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半幅粒

半幅粒は全部で 19 項標準に関連している。

半幅粒 国際標準分類において、これらの分類:飲み物、 半導体材料、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 金属材料試験、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 総合電子部品、 半導体ディスクリートデバイス、 非破壊検査。


Group Standards of the People's Republic of China, 半幅粒

  • T/BJWA 004-2022 天然飲料水の低ヘルツ 17O-NMR 半値幅
  • T/BJWA 005-2022 水質 17O-NMR 半値幅測定 核磁気共鳴法
  • T/IAWBS 017-2022 ダイヤモンド単結晶の半値幅の試験方法 X線二重結晶ロッキングカーブ
  • T/IAWBS 015-2021 酸化ガリウム単結晶ウェーハのX線ツインロッキングカーブの半値幅の試験方法
  • T/IAWBS 016-2022 炭化珪素単結晶ウェーハのX線ツインロッキングカーブの半値幅の試験方法

Professional Standard - Electron, 半幅粒

  • SJ 2355.7-1983 半導体発光素子の試験方法 発光ピーク波長およびスペクトル半値幅の試験方法
  • SJ 2658.12-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 発光ピーク波長およびスペクトル半値幅の試験方法
  • SJ/T 2658.12-2015 半導体赤外発光ダイオードの測定方法 - 第 12 部: ピーク発光波長と分光放射帯域幅

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半幅粒

  • GB/T 32188-2015 窒化ガリウム単結晶基板のX線双結晶ロッキングカーブの半値幅の試験方法
  • GB/T 23413-2009 ナノ材料の粒径と微視的ひずみの測定 X 線回折線拡大法

International Electrotechnical Commission (IEC), 半幅粒

  • IEC 62435-5:2017 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 5: ダイおよびウェーハ装置

British Standards Institution (BSI), 半幅粒

  • BS EN 62435-5:2017 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 5: ダイおよびウェーハ装置

BE-NBN, 半幅粒

  • NBN A 23-114-1983 磁性冷間圧延非方向性合金鋼帯、半製品として納品

Association Francaise de Normalisation, 半幅粒

  • NF A04-503:1988 アルミニウム、銅、ニッケルおよびそれらの合金の半製品 結晶粒度の測定 アルミニウムおよびアルミニウム合金
  • NF A04-505:1988 アルミニウム、銅、ニッケルおよびそれらの合金の半製品 結晶粒度の測定 ニッケルおよびニッケル合金

Defense Logistics Agency, 半幅粒

  • DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半導体デバイス、N チャネル トランジスタ電界効果放射線耐性 (総線量および単一事象効果)、シリコン モデル 2N7405、2N7406、2N7407 および 2N7408、JANSD および JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半導体デバイス、N チャネル トランジスタ電界効果放射線耐性 (総線量および単一事象効果)、シリコン モデル 2N7488T3、2N7489T3 および 2N7490T3、JANTXVR および JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングル イベント効果) トランジスタ、P チャネル シリコン タイプ 2N7438 および 2N7439 JANSD および JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングル イベント効果) トランジスタ、N チャネル、シリコン タイプ 2N7497T2、2N7498T2 および 2N7499T2、JANTXVR および JANSR




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