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半導体テスト技術

半導体テスト技術は全部で 40 項標準に関連している。

半導体テスト技術 国際標準分類において、これらの分類：語彙、 半導体材料、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 半導体ディスクリートデバイス、 電子および通信機器用の電気機械部品、 整流器、コンバータ、安定化電源。

German Institute for Standardization, 半導体テスト技術

• DIN SPEC 1994:2017-02 半導体技術用材料の試験 弱酸中の陰イオンの測定
• DIN 50455-1:2009-10 半導体技術材料試験フォトレジスト特性評価方法パート 1: 光学的方法によるコーティング厚さの決定
• DIN 50455-2:1999-11 半導体技術の材料試験 フォトレジストの特性評価方法 パート 2: ポジ型フォトレジストの感光性の決定
• DIN 50452-1:1995-11 半導体技術用材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - 第 1 部: 粒子の微視的測定
• DIN 50453-1:2023-08 半導体技術用材料の試験 - エッチング混合物のエッチング速度の決定 - パート 1: シリコン単結晶、重量法
• DIN 50452-3:1995-10 半導体技術材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - パート 3: 光学式粒子計数器の校正
• DIN 50452-2:2009-10 半導体技術材料の試験液中の粒子分析の試験方法 第 2 部：光学式粒子計数器による粒子の測定
• DIN 50451-3:2014-11 半導体技術材料試験液中の微量元素の定量 その3：ICP-MSによる高純度硝酸中の31元素の定量
• DIN 50451-7:2018-04 半導体技術材料試験液中の微量元素の定量 その7：ICP-MSによる高純度塩酸中の31元素の定量
• DIN 50451-6:2014-11 半導体技術材料の試験液中の微量元素の定量 パート 6: 高純度フッ化アンモニウム溶液中の 36 元素の定量
• DIN 50450-1:1987-08 半導体技術材料試験、キャリアガスおよびドーピングガス中の不純物の測定、五酸化リン電池における水中の水素、酸素、窒素、アルゴン、およびヘリウム中の不純物の測定
• DIN 50453-2:2023-08 半導体技術用材料の試験 - エッチング混合物のエッチング速度の決定 - パート 2: 二酸化ケイ素コーティング、光学的方法
• DIN 50450-4:1993-09 半導体技術の材料試験、キャリアおよびドーピングガス中の不純物の測定、ガスクロマトグラフィーによる窒素中のC(指数)1-C(指数)3-炭化水素の測定
• DIN 50451-4:2024-01 半導体技術材料試験液中の微量元素の定量 パート 4: 誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) による超純水中の 34 元素の定量
• DIN 50451-4:2007-02 半導体技術材料試験液中の微量元素の定量 パート 4: 誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) による超純水中の 34 元素の定量
• DIN 50450-2:1991-03 半導体技術の材料試験、キャリアおよびドーピングガス中の不純物の測定、ガルバニ電池を使用した N (指数) 2 、Ar、He、Ne、および H (指数) 2 中の酸素不純物の測定
• DIN 51456:2013-10 半導体テクノロジー材料試験 水性分析溶液中の多元素測定のための誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) を使用したシリコンウェーハの表面分析
• DIN 50441-5:2001 半導体技術のテスト 半導体ウェーハの幾何学的寸法の決定 パート 5: 形状および平坦度の偏差の用語。
• DIN 50451-2:2003-04 半導体技術材料の試験 - 液体中の微量元素の測定 - パート 2: カルシウム (Ca)、コバルト (Co)、クロム (Cr)、銅 (Cu)、鉄 (Fe)、ニッケル (Ni) および亜鉛 (Zn) )) フッ化水素酸中で、プラズマ誘起発光分光法を使用して...
• DIN 50451-1:2003-04 半導体技術材料の試験 - 液体中の微量元素の測定 - パート 1: 銀 (Ag)、金 (Au)、カルシウム (Ca)、銅 (Cu)、鉄 (Fe)、カリウム (K)、ナトリウム (Na) ) 硝酸中での原子吸光分析による

CZ-CSN, 半導体テスト技術

• CSN 35 1601-1980 パワー半導体デバイス。 一般的な技術要件。 試験方法
• CSN 35 1540-1979 パワー半導体コンバータの試験

Professional Standard - Electron, 半導体テスト技術

• SJ/T 11820-2022 半導体ディスクリートデバイスのDCパラメータ試験装置の技術要件と測定方法

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体テスト技術

• GB/T 29299-2012 半導体レーザー距離計の一般的な技術条件
• GB/T 31359-2015 半導体レーザーの試験方法
• GB/T 15873-1995 半導体設備インターフェースの技術文書作成ガイドライン

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体テスト技術

• T/CASME 581-2023 半導体用シリコンリングの技術要件
• T/SZBSIA 006-2022 IC半導体ダイボンディングマシンの技術仕様
• T/SHDSGY 135-2023 新エネルギー半導体シリコンウェーハ材料技術

HU-MSZT, 半導体テスト技術

• MSZ 700/36.lap-1961 炭鉱での半導体検査実験
• MSZ 700/23.lap-1965 STマイクロエレクトロニクスはコークスを試験します
• MSZ 700/24.lap-1965 STマイクロエレクトロニクスのコークス試験

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 半導体テスト技術

• JEDEC JEP140-2002 半導体ビーズ温度試験

RO-ASRO, 半導体テスト技術

• STAS 11066/2-1980 半導体カセットフローチューブ。 試験方法

Defense Logistics Agency, 半導体テスト技術

• DLA MIL-STD-750 F CHANGE 1-2013 半導体デバイスの試験方法

IN-BIS, 半導体テスト技術

• IS 7412-1974 半導体デバイスの寿命試験

Association Francaise de Normalisation, 半導体テスト技術

• NF ISO 10677:2011 テクニカルセラミックス半導体光触媒材料試験用UV光源

RU-GOST R, 半導体テスト技術

• GOST 24376-1991 半導体コンバータ 一般的な技術条件

Professional Standard - Machinery, 半導体テスト技術

• JB/T 7064-1993 半導体インバータの一般的な技術条件
• JB/T 5537-1991 半導体圧力センサーの技術条件

その他：   半導体試験装置, ++++半導体テスト手順, 半導体のテスト手順, 半導体試験装置, 半導体検査, 半導体検査, 技術のテスト, パワー半導体試験, 半導体試験装置, 半導体テスト装置, 半導体テスト装置, 半導体技術, 半導体技術, 半導体 + テスト + 装置, 半導体テスト技術, 半導体テスト技術, 半導体の分析と試験, 半導体テストの原理, 半導体テスト分析, 半導体ケルビン試験.