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残留応力試験

残留応力試験は全部で 15 項標準に関連している。

残留応力試験 国際標準分類において、これらの分類:金属材料試験、 商品の総合的な梱包と輸送、 セラミックス、 水利工事、 半導体ディスクリートデバイス、 電子および通信機器用の電気機械部品。


Indonesia Standards, 残留応力試験

  • SNI 07-6735-2002 試錐孔ひずみゲージを用いた残留応力試験方法

RU-GOST R, 残留応力試験

Professional Standard - Electron, 残留応力試験

  • SJ 3232.2-1989 低融点溶着ガラス粉末ボンドの残留応力試験方法

Group Standards of the People's Republic of China, 残留応力試験

  • T/CSTM 00440-2023 CVDセラミックコーティングの熱膨張係数と残留応力の試験方法

Professional Standard - Water Conservancy, 残留応力試験

  • SL 499-2010 穴あけひずみ法による残留応力測定の標準試験方法

American Society for Testing and Materials (ASTM), 残留応力試験

  • ASTM E837-08e1 ボーリング孔ひずみゲージによる残留応力測定の標準試験方法
  • ASTM E837-01 ボーリング孔ひずみゲージによる残留応力測定の標準試験方法
  • ASTM E837-20 ボーリング孔ひずみゲージによる残留応力測定の標準試験方法
  • ASTM E2860-20 軸受鋼のX線回折による残留応力測定の標準試験方法

Association Francaise de Normalisation, 残留応力試験

  • NF C96-050-16*NF EN 62047-16:2015 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 16: MEMS フィルムの残留応力を測定するための試験方法 ウェーハの曲率およびカンチレバーのたわみ方法
  • NF EN 62047-16:2015 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 16: MEMS フィルムの残留応力を測定するための試験方法、ウェーハの曲率およびカンチレバーのたわみ方法

ES-UNE, 残留応力試験

  • UNE-EN 62047-16:2015 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 16: MEMS フィルムの残留応力を測定するための試験方法 ウェーハの曲率およびカンチレバーのたわみ方法
  • UNE-EN ISO 21432:2022 中性子回折による残留応力の非破壊検査の標準試験方法

International Electrotechnical Commission (IEC), 残留応力試験

  • IEC 62047-16:2015 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 16: MEMS フィルムの残留応力を決定するための試験方法 ウェーハの曲率およびカンチレバーのたわみ方法

German Institute for Standardization, 残留応力試験

  • DIN EN 62047-16:2015-12 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 16: MEMS フィルムの残留応力を測定するための試験方法 - ウェーハの曲率およびカンチレバーのたわみ方法




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