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金属酸化物の擬似容量

金属酸化物の擬似容量は全部で 500 項標準に関連している。

金属酸化物の擬似容量 国際標準分類において、これらの分類：絶縁、 電子機器、 半導体ディスクリートデバイス、 送配電網、 バルブ、 光ファイバー通信、 絶縁流体、 開閉装置とコントローラー、 熱力学と温度測定、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 歯科、 粉末冶金、 非鉄金属、 コンデンサ、 抵抗器、 発電所総合、 建物の保護、 分析化学、 非金属鉱物、 表面処理・メッキ、 航空宇宙製造用の材料、 長さと角度の測定、 空気の質、 バッテリーと蓄電池、 電気および電子試験、 物理学、化学、 電気、磁気、電気および磁気測定、 フィルター、 耐火物、 検査医学、 無線通信、 車両、 金属材料試験、 繊維製品。

Professional Standard - Machinery, 金属酸化物の擬似容量

• JB/T 9670-2014 酸化金属避雷器用酸化亜鉛
• JB/T 8444-2015 粉末冶金銀酸化物電気接点の技術条件
• JB/T 8444-1996 粉末冶金銀酸化物電気接点の技術条件
• JB/T 6479-2014 AC電源システム用のシリーズギャップ金属酸化物避雷器
• JB/T 10497-2005 AC送電線用複合ジャケットシリーズギャップ金属酸化物避雷器
• JB/T 6479-1992 AC電源システムのラインアレスタ用シリーズギャップ金属酸化物サージアレスタ

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 金属酸化物の擬似容量

• KS C 4808-2011(2016) ポリマー - 配電線に隙間なく金属酸化物避雷器を収容
• KS C 6425-1985(2000) AC電源用メタライズドプラスチックフィルムコンデンサ
• KS C 6425-1985 AC電源用メタライズドプラスチックフィルムコンデンサ
• KS C 4808-2011(2021) 配電線用のギャップレスポリマーケース入り金属酸化物避雷器
• KS C 6371-1995(2000) 酸化金属皮膜固定抵抗器の電子機器への使用
• KS C 6371-1990 酸化金属皮膜固定抵抗器の電子機器への使用
• KS C 6371-1995 酸化金属皮膜固定抵抗器の電子機器への使用
• KS C 4616-2011 ACシステム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• KS C 6428-1992(1997) 金属化ポリエステルフィルムコンデンサを搭載した電子機器
• KS C 6428-1992 金属化ポリエステルフィルムコンデンサを搭載した電子機器
• KS C 6428-1979 金属化ポリエステルフィルムコンデンサを搭載した電子機器
• KS D 8519-2009 金属および酸化物のコーティング コーティングの厚さの測定 顕微鏡法
• KS D 8519-2009(2015) 金属および酸化物皮膜の皮膜厚さを顕微鏡で測定する方法
• KS C IEC 60099-4:2021 避雷器 パート 4: AC システム用のギャップフリー金属酸化物避雷器
• KS L ISO 21068-3-2012(2022) 炭化ケイ素を含む原材料および耐火物品の化学分析 パート 3: 窒素、酸素、金属および酸化物成分の測定
• KS C IEC 60099-4:2019 避雷器パート 4: ギャップフリーの金属酸化物避雷器システム
• KS C IEC 61643-331-A:2014 低電圧サージ保護コンポーネント パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の仕様
• KS C IEC 60099-4:2012 避雷器 パート 4: 交流システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• KS C IEC 61643-331-A:2015 低電圧サージ保護装置で使用する部品パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の仕様
• KS C IEC 61643-331:2006 低電圧サージ保護装置で使用する部品パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の仕様
• KS C ISO TS 18827:2021 ナノテクノロジー - 金属酸化物ナノ材料によって生成される活性酸素種 (ROS) を測定する方法としての電子スピン共鳴 (ESR)
• KS C IEC 61643-331-2006(2019) 低電圧サージ保護コンポーネント パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の仕様

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 金属酸化物の擬似容量

• GB/T 13397-2008 内部合金酸化法を用いた銀金属酸化物電気接点の技術条件
• GB 13397-1992 内部合金酸化法を用いた銀金属酸化物電気接点の技術条件
• GB/T 27746-2011 低電圧電気機器用金属酸化物バリスタ (MOV) の技術仕様
• GB/T 12690.28-2000 希土類金属およびその酸化物の化学分析法 誘導結合プラズマ発光分析法による希土類酸化物中の酸化カルシウム含有量の定量
• GB/T 41917-2022 金属酸化物ナノ材料から生成される活性酸素種（ROS）を検出するナノテクノロジー電子スピン共鳴（ESR）法
• GB/T 18802.331-2007 低電圧サージ保護部品パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の仕様
• GB/T 12690.17-2010 希土類金属およびその酸化物中の非希土類不純物の化学分析方法 パート 17: 希土類金属中のニオブおよびタンタルの定量
• GB/T 12690.14-2006 希土類金属およびその酸化物中の非希土類不純物の化学分析方法 チタン含有量の測定
• GB/T 12690.15-2006 希土類金属およびその酸化物中の非希土類不純物の化学分析方法 カルシウム含有量の測定
• GB/T 12690.3-2015 希土類金属およびその酸化物中の非希土類不純物の化学分析方法 - パート 3: 希土類酸化物中の水分含量を測定するための重量法
• GB/T 12690.2-2015 希土類金属およびその酸化物中の非希土類不純物の化学分析方法 - パート 2: 希土類酸化物の強熱減量を測定するための重量法
• GB/T 12690.2-2015(英文版) 希土類金属およびその酸化物中の非希土類不純物の化学分析方法 第 2 条：希土類酸化物の強熱減量を測定するための重量法

American Society for Testing and Materials (ASTM), 金属酸化物の擬似容量

• ASTM F1153-92(1997) 静電容量電圧測定による金属酸化ケイ素の構造特性の試験方法
• ASTM E1652-00 金属シールド白金測温抵抗体、卑金属熱電対、貴金属熱電対の製造に使用される酸化マグネシウム、酸化アルミニウム粉末、扁平絶縁体の標準仕様
• ASTM E1652-21 卑金属熱電対、金属シース白金測温抵抗体、貴金属熱電対の製造に使用される酸化マグネシウムおよび酸化アルミニウムの粉末およびクラッシャブル絶縁体の標準仕様
• ASTM E1652-03 酸化マグネシウム、酸化アルミニウムの粉末や金属シース白金測温抵抗体用の圧潰碍子の製造に使用される卑金属熱電対および貴金属熱電対の標準仕様
• ASTM E1652-15 卑金属熱電対、金属ケース白金測温抵抗体、貴金属熱電対の製造に使用される酸化マグネシウムおよび酸化アルミニウムの粉末および扁平絶縁体の標準仕様
• ASTM E1652-14 卑金属熱電対、金属ケース白金測温抵抗体、貴金属熱電対の製造に使用される酸化マグネシウムおよび酸化アルミニウムの粉末および平坦絶縁体の標準仕様
• ASTM E1652-14a 卑金属熱電対、金属ケース白金測温抵抗体、貴金属熱電対の製造に使用される酸化マグネシウムおよび酸化アルミニウムの粉末および平坦絶縁体の標準仕様
• ASTM E574-19 グラスファイバーまたはシリカファイバーで絶縁されたバイメタル基準金属熱電対ワイヤーの標準仕様

Defense Logistics Agency, 金属酸化物の擬似容量

• DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 耐放射線性相補型金属酸化物半導体トランジスタ対相補型金属酸化物半導体、または相補型金属酸化物半導体対相補型金属酸化物半導体電圧変換機構、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA A-A-55564/3 B-2004 金属酸化物、ラジアルリードバリスタ
• DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 チップバリスタ（金属酸化物可変抵抗器）
• DLA A-A-55562 A-2001 チップバリスタ（金属酸化物可変抵抗器）
• DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 抵抗器、電圧に敏感な抵抗器（バリスタ、金属酸化物）、チップ
• DLA A-A-55564/2 B-2012 抵抗器、電圧に敏感な（バリスタ）、金属酸化物、高エネルギー
• DLA SMD-5962-96736-1996 相補型金属酸化物半導体、シリコンモノリシック回路 デジタル超小型回路 8ビット双方向相補型金属酸化物半導体またはトランジスタインターフェースコンバータ
• DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 シリコンモノリシック 8 ビット TTL 互換の高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA A-A-55562/2 A-2001 チップバリスタ（バリスタ、金属酸化物）抵抗器タイプ 0805
• DLA MIL-PRF-83530 C-2008 抵抗器、電圧に敏感な抵抗器（バリスタ、金属酸化物）、一般仕様
• DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 抵抗器、電圧感応性 (バリスタ、金属酸化物)、チップ、タイプ 0603
• DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 抵抗器、電圧に敏感な抵抗器 (バリスタ、金属酸化物)、チップ、タイプ 0805
• DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 抵抗器、電圧感知型 (バリスタ、金属酸化物)、チップ、タイプ 1206
• DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 抵抗器、電圧に敏感な抵抗器 (バリスタ、金属酸化物)、チップ、タイプ 1210
• DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 抵抗器、電圧に敏感な抵抗器 (バリスタ、金属酸化物)、チップ、タイプ 0402
• DLA A-A-55564/3 C-2012 抵抗器、電圧に敏感な（バリスタ）、金属酸化物、ラジアルリード
• DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 シリコンモノリシック相補型金属酸化膜半導体、タイムクロックおよびマイクロプロセッサ超小型回路と互換性あり
• DLA QPL-83530-7-2004 電圧に敏感な（バリスタ、金属酸化物）抵抗器の一般仕様
• DLA SMD-5962-94745-1995 シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路デジタル相補型金属酸化膜半導体
• DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 シリコンモノリシック高性能ダブルスイッチキャパシタフィルター、相補型金属酸化物半導体、リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 耐放射線相補型金属酸化物半導体トリプル 3 入力トランジスタ互換シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 耐放射線相補型金属酸化物半導体トリプル 3 入力トランジスタ互換シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 シリコンモノリシック TTL 互換 10 ビット拡大鏡 調整可能な高速相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88624-1988 シリコンモノリシック TTL 互換プログラマブル N カウンタ高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 シリコンモノリシック TTL 互換 9 ビット拡大鏡制御高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 シリコンモノリシック回路 線形超小型回路
• DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 シリコンモノリシック 16X16 乗算器相補型金属酸化物半導体、マイクロ回路
• DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 16X16 乗算器、デジタルマイクロ回路
• DLA DSCC-DWG-09006-2009 コンデンサ、固定、金属化プラスチック、誘電体、DC、密封
• DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体 デジタル トリプル トリプル入力 非トランジスタ互換入力 シリコン モノリシック回路 リニア マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 非トランジスタ互換入力を備えた相補型金属酸化膜半導体デジタルデュアル 4 入力シリコンモノリシックリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95762-1995 高速相補型金属酸化物半導体、入力および有線出力電圧スイングと互換性のあるトランジスタ、シリコンモノリシック線形マイクロ回路と互換性のあるトランジスタ
• DLA SMD-5962-88756 REV C-2004 シリコン モノリシック TTL 互換入力 8 入力マルチプレクサ 相補型金属酸化物半導体によりデジタルマイクロ回路が促進
• DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 六角形インバータトランジスタ 互換入力 シリコンモノリシック回路 リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体クワッド2入力トランジスタ互換シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94709-1994 シュートアウト制御された相補型金属酸化膜半導体シリコンモノリシック回路線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 128K X 8-BITデジタル相補型金属酸化物半導体シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 耐放射線ハードデジタル相補型金属酸化膜半導体トリプル 3 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 シリコンモノリシック TTL 互換オクタル透明ラッチ スリーステート高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 シリコンモノリシック TTL 互換カウンタ同期バイナリスケジュールされた高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 耐放射線性相補型金属酸化膜半導体 9 ビットパリティ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-97528-1997 相補型金属酸化膜半導体、クワッド 2 入力ポジティブ NAND トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-97571-1997 相補型金属酸化膜半導体、クワッド 2 入力ポジティブ NAND トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 耐放射線ハードデジタル相補型金属酸化膜半導体、カウンタジェネレータトランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 耐放射線性相補型金属酸化物半導体および非シリコンモノリシック回路デジタル超小型回路
• DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 耐放射線相補型金属酸化膜半導体ANDゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 耐放射線相補型金属酸化膜半導体ANDゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96803-1996 相補型金属酸化膜半導体、ヘキサゴナルインバータ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 相補型金属酸化膜半導体、ヘキサゴナルインバータ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 相補型金属酸化膜半導体、ヘキサゴナルインバータ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94734-1995 16 MEG X 1 DRAM デジタル相補型金属酸化物半導体シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95715-1996 デジタル相補型金属酸化物半導体クロックドライバーシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路と互換性のある入力、トライステート入力オクタルバッファおよび行ドライブラインまたは金属酸化膜半導体ドライバを備え、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路と互換性のある入力、トライステート入力付き 10 ビットバスまたは金属酸化膜半導体メインメモリドライバ、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 シリコンモノリシックバスは、Nチャネル金属酸化物半導体である超小型回路を制御します
• DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 シリコンモノリシックリアルクロック、相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 シリコンモノリシックチャネル金属酸化物半導体割り込み発生器デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 シリコンモノリシック 8X8 乗算器、相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 シリコン モノリシック TTL 互換入力 クワッド 2 入力マルチプレクサ 相補型金属酸化物半導体によりデジタルマイクロ回路が促進
• DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 シリコンモノリシック TTL 互換入力 14 段バイナリカウンタ高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 シリコンモノリシック TTL 互換トライステート出力オクタル D 安定化高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 シリコン モノリシック TTL 互換入力 クワッド デュアル入力およびチャネル 相補型金属酸化膜半導体によりデジタルマイクロ回路が促進
• DLA SMD-5962-95557 REV A-1997 充電可変プログラマブル ロジック デバイス相補型金属酸化シリコン モノリシック回路線マイクロ回路
• DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路と互換性のある入力、反転トライステート出力と行ドライブラインまたは金属酸化膜半導体ドライバを備えたオクタルバッファ、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 耐放射線相補型金属酸化物半導体、デュアル 4 入力 NAND トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化膜半導体トリプル 3 入力、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体六角形インバータトランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体トリプル 3 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体 8入力および非トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化膜半導体クワッド 2 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、デュアル 4 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体トリプル 3 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体デュアル 4 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 高度な相補型金属酸化膜半導体、スリーステート出力 16 ビット透明ラッチ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 高度な相補型金属酸化膜半導体、スリーステート出力 16 ビット透明ラッチ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体 デジタル スリーステート出力 オクタル ラッチング トランジスタ 互換入力 シリコン モノリシック回路 リニア マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、4重SRラッチデバイス、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 耐放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体 4 ビットバイナリ完全加速トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96761-1996 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、1～8行クロックドライバ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、タイミングおよび待機状態生成回路、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 相補型金属酸化物半導体、16ビット25オーム直列抵抗バスレシーバ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低電圧相補型金属酸化膜半導体、クワッド 2 入力ポジティブ NAND トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低電圧相補型金属酸化膜半導体、クワッド 2 入力ポジティブ NAND トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 静的ノイズ ランダム デジタル メモリ ハイブリッド 相補型金属酸化物半導体 マイクロ回路
• DLA SMD-5962-94688 REV A-1996 デジタル相補金属酸化物プログラマブル ロジック デバイス シリコン モノリシック回路 線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 プログラマブル アレイ 4000GATES 相補型金属酸化物半導体シリコン モノリシック回路線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 シリコンモノリシックプロセッサインターフェース回路相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 耐放射線相補型金属酸化物半導体発電機シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 シリコンモノリシックA/D変換トラック/保持された8ビットマイクロプロセッサ互換の相補型金属酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 シリコンモノリシックデュアル12ビットアナログコンバータマイクロプロセッサ互換相補型金属酸化膜半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90997-1991 シリコンモノリシック相補型高性能金属酸化物半導体構造、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 シリコンモノリシックオクタル先進相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92026-1992 シリコンモノリシック固定小数点プロセッサ、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87744-1987 シリコンモノリシック 1M (64K X 16) ビット、チャネル金属酸化膜半導体、UVEPROM デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92103-1992 シリコンモノリシック浮動小数点プロセッサ、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 シリコンモノリシック信号プロセッサ相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85528-1986 シリコンモノリシックバスメディエータ、相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 シリコンモノリシック 8 × 8 乗算器相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 シリコンモノリシック相補型金属酸化膜半導体バスインターフェース線形超小型回路
• DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 シリコンモノリシック高精度タイマー相補型金属酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90864 REV A-1993 シリコンモノリシック高速相補型金属酸化膜半導体多機能エッジデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 ラッチおよびトランジスタ-トランジスタ論理回路互換入力、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリス
• DLA SMD-5962-95654 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体デジタル四重極2入力専用シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 相補型金属酸化膜半導体、過電圧保護マルチプレクサシリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 非シリコンモノリシック回路を備えた相補型金属酸化物半導体デジタルデュアル4入力リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 非シリコンモノリシック回路を備えた相補型金属酸化物半導体デジタル四重極2入力リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体デジタル四重極2入力専用シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94730 REV D-2002 デジタル相補型金属酸化膜半導体プログラマブルロジックアレイシリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94733-1995 デジタル相補型金属酸化膜半導体 1200 構成ロジック アレイ シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95717-1995 デジタル相補型金属酸化膜半導体八角形バス受信機シリコンモノリシック回路線形超小型回路
• DLA SMD-5962-96895-1997 デュアル相補型金属酸化膜半導体、光銅プロパゲータインターフェイスシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96896-1997 デュアル相補型金属酸化膜半導体、光銅受信機インターフェース シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 相補型金属酸化物半導体マイクロパワーフェーズロックリングシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96683-1996 耐放射線性相補型金属酸化物半導体 4BIT ビット演算シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 四重相補型金属酸化物半導体ラインエキサイターシリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 シリコンモノリシック TTL 互換 10 ビット D タイプ フリップフロップ、トライステート出力付き 相補型金属酸化膜半導体によりデジタルマイクロ回路が容易
• DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、クワッドバス スリーステート出力バッファ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 相補型金属酸化物半導体、八角形透明クラス D スリーステート出力ラッチ デバイス、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95610 REV A-1996 デジタル相補型金属酸化物半導体プログラマブルロジックセルディスプレイシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95611 REV A-1996 デジタル相補型金属酸化物半導体プログラマブルロジックセルディスプレイシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95612 REV A-1996 デジタル相補型金属酸化物半導体プログラマブルロジックセルディスプレイシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換、1-to-8デコーダ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 相補型金属酸化膜半導体、クワッドバス スリーステート出力バッファ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体クワッド4入力および非トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 相補型金属酸化膜半導体、クワッドバス スリーステート出力バッファ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 相補型金属酸化膜半導体、18 ビット バス スリーステート出力レシーバー、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、デュアルリップルカウンター、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化膜半導体、4連2入力専用トランジスタ対応入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速放射 ハード相補型金属酸化物半導体 4ビット数量コンパレータ トランジスタ互換入力 シリコンモノリシック回路 リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、4 ビット バイナリ全加算器、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 デジタル相補型金属酸化膜半導体プログラマブルセル配列シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 シリコンモノリシックオクタルバスレシーバー、相補型金属酸化膜半導体、超小型回路
• DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 シリコンモノリシック N チャネル金属酸化物半導体、ユニバーサル割り込みコントローラーマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 シリコンモノリシック高性能相補型金属酸化膜半導体バスバッファ、マイクロ回路
• DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 シリコンモノリシックマルチプレクサ、相補型金属酸化膜半導体、リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92106-1993 シリコンモノリシックアドレスプロセッサ2、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 シリコンモノリシック 16 ビットマイクロプロセッサ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 シリコンモノリシックデジタルデータプロセッサチャネル金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88599-1988 シリコンモノリシックタイミング制御コンポーネント相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 シリコンモノリシック 16 ビットマイクロプロセッサ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 シリコンモノリシック四角形アナログスイッチ相補型金属酸化物半導体線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-90901-1992 シリコンモノリシック八進名前付きトランシーバー、相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96528 REV B-2005 放射線ハードデジタル相補型金属酸化膜半導体トリプル 3 入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96656 REV C-2003 耐放射線相補型金属酸化膜半導体 4 ビット クラス D レジスタ シリコン モノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 シリコンモノリシックマイクロプロセッサ 最適化されたデジタル信号処理 相補型金属酸化膜半導体マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 相補型金属酸化膜半導体、デュアル単極単投（スイッチ）シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 シリコンモノリシック単一電源金属酸化物半導体電界効果トランジスタドライバリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 耐放射線相補型金属酸化膜半導体クワッド 2 入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 耐放射線相補型金属酸化物半導体トリプル 3 入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 耐放射線性相補型金属酸化物半導体 4 ビット完全加速シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 デュアル NAND ゲート シリコン モノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 耐放射線性相補型金属酸化膜半導体非シリコンモノリシック回路を備えた 8 入力デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 六角形バッファ シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 放射線ハード 相補型金属酸化物半導体 六角形インバータ シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 放射線ハード 相補型金属酸化膜半導体バスコントローラ シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96786-1996 8ビット双方向相補型金属酸化膜半導体またはコンバータシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88674-1988 シリコンモノリシック8ビットスピーカーTTL互換バスインターフェース調整入力高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88757 REV B-2006 シリコンモノリシック TTL 互換入力位相ロックループと電圧制御発振器 高速相補型金属酸化膜半導体によりデジタルマイクロ回路が容易
• DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 デジタル反射型高度な相補型金属酸化膜半導体、非トランジスタ互換入力を備えたクワッド 2 入力シリコンモノリシックリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 デジタル反射型高速相補型金属酸化物半導体、4 入力 2 入力、非トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体 4 ビット バイナリ リップル タイマー、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化膜半導体、10～4行プライオリティエンコーダ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ライン型マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、デュアル 4 ステップ バイナリカウンタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化膜半導体、デュアル 4 入力マルチプレクサ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速耐放射線性相補型金属酸化膜半導体、クワッド 2 入力マルチプレクサ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、4 ビット バイナリ同期カウンタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 相補型金属酸化物半導体、16ビットレシーバーまたはスリーステート出力レジスタ、トランジスタ互換の入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95714 REV A-1996 デジタル相補型金属酸化膜半導体 デジタル 8 ビット バス トランシーバー シリコン モノリシック回路 リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95525-1995 電荷除去プログラマブル分圧器 相補型金属酸化物半導体シリコンモノリシック回路線形超小型回路
• DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 シリコンモノリシックエラー検出および訂正用のユニット相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96694 REV A-1996 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体 1K x 4 スタティック ランダム アクセス メモリ超小型回路
• DLA SMD-5962-96695 REV A-1996 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体 1K x 4 スタティック ランダム アクセス メモリ超小型回路
• DLA SMD-5962-90525 REV C-2008 ユニバーサル非同期送受信機を備えた相補型金属酸化物半導体で作られたシングルシリコンデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 シリコンモノリシック、16 ビットマイクロコントローラー、チャネル金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91513-1993 シリコンモノリシックOR反転ゲート、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 シリコンモノリシック画像システムプロセッサ、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 シリコンモノリシックオペアンプ、相補型金属酸化物半導体、デュアルリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 シリコンモノリシックバイメタル酸化物半導体電界効果トランジスタドライバリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88568-1988 シリコンモノリシック 8 ビットマイクロコンピュータ単一アセンブリチャネル金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 シリコンモノリシック浮動小数点コプロセッサ、相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 シリコンモノリシックリモートターミナルマルチプロトコル相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88653-1989 シリコンモノリシックバッファトランシーバー高速相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86032 REV H-2005 シリコンモノリシック 32 ビットマイクロプロセッサ、相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 シリコンモノリシック8ビット相補型金属酸化物半導体フラッシュコンバータリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86846 REV C-2001 シリコンモノリシック相補型金属酸化膜半導体 64X5 並列先入れ先出しデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88758-1991 シリコンモノリシック四面スイッチ高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86864-1988 プログラマブル ロジック デバイス 相補型金属酸化膜半導体 消去可能なデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 シリコンモノリシックバストランシーバー高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 シリコンモノリシック 4 双方向スイッチ高速相補型金属酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89508-1989 シリコンモノリシック 1/4 デコーダ高速相補型金属酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 デュアルチャネルフォトカプラ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ電源用のリニアハイブリッドマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96576 REV A-2005 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体カウンタージェネレータシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96626 REV B-1997 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 事前構成可能なスプリッター シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95713 REV B-2007 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体プログラマブルタイマーシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 シリコンモノリシック入力互換の 3 ～ 8 アレイデコーダ、トランジスタトランジスタロジック、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、8進数の見やすいストップピン、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、8 ビット連続並列スイッチング レジスタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、4 ビットの上位および下位バイナリ同期カウンタ、トランジスタ互換の入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、9 ビット パリティ ジェネレーターまたはモニター、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 耐放射線性相補型金属酸化物半導体非反転八角形双方向スリーステート出力バス、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 耐放射線性相補型金属酸化物半導体非反転八角形双方向スリーステート出力バス、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、8 ビットから 9 ビットのスリーステート出力バス トランシーバー、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、3.3 ボルト八角形バス レシーバーおよびレジスタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95521 REV B-2006 10,000 ゲート プログラマブル ロジック アレイ相補型金属酸化膜半導体シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90512-1992 シリコンモノリシック、8ビットマイクロコンピュータ、高性能金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 放射線ハード 相補型金属酸化物半導体 バイナリ比乗算器 シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96615 REV C-2003 耐放射線相補型金属酸化物半導体 8 ビット ラッチ デバイス シリコン モノリシック回路 デジタル超小型回路
• DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 放射線耐性 相補型金属酸化膜半導体 4重専用ANDゲート シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96671 REV B-2000 耐放射線性相補型金属酸化膜半導体、8ビットプライオリティエンコーダシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96672 REV B-2000 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 プログラマブルタイマー シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96701 REV C-2000 放射線耐性相補型金属酸化膜半導体、クワッド双方向スイッチシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96816-1996 相補型金属酸化膜半導体、4連2入力専用ANDゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96820 REV B-1999 相補型金属酸化物半導体、4倍2入力正ANDゲート、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96822-1996 相補型金属酸化物半導体、4倍2入力正ANDゲート、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96825-1996 相補型金属酸化物半導体、4倍2入力正ANDゲート、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 放射線耐性 相補型金属酸化膜半導体 16 ビット マイクロプロセッサ シリコン モノリシック回路 リニア マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、オープンチャネル六角形シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95824-1996 放射線耐性 相補型金属酸化膜半導体 8 ビット マイクロプロセッサ シリコン モノリシック回路 リニア マイクロ回路
• DLA SMD-5962-87761 REV A-2005 シリコンモノリシック TTL 入力互換、トライステート出力を備えたデュアル 4 入力マルチプレクサ 相補型金属酸化物半導体によりデジタルマイクロ回路が促進
• DLA SMD-5962-88671 REV A-2005 シリコンモノリシック TTL 互換入力 4 ビットバイナリアップ/ダウンカウンタ 高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88672 REV A-2005 シリコンモノリシック TTL 互換入力 4 ビットバイナリアップ/ダウンカウンタ 高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88675-1988 シリコンモノリシック 8 ビットスピーカー TTL 互換バスインターフェイスラッチ入力高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 シリコンモノリシック TTL 互換 8 ビットユニバーサルシフトレジスタ、トライステート出力高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96747-1997 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、8 ビット双方向データバススキャンパスセレクタトランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94684-1996 相補型金属酸化物 荷電可変プログラマブル ロジック デバイス メモリ シリコン モノリシック回路 線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-89463 REV D-2005 シリコンモノリシック浮動小数点コプロセッサ高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA DSCC-DWG-85006 REV E-2008 1.0アンペア、60ボルトDC、相補型金属酸化膜半導体入力を備えた光学的に絶縁された密閉型ソリッドステートリレー
• DLA SMD-5962-91532 REV C-2004 シリコンモノリシック電圧レギュレータ、低電力デュアル相補型金属酸化膜半導体、リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 デュアルパワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタドライバー、リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87685-1987 シリコンモノリシックNチャネル金属酸化物半導体、8ビットマイクロプロセッサチップ、超小型回路
• DLA SMD-5962-92009 REV B-1995 シリコンモノリシック VME バス アドレス コントローラー、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92010 REV B-2001 シリコンモノリシック VME バス アドレス コントローラー、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87723-1987 シリコンモノリシック 13 入力 NAND ゲート、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92093 REV C-2005 シリコンモノリシックオペアンプ、相補型金属酸化膜半導体、クワッドリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92104-1993 シリコンモノリシックアドレスプロセッサ1、相補型金属酸化膜半導体、メインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87805 REV A-2005 シリコンモノリシックデュアルマルチバイブレータ高速相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88566 REV C-1994 シリコンモノリシックデュアル非同期レシーバ/トランスミッタチャネル金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86809 REV C-2004 シリコンモノリシック 16 ビットマイクロコントローラー N チャネル金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 金属酸化物の擬似容量

• GJB 3794-1999 電気接点用の銀ベースの金属酸化物合金の仕様
• GJB 3794A-2018 銀系金属酸化物との電気接点用加工材料の仕様
• GJB 1214/1-2011 タイプ CLK41 金属ケース、密閉型、金属化ポリエステル フィルム DC 固定コンデンサ (故障率定格あり) の詳細仕様

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 金属酸化物の擬似容量

• GB/T 34869-2017 直列補償デバイスのコンデンサバンク保護用の金属酸化物電圧リミッター
• GB/T 32996-2016 表面化学分析 金属酸化膜のグロー放電発光分析

International Organization for Standardization (ISO), 金属酸化物の擬似容量

• ISO/TS 5094:2023 ナノテクノロジー - 金属および金属酸化物のナノ粒子のペルオキシダーゼ様活性の評価
• ISO/TR 20489:2018 ナノテクノロジー - 水サンプル中の金属および金属酸化物のナノマテリアルの特性評価のためのサンプル前処理
• ISO 1463:1973 金属および酸化物のコーティング コーティングの厚さの測定 顕微鏡法
• ISO 1463:1982 金属および酸化物のコーティング コーティングの厚さの測定 顕微鏡法
• ISO/TS 25138:2019 表面化学分析 - グロー放電発光分光法による金属酸化膜の分析
• ISO/TS 18827:2017 ナノテクノロジー：金属酸化物ナノ材料から生成される活性酸素種（ROS）の電子スピン共鳴（ESR）測定法
• ISO 1463:2003 金属および酸化物のコーティング コーティングの厚さの測定 顕微鏡法
• ISO/TS 25138:2010 表面化学分析 グロー放電発光分析による金属酸化膜の分析
• ISO/DIS 21068-3 炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、サイアロンを含む原材料および耐火物品の化学分析 - パート 3: 窒素、酸素、金属および酸化物成分の測定
• ISO/DIS 23597 レアアース - 個々のレアアース金属およびその酸化物中のレアアース含有量の測定と滴定
• ISO/FDIS 23597 レアアース - 個々のレアアース金属およびその酸化物中のレアアース含有量の測定と滴定
• ISO 23597:2023 レアアース - 個々のレアアース金属およびその酸化物中のレアアース含有量の測定と滴定

British Standards Institution (BSI), 金属酸化物の擬似容量

• PD ISO/TS 5094:2023 ナノテクノロジー金属および金属酸化物のナノ粒子のペルオキシダーゼ様活性の評価
• BS EN 61643-331:2003 低電圧サージ保護デバイス 金属酸化物バリスタ (MOV) の仕様
• PD ISO/TR 20489:2018 水サンプル中の金属および金属酸化物のナノオブジェクトの特性評価のためのナノテクノロジーサンプル調製
• BS EN 60099-4:2004 避雷器、交流システム用ギャップレス金属酸化物避雷器
• BS EN 60099-4:2014 避雷器、交流システム用ギャップレス金属酸化物避雷器
• BS EN 60099-4:2004+A2:2009 避雷器、交流システム用ギャップレス金属酸化物避雷器
• PD ISO/TS 25138:2019 表面化学分析 金属酸化膜のグロー放電発光分析
• BS EN ISO 1463:2005 金属および酸化物のコーティング コーティングの厚さの測定 顕微鏡法
• BS EN ISO 1463:2021 金属および酸化物皮膜の皮膜厚さを顕微鏡で測定する方法
• PD ISO/TS 18827:2017 金属酸化物ナノ材料によって生成される活性酸素種 (ROS) の測定方法としてのナノテクノロジー電子スピン共鳴 (ESR)
• BS IEC 60747-8-4:2004 半導体ディスクリートデバイス、パワースイッチング機器用金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
• BS EN IEC 61643-331:2020 金属酸化物バリスタ (MOV)、低電圧サージ保護コンポーネントの性能要件とテスト方法
• 20/30395419 DC BS EN ISO 1463 金属および酸化物コーティングのコーティング厚さを測定するための顕微鏡法
• BS ISO 17299-5:2014 繊維製品の消臭性能を測定するための金属酸化物半導体センサー方法
• BS EN 62416:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体 (MOS) トランジスタのホットキャリア試験
• BS ISO 23597:2023 レアアース - 個々のレアアース金属およびその酸化物中のレアアース含有量の測定と滴定

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 金属酸化物の擬似容量

• IEEE Std C62.11-2020 AC電源回路用酸化金属避雷器
• IEEE Std C62.11-1999 AC電源回路用酸化金属避雷器
• IEEE Std C62.11-1993 AC電源回路用酸化金属避雷器
• IEEE Std C62.22-2009 AC システムにおける金属酸化物避雷器の適用に関する IEEE ガイド
• ANSI/IEEE Std C62.11-1987 AC電源回路用金属酸化物避雷器に関するIEEE規格
• IEEE Std C62.11-1987 AC電源回路用金属酸化物避雷器に関するIEEE規格
• IEEE Std C62.11-2005 AC電源回路用金属酸化物避雷器(1kV以上)
• IEEE Std C62.22-1991 AC システムにおける金属酸化物避雷器のアプリケーション ガイド
• IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE Std C62.11-2012) AC 電源回路用金属酸化物避雷器に関する IEEE ドラフト規格 (> 1 kV)
• IEEE PC62.11/D8.0, December 2019 AC 電源回路用金属酸化物避雷器に関する IEEE ドラフト規格 (> 1 kV)
• IEEE Std C62.22-1997 AC 電源システムにおける金属酸化物避雷器に関する IEEE アプリケーション ガイド
• ANSI/IEEE Std 641-1987 金属窒化物酸化物半導体アレイの IEEE 標準定義と特性評価
• IEEE PC62.11/D6.0 September 2019 AC 主回路 (>1 kV) 用の金属酸化物避雷器に関する IEEE 草案規格
• IEEE PC62.11/D2.0, January 2018 AC 主回路 (>1 kV) 用の金属酸化物避雷器に関する IEEE 草案規格
• IEEE PC62.11/D12A, August 2012 AC 主回路 (>1 kV) 用の金属酸化物避雷器に関する IEEE 草案規格
• IEEE PC62.11/D11, February 2012 AC 主回路 (>1 kV) 用の金属酸化物避雷器に関する IEEE 草案規格
• IEEE PC62.11/D7.0, November 2019 AC 主回路 (>1 kV) 用の金属酸化物避雷器に関する IEEE 草案規格
• IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE AC 主回路 (>1 kV) 用の金属酸化物避雷器に関する IEEE 草案規格
• IEEE Std C62.11-2012 交流 (AC) 電源回路用金属酸化物放電管に関する IEEE 規格 (1 kV)
• IEEE Std 581-1978 金属窒化酸化物電界効果トランジスタの IEEE 標準定義、記号、および特性評価
• IEEE Std C62.33-2016 金属酸化物バリスタのサージ保護コンポーネントの試験方法と性能値に関するIEEE規格

Professional Standard - Electron, 金属酸化物の擬似容量

• SJ/T 11824-2022 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の等価静電容量および電圧変化率の試験方法

工业和信息化部, 金属酸化物の擬似容量

• YD/T 2972-2015 通信保護用金属酸化物バリスタ

Professional Standard - Energy, 金属酸化物の擬似容量

• NB/T 10452-2020 液体メタライズドフィルムコンデンサ絶縁用エポキシ大豆油
• NB/T 42059-2015 AC電源システムの金属酸化物避雷器用断路器
• DL/T 815-2021 AC送電線用の複合ジャケット付き金属酸化物避雷器

国家能源局, 金属酸化物の擬似容量

• NB/T 10452-2026 液体メタライズドフィルムコンデンサ絶縁用エポキシ大豆油
• NB/T 42152-2018 非線形金属酸化物抵抗器の一般的な技術要件

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 金属酸化物の擬似容量

• IEEE C62.11-2012 AC 電源回路用金属酸化物避雷器 (>1 kV)
• IEEE C62.11-1993 交流電源回路用金属酸化物避雷器の規格
• IEEE C62.11-1987 交流電源回路用金属酸化物避雷器の規格
• IEEE C62.11-1999 AC電源回路用金属酸化物避雷器の標準(>1kV)
• IEEE C62.11-2005 AC 電源回路 (>1 kV) で使用する金属酸化物避雷器の標準
• IEEE 641-1987 金属窒化酸化物半導体アレイの標準定義と特性評価
• IEEE PC62.11/D2.0-2019 AC 電源回路 (>1 kV) で使用する金属酸化物避雷器の規格草案
• IEEE C62.33-2016 金属酸化物バリスタサージ保護部品の試験方法と性能値
• IEEE C62.11A-2008 AC 主回路用金属酸化物避雷器の規格 (>1 kV) 修正 1: ステーション中間避雷器および配電避雷器の短絡試験

American National Standards Institute （ANSI), 金属酸化物の擬似容量

• ANSI/IEEE C62.11:2005 交流電源回路用金属酸化物避雷器の規格
• ANSI/IEEE C62.22:2009 AC システムにおける金属酸化物避雷器のアプリケーション ガイド

工业和信息化部/国家能源局, 金属酸化物の擬似容量

• JB/T 8444-2014 粉末冶金銀酸化物電気接点の技術条件

Group Standards of the People's Republic of China, 金属酸化物の擬似容量

• T/CAB 0156-2022 スマート家電向け金属酸化物MEMSガスセンサー
• T/CECA 27-2017 信頼性指標付き金属酸化物バリスタの一般仕様
• T/DCB 007-2023 ナトリウムイオン電池の正極材料 第 4 部: 遷移金属酸化物
• T/CEC 221-2019 高勾配低残留電圧金属酸化物抵抗器の一般技術基準
• T/GDC 143-2022 未組織排ガス中の揮発性有機化合物を定量するための金属酸化物法
• T/QGCML 911-2023 10kV AC送電線用の複合ジャケット付きギャップレス金属酸化物避雷器

Military Standards (MIL-STD), 金属酸化物の擬似容量

• DOD A-A-51838-1987 歯科用研磨バンドの分類（金属酸化アルミニウム）

ES-UNE, 金属酸化物の擬似容量

• UNE-EN 24501:1993 光過酸化物法による超硬金属チタンの定量
• UNE-EN ISO 1463:2021 金属および酸化物皮膜の皮膜厚さを顕微鏡で測定する方法
• UNE-EN 60099-9:2014 避雷器 パート 9: HVDC コンバーターステーション用のギャップフリー金属酸化物避雷器
• UNE-EN 60099-4:2016 避雷器 パート 4: AC システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• UNE-EN ISO 21068-3:2008 炭化ケイ素を含む原料および耐火物製品の化学分析 パート 3: 窒素、酸素、金属および酸化物成分の定量

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 金属酸化物の擬似容量

• YS/T 484-2005 金属水素ニッケル電池負極用水素吸蔵合金の比容量の求め方

RU-GOST R, 金属酸化物の擬似容量

• GOST 23862.1-1979 希土類金属およびその酸化物 希土類元素酸化物中の不純物の分光分析
• GOST 23862.2-1979 希土類金属およびその酸化物 希土類元素酸化物中の不純物の分光分析
• GOST 23862.7-1979 希土類金属およびその酸化物 希土類元素酸化物中の不純物を定量するための化学分光法
• GOST 23862.0-1979 希土類金属とその酸化物 分析者向けの一般要件
• GOST 26318.8-1984 非金属鉱物材料酸化カリウム含有量の放射分析
• GOST 23862.6-1979 希土類金属およびその酸化物、ナトリウム、カリウム、カルシウムの定量方法
• GOST 23862.11-1979 希土類金属とその酸化物、バナジウム、鉄、コバルト、マンガン、銅、ニッケルを測定するための化学分光法
• GOST 30550-1998 金属粉末 鉄、銅、錫、青銅の粉末中の不溶性酸化物含有量の測定
• GOST 23862.4-1979 希土類金属とその酸化物、バナジウム、鉄、コバルト、シリコン、マンガン、銅、ニッケル、チタン、クロムを測定するための分光法

U.S. Military Regulations and Norms, 金属酸化物の擬似容量

• ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 相補型金属酸化膜半導体 (ロジック) デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 相補型金属酸化膜半導体 (ロジック) デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63530-1981 相補型金属酸化膜半導体 (ロジック) デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 マルチチップ相補型金属酸化膜半導体 SCO/DLA デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-48646-1986 マルチチップ相補型金属酸化膜半導体 SCO/DLA デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 相補型金属酸化物半導体 (一次ロジック) デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63320 A-1981 相補型金属酸化物半導体 (一次ロジック) デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 相補型金属酸化物半導体 (一次ロジック) デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 相補型金属酸化物半導体 (一次ロジック) デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 ゲートレス専用相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 ゲートレス専用相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63324 A-1981 ゲートレス専用相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 ゲートレス専用相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 鉄シリコン相補型金属酸化物半導体デジタル集積回路
• ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 鉄シリコン相補型金属酸化物半導体デジタル集積回路
• ARMY MIL-I-48632-1986 鉄シリコン相補型金属酸化物半導体デジタル集積回路
• ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 鉄シリコン相補型金属酸化物半導体デジタル集積回路
• ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 鉄シリコン相補型金属酸化物半導体デジタル集積回路
• ARMY MIL-I-48634-1986 鉄シリコン相補型金属酸化物半導体デジタル集積回路
• ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 相補型金属酸化物半導体 (決定論的論理) デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63321 A-1981 相補型金属酸化物半導体 (決定論的論理) デジタルマイクロ回路

Association Francaise de Normalisation, 金属酸化物の擬似容量

• NF EN 24501:1994 超硬金属過酸化チタンの測定法。
• NF A91-110:2004 金属および酸化物のコーティング、コーティングの厚さの測定、顕微鏡検査
• NF A91-110*NF EN ISO 1463:2021 金属および酸化物のコーティング、コーティングの厚さの測定、顕微鏡検査
• NF A91-110:1995 金属および酸化物のコーティング コーティングの厚さの測定 顕微鏡法
• NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 避雷器 パート 9: HVDC コンバーターステーション用のギャップフリー金属酸化物避雷器
• NF C65-101/A1:2006 避雷器 パート 4: 交流システム用のスパーク ギャップのない金属酸化物避雷器。
• NF S91-141:1997 歯科用金属合金の生分解性 - 電気化学試験の標準化
• NF C65-101/A2:2009 避雷器 パート 4: 交流システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• NF C65-100-4*NF EN 60099-4:2015 避雷器 パート 4: 交流システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• NF C65-101:2005 避雷器 パート 4: 交流システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• NF S91-141:1990 歯科インプラント、歯科用合金の生体適合性、電気化学試験の標準化
• NF A05-106*NF EN ISO 6988:1995 通常の結露下での金属およびその他の無機コーティングの二酸化硫黄試験

ECIA - Electronic Components Industry Association, 金属酸化物の擬似容量

• 377-1970 DC アプリケーション用の金属および非金属ハウジング内の金属化誘電体コンデンサ (ANSI C83.62-71)
• 377-1-1972 RS-377 の部品リスト補足「DC アプリケーション用の金属および非金属エンクロージャ内の金属化誘電体コンデンサ」
• 495-A-1990 AC用途向けの金属蒸着紙電極を備えた薄膜誘電体コンデンサ
• 495-A-1989 AC用途向けの金属蒸着紙電極を備えた薄膜誘電体コンデンサ

Professional Standard - Electricity, 金属酸化物の擬似容量

• DL/T 804-2002 AC 電源システムにおける金属酸化物避雷器の使用に関するガイドライン
• DL/T 804-2014 AC 電源システムにおける金属酸化物避雷器の使用に関するガイドライン
• DL/T 815-2012 AC送電線用の複合ジャケット付き金属酸化物避雷器
• DL/T 815-2002 AC送電線用の複合ジャケット付き金属酸化物避雷器
• DL/T 1294-2013 AC 電源システムにおける金属酸化物避雷器用断路器の使用に関するガイドライン
• DL/T 1432.3-2016 変電設備のオンライン監視装置の検査仕様書 第3部 容量性設備及び金属酸化物避雷器の絶縁オンライン監視装置
• DL/T 1498.3-2016 変電設備用オンライン絶縁監視装置の技術仕様 第 3 部：容量性設備および金属酸化物アレスタ用オンライン絶縁監視装置

International Telecommunication Union (ITU), 金属酸化物の擬似容量

• ITU-T K.77-2009 通信機器保護用金属酸化物抵抗体シートの特性 第5研究班
• ITU-T K.77 CORR 1-2011 通信機器保護用金属酸化物バリスタの特性 修正事項 No.1.5 研究会

BE-NBN, 金属酸化物の擬似容量

• NBN-EN 24501-1994 硬い金属。 チタンの決定。 過酸化物測光 (ISO 4501:1978)

Danish Standards Foundation, 金属酸化物の擬似容量

• DS/EN ISO 1463:2004 金属および酸化物皮膜の皮膜厚さを顕微鏡で測定する方法
• DS/ISO 1463:2021 金属および酸化物皮膜の皮膜厚さを顕微鏡で測定する方法
• DS/ISO 1463:1983 金属および酸化物のコーティング コーティングの厚さの測定 顕微鏡検査
• DS/EN 60099-4/A2:2009 避雷器 パート 4: AC システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• DS/EN 60099-4/A1:2007 避雷器 パート 4: AC システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• DS/EN 60099-4:2005 避雷器 パート 4: AC システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• DS/EN ISO 21068-3:2008 炭化ケイ素を含む原材料および耐火物品の化学分析 パート 3: 窒素、酸素、金属および酸化物成分の測定
• DS/EN 61643-331:2007 低電圧サージ保護部品パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の仕様
• DS/EN ISO 1463:2021 金属および酸化物コーティングのコーティング厚さを顕微鏡で測定する方法 (ISO 1463:2021)

Professional Standard - Hydroelectric Power, 金属酸化物の擬似容量

• SD 176-1986 ～ 500 kV AC 電力システムにおける金属酸化物避雷器の技術的条件
• SD 177-1986 ～ 500 kV AC 電力システムにおける金属酸化物避雷器の使用に関するガイドライン

Professional Standard - Railway, 金属酸化物の擬似容量

• TB/T 1844-1987 25kV AC電化鉄道用ギャップレス金属酸化物避雷器の技術条件

YU-JUS, 金属酸化物の擬似容量

• JUS C.A6.031-1990 金属および酸化物コーティング。 コーティングの厚さの決定。 顕微鏡検査
• JUS C.T7.228-1984 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化。 酸化皮膜の厚さの測定。 渦電流方式

European Committee for Standardization (CEN), 金属酸化物の擬似容量

• EN ISO 1463:1994 金属および酸化物のコーティング コーティングの厚さの測定 顕微鏡法
• EN ISO 1463:2021 金属および酸化物のコーティング コーティングの厚さの測定 顕微鏡法
• EN ISO 1463:2004 金属および酸化物コーティング コーティングの厚さの測定 顕微鏡 ISO 1463-2003

German Institute for Standardization, 金属酸化物の擬似容量

• DIN EN ISO 1463:2004 金属および酸化物のコーティング コーティングの厚さの測定 顕微鏡法
• DIN EN 60099-4:2010 避雷器 パート 4: 交流システム用のギャップフリー金属酸化物避雷器
• DIN EN 61643-331:2004 低電圧サージ保護装置コンポーネント パート 311: 金属酸化物バリスタの仕様
• DIN 50938:2018 鉄金属部品の黒色酸化皮膜の要件と試験方法
• DIN 50938:2018-01 鉄金属部品の黒色酸化皮膜の要件と試験方法

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 金属酸化物の擬似容量

• JIS C 8708:1997 密閉型ニッケル水素充電式単電池
• JIS C 8708:2004 密閉型ニッケル水素充電式単電池

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 金属酸化物の擬似容量

• CNS 8104-1981 金属酸化物半導体電界効果トランジスタの線形臨界電圧試験方法
• CNS 8106-1981 金属酸化物半導体電界効果トランジスタの飽和臨界電圧試験方法

PH-BPS, 金属酸化物の擬似容量

• PNS ISO/TS 18827:2021 ナノテクノロジー：金属酸化物ナノ材料によって生成される活性酸素種 (ROS) を測定するための電子スピン共鳴 (ESR) 法

ZA-SANS, 金属酸化物の擬似容量

• SANS 60099-4:2007 避雷器。 パート 4: AC システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• NRS 039-2-1999 配電システム用の避雷器。 パート 2: 配電グレードのギャップレス金属酸化物避雷器
• NRS 039-1-1999 配電システム用の避雷器。 パート 1: ギャップレス金属酸化物避雷器アプリケーション ガイド

International Electrotechnical Commission (IEC), 金属酸化物の擬似容量

• IEC 60099-4:2004+AMD1:2006+AMD2:2009 CSV 避雷器 パート 4: AC システム用のギャップフリー金属酸化物避雷器
• IEC 60099-4:2004+AMD1:2006 CSV 避雷器 パート 4: AC システム用のギャップフリー金属酸化物避雷器
• IEC 60099-4:1998 避雷器 パート 4: 交流システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• IEC 60099-4:2009 避雷器 パート 4: 交流システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• IEC 60099-4:2004 避雷器 パート 4: 交流システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• IEC 60099-4:2014 避雷器 パート 4: 交流システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• IEC 61643-331:2003 低電圧サージ保護装置で使用する部品パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の仕様
• IEC 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
• IEC 60099-4:2004/AMD2:2009 修正 2. サージアレスタ パート 4: AC システム用のギャップフリー金属酸化物サージアレスタ
• IEC 62848-1:2016 鉄道用直流避雷器および電圧制限装置 パート 1: ギャップフリー金属酸化物避雷器

KR-KS, 金属酸化物の擬似容量

• KS C IEC 60099-4-2021 避雷器 パート 4: AC システム用のギャップフリー金属酸化物避雷器
• KS C IEC 60099-4-2019 避雷器パート 4: ギャップフリーの金属酸化物避雷器システム
• KS C IEC 61643-331-A-2014 低電圧サージ保護コンポーネント パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の仕様
• KS C ISO TS 18827-2021 ナノテクノロジー - 金属酸化物ナノ材料によって生成される活性酸素種 (ROS) を測定する方法としての電子スピン共鳴 (ESR)

IT-UNI, 金属酸化物の擬似容量

• UNI 6404-1969 P 化学的および電気化学的表面処理。 金属析出物と酸化物層の局所的な厚さの測定は、UNI 4237 に代わるものです。 顕微鏡法

Standard Association of Australia （SAA）, 金属酸化物の擬似容量

• AS 1307.2:1996 避雷器 パート 2: AC システム用のスパークギャップフリーの金属酸化物避雷器
• AS 1307.2:1996(R2015) 避雷器 AC システム用ギャップレス金属酸化物避雷器

US-FCR, 金属酸化物の擬似容量

• FCR DOE-STD-3013-96-1996 長期保管のための金属プルトニウムおよび酸化物の調製および包装に関する規格

PL-PKN, 金属酸化物の擬似容量

• PN-EN ISO 1463-2021-10 E 金属および酸化物コーティングのコーティング厚さを顕微鏡で測定する方法 (ISO 1463:2021)

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, 金属酸化物の擬似容量

• NEMA C78.387-1987 電球の特性測定方法 メタルハライドランプ

Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 金属酸化物の擬似容量

• DB36/T 688-2012 イットリウムリッチ酸化物およびその金属の化学分析方法 誘導結合プラズマ発光分析による 15 種類の希土類元素酸化物の成分の定量

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 金属酸化物の擬似容量

• EN 131200:2002 サブ仕様: 金属化電極とポリプロピレン誘電体を備えた固定コンデンサ
• EN 60099-4:1993 避雷器 パート 4: 交流システム用のギャップレス金属酸化物避雷器
• EN 131201:2002 ブランク 詳細仕様: 金属化電極とポリプロピレン誘電体を備えた固定コンデンサ

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 金属酸化物の擬似容量

• EN 60099-4:2014 避雷器 パート 4: 交流システム用のギャップレス金属酸化物避雷器

AENOR, 金属酸化物の擬似容量

• UNE-EN 61643-331:2004 低電圧サージ保護部品パート 331: 金属酸化物バリスタ (MOV) の仕様
• UNE-EN ISO 1463:2005 金属および酸化物コーティングのコーティング厚さを顕微鏡で測定する方法 (ISO 1463:2003)

NL-NEN, 金属酸化物の擬似容量

• NEN 10099-4-1993 IEC 99-4-1991 避雷器。 パート 4: AC システム用のギャップ金属酸化物避雷器

Lithuanian Standards Office , 金属酸化物の擬似容量

• LST EN ISO 1463:2004 金属および酸化物コーティングのコーティング厚さを顕微鏡で測定する方法 (ISO 1463:2003)
• LST EN ISO 1463:2021 金属および酸化物コーティングのコーティング厚さを顕微鏡で測定する方法 (ISO 1463:2021)
• LST EN 60099-4-2004/A1-2006 避雷器パート 4: AC システム用ギャップフリー金属酸化物避雷器 (IEC 60099-4:2004/A1:2006)
• LST EN 60099-4-2004/A2-2009 避雷器パート 4: AC システム用ギャップフリー金属酸化物避雷器 (IEC 60099-4:2004/A2:2009)

AT-ON, 金属酸化物の擬似容量

• OENORM EN ISO 1463:2021 金属および酸化物コーティングのコーティング厚さを顕微鏡で測定する方法 (ISO 1463:2021)

CH-SNV, 金属酸化物の擬似容量

• SN EN ISO 1463:2021 金属および酸化物コーティングのコーティング厚さを顕微鏡で測定する方法 (ISO 1463:2021)
• VSM 34343-1974 最大 314 Var の DC 電圧および AC 電圧用の金属化紙コンデンサの仕様

CZ-CSN, 金属酸化物の擬似容量

• CSN 70 0641 Cast.3-1976 ガラスの化学分析。 アルカリ金属酸化物の測定。 炎光測光（合成溶液使用）

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 金属酸化物の擬似容量

• JEDEC JEP184-2021 パワーエレクトロニクス変換用炭化ケイ素金属酸化物半導体デバイスのバイアス温度不安定性を評価するためのガイドライン

NO-SN, 金属酸化物の擬似容量

• NS 1181-1979 断面の顕微鏡検査による金属および酸化皮膜の厚さ測定

RO-ASRO, 金属酸化物の擬似容量

• SR 7043/1-1993 非金属（有機）コーティング。 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化皮膜。 品質の技術要件

ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization, 金属酸化物の擬似容量

• PREN 3796-1997 航空宇宙シリーズの嫌気性高分子化合物の試験方法 金属表面における嫌気性高分子化合物の凝集能の測定（P1 バージョン）

SE-SIS, 金属酸化物の擬似容量

• SIS SMS 2953-1971 断面の顕微鏡観察による金属および酸化物の膜厚測定

その他：   金属酸化物ベースの擬似コンデンサ, 擬似容量性金属酸化物, 金属酸化物の擬似容量特性, 金属酸化物擬似コンデンサ, 金属酸化物擬似コンデンサ, 金属酸化物擬似コンデンサ, 金属酸化物の比静電容量, 金属酸化物の擬似容量.