコンモノリシックリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86077 REV C-2005 シリコンモノリシック9ビットパリティジェネレータまたはエフェクタ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、オクタルシュミットトリガー高速相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96780 REV B-2003 相補型金属酸化膜半導体、3.3ボルト16ビットバスレシーバおよび同等の22オーム出力、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体 3.3 ボルト 16 ビット スリーステート出力レジスタードコンバータ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体 4 入力 2 入力、非シュミット トリガー、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-94754 REV E-2004 デジタルワンタイムプログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化物半導体シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 耐放射線ハードデジタル相補型金属酸化膜半導体トリプル 3 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91606 REV A-2006 トライステート出力を備えたシリコンモノリシック 10 ビット D バッファ、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力付き 16 ビットバスドライバ、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力付き 16 ビットバスドライバ、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力付き 16 ビットバスレシーバー、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 相補型金属酸化物半導体、デュアルポジティブトリガークラスD双安定マルチバイブレータ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 耐放射線ハードデジタル相補型金属酸化膜半導体、カウンタジェネレータトランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路と互換性のある入力、反転トライステート出力と行ドライブラインまたは金属酸化膜半導体ドライバを備えたオクタルバッファ、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 高度な相補型金属酸化膜半導体、スリーステート出力 16 ビット透明ラッチ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 高度な相補型金属酸化膜半導体、スリーステート出力 16 ビット透明ラッチ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体 デジタル スリーステート出力 オクタル ラッチング トランジスタ 互換入力 シリコン モノリシック回路 リニア マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、4重SRラッチデバイス、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 耐放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体 4 ビットバイナリ完全加速トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96761-1996 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、1～8行クロックドライバ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、タイミングおよび待機状態生成回路、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 相補型金属酸化物半導体、16ビット25オーム直列抵抗バスレシーバ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路と互換性のある入力、トライステート出力を備えた16ビットDバスレシーバー、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、デュアル 2 ビット双安定、容易に確認できるストップピン、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91576 REV C-2006 シリコンモノリシック相補型高性能金属酸化物半導体構造マイクロコントローラ、8ビット消去可能およびプログラム可能な読み取り専用メモリ、デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-96542 REV F-2004 耐放射線性デジタル相補型金属酸化物半導体、非シュミット トリガー付き 4 倍 2 入力、シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84190 REV E-2005 32 キロビット UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、N チャネル デジタルマイクロ回路を搭載した 8 ビット金属酸化物半導体マイクロプロセッサ
• DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、3.3ボルト非反転八角形バッファまたはトライステート出力ドライバ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシックリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、クワッドバス スリーステート出力バッファ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 相補型金属酸化物半導体、八角形透明クラス D スリーステート出力ラッチ デバイス、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路と互換性のある入力、トライステート出力を備えた16ビットDタイプエッジトリガーバッファ、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90976-1992 ランダム アクセス メモリ チップ データを備えたシリコン モノリシック 8 ビット マイクロコントローラー、相補型高性能金属酸化膜半導体構造モノリシック チップ、マイクロ回路
• DLA SMD-5962-90831 REV A-2007 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 8K X 8 ビット診断プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90908 REV A-2003 シリコンモノリシック相補型金属酸化膜半導体 8 ビットデジタル/アナログコンバータ、出力アンプ、リニアマイクロ回路付き
• DLA SMD-5962-91697 REV D-2003 32K ビットの消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、相補型高性能金属酸化膜半導体構造シングルチップ、デジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシック 8 ビットマイクロコントローラー
• DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、3.3ボルト八角形トリガクラスDトライステート出力双安定マルチバイブレータ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシックリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、3.3ボルト八角形トリガクラスDトライステート出力双安定マルチバイブレータ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシックリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力付き9ビットDバッファ、ポジティブエッジトリガ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力付き9ビットDバッファ、ポジティブエッジトリガ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 シリコンモノリシック入力互換の 3 ～ 8 アレイデコーダ、トランジスタトランジスタロジック、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、8進数の見やすいストップピン、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、8 ビット連続並列スイッチング レジスタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、4 ビットの上位および下位バイナリ同期カウンタ、トランジスタ互換の入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、9 ビット パリティ ジェネレーターまたはモニター、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 耐放射線性相補型金属酸化物半導体非反転八角形双方向スリーステート出力バス、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 耐放射線性相補型金属酸化物半導体非反転八角形双方向スリーステート出力バス、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、8 ビットから 9 ビットのスリーステート出力バス トランシーバー、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96747-1997 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、8 ビット双方向データバススキャンパスセレクタトランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95813 REV F-2008 二極二重接続アナログスイッチを備えた放射線耐性のある相補型金属酸化物半導体構造で構成されるリニアシングルシリコンマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、同期リセット可能、4ビットリセット可能バイナリカウンター、高度な相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力、同期リセット付き 8 ビット診断オートレコーダー、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタ-トランジスタ論理回路互換入力、プリセット可能な同期4ビットバイナリアップまたはダウンカウンタ、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 相補型金属酸化膜半導体デジタル スリーステート入力オクタル D 双安定マルチバイブレータ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95663 REV C-2000 放射線耐性のある高速相補型金属酸化物半導体デジタル 8 ビット連続または並列変更レジスタ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 シリコン モノリシック オクタル D タイプ エッジ トリガー フリップフロップ、トランジスタ - トランジスタ ロジック互換、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96555 REV B-2001 耐放射線性デジタル相補型金属酸化物半導体、事前プログラム可能な同期 4 ビット バイナリカウンタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96586 REV A-2006 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、非反転ヘキサゴンバッファまたはラインドライバ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96587 REV A-2006 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、非反転ヘキサゴンバッファまたはラインドライバ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 耐放射線相補型金属酸化物半導体、プログラマブルクワッドJK双安定マルチバイブレータ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシックデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、10 ビット バス インターフェイス クラス D スリーステート出力ラッチ デバイス、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95742 REV C-1999 高速放射ハード相補型金属酸化膜半導体、2進化10進同期カウンター、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95743 REV A-1998 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、同期事前調整可能な 4 ビット バイナリカウンタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック互換入力、非同期リセット、4ビットリセット可能バイナリカウンター、高度な相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 デジタル先進バイポーラ相補型金属酸化物半導体、18ビットバスインターフェース、双安定マルチバイブレータ変換出力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 相補型金属酸化物半導体構造で構成される高度なバイポーラデジタルシングルシリコンマイクロ回路、トライステート出力を備えた18ビットバストランシーバー、トランジスタ-トランジスタロジック互換入力を使用
• DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化膜半導体、八角形ポジティブトリガークラス D スリーステート出力双安定マルチバイブレーター、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 デジタル先進バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、18ビット無線トランシーバー自律自動ナビゲーションシステム、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、3.3ボルト16ビット透明トライステート出力クラスDラッチデバイス、トランジスタ入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 シリコンモノリシックオクタルレシーバー、トランジスタートランジスタ論理回路互換入力およびトライステート出力、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を備えています。
• DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路と互換性のある入力、トライステート出力を備えたオクタルレシーバー、高度なバイポーラ相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路と互換性のある入力、トライステート出力を備えたバッファまたはクロックドライバ、高速相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96547 REV C-2007 耐放射線性デジタル相補型金属酸化物半導体、デュアル 2 ～ 4 ライン デコーダまたは信号スプリッタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95756 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、事前調整可能な同期4ビットバイナリアップダウンカウンタ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、構成可能なデュアル JK 双安定マルチバイブレータ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95771 REV A-1998 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体、同期バイナリ コード化 10 進アップおよびダウン カウンタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96563 REV A-2001 耐放射線性デジタル相補型金属酸化物半導体、同期 4 ビット上位および下位バイナリ コード ディケイド カウンタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96565 REV A-2001 耐放射線性デジタル相補型金属酸化物半導体、同期 4 ビット上位および下位バイナリ コード ディケイド カウンタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、八角形クラス D ポジティブトリガー スリーステート出力双安定マルチバイブレーター、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-94673 REV A-2007 デジタル先進バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、オクタルバッファまたは25オームラインエキサイタ直列抵抗、および変換出力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94697 REV C-1998 デジタル先進バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、オクタルバッファまたは25オームラインエキサイタ直列抵抗、および変換出力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94698-1996 デジタル先進バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、18ビット無線トランシーバーおよびレジスタ自律ナビゲーションシステム、変換出力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 金属酸化物の擬似容量特性

• GB/T 41917-2022 金属酸化物ナノ材料から生成される活性酸素種（ROS）を検出するナノテクノロジー電子スピン共鳴（ESR）法
• GB/T 12690.16-2010 希土類金属およびその酸化物中の非希土類不純物の化学分析法 第 16 部：フッ素含有量の測定 イオン選択電極法

PH-BPS, 金属酸化物の擬似容量特性

• PNS ISO/TS 18827:2021 ナノテクノロジー：金属酸化物ナノ材料によって生成される活性酸素種 (ROS) を測定するための電子スピン共鳴 (ESR) 法

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 金属酸化物の擬似容量特性

• IEEE Std C62.33-2016 金属酸化物バリスタのサージ保護コンポーネントの試験方法と性能値に関するIEEE規格
• IEEE PC62.33/D6, September 2016 金属酸化物バリスタのサージ保護コンポーネントの試験方法と性能値に関するIEEE承認の草案規格

International Organization for Standardization (ISO), 金属酸化物の擬似容量特性

• ISO/TS 18827:2017 ナノテクノロジー：金属酸化物ナノ材料から生成される活性酸素種（ROS）の電子スピン共鳴（ESR）測定法

KR-KS, 金属酸化物の擬似容量特性

• KS C ISO TS 18827-2021 ナノテクノロジー - 金属酸化物ナノ材料によって生成される活性酸素種 (ROS) を測定する方法としての電子スピン共鳴 (ESR)

Association Francaise de Normalisation, 金属酸化物の擬似容量特性

• NF EN IEC 61643-331:2020 低電圧避雷器コンポーネント - パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の性能要件と試験方法
• NF C61-743-331*NF EN IEC 61643-331:2018 低電圧サージ保護コンポーネント パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の性能要件と試験方法

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 金属酸化物の擬似容量特性

• EN IEC 61643-331:2018 低電圧サージ保護コンポーネント パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の性能要件と試験方法

ES-UNE, 金属酸化物の擬似容量特性

• UNE-EN IEC 61643-331:2020 低電圧サージ保護コンポーネント パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の性能要件と試験方法

未注明发布机构, 金属酸化物の擬似容量特性

• BS EN IEC 61643-331:2018 低電圧サージ保護デバイス用コンポーネント - パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の性能要件と試験方法

IEC - International Electrotechnical Commission, 金属酸化物の擬似容量特性

• IEC 61643-331:2017 低電圧サージ保護装置のコンポーネント - パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の性能要件とテスト方法 (バージョン 2.0)

その他：   金属酸化物ベースの擬似コンデンサ, 金属酸化物の擬似容量特性, 金属酸化物の擬似容量.