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粒の半分の高さ

粒の半分の高さは全部で 236 項標準に関連している。

粒の半分の高さ 国際標準分類において、これらの分類：鉄鋼製品、 原子力工学、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 総合電子部品、 半導体ディスクリートデバイス、 半導体材料、 導体材料、 金属材料試験、 コンデンサ、 化学製品、 セラミックス、 溶接、ロウ付け、低温溶接、 整流器、コンバータ、安定化電源、 電子機器用機械部品、 総合デジタル サービス網 (ISDN)、 環境試験、 電気および電子試験、 光ファイバー通信、 バルブ。

Group Standards of the People's Republic of China, 粒の半分の高さ

• T/SXJP 018-2023 細粒高強度熱間圧延リブ鋼棒
• T/IAWBS 017-2022 ダイヤモンド単結晶の半値幅の試験方法 X線二重結晶ロッキングカーブ
• T/IAWBS 015-2021 酸化ガリウム単結晶ウェーハのX線ツインロッキングカーブの半値幅の試験方法
• T/IAWBS 016-2022 炭化珪素単結晶ウェーハのX線ツインロッキングカーブの半値幅の試験方法
• T/ZZB 2283-2021 半導体グレード炭化ケイ素単結晶用超高純度黒鉛粉末
• T/CSTM 00799-2023 鋼の粒径を測定するための高温レーザー共焦点顕微鏡法

Professional Standard - Aviation, 粒の半分の高さ

• HB 20057-2011 鋳造高温合金の粒度評価方法

Professional Standard - Building Materials, 粒の半分の高さ

• JC/T 2018-2010 高エネルギー粒子検出用のタリウムドープヨウ化セシウム結晶

International Electrotechnical Commission (IEC), 粒の半分の高さ

• IEC 62435-5:2017 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 5: ダイおよびウェーハ装置
• IEC 60747-7-4:1991 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第 7 部: バイポーラ トランジスタ セクション 4: 高周波増幅器の筐体 定格バイポーラ トランジスタ ブランク 詳細仕様
• IEC 60747-7-1:1989 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第 7 部: バイポーラ トランジスタ セクション 1: 低周波および高周波増幅環境 定格バイポーラ トランジスタ ブランク 詳細仕様

British Standards Institution (BSI), 粒の半分の高さ

• BS EN 62435-5:2017 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 5: ダイおよびウェーハ装置
• BS EN 10222-4:2017 圧力容器用鍛造鋼、高い許容強度を備えた溶接可能な細粒鋼
• BS EN 10222-4:1999 圧力容器用鍛造鋼、高い許容強度を備えた溶接可能な細粒鋼
• BS EN 10222-4:2017+A1:2021 圧力容器用鍛造鋼、高い許容強度を備えた溶接可能な細粒鋼
• 19/30396207 DC BS EN 10222-4 AMD1 圧力目的の鍛造鋼パート 4: 高い強度が保証された溶接可能な細粒鋼
• BS EN 10217-3:2019 圧力用途用溶接鋼管の技術納入条件 指定された室温、高温、低温特性を備えた電気溶接およびサブマージアーク溶接された合金細粒鋼管

Defense Logistics Agency, 粒の半分の高さ

• DLA DSCC-DWG-04029-2005 2N5927 ハイパワーシリコン NPN トランジスタ半導体デバイス
• DLA DSCC-DWG-04030-2005 2N5926 ハイパワーシリコン NPN トランジスタ半導体デバイス
• DLA MIL-PRF-19500/27 E NOTICE 2-1999 2N384型高周波ゲルマニウムPNPトランジスタ半導体装置
• DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、ゲルマニウム、高周波、25 mW、タイプ JAN-2N128
• DLA MIL-PRF-19500/370 G-2008 ハイパワー半導体デバイス、PNP シリコン トランジスタ、モデル 2N3442、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/622 C-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワータイプ 2N7368 JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-S-19500/208 B VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高出力、タイプ 2N1487、22N1488、2N1489 および 2N1490
• DLA MIL-S-19500/217 B VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、ゲルマニウム、高出力タイプ 2N456B、2N457B、2N458B、2N1021A、2N1022A
• DLA MIL-PRF-19500/622 D-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワータイプ 2N7368 JAN、JANTX、JANTXV、JANS
• DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 2-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高周波タイプ 2N6603、2N6604 JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/384 F VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコンハイパワー、タイプ 2N3584、2N3585、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/384 G-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコンハイパワー、タイプ 2N3584、2N3585、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/262 G-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワータイプ 2N1722、2N1724、JAN、JANTX
• DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 3-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高周波タイプ 2N6603、2N6604 JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/413 F-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N3771 および 2N3772、JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/415 A VALID NOTICE 1-2008 半導体、デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高出力タイプ 2N2812 および 2N2814 JAN、JANTX および JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/488 E VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N5671 および 2N5672、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
• DLA MIL-PRF-19500/408 J-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N3715 および 2N3716、JAN、JANTX、JANTXV および JANS
• DLA MIL-PRF-19500/488 E-2008 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N5671 および 2N5672、JAN、JANTX、JANTXV および JANS
• DLA MIL-S-19500/341 B VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高周波、電源タイプ 2N3375、2N3553、2N4440 JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-S-19500/341B-1968 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高周波、電源タイプ 2N3375、2N3553、2N4440 JAN、JANTX、JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/398 J-2010 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高周波、タイプ 2N3866、2N3866A、2N3866UB、2N3866AUB、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/439 G-2012 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N5038 および 2N5039、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/461 F-2008 半導体デバイス、トランジスタ、PNP、シリコン、ハイパワー、タイプ 2N6211、2N6212、2N6213、2N6213A、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
• DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 ラッチおよびトランジスタ-トランジスタ論理回路互換入力、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリス
• DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 半導体デバイス、N チャネル高電圧電界効果シリコン トランジスタ、モデル 2N7387 および 2N7387U1、JAN、JANTX、JANTXV および JANS
• DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換、1-to-8デコーダ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 シリコンモノリシックシフトレジスタ、相補型金属酸化物半導体、高度なショットキートランジスタ-トランジスタ論理回路、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 シリコンモノリシック自動記録装置、相補型金属酸化物半導体、高度なショットキートランジスタ-トランジスタ論理回路、デジタル超小型回路
• DLA MIL-PRF-19500/652 C-2013 半導体デバイス、トランジスタ、高電圧、電界効果、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7387 および 2N7387U1、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
• DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 シリコンモノリシックバイナリカウンタ、相補型金属酸化膜半導体、高度なショットキートランジスタ-トランジスタ論理回路、デジタルマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半導体デバイス、N チャネル トランジスタ電界効果放射線耐性 (総線量および単一事象効果)、シリコン モデル 2N7405、2N7406、2N7407 および 2N7408、JANSD および JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半導体デバイス、N チャネル トランジスタ電界効果放射線耐性 (総線量および単一事象効果)、シリコン モデル 2N7488T3、2N7489T3 および 2N7490T3、JANTXVR および JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングル イベント効果) トランジスタ、P チャネル シリコン タイプ 2N7438 および 2N7439 JANSD および JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングル イベント効果) トランジスタ、N チャネル、シリコン タイプ 2N7497T2、2N7498T2 および 2N7499T2、JANTXVR および JANSR
• DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 シリコンモノリシック正方形 2 入力およびトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力ゲート、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/453 F-2011 半導体デバイス、トランジスタ、NPN、シリコン、高周波タイプ 2N5109、2N5109UB、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC JANSM、JANSD、JANSP、JANSL、JANSR、JANSF、JANSG、JANSH
• DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、デュアル4入力マルチプレクサ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 シリコンモノリシック入力互換の 3 ～ 8 アレイデコーダ、トランジスタトランジスタロジック、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 シリコンモノリシックストリップトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力スクエア 2 入力 NAND ゲート、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86852 REV A-2003 シリコンモノリシック正方形デュアル入力またはトランジスタトランジスタ論理回路デジタル入力ゲート、デジタルマイクロ回路を備えた高速相補型金属酸化膜半導体
• DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、8進数の見やすいストップピン、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、オクタルシュミットトリガー高速相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、クワッドカラム2ゲート自動レコーダー、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、20進リップルカウンター、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高電圧金属酸化物半導体電界効果トランジスタオペアンプシリコンモノリシック回路線形超小型回路
• DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 2N7467U2、JANTXVR、F、GおよびHおよびJANSR、F、GおよびHタイプの放射線耐性Nチャネル電界効果トランジスタ（総線量およびシングルイベント効果）半導体デバイス
• DLA MIL-PRF-19500/747-2008 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングルイベント効果) トランジスタ、N チャネル、シリコン、モデル 2N7504T2、JANTXVR、JANTXVF、JANTXVG、JANTXVH、JANSF、JANSG、JANSR および JANSH
• DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングル イベント効果) トランジスタ、N チャネル シリコン タイプ 2N7512、2N7513 および 2N7514 JANTXVD、R および JANSD、R
• DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングル イベント効果) トランジスタ、N チャネル シリコン、タイプ 2N7509、2N7510 および 2N7511、JANTXVD、R および JANSD、R
• DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路互換入力、トライステート出力オクタルバッファ付き 高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果、耐放射線性（総線量およびシングルイベント効果） トランジスタダイ、NチャネルおよびPチャネル、シリコン、各種タイプ、JANHCおよびJANKC
• DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、デュアル 4-to-1 デコーダまたはデマルチプレクサ、高度な相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路 トライステート出力と互換性のある入力 オクタル透明ストップピン、高度な相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91732-1993 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換、3～8ラインデコーダまたは光デマルチプレクサ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 シリコンモノリシックオクタルレシーバー、トランジスタートランジスタ論理回路互換入力およびトライステート出力、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を備えています。
• DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力付き 16 ビットバスドライバ、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力付き 16 ビットバスドライバ、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力付き 16 ビットバスレシーバー、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路と互換性のある入力、トライステート出力を備えたオクタルレシーバー、高度なバイポーラ相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路互換入力、トライステート出力付きオクタルバスレシーバー、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、クワッドカラム 2 入力非反転マルチプレクサ、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、クワッドカラム 2 入力非反転マルチプレクサ、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体クワッド2入力トランジスタ互換シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-04228-2004 シリコンモノリシック相補型トランジスタ-トランジスタ論理回路、プリセットおよびパルスタイマーを備えた高度な酸化物半導体デジタルマイクロ回路、双方向バイナリ計算機
• DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路と互換性のある入力、トライステート出力を備えた16ビットDバスレシーバー、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路互換入力、トライステート出力オクタルバッファまたは行ドライブライン付き、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、デュアル 2 ビット双安定、容易に確認できるストップピン、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/739-2006 電界効果放射線耐性半導体デバイス (総線量およびシングル イベント効果)、N チャネルおよび P チャネル シリコン クワッド トランジスタ、タイプ 2N7518 および 2N7518U、JANTXVR, F および JANSR, F
• DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングル イベント効果) トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7494U5、2N7495U5 および 2N7496U5、JANTXVR、F、G および H、および JANSR、F、G および H
• DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化膜半導体トリプル 3 入力、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体六角形インバータトランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体トリプル 3 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体 8入力および非トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化膜半導体クワッド 2 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、デュアル 4 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体トリプル 3 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体デュアル 4 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路互換入力、クリアオクタルDタイプ双安定マルチバイブレータフリップフロップ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、同期リセット可能、4ビットリセット可能バイナリカウンター、高度な相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路と互換性のある入力、トライステート出力を備えた16ビットDタイプエッジトリガーバッファ、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力付き9ビットDバッファ、ポジティブエッジトリガ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力付き9ビットDバッファ、ポジティブエッジトリガ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路と互換性のある入力、トライステート出力を備えた反転オクタル行ドライブラインまたはバッファ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック互換入力、非同期リセット、4ビットリセット可能バイナリカウンター、高度な相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路互換入力、トライステート出力付きオクタル双安定マルチバイブレータフリップフロップ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路互換入力、トライステート入力非反転ヘックスバッファまたは行ドライブライン付き、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 相補型金属酸化物半導体構造で構成される高度なバイポーラデジタルシングルシリコンマイクロ回路、トライステート出力を備えた18ビットバストランシーバー、トランジスタ-トランジスタロジック互換入力を使用
• DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体クワッド4入力および非トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、デュアルリップルカウンター、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化膜半導体、4連2入力専用トランジスタ対応入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 高速放射 ハード相補型金属酸化物半導体 4ビット数量コンパレータ トランジスタ互換入力 シリコンモノリシック回路 リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、4 ビット バイナリ全加算器、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力、同期リセット付き 8 ビット診断オートレコーダー、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 トライステート出力とトランジスタ・トランジスタ・ロジック互換入力を備えたシリコン・モノリシック・オクタルDタイプ双安定マルチバイブレータ・トリガー回路、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、マスターリセットオクタル D タイプ双安定マルチバイブレータトリガー回路、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路付き
• DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路互換入力、セットおよびリセット付きデュアル JK 双安定マルチバイブレータトリガー回路、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタ-トランジスタ論理回路互換入力、プリセット可能な同期4ビットバイナリアップまたはダウンカウンタ、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 シリコン モノリス トライステート出力およびトランジスタ - トランジスタ ロジック互換入力を備えたデュアル 1-to-4 データ コレクタおよびマルチプレクサ、高度な相補型金属酸化物半導体、デジタル マイクロ回路
• DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 シリコンモノリシックトランジスタ-トランジスタ論理回路互換入力、プリセットおよびクリアなデュアルDタイプ双安定マルチバイブレータフリップフロップ、高度な相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 デジタル反射型高速相補型金属酸化物半導体、4 入力 2 入力、非トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体 4 ビット バイナリ リップル タイマー、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化膜半導体、10～4行プライオリティエンコーダ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ライン型マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、デュアル 4 ステップ バイナリカウンタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化膜半導体、デュアル 4 入力マルチプレクサ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速耐放射線性相補型金属酸化膜半導体、クワッド 2 入力マルチプレクサ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、4 ビット バイナリ同期カウンタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 高速放射線耐性相補型金属酸化膜半導体、非反転八角形バスレシーバー、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 高速耐放射線相補型金属酸化物半導体、同期4ビットバイナリアップ/ダウンカウンタ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92272 REV D-2008 高度なバイポーラデジタルシングルシリコンマイクロ回路は、高速相補型金属酸化物半導体構造で構成され、直列抵抗を備えた16ビットトライステート出力トランシーバーを備え、トランジスタートランジスタロジック互換の入力と制限された電圧スイング出力を使用します。
• DLA SMD-5962-86856 REV A-2003 シリコン モノリス オクタル D ストップ ピン 高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路、トライステート出力と端子スイッチ トランジスタ - トランジスタ論理回路、閉ループの認定とレポート互換入力

PL-PKN, 粒の半分の高さ

• PN C89425-1992 プラスチック。 半結晶性ポリマーの融解温度の測定
• PN T01207-01-1992 半導体デバイス。 ディスクリート デバイス、バイポーラ トランジスタ 低周波および高周波アンプ ボックス 環境定格バイポーラ トランジスタ ブランク詳細仕様

BE-NBN, 粒の半分の高さ

• NBN A 23-114-1983 磁性冷間圧延非方向性合金鋼帯、半製品として納品

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 粒の半分の高さ

• GB/T 14999.7-2010 高温合金鋳物の粒径、一次デンドライト間隔、および微細気孔率を決定する方法
• GB/T 32188-2015 窒化ガリウム単結晶基板のＸ線双結晶ロッキングカーブの半値幅の試験方法
• GB/T 14999.6-2010 鍛造高温合金の二結晶粒組織と一次炭化物分布の決定方法
• GB/T 14999.4-2012 超合金の試験方法 パート 4: 圧延超合金ストリップの粒子構造と一次炭化物分布の測定
• GB/T 7576-1998 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 7; バイポーラ トランジスタ パート 4 高周波アンプ ケース定格バイポーラ トランジスタ ブランク 詳細仕様
• GB/T 6217-1998 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 7、バイポーラ トランジスタ パート 1 ブランク 高および低周波増幅環境向けに定格されたバイポーラ トランジスタの詳細仕様

Association Francaise de Normalisation, 粒の半分の高さ

• NF A04-503:1988 アルミニウム、銅、ニッケルおよびそれらの合金の半製品 結晶粒度の測定 アルミニウムおよびアルミニウム合金
• NF A04-505:1988 アルミニウム、銅、ニッケルおよびそれらの合金の半製品 結晶粒度の測定 ニッケルおよびニッケル合金
• NF A36-620-4/A1:2002 圧力鍛造品その4：高強度溶接性細粒鋼
• NF B41-204-1*NF EN ISO 13383-1:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 微細組織特性 その1 粒度および粒度分布の求め方
• NF A36-620-4*NF EN 10222-4+A1:2021 圧力用途向け鍛造品 その4：高い強度を保証する溶接可能な細粒鋼
• NF A36-620-4/IN1*NF EN 10222-4/IN1:2021 圧力用途向け鍛造品 その4：高い強度を保証する溶接可能な細粒鋼
• NF EN 10222-4+A1:2021 圧力用途向け鍛造品 第 4 部：高降伏強度を備えた溶接可能な細粒鋼
• NF EN 10222-4/IN1:2021 圧力用途向け鍛造品 第 4 部：高降伏強度を備えた溶接可能な細粒鋼

Professional Standard - Electron, 粒の半分の高さ

• SJ/T 10557.2-1994 高圧電解コンデンサ用アルミ箔の粒状組織の測定方法
• SJ 50033/1-1994 半導体ディスクリートデバイス 高周波パワートランジスタ タイプ3DA150の詳細仕様
• SJ 50033/103-1996 半導体ディスクリートデバイス 高周波パワートランジスタ タイプ3DA89の詳細仕様
• SJ 50033/61-1995 半導体ディスクリートデバイス 高電圧パワースイッチングトランジスタタイプ 3DK6547 の詳細仕様
• SJ 50033/62-1995 半導体ディスクリートデバイス 高電圧パワースイッチングトランジスタ タイプ3DK406の詳細仕様
• SJ 50033/159-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DG142シリコン超高周波低雑音トランジスタ 詳細仕様
• SJ 20059-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DG111タイプ NPNシリコン高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 20060-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DG120タイプ NPNシリコン高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/160-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DG122 シリコン超高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/158-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DG44シリコン超高周波低雑音トランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/154-2002 半導体ディスクリートデバイス 3DG251シリコン超高周波低雑音トランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/75-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DG135 シリコン超高周波低電力トランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/67-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DD103 高電圧、低周波、高出力トランジスタの詳細仕様
• SJ/T 11848-2022 半導体ディスクリートデバイス 3DG2484タイプ NPNシリコン高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 20175-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DG918タイプ NPNシリコン超高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 11849-2022 半導体ディスクリートデバイス 3DG3500、3DG3501タイプ NPNシリコン高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 50033/95-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DG144タイプ NPNシリコン高周波・低ノイズ・低電力トランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/94-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DG143タイプ NPNシリコン高周波・低ノイズ・低電力トランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/93-1995 半導体ディスクリートデバイス 3DG142タイプ NPNシリコン高周波・低ノイズ・低電力トランジスタの詳細仕様
• SJ 20062-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DG210タイプNPNシリコン超高周波低雑音差動ペアトランジスタ 詳細仕様
• SJ 20176-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DG3439タイプ、3DG3440タイプ NPNシリコン低消費電力高耐圧トランジスタの詳細仕様
• SJ 20015-1992 半導体ディスクリートデバイス GP、GT、GCT グレード 3DG130 タイプ NPN シリコン高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ 20063-1992 半導体ディスクリートデバイス 3DG213タイプNPNシリコン超高周波低ノイズデュアル差動ペアトランジスタ 詳細仕様
• SJ 20016-1992 半導体ディスクリートデバイス GP、GT、GCT グレード 3DG182 タイプ NPN シリコン低消費電力高耐圧トランジスタ 詳細仕様

Danish Standards Foundation, 粒の半分の高さ

• DS/EN 10222-4:2021 圧力鍛造品その4：高降伏強度の溶接可能な細粒鋼
• DS/EN 10222-4+A1:2002 圧力用途向け鍛造品 第 4 部：高降伏強度を備えた溶接可能な細粒鋼
• DS/IEC 747-7-4:1993 半導体デバイス。 個別のデバイス。 パート 7: バイポーラ トランジスタ。 セクション 4: 高周波増幅器ケース定格バイポーラ トランジスタの空白の詳細仕様
• DS/IEC 747-7-1:1990 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 7: バイポーラトランジスタ、セクション 1: 低周波および高周波増幅用の環境定格トランジスタの詳細仕様は空白です。
• DS/EN 623-3:2001 アドバンストテクニカルセラミックス モノリシックセラミックスの一般特性と構造特性 パート 3: 粒子サイズとサイズ分布の決定 (線形切片法による特性評価)

International Organization for Standardization (ISO), 粒の半分の高さ

• ISO 13383-1:2012 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 微細組織特性 その1 粒度および粒度分布の求め方
• ISO 24369:2005 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス） 湿式ふるい分け法によるセラミックス粉末の粗粒子含有量の測定

工业和信息化部, 粒の半分の高さ

• SJ/T 1486-2016 半導体ディスクリートデバイス 3CG180型シリコンPNP高周波高耐圧低電力トランジスタ詳細仕様
• SJ/T 1480-2016 半導体ディスクリートデバイス 3CG130型シリコンPNP高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1472-2016 半導体ディスクリートデバイス 3CG110型シリコンPNP高周波低電力トランジスタ 詳細仕様
• SJ/T 1477-2016 半導体ディスクリートデバイス 3CG120型シリコンPNP高周波低電力トランジスタ 詳細仕様

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 粒の半分の高さ

• GJB 33/001-1989 半導体ディスクリートデバイス用高周波低電力トランジスタの空白の詳細仕様
• GJB 33/14A-2021 半導体ディスクリートデバイス 3DG44型シリコン超高周波低雑音トランジスタ 詳細仕様
• GJB 33A/14-2003 半導体ディスクリートデバイス 3DG44型シリコン超高周波低雑音トランジスタ 詳細仕様

Association of German Mechanical Engineers, 粒の半分の高さ

• DVS 1702-1999 高強度溶接性細粒構造用鋼の溶接継手の鋼構造加工試験
• DVS 1702-1998 高強度溶接可能な細粒構造用鋼の溶接継手の鋼構造溶接プロセス試験
• DVS 1702-1981 高強度溶接可能な細粒構造用鋼StE460およびStE690の溶接継手の鋼構造溶接プロセス試験

Professional Standard - Aerospace, 粒の半分の高さ

• QJ 10007/11-2008 航空宇宙用半導体ディスクリートデバイスの詳細仕様 3DG182 シリコン高周波低電力高バック電圧トランジスタ
• QJ 10007/10-2008 航空宇宙用半導体ディスクリートデバイス 3DG122 および 3DG130 シリコン高周波低電力トランジスタの詳細仕様
• QJ 10007/5-2008 航空宇宙用半導体ディスクリートデバイス 3CG110 および 3CG130 シリコン高周波低電力トランジスタの詳細仕様
• QJ 10007/9-2008 航空宇宙用半導体ディスクリートデバイス 3DG100、3DG101、3DG111、および 3DG112 シリコン高周波低電力トランジスタの詳細仕様

German Institute for Standardization, 粒の半分の高さ

• DIN EN 10222-4:2001 圧力容器用鍛造鋼 その4：高弾性限界強度溶接可能細粒鋼
• DIN EN 10222-4/A1:2019 圧力用途向け鍛造品 第 4 部：高降伏強度を備えた溶接可能な細粒鋼
• DIN EN ISO 13383-1:2016 ファインセラミックス (アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス) 微細構造特性 パート 1: 粒子サイズおよび粒度分布の決定 (ISO 13383-1-2012) ドイツ語版 EN ISO 13383-1-2016
• DIN EN 10222-4:2017 圧力用途向けの鍛造鋼パート 4: 高い弾性限界強度を備えた溶接可能な細粒鋼、ドイツ版 EN 10222-4-2017
• DIN 2302:2018-03 溶接消耗品 湿潤および高圧環境での非合金鋼および細粒鋼の手動金属アーク溶接用の被覆電極の分類

European Committee for Standardization (CEN), 粒の半分の高さ

• EN 10222-4:1998 圧力容器用鍛造鋼 その4: 高い弾性限界強度を備えた溶接可能な細粒鋼

Lithuanian Standards Office , 粒の半分の高さ

• LST EN 10222-4-2000 圧力用途向け鍛造品 第 4 部：高降伏強度を備えた溶接可能な細粒鋼
• LST EN 10222-4-2000/A1-2003 圧力用途向け鍛造品 第 4 部：高降伏強度を備えた溶接可能な細粒鋼
• LST EN 10222-4+A1-2021 圧力用途向け鍛造品 第 4 部：高降伏強度を備えた溶接可能な細粒鋼
• LST EN 623-3-2002 アドバンストテクニカルセラミックス モノリシックセラミックスの一般特性と構造特性 パート 3: 粒子サイズとサイズ分布の決定 (線形切片法による特性評価)

IT-UNI, 粒の半分の高さ

• UNI EN 10222-4-2021 圧力用途向け鍛造品 第 4 部：高降伏強度を備えた溶接可能な細粒鋼

AENOR, 粒の半分の高さ

• UNE-EN 10222-4:2017 圧力用途向け鍛造品 第 4 部：高降伏強度を備えた溶接可能な細粒鋼

ES-UNE, 粒の半分の高さ

• UNE-EN 10222-4:2017+A1:2022 圧力用途向け鍛造品 その4：高い強度を保証した溶接可能な細粒鋼

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 粒の半分の高さ

• KS C IEC 60747-7-4:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 7: バイポーラトランジスタ、セクション 4: 高周波増幅バイポーラトランジスタの詳細仕様は空白。
• KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 7: バイポーラ トランジスタ セクション 4: 高周波増幅用のケース定格バイポーラ トランジスタに関する空白の詳細仕様
• KS C IEC 60747-7-4-2006(2016) 半導体デバイスディスクリート パート 7: バイポーラ トランジスタ セクション 4: 高周波増幅用のケース定格バイポーラ トランジスタに関する空白の詳細仕様
• KS C IEC 60747-7-1:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 7: バイポーラトランジスタ、セクション 1: 低周波および高周波増幅用の環境定格トランジスタの詳細仕様は空白です。
• KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 7: バイポーラ トランジスタ セクション 1: 低周波および高周波増幅用の環境定格バイポーラ トランジスタに関する空白の詳細仕様
• KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 7: バイポーラ トランジスタ セクション 1: 低周波および高周波増幅用の環境定格バイポーラ トランジスタに関する空白の詳細仕様
• KS C IEC 61788-9-2016(2021) 超電導その9：バルク高温超電導体の測定 大粒酸化物超電導体のトラップ磁束密度
• KS D ISO 9327-4-2003(2008) 耐圧鍛造品および圧延または鍛造棒鋼の技術納入条件 パート 4: 高強度溶接可能な細粒鋼
• KS C IEC 61788-9:2016 超電導 - 第9回：高温超電導バルク用大粒酸化物超電導体内の捕捉磁束密度の測定 -
• KS D ISO 9328-4-2003(2013) 圧力目的の鋼板および鋼帯の技術納品条件 パート 4: 焼きならしまたは焼き入れおよび焼き戻し条件で提供される、高応力保証溶接可能な細粒鋼

AT-ON, 粒の半分の高さ

• ONORM M 7824-1986 高張力細粒鋼重ね溶接棒です。 被覆電極の基本タイプ。 分類、名称、技術仕様

CEN - European Committee for Standardization, 粒の半分の高さ

• DD ENV 623-3-1993 アドバンストテクニカルセラミックス モノリシックセラミックスの一般的および構造的特性 パート 3: 粒子サイズの決定
• EN 623-3:2001 アドバンストテクニカルセラミックス モノリシックセラミックスの一般特性と構造特性 パート 3: 粒子サイズとサイズ分布の決定 (線形切片法による特性評価)

U.S. Military Regulations and Norms, 粒の半分の高さ

• ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 水晶発振器 (XO): 1.0 MHz ～ 85 MHz の方形波範囲の高速相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 密閉型水晶制御発振器
• ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 水晶発振器 (XO): 1.544 Hz ～ 125 MHz の方形波範囲を持つ高度な相補型金属酸化物半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 の密閉型水晶制御発振器
• ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 水晶発振器 (XO): 0.75 Hz ～ 200 MHz の方形波範囲を持つ高度な相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 の密閉型水晶制御発振器
• ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 水晶発振器 (XO): 500 kHz ～ 85 MHz の方形波範囲を持つ高度な相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 の密閉型水晶制御発振器

CZ-CSN, 粒の半分の高さ

• CSN 35 8745-1973 半導体装置。 トランジスタ。 高周波における開放逆電圧伝達率と時間係数の測定

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 粒の半分の高さ

• GB/T 30537-2014 超電導バルク高温超電導体の測定 大粒酸化物超電導体の捕捉磁束密度

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 粒の半分の高さ

• CNS 5545-1988 半導体デバイス単体の環境検査方法と耐久性検査方法 – トランジスタの高温逆バイアス試験
• CNS 5546-1988 半導体デバイス単体の環境検査方法と耐久性検査方法 – 電界効果トランジスタの高温逆バイアス試験

TH-TISI, 粒の半分の高さ

• TIS 1868-1999 半導体デバイス - ディスクリートデバイス パート 7: バイポーラ トランジスタ セクション 4: 高周波増幅用のケース定格バイポーラ トランジスタに関する空白の詳細仕様
• TIS 1974-2000 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 6: サイリスタ セクション 2: 双方向三極サイリスタ (トライアック) の詳細仕様は空白、環境定格または筐体定格、最大 100 A
• TIS 1865-1999 半導体デバイスディスクリート パート 7: バイポーラ トランジスタ セクション 1: 低周波および高周波増幅用の環境定格バイポーラ トランジスタに関する空白の詳細仕様
• TIS 1973-2000 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 6: サイリスタ セクション 1: 逆阻止トランジスタ ブランク サイリスタの詳細仕様、環境および筐体定格、最大 100 A

KR-KS, 粒の半分の高さ

• KS C IEC 61788-9-2016 超電導 - 第9回：高温超電導バルク用大粒酸化物超電導体内の捕捉磁束密度の測定 -

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 粒の半分の高さ

• QC 750107-1991 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第 7 部: バイポーラトランジスタ セクション 4 高周波増幅用ケース定格トランジスタの空白詳細仕様 (IEC 747-7-4 ED 1)
• QC 750112-1987 半導体デバイスディスクリートパート 8: 電界効果トランジスタパート 1 最大 5W および 1 GHz のシングルゲート電界効果トランジスタのブランク詳細仕様 (IEC 747-8-1 ED 1)
• QC 750111-1991 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 6: サイリスタ パート 2 トライアック サイリスタ (トライアック) ブランク 詳細仕様 環境またはエンクロージャ定格最大 100A (IEC 747-6-2 ED 1)
• QC 750110-1989 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 6: サイリスタ パート 1 逆阻止三極管 サイリスタ ブランク 詳細仕様 環境定格および筐体定格 最大 100A (IEC 747-6-1 ED 1)
• QC 750102-1989 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 7: バイポーラトランジスタ パート 1 低周波および高周波増幅用の環境定格バイポーラトランジスタの空白の詳細仕様 (IEC 747-7-1 ED 1)

(U.S.) Ford Automotive Standards, 粒の半分の高さ

• FORD WSS-M2A177-A2-2014 アルミニウム合金、押出成形、熱処理可能、シームレス、高強度、制御された粒度 ***FORD WSS-M99P1111-A との使用*** (FORD WSS-M2A177-A1 に表示)
• FORD WSS-M2A177-A2-2012 アルミニウム合金、押出成形、熱処理可能、シームレス、高強度、制御された粒度 ***Ford WSS-M99P1111-A で使用*** Ford WSS-M2A177-A1 で表示

その他：   最大の半分, カーブの半分の高さ, 半分の高さの領域, ハーフハイト結晶化, スペクトル半値高さ, 半高波, 半分の高さが必要です, UVハーフハイト, 軽い半分の高さ, ハーフハイトレッド, ハーフハイトの定義, 半角+, クリスタルの半分の高さ, 半分の高さの曲線, 幅と高さの半分, ハーフハイトソフト, 光源の半分の高さ, 粒の半分の高さ, 穀物と半穀物, ハーフピークグレイン.