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半導体酸素含有量

半導体酸素含有量は全部で 500 項標準に関連している。

半導体酸素含有量 国際標準分類において、これらの分類：半導体材料、 半導体ディスクリートデバイス、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 非金属鉱物、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 総合電子部品、 原子力工学、 化学製品、 情報技術の応用、 電気および電子試験、 バルブ、 断熱材、 整流器、コンバータ、安定化電源、 石炭、 電気、磁気、電気および磁気測定、 導体材料、 金属材料試験、 光学および光学測定、 空気の質、 分析化学、 燃料、 採掘と発掘、 電気通信端末装置、 放射線測定、 光ファイバー通信、 無機化学、 合金鉄、 絶縁流体、 航空宇宙製造用の材料、 防爆、 電子機器用機械部品、 繊維製品、 構造と構造要素。


HU-MSZT, 半導体酸素含有量

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 半導体酸素含有量

  • EN 62417:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET)
  • EN IEC 62969-3:2018 半導体デバイス 車載半導体インターフェイス パート 3: 車載センサー向けの衝撃駆動型圧電エナジーハーベスティング
  • EN 60749-7:2011 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: その他の残留ガスの分析および内部水分含有量の測定。
  • EN 61788-9:2005 超電導 パート 9: 高温超電導体のバッチの測定 大粒酸化物超電導体のノッチ磁束密度。
  • EN 62373:2006 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験 IEC 62373:2006
  • EN 60747-5-3:2001 個別半導体デバイスおよび集積回路、パート 5-3: 光電子機器、測定方法、修正 A1-2002 を含む

RU-GOST R, 半導体酸素含有量

  • GOST 26239.7-1984 半導体シリコン、酸素、炭素、窒素の測定
  • GOST 7619.5-1981 蛍石、三二酸化物含有量の測定
  • GOST R 50471-1993 半導体発光素子の半値角の測定方法
  • GOST 18986.10-1974 半導体ダイオード、インダクタンスの測定方法
  • GOST 18986.12-1974 トンネル型半導体ダイオード 過渡負性アドミッタンスの測定方法
  • GOST 18986.11-1984 半導体ダイオード、損失抵抗の測定方法
  • GOST 18986.15-1975 半導体ボルテージレギュレータ 安定した電圧測定方法
  • GOST 18986.24-1983 半導体ダイオードの耐圧測定方法
  • GOST 24461-1980 パワー半導体デバイスの測定および試験方法
  • GOST 2408.3-1995 固体鉱物燃料 - 酸素含有量の測定
  • GOST 19834.0-1975 半導体ラジエーター - パラメーター測定の一般要件
  • GOST 18986.23-1980 半導体ボルテージレギュレータ ノイズスペクトル密度測定法
  • GOST 26222-1986 電離放射線半導体検出器 パラメータ測定方法
  • GOST R IEC 748-11-1-2001 半導体デバイス集積回路 第 11 部: 第 1 節: ハイブリッド回路を含まない半導体デバイス集積回路の内部外観検査
  • GOST 18986.14-1985 半導体ダイオード、微分抵抗および動的抵抗の測定方法
  • GOST 18986.22-1978 半導体電圧調整管と電圧制限管の微分抵抗測定法
  • GOST 19656.5-1974 超高周波混合半導体ダイオード 雑音比測定方法
  • GOST 19834.4-1979 赤外線放射半導体ダイオード 放射パワー測定方法
  • GOST 18986.8-1973 半導体ダイオード 逆抵抗回復時間の測定方法
  • GOST 19656.0-1974 超高周波半導体ダイオード、電気パラメータ測定法、一般原理
  • GOST 18986.17-1973 半導体ボルテージレギュレータ 安定電圧の温度係数の測定方法
  • GOST 19834.2-1974 半導体放射器 - 放射強度と高エネルギー輝度の測定方法
  • GOST 19656.4-1974 超高周波混合半導体ダイオード 周波数変換損失の測定方法

Defense Logistics Agency, 半導体酸素含有量

  • DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 耐放射線性相補型金属酸化物半導体トランジスタ対相補型金属酸化物半導体、または相補型金属酸化物半導体対相補型金属酸化物半導体電圧変換機構、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 シリコンモノリシックコンパレータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94532-1994 64 ビット マイクロプロセッサ、酸化物半導体マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 シリコンモノリシックゲートレス酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96736-1996 相補型金属酸化物半導体、シリコンモノリシック回路 デジタル超小型回路 8ビット双方向相補型金属酸化物半導体またはトランジスタインターフェースコンバータ
  • DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 シリコンモノリシック 6 インバータ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 シリコンモノリシック四重仮想スイッチ、酸化物半導体マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 シリコンモノリシック XOR ゲート高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 シリコンモノリシックバスコントローラ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 シリコンモノリシック調整可能電圧レギュレータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 シリコンモノリシック、二次元畳み込み酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96674 REV C-2000 耐放射線相補型金属酸化物半導体、類似体4BIT量コンパレータ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 シリコンモノリシックデュアルアップカウンター酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 シリコンモノリシッククワドラプルDラッチ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 シリコンモノリシックデコーダ-デコーダ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94533-1994 シリコンモノリシック、32ビットマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 シリコンモノリシック 16X16 乗算器相補型金属酸化物半導体、マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 シリコンモノリシック 4 ビットマグニチュードコンパレータ、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 シリコンモノリシック8ビットマグニチュードコンパレータ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 シリコンモノリシック8ビットマグニチュードコンパレータ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 シリコンモノリシック 8 ビットマグニチュードコンパレータ、高度な相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-06208-2006 シリコンモノリシックデジタル信号プロセッサ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 シリコンモノリシック、16ビットマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 シリコンモノリシッククロックジェネレータードライバー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 シリコンモノリシッククワッド2入力およびゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 シリコンモノリシッククワッド2入力およびゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 シリコンモノリシック 3 重 3 入力およびゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 シリコンモノリシックデュアル 4 入力およびゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 シリコンモノリシックデュアル 4 入力またはゲート、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 シリコンモノリシック静的シフトレジスタ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 シリコンモノリシックトリプルNANDゲートバッファ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 シリコンモノリシック6ビット反転バッファ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89638-1989 シリコンモノリシック、酸化物半導体電流モードコントローラー、リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 シリコンモノリシック、64 ビット出力相関器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94642-1994 シリコンモノリシック、拡張多機能周辺機器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 シリコンモノリシック、同期シリーズコントローラー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 シリコンモノリシック、RS232型デュアルトランシーバー、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 シリコンモノリシック、16ビットマイクロコントローラー、酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 シリコンモノリシック、デジタル信号プロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92331-1993 シリコンモノリシック、16X16ビット座標コンバータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 シリコンモノリシック、ユニバーサルシリーズコントローラー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 シリコンモノリシック、16ビットマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 シリコンモノリシック、デジタル信号プロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 シリコンモノリシック、差動バストランシーバー、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 シリコンモノリシック、テストバストランシーバー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 シリコンモノリシックバイメタル酸化物半導体電界効果トランジスタドライバリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 耐放射線相補型金属酸化物半導体、8ビット数量コンパレータ シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路と互換性のある入力、トライステート入力オクタルバッファおよび行ドライブラインまたは金属酸化膜半導体ドライバを備え、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路と互換性のある入力、トライステート入力付き 10 ビットバスまたは金属酸化膜半導体メインメモリドライバ、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 シリコンモノリシック 128 X 8 ビットランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 デュアルパワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタドライバー、リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 シリコンモノリシック3-8ラインデコーダ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 シリコンモノリシックプログラマブルインターバルタイマー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 シリコンモノリシックプログラマブル周辺インターフェース、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 シリコンモノリシックバスは、Nチャネル金属酸化物半導体である超小型回路を制御します
  • DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 シリコンモノリシック金属酸化物半導体クロックパルスドライバー、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79017-1979 シリコンモノリシックユニバーサル非同期受信機/送信機、酸化物半導体マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 シリコンモノリシック、8入力NANDゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 シリコンモノリシック固定小数点デュアル情報プロセッサ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 シリコンモノリシック、低電力パルス幅変調器、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 シリコンモノリシック、マイクロプロセッサ監視回路、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94537-1994 シリコンモノリシック、8ビットメモリ処理ユニット、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 シリコンモノリシックリアルクロック、相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 シリコンモノリシック、16ビットカスケード演算ユニット、酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 シリコンモノリシック、フェーズロックループファイル、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94745-1995 シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路デジタル相補型金属酸化膜半導体
  • DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 シリコンモノリシックチャネル金属酸化物半導体割り込み発生器デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 シリコンモノリシック、高性能マイクロコントローラー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 シリコンモノリシック、4重双方向スイッチ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 シリコンモノリシック 8X8 乗算器、相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 シリコンモノリシック、12 X 10ビットマトリックス乗算器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 シリコンモノリシック回路 線形超小型回路
  • DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 シリコンモノリシック 256 × 4 スタティックメモリリセットチャネル金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 シリコンモノリシック単一電源金属酸化物半導体電界効果トランジスタドライバリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 シリコンモノリシック、デュアル 4 入力ゲートレス、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 シリコンモノリシック、デュアル 2 入力 OR ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 シリコンモノリシック、トリプル 3 入力 AND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 シリコンモノリシック 10-4 プライオリティエンコーダ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 シリコンモノリシック8ビットラッチバスドライバー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 シリコンモノリシッククアドルプルスリーステート R/S ラッチ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77035-1977 ～ 16 行デコーダ、4 ビット ラッチ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77056-1977 6ビットNチャネルオープンドレインバッファ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 シリコンモノリシック14レベルバイナリカウンタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 シリコンモノリシック12レベルバイナリカウンタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 シリコンモノリシックシリーズコントローラーインターフェース、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 シリコンモノリシック14レベルバイナリカウンタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 シリコンモノリシック14レベルバイナリカウンタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 シリコンモノリシック12ビットバイナリカウンタ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-03251-2004 シリコンモノリシックソルバーからデジタルコンバータへの酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90997-1991 シリコンモノリシック相補型高性能金属酸化物半導体構造、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94517 REV C-2004 シリコンモノリシック、広帯域ゲイン可変スピーカー、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 シリコンモノリシック、8ビットAC/DCコンバータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 シリコンモノリシックオクタル先進相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89652-1990 シリコンモノリシック、4ストロークデュアルポートレジスタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 シリコンモノリシック、14ビットアナログデジタルコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 シリコンモノリシック、16ビットアナログデジタルコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 シリコンモノリシック、12ビットアナログデジタルコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89695-1990 シリコンモノリシック、デュアル JK フリップフロップ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92026-1992 シリコンモノリシック固定小数点プロセッサ、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94709-1994 シュートアウト制御された相補型金属酸化膜半導体シリコンモノリシック回路線形マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87744-1987 シリコンモノリシック 1M (64K X 16) ビット、チャネル金属酸化膜半導体、UVEPROM デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92103-1992 シリコンモノリシック浮動小数点プロセッサ、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89954 REV A-2007 シリコンモノリシック、デュアル同期カウンター、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 シリコンモノリシック、汎用非同期受信機および送信機、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90543 REV D-2006 シリコンモノリシック、メモリチケットアクセスコントローラ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 シリコンモノリシック信号プロセッサ相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-85528-1986 シリコンモノリシックバスメディエータ、相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93008-1994 シリコンモノリシック、16K X 9 FIFO、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93109-1993 シリコンモノリシック、高度に統合された組み込みプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 シリコンモノリシック 8 × 8 乗算器相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 シリコンモノリシック、96ビット浮動小数点デュアルポートプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 シリコンモノリシック、32K X 9 FIFO、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 シリコンモノリシック、12ビットAC/DCコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 シリコンモノリシック相補型金属酸化膜半導体バスインターフェース線形超小型回路
  • DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 シリコンモノリシック高精度タイマー相補型金属酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 シリコンモノリシック8ビット許容マグニチュードコンパレータ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路と互換性のある入力、反転トライステート出力と行ドライブラインまたは金属酸化膜半導体ドライバを備えたオクタルバッファ、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 シリコンモノリシック、デュアル 4 入力 NAND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 シリコンモノリシック、トリプル 3 入力 NAND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84046 REV F-2002 シリコンモノリシック、デュアル 2 入力 XOR ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 シリコンモノリシック、デュアル 2 入力ポジティブ AND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-85030 REV H-2007 シリコンモノリシックプログラマブル割り込みコントローラ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 シリコンモノリシック1～64ビットシフトレジスタ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 シリコンモノリシック、クアドルプル2入力NANDゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 シリコンモノリシック、トリプル 3 入力 NAND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 シリコンモノリシック、デュアル 2 入力 NAND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 シリコンモノリシック、2K X 9 FIFO酸化物半導体、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 シリコンモノリシック、4K x 9 先入れ先出し酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 シリコンモノリシック、ビデオマルチプレクサ/スピーカー、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94542-1994 シリコンモノリシック、32ビットLANコプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94567-1996 シリコンモノリシック、X 9 時間制御先入れ先出し酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 シリコンモノリシックオクタルバスレシーバー、相補型金属酸化膜半導体、超小型回路
  • DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 シリコンモノリシック N チャネル金属酸化物半導体、ユニバーサル割り込みコントローラーマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89665-1989 シリコンモノリシック、9ビット幅バッファレジスタ、酸化物半導体高速デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 シリコンモノリシック、デュアル低電力動作スピーカー、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89715 REV B-1998 シリコンモノリシック、画像リサンプリングシーケンサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 シリコンモノリシック高性能相補型金属酸化膜半導体バスバッファ、マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89726 REV D-2006 シリコンモノリシック、I/O拡張マイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 シリコンモノリシックマルチプレクサ、相補型金属酸化膜半導体、リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 シリコンモノリシック、EEプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92106-1993 シリコンモノリシックアドレスプロセッサ2、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 シリコンモノリシック 16 ビットマイクロプロセッサ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 シリコンモノリシックデジタルデータプロセッサチャネル金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90518 REV A-1992 シリコンモノリシック、プログラマブルビットレートジェネレーター、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88599-1988 シリコンモノリシックタイミング制御コンポーネント相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 シリコンモノリシック 16 ビットマイクロプロセッサ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 シリコンモノリシック、32 ビット高集積マイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 シリコンモノリシック四角形アナログスイッチ相補型金属酸化物半導体線形マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 シリコンモノリシック、8～16ビットパラレルインターフェース/タイマー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 シリコンモノリシック、4極単極双投アナログスイッチ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93182 REV D-2004 シリコンモノリシック、レールツーレール 4 重動作スピーカー、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93255 REV A-2002 シリコンモノリシック、4重単極単投アナログスイッチ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 耐放射線性相補型金属酸化物半導体および非シリコンモノリシック回路デジタル超小型回路
  • DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 耐放射線相補型金属酸化膜半導体ANDゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 耐放射線相補型金属酸化膜半導体ANDゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96803-1996 相補型金属酸化膜半導体、ヘキサゴナルインバータ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 相補型金属酸化膜半導体、ヘキサゴナルインバータ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 相補型金属酸化膜半導体、ヘキサゴナルインバータ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95652 REV C-2000 デジタル反射型の高度な相補型金属酸化物半導体により、非シリコンモノリシックリニアマイクロ回路により出力が 3 倍になります
  • DLA SMD-5962-84090 REV D-2005 シリコンモノリシックデュアルトライステート双方向トランシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84092 REV D-2002 シリコンモノリシックデュアル2～4ラインデコーダ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77055 REV B-1981 リトリガブル リチューナブル 単安定マルチバイブレータ 酸化物半導体 デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 シリコンモノリシック6ビットD型双安定マルチバイブレータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 シリコンモノリシック、16 ビットマイクロコントローラー、チャネル金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-91513-1993 シリコンモノリシックOR反転ゲート、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 シリコンモノリシック、4K×9並列同期FIFO、酸化物半導体メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 シリコンモノリシック、16 X 16ビットパラレルマルチプレクサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 シリコンモノリシック、ワンタイムプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94564-1994 シリコンモノリシック、24 ビット汎用デジタル信号プロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 シリコンモノリシック、8ビットビデオDC/ACコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 シリコンモノリシック、12ビット高速AC/DCコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 シリコンモノリシック、12ビットDC/ACコンバータ、デュアル酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 シリコンモノリシック画像システムプロセッサ、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94608-1994 シリコンモノリシック、12 ビットカスケード可能な乗算器加算器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89716 REV B-1996 シリコンモノリシック、4 X 16 ビットマルチレベル低コストラインレジスタ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 シリコンモノリシック、プログラマブルロジックアレイ、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 シリコンモノリシックオペアンプ、相補型金属酸化物半導体、デュアルリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 シリコンモノリシック 8 ビット TTL 互換の高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90504 REV C-1997 シリコンモノリシック、バイナリフィルターおよびテンプレートマッチャー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88568-1988 シリコンモノリシック 8 ビットマイクロコンピュータ単一アセンブリチャネル金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 シリコンモノリシック、5000ゲートプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 プログラマブル アレイ 4000GATES 相補型金属酸化物半導体シリコン モノリシック回路線形マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 シリコンモノリシックプロセッサインターフェース回路相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92284-1993 シリコンモノリシック、縮小命令セットコンピュータマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92305 REV E-2002 シリコンモノリシック、10,000ゲートプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 シリコンモノリシック、8 ビットパラレル相互接続バストランシーバー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 シリコンモノリシック浮動小数点コプロセッサ、相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 シリコンモノリシックリモートターミナルマルチプロトコル相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88653-1989 シリコンモノリシックバッファトランシーバー高速相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路

German Institute for Standardization, 半導体酸素含有量

  • DIN 50438-1:1995 半導体プロセス材料の検査 赤外吸収法によるシリコンの不純物含有量の測定 その1：酸素
  • DIN EN 62417:2010-12 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • DIN 50449-2:1998 半導体プロセス材料試験 赤外線吸収による半導体不純物含有量の測定 パート 2: ガリウムヒ素中のホウ素
  • DIN EN 62417:2010 半導体デバイス: 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン試験 (IEC 62417-2010)、ドイツ語版 EN 62417-2010
  • DIN 50447:1995 半導体プロセス材料の検査、渦電流法による半導体層の表面抵抗の非接触測定
  • DIN 50449-1:1997 半導体プロセスで使用される材料の検査 赤外吸収によるIII-V族半導体不純物の定量 その1 ガリウムヒ素中の炭素
  • DIN 50441-1:1996 半導体プロセス材料の検査 半導体ウェーハの幾何学的寸法測定 パート 1: 厚さと厚さのばらつき
  • DIN EN 62373:2007 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
  • DIN EN 60749-7:2012 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: 内部含水率測定およびその他の残留ガス分析
  • DIN EN 62373:2007-01 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
  • DIN 50441-2:1998 半導体プロセス材料の試験 半導体チップの幾何学的寸法の測定 パート 2: 角のある断面の試験
  • DIN 43653:1976 半導体インバータ用高遮断容量ヒューズ
  • DIN EN 60749-7:2012-02 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 7 部：内部含水率の測定およびその他の残留ガスの分析
  • DIN 50450-9:2003 半導体プロセス材料の試験 キャリアガスおよびドーピングガス中の不純物の測定 パート 9: ガスクロマトグラフィーによる、ガス状塩化水素中の酸素、窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、水素および CC 炭化水素の測定
  • DIN 51722-1:1990-07 固体燃料試験、窒素含有量の測定、セミミクロケルダール法
  • DIN EN 14756:2007 燃焼ガスおよび蒸気の限界酸素含有量 (LOC) の決定
  • DIN 50443-1:1988 半導体プロセスで使用される材料の検査その1：X線形状測定による半導体単結晶シリコンの結晶欠陥や不均一性の検出
  • DIN 51726:2004 固形燃料検査 炭酸ガス・二酸化炭素含有量の測定

British Standards Institution (BSI), 半導体酸素含有量

  • BS EN 62416:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体 (MOS) トランジスタのホットキャリア試験
  • BS IEC 60747-8-4:2004 半導体ディスクリートデバイス、パワースイッチング機器用金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
  • 13/30264596 DC BS EN 60747-14-7 半導体デバイス パート 14-7 半導体センサー流量計
  • BS EN 62830-3:2017 半導体デバイス エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス 振動ベースの電磁エネルギーハーベスティング
  • BS IEC 62830-1:2017 半導体デバイス エナジーハーベストおよび発電用半導体デバイス 振動ベースの圧電エナジーハーベスト
  • BS IEC 62830-7:2021 半導体デバイス。 環境発電および発電用の半導体デバイス。 リニアスライディングモード摩擦電気エネルギーハーベスティング
  • BS IEC 62373-1:2020 半導体デバイス 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性テスト MOSFET の高速 BTI テスト
  • BS IEC 62830-3:2017 半導体デバイス エネルギーを収集および生成する半導体デバイス パート 3: 振動ベースの電磁エネルギーハーベスティング
  • BS EN IEC 62969-3:2018 半導体デバイス 車載用半導体インターフェイス 車載センサー向け衝撃駆動型圧電エナジーハーベスティング
  • BS EN 60749-7:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 その他の残留ガスの内部水分含有量の測定と分析
  • BS IEC 62830-2:2017 半導体デバイス エナジーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス パート 2: 熱電ベースの熱電エナジー ハーベスティング
  • BS EN 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
  • BS EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化物電界効果トランジスタ (MOSFET) のマイグレーション イオン テスト
  • BS EN 62007-2:2000 光ファイバーシステム用半導体光電子デバイス.測定方法
  • BS IEC 62830-5:2021 エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス フレキシブル熱電デバイスの発電電力を測定する試験方法
  • BS IEC 62830-4:2019 半導体デバイス エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス フレキシブル圧電エネルギーハーベスティングデバイスの試験および評価方法
  • BS IEC 63275-1:2022 半導体デバイス炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法バイアス温度不安定性試験方法
  • 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験パート 1. 迅速 BTI 試験方法
  • 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半導体デバイス金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性テスト パート 1. 迅速 BTI テスト方法
  • BS EN 62007-2:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス。 測定方法
  • 14/30296894 DC BS EN 62830-1 半導体デバイス エナジーハーベスティングおよび発電用半導体デバイス パート 1: 振動ベースの圧電エナジーハーベスティング
  • 18/30380675 DC BS EN IEC 62830-7 半導体デバイス エナジーハーベストおよび発電用半導体デバイス パート 7: リニア スライディング モード摩擦電気エナジー ハーベスティング
  • BS EN 61788-9:2005 超電導 パート 9: 高温超電導体のバッチの測定 粒径の大きな酸化物超電導体の遮断磁束密度。
  • 18/30355426 DC BS EN 62830-5 半導体デバイス エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス パート 5 フレキシブル熱電デバイスの発電量を測定するための試験方法
  • BS IEC 62830-6:2019 半導体デバイス 環境発電および発電用の半導体デバイス 半導体デバイス 垂直接触モード摩擦電気環境発電デバイス 試験および評価の方法
  • BS EN 60749-39:2006 半導体デバイス、機械的および気候試験方法、半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
  • BS IEC 60747-14-11:2021 半導体デバイス 半導体センサー 表面弾性波による紫外線、照度、温度測定用集積センサーの試験方法
  • BS ISO 17299-5:2014 繊維製品の消臭性能を測定するための金属酸化物半導体センサー方法
  • PD ES 59008-4-1:2001 半導体チップのデータ要件 特定の要件と推奨事項 テストと品質
  • BS EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス、半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率と水溶性を測定するための機械的および気候的試験方法
  • BS EN 14756:2006 燃焼ガスおよび蒸気の限界酸素含有量 (LOC) の決定
  • BS EN 14756:2007 燃焼ガスおよび蒸気の限界酸素含有量 (LOC) の決定
  • 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半導体デバイスの信頼性試験方法 炭化ケイ素ディスクリート金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ パート 1. バイアス温度不安定性試験方法

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体酸素含有量

  • T/CECA 35-2019 金属酸化物半導体ガスセンサー
  • T/QGCML 743-2023 半導体装置部品の陽極酸化処理仕様
  • T/CASAS 006-2020 炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタの一般的な技術仕様
  • T/CASAS 015-2022 炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (SiC MOSFET) のパワーサイクル試験方法
  • T/CNIA 0143-2022 半導体材料の微量不純物分析用超高純度樹脂容器

Association Francaise de Normalisation, 半導体酸素含有量

  • NF C80-203*NF EN 62417:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の移動イオン試験
  • NF EN 62417:2010 半導体デバイス - 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • NF C86-010:1986 半導体デバイス 電子デバイス品質評価連携システム 電子部品 半導体ディスクリートデバイス 一般仕様書
  • NF EN IEC 62969-3:2018 半導体デバイス - 車載半導体インターフェイス - パート 3: 車載センサーからの圧電衝撃エネルギーの収集
  • NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
  • NF M03-051:2002 固体化石燃料 酸素含有量の差計算
  • NF EN 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
  • NF C96-022-7*NF EN 60749-7:2012 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: 内部水分含有量の測定およびその他の残留ガスの分析。
  • NF EN 60749-7:2012 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 7 部：内部含水率の測定およびその他の残留ガスの分析
  • NF C31-888-9*NF EN 61788-9:2005 超電導 パート 9: 高温超電導体のバッチの測定大粒酸化物超電導体のトラップ磁束密度。
  • NF EN 61788-9:2005 超電導 - 第 9 回: バルク高温超電導体の測定 - 粗粒酸化物超電導体の残留磁束密度
  • NF C96-069-3*NF EN IEC 62969-3:2018 半導体デバイス 自動車用半導体インターフェイス パート 3: 自動車センサー向けの衝撃駆動型圧電エネルギーハーベスティング
  • NF C86-503:1986 半導体デバイス、電子部品の統一品質評価システム、フォトトランジスタ、太陽電池複合トランジスタおよび光電子半導体回路、空白の詳細仕様書 CESS 20 003

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体酸素含有量

  • IEC 62417:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の移動イオン試験
  • IEC 60747-8-4:2004 半導体ディスクリートデバイス パート 8-4: パワースイッチングデバイス用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET)
  • IEC 62830-2:2017 半導体デバイス エネルギーを収集し生成する半導体デバイス パート 2: 熱エネルギーに基づく熱電エネルギーハーベスティング
  • IEC 62830-3:2017 半導体デバイス エネルギーを収集および生成する半導体デバイス パート 3: 振動ベースの電磁エネルギーハーベスティング
  • IEC 62373-1:2020 半導体デバイス 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性テスト パート 1: MOSFET の迅速 BTI テスト
  • IEC 62830-1:2017 半導体デバイス エナジーハーベストおよび発電用半導体デバイス パート 1: 振動ベースの圧電エナジーハーベスト
  • IEC 62969-3:2018 半導体デバイス 車載半導体インターフェイス パート 3: 車載センサー向けの衝撃駆動型圧電エナジーハーベスティング
  • IEC 60749-7/COR1:2003 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: その他の残留ガスの分析および内部水分含有量の測定。
  • IEC 62830-7:2021 半導体デバイス エネルギー収集および生成用の半導体デバイス パート 7: リニア スライディング モード摩擦電気エネルギー ハーベスティング
  • IEC 62830-5:2021 半導体デバイス エネルギー収集および生成用の半導体デバイス パート 5: フレキシブル熱電デバイスによって生成される電力を測定するための試験方法
  • IEC 60749-7:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: その他の残留ガスの分析および内部水分含有量の測定。
  • IEC 60749-7:2011 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: その他の残留ガスの分析および内部水分含有量の測定。
  • IEC 63275-1:2022 半導体デバイス炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法その1：バイアス温度不安定性試験方法
  • IEC 61788-9:2005 超電導 パート 9: 高温超電導体のバッチの測定 大粒酸化物超電導体のノッチ磁束密度。
  • IEC 62373:2006 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の基本的な温度安定性試験
  • IEC 63275-2:2022 半導体デバイス 炭化ケイ素ディスクリート金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法 パート 2: ボディ ダイオードの動作によって引き起こされるバイポーラ劣化の試験方法
  • IEC 60749-39:2021 RLV 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
  • IEC 60749-39:2021 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。

Professional Standard - Electron, 半導体酸素含有量

  • SJ 20744-1999 半導体材料中の不純物含有量の赤外吸収分光分析に関する一般ガイドライン
  • SJ 20025-1992 金属酸化物半導体ガスセンサーの一般仕様
  • SJ 20026-1992 金属酸化物半導体ガスセンサーの試験方法
  • SJ 20079-1992 金属酸化物半導体ガスセンサー 試験方法
  • SJ/T 9533-1993 半導体ディスクリートデバイスの品質評価基準
  • SJ/T 9534-1993 半導体集積回路の品質評価基準
  • SJ/T 11487-2015 半絶縁性半導体ウエハの非接触抵抗率測定法
  • SJ/T 10705-1996 半導体装置用ボンディングワイヤの表面品質検査方法
  • SJ/T 11824-2022 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の等価静電容量および電圧変化率の試験方法
  • SJ/T 2658.7-2015 半導体赤外発光ダイオードの測定方法 第7部：放射束
  • SJ 2355.6-1983 半導体発光素子の試験方法 光束の試験方法

Danish Standards Foundation, 半導体酸素含有量

  • DS/EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • DS/EN 62373:2006 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
  • DS/EN 60749-7:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 7 部：内部含水率の測定およびその他の残留ガスの分析

ES-UNE, 半導体酸素含有量

  • UNE-EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • UNE-EN IEC 62969-3:2018 半導体デバイス 車載半導体インターフェイス パート 3: 車載センサー向けの衝撃駆動型圧電エナジーハーベスティング
  • UNE-EN 62373:2006 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験
  • UNE-EN 60749-7:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 7 部：内部含水率の測定およびその他の残留ガスの分析
  • UNE-EN 61788-9:2005 超電導 その9: バルク高温超電導体の測定 大粒酸化物超電導体の捕捉磁束密度

Lithuanian Standards Office , 半導体酸素含有量

  • LST EN 62417-2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン試験 (IEC 62417:2010)
  • LST EN 62373-2006 金属酸化物、半導体、および電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験 (IEC 62373:2006)
  • LST EN 60749-7-2011 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 7: 内部水分含有量の測定およびその他の残留ガスの分析 (IEC 60749-7:2011)

CZ-CSN, 半導体酸素含有量

  • CSN 35 8754-1973 半導体装置。 トランジスタ。 短絡出力アドミッタンス測定
  • CSN 35 8773-1977 半導体デバイスの測定。 半導体サイリスタ。 阻止電流および逆阻止電流の測定
  • CSN 35 8756-1973 半導体装置。 トランジスタのYパラメータの測定
  • CSN 35 8740-1973 半導体デバイス。 トランジスタ。 飽和電圧測定
  • CSN 35 8732-1964 半導体ダイオード。 順電流測定
  • CSN 44 1350-1974 固体燃料の酸素含有量の測定
  • CSN 35 8742-1973 半導体装置。 トランジスタ。 遮断電流の測定
  • CSN 35 8736-1964 半導体ダイオード。 電極間静電容量の測定
  • CSN 35 1603-1983 パワー半導体デバイス。 一般的な測定方法
  • CSN 35 8770-1970 半導体サイリスタ。 オン電圧測定方法
  • CSN 35 8734-1975 半導体デバイス。 ダイオード。 逆電流測定。
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