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二次電子回折分析

二次電子回折分析は全部で 69 項標準に関連している。

二次電子回折分析 国際標準分類において、これらの分類:語彙、 分析化学、 光学機器、 光学および光学測定、 非鉄金属、 燃料、 石油製品総合、 セラミックス。


International Organization for Standardization (ISO), 二次電子回折分析

  • ISO/CD 23699 マイクロビーム解析—後方散乱電子回折—語彙
  • ISO/CD 25498:2023 マイクロビーム分析 分析電子顕微鏡法 透過型電子顕微鏡を使用した選択領域電子回折分析
  • ISO 25498:2010 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡を使用した選択領域の電子回折分析。
  • ISO 25498:2018 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡を使用した選択領域の電子回折分析。
  • ISO 13067:2011 マイクロビーム分析、後方散乱電子回折、平均粒径測定
  • ISO 23749:2022 マイクロビーム分析、後方散乱電子回折、鋼中のオーステナイトの定量
  • ISO 13067:2020 マイクロビーム分析 - 電子後方散乱回折 - 平均粒径の測定
  • ISO 24173:2009 マイクロビーム解析 後方散乱電子回折を使用した指向性測定ガイド
  • ISO/DIS 24173:2023 マイクロビーム解析 後方散乱電子回折を使用した配向測定ガイド
  • ISO 23703:2022 マイクロビーム解析電子後方散乱回折 (EBSD) を使用したオーステナイト系ステンレス鋼の機械的損傷評価のための方位解析ガイド
  • ISO 17109:2015 表面化学分析、深さプロファイリング、単層膜および多層膜を使用した、X 線光電子分光法、オージェ電子分光法、二次イオン質量分析法を使用したスパッタ深さプロファイリングにおけるスパッタリング率を決定する方法。
  • ISO 17109:2022 表面化学分析、深さプロファイリング、単層および多層膜を使用した X 線光電子分光法、オージェ電子分光法、および二次イオン質量分析法におけるスパッタリング率を決定する方法。
  • ISO 14701:2011 表面化学分析、X 線光電子分光法、二酸化ケイ素の厚さの測定。
  • ISO 22415:2019 表面化学分析、二次イオン質量分析、有機材料のアルゴンクラスタースパッタリング深さプロファイルによる収量体積の決定方法。

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 二次電子回折分析

  • GB/T 18907-2013 マイクロビーム解析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、選択電子回折分析法
  • GB/T 19501-2004 電子後方散乱回折分析法の一般原則
  • GB/T 19501-2013 マイクロビーム解析の一般原理 電子後方散乱回折解析法
  • GB/T 18907-2002 透過型電子顕微鏡による電子回折分析法を採用
  • GB/T 30703-2014 マイクロビーム解析ガイドライン 後方散乱電子回折方位解析手法
  • GB/T 38532-2020 マイクロビーム分析 電子後方散乱回折 平均粒径の決定

British Standards Institution (BSI), 二次電子回折分析

  • BS ISO 25498:2018 マイクロビーム分析 分析電子顕微鏡法 透過型電子顕微鏡を使用した選択領域電子回折分析
  • BS ISO 25498:2010 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡を使用した選択領域の電子回折分析。
  • BS ISO 13067:2011 マイクロビーム分析、反射電子回折、平均粒径測定
  • BS ISO 13067:2020 マイクロビーム解析 電子後方散乱回折 平均粒径の測定
  • BS ISO 23749:2022 マイクロビーム分析による鋼中のオーステナイトの定量的測定 後方散乱電子回折
  • BS ISO 24173:2009 マイクロビーム解析、後方散乱電子回折を使用した方位角測定の基準
  • 19/30365236 DC BS ISO 13067 マイクロビーム分析 後方散乱電子回折 平均粒径の測定
  • 21/30398224 DC BS ISO 23749 マイクロビーム分析による後方散乱電子回折による鋼中のオーステナイトの定量的測定
  • BS ISO 17109:2022 表面化学分析 深さプロファイリング 単層膜および多層膜の X 線光電子分光法、オージェ電子分光法、二次イオン質量分析法を使用したスパッタ深さ分析におけるスパッタリング率の決定方法...
  • 21/30433862 DC BS ISO 17109 AMD1 表面化学分析の深さプロファイリング X 線光電子分光法、オージェ電子分光法、単イオンおよび二次イオン質量分析法を使用したスパッタ深さ分析におけるスパッタリング率の決定方法...
  • 23/30435799 DC BS ISO 24173 マイクロビーム分析による後方散乱電子回折を使用した配向測定のガイド
  • BS ISO 17109:2015 表面化学分析、深さプロファイリング、単層膜および多層膜を使用した、X 線光電子分光法、オージェ電子分光法、二次イオン質量分析法を使用したスパッタ深さプロファイリングにおけるスパッタリング率を決定する方法。
  • BS ISO 23703:2022 マイクロビーム解析 電子後方散乱回折 (EBSD) によるオーステナイト系ステンレス鋼の機械的損傷を評価するための方向ずれ解析ガイド
  • BS ISO 22415:2019 表面化学分析 二次イオン質量分析分析 アルゴンクラスタースパッタリングにおける収量の決定方法 有機材料の深さプロファイリング
  • 21/30395106 DC BS ISO 23703 マイクロビーム解析電子後方散乱回折 (EBSD) によるオーステナイト系ステンレス鋼の機械的損傷の評価のための誤方位解析ガイド
  • BS ISO 14701:2011 表面化学分析、X線光電子分光法、シリカ厚さ測定
  • BS EN 16294:2012 誘導結合プラズマ発光分析法 (ICP OES) による石油製品および石油誘導体脂肪酸メチルエステル (FAME) 中のリン含有量の測定

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 二次電子回折分析

  • GB/T 41076-2021 マイクロビーム分析による鋼中のオーステナイトの定量分析電子後方散乱回折
  • GB/T 20724-2021 マイクロビーム分析 収束ビーム電子回折 薄い結晶の厚さの測定
  • GB/T 41064-2021 表面化学分析 深さ方向プロファイリング 単層膜および多層膜を使用した X 線光電子分光法、オージェ電子分光法および二次イオン質量分析法における深さ方向プロファイリングのスパッタリング率を決定する方法

Association Francaise de Normalisation, 二次電子回折分析

  • NF ISO 24173:2009 マイクロビーム解析 後方散乱電子回折方位測定ガイド
  • NF X21-014:2012 マイクロビーム分析、後方散乱電子回折、平均粒子径の測定
  • NF X21-011*NF ISO 24173:2009 マイクロビーム分析のための電子後方散乱回折方向測定のガイド

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 二次電子回折分析

  • GB/T 34172-2017 マイクロビーム解析 後方散乱電子回折 金属・合金の位相解析法

German Institute for Standardization, 二次電子回折分析

  • DIN ISO 13067:2021-08 マイクロビーム解析 電子後方散乱回折 平均粒径測定
  • DIN ISO 13067:2015 マイクロビーム分析、後方散乱電子回折、平均粒径測定 (ISO 13067-2011)
  • DIN ISO 24173:2013-04 マイクロビーム解析 後方散乱電子回折を使用した配向測定ガイド
  • DIN ISO 13067:2021 マイクロビーム解析 電子後方散乱回折 平均粒径の測定 (ISO 13067:2020)
  • DIN ISO 24173:2013 マイクロビーム分析、後方散乱電子回折を使用した指向性測定のガイドライン (ISO 24713-2009)

RU-GOST R, 二次電子回折分析

  • GOST R ISO 13067-2016 測定の一貫性を確保するための国家システム マイクロビーム分析 後方散乱電子回折 平均粒子径の測定

Professional Standard - Electron, 二次電子回折分析

  • SJ/T 10553-2021 電子セラミックス用二酸化ジルコニウム中の不純物の発光スペクトル分析方法
  • SJ/T 10552-2021 電子セラミックス用二酸化チタン中の不純物の発光スペクトル分析方法
  • SJ/T 10552-1994 電子セラミックス用二酸化チタン中の不純物の発光スペクトル分析方法
  • SJ/T 10553-1994 電子セラミックス用二酸化ジルコニウム中の不純物の発光スペクトル分析方法
  • SJ/T 10551-1994 電子セラミックス用酸化アルミニウム中の不純物の発光スペクトル分析法
  • SJ/T 10551-2021 電子セラミックス用酸化アルミニウム中の不純物の発光スペクトル分析法

工业和信息化部, 二次電子回折分析

  • YS/T 1342.4-2019 二次電池廃棄物の化学分析方法その4:リチウム含有量の定量フレーム原子吸光分析法
  • YS/T 1342.1-2019 二次電池廃棄物の化学分析方法 その1:ニッケル含有量の定量 ジアセチルオキシム重量法およびフレーム原子吸光分析法
  • YS/T 1342.3-2019 二次電池廃棄物の化学分析方法その3:電位差滴定とフレーム原子吸光分析によるマンガン含有量の測定
  • YS/T 1342.2-2019 二次電池廃棄物の化学分析方法その2:電位差滴定とフレーム原子吸光分析によるコバルト含有量の測定
  • YS/T 1200.2-2017 1,1'-ビスジフェニルホスフィンフェロセンパラジウムジクロリドの化学分析方法パート 2: 誘導結合プラズマ発光分光法による鉛、ニッケル、銅、カドミウム、クロム、白金、金、ロジウム、イリジウムの量の測定
  • YS/T 1395.2-2020 二塩化パラジウムの化学分析方法 - パート 2: 誘導結合プラズマ原子発光分析法による銀、金、白金、ロジウム、イリジウム、鉛、ニッケル、銅、鉄、錫、クロム含有量の測定

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 二次電子回折分析

  • YS/T 1046.6-2015 銅スラグ精鉱の化学分析方法 第 6 部:誘導結合プラズマ発光分析法による酸化アルミニウム含有量の測定
  • YS/T 715.2-2009 二酸化セレンの化学分析方法 パート 2: ヒ素、カドミウム、鉄、水銀、鉛の測定 誘導結合プラズマ原子発光分析法

Lithuanian Standards Office , 二次電子回折分析

  • LST EN 16294-2013 誘導結合プラズマ発光分析法 (ICP OES) による石油製品および石油誘導体脂肪酸メチルエステル (FAME) 中のリン含有量の測定

Danish Standards Foundation, 二次電子回折分析

  • DS/EN 16294:2013 誘導結合プラズマ発光分析法 (ICP OES) による石油製品および石油誘導体脂肪酸メチルエステル (FAME) 中のリン含有量の測定

AENOR, 二次電子回折分析

  • UNE-EN 16294:2013 誘導結合プラズマ発光分析法 (ICP OES) による石油製品および石油誘導体脂肪酸メチルエステル (FAME) 中のリン含有量の測定

Professional Standard - Commodity Inspection, 二次電子回折分析

  • SN/T 3322.2-2015 輸出入用チタン精鉱の化学分析方法 第 2 部:誘導結合プラズマ発光分析法による五酸化バナジウムおよび三酸化クロム含有量の測定

KR-KS, 二次電子回折分析

  • KS L 1671-2023 誘導結合プラズマ発光分析法による二酸化チタン粉末の化学分析方法




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