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半導体技術

半導体技術は全部で 36 項標準に関連している。

半導体技術 国際標準分類において、これらの分類：語彙、 半導体材料、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 断熱材、 半導体ディスクリートデバイス、 整流器、コンバータ、安定化電源、 バルブ、 電子および通信機器用の電気機械部品。


German Institute for Standardization, 半導体技術

  • DIN SPEC 1994:2017-02 半導体技術用材料の試験 弱酸中の陰イオンの測定
  • DIN 50441-5:2001 半導体技術のテスト 半導体ウェーハの幾何学的寸法の決定 パート 5: 形状および平坦度の偏差の用語。
  • DIN 50453-3:2001 半導体技術試験 エッチング混合物のエッチング速度の決定 パート 3: アルミニウム 重量法
  • DIN 50455-1:2009-10 半導体技術材料試験フォトレジスト特性評価方法パート 1: 光学的方法によるコーティング厚さの決定
  • DIN 50455-2:1999-11 半導体技術の材料試験 フォトレジストの特性評価方法 パート 2: ポジ型フォトレジストの感光性の決定
  • DIN 50452-1:1995-11 半導体技術用材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - 第 1 部: 粒子の微視的測定
  • DIN 50455-1:2009 半導体技術で使用する材料のテスト フォトレジストの特性評価方法 パート 1: コーティング厚さの光学的決定
  • DIN 50453-1:2023-08 半導体技術用材料の試験 - エッチング混合物のエッチング速度の決定 - パート 1: シリコン単結晶、重量法
  • DIN 50452-3:1995-10 半導体技術材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - パート 3: 光学式粒子計数器の校正
  • DIN 50453-2:2023-08 半導体技術用材料の試験 - エッチング混合物のエッチング速度の決定 - パート 2: 二酸化ケイ素コーティング、光学的方法
  • DIN 50452-2:2009-10 半導体技術材料の試験液中の粒子分析の試験方法 第 2 部：光学式粒子計数器による粒子の測定
  • DIN 50451-3:2014-11 半導体技術材料試験液中の微量元素の定量 その3：ICP-MSによる高純度硝酸中の31元素の定量
  • DIN 50451-7:2018-04 半導体技術材料試験液中の微量元素の定量 その7：ICP-MSによる高純度塩酸中の31元素の定量
  • DIN 50451-6:2014-11 半導体技術材料の試験液中の微量元素の定量 パート 6: 高純度フッ化アンモニウム溶液中の 36 元素の定量
  • DIN 50452-2:2009 半導体技術で使用される材料の試験 液体中の粒子分析の試験方法 パート 2: 光学式粒子計数器を使用した粒子の測定
  • DIN 50455-2:1999 半導体技術で使用される材料のテスト フォトレジストの特性評価方法 パート 2: 陽極フォトレジストの感光性の測定
  • DIN 50450-1:1987-08 半導体技術材料試験、キャリアガスおよびドーピングガス中の不純物の測定、五酸化リン電池における水中の水素、酸素、窒素、アルゴン、およびヘリウム中の不純物の測定
  • DIN 50450-4:1993-09 半導体技術の材料試験、キャリアおよびドーピングガス中の不純物の測定、ガスクロマトグラフィーによる窒素中のC(指数)1-C(指数)3-炭化水素の測定
  • DIN 50451-4:2024-01 半導体技術材料試験液中の微量元素の定量 パート 4: 誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) による超純水中の 34 元素の定量
  • DIN 50450-2:1991-03 半導体技術の材料試験、キャリアおよびドーピングガス中の不純物の測定、ガルバニ電池を使用した N (指数) 2 、Ar、He、Ne、および H (指数) 2 中の酸素不純物の測定
  • DIN 50451-4:2007-02 半導体技術材料試験液中の微量元素の定量 パート 4: 誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) による超純水中の 34 元素の定量
  • DIN 51456:2013-10 半導体テクノロジー材料試験 水性分析溶液中の多元素測定のための誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) を使用したシリコンウェーハの表面分析
  • DIN 51456:2013 半導体技術用材料の検査、誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) を使用した水分析溶液の多元素測定によるシリコン ウェーハの表面分析
  • DIN 50451-1:2003-04 半導体技術材料の試験 - 液体中の微量元素の測定 - パート 1: 銀 (Ag)、金 (Au)、カルシウム (Ca)、銅 (Cu)、鉄 (Fe)、カリウム (K)、ナトリウム (Na) ) 硝酸中での原子吸光分析による
  • DIN 50451-2:2003-04 半導体技術材料の試験 - 液体中の微量元素の測定 - パート 2: カルシウム (Ca)、コバルト (Co)、クロム (Cr)、銅 (Cu)、鉄 (Fe)、ニッケル (Ni) および亜鉛 (Zn) )) フッ化水素酸中で、プラズマ誘起発光分光法を使用して...

Defense Logistics Agency, 半導体技術

  • DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 シリコンモノリシックバイポーラ金属酸化物半導体技術の割り込みインターフェイスラッチデバイス、線形超小型回路
  • DLA SMD-5962-87641-1988 シリコンモノリシックラッチデバイス、入力シール、バイポーラ金属酸化物半導体技術8ビット、リニアマイクロ回路

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体技術

Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体技術

  • DB3603/T 4-2022 電気磁器用半導体釉薬の製造に関する技術仕様

RU-GOST R, 半導体技術

Professional Standard - Railway, 半導体技術

  • TB/T 2437-1993 機関車用半導体コンバータ装置の技術的条件

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体技術

  • GB/T 15873-1995 半導体設備インターフェースの技術文書作成ガイドライン

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