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双極性人格

双極性人格は全部で 175 項標準に関連している。

双極性人格 国際標準分類において、これらの分類:集積回路、マイクロエレクトロニクス、 電灯および関連器具、 航空宇宙用電気機器およびシステム、 キッチン用品、 オーディオ、ビデオ、およびオーディオビジュアル エンジニアリング、 電気、磁気、電気および磁気測定、 電子機器、 無線通信、 半導体ディスクリートデバイス、 コンデンサ、 燃料電池、 データストレージデバイス、 船内機器および計器類、 電磁両立性 (EMC)、 プリント回路およびプリント回路基板、 機械、設備、装置の特性と設計、 土工、掘削、基礎工事、地下工事、 布製でない床材、 エネルギー・伝熱工学総合、 物理学、化学、 バッテリーと蓄電池、 鉄鋼製品、 ベアリング、 総合電子部品、 長さと角度の測定、 包装資材および副資材、 光ファイバー通信、 放射線測定、 切削工具、 溶接、ロウ付け、低温溶接。


Defense Logistics Agency, 双極性人格

  • DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 シリコンモノリシックバイポーラ高性能10ビットバッファ付きバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88763-1990 シリコンモノリシックバイポーラトラッキングレギュレータリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 マイクロ回路、リニア、バイポーラ トラッキング レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 マイクロ回路、リニア、バイポーラ トラッキング レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 マイクロ回路、リニア、バイポーラ トラッキング レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-PRF-39016/19 H VALID NOTICE 1-2011 リレー、電磁、高信頼性、DPDT、低レベル~1アンペア、コイル過渡現象抑制および極性反転保護用の内部ダイオード付き、端子0.100インチのグリッドパターン
  • DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 シリコンモノリシック、バイポーラトラッキングレギュレータ、リニアマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-28776/6 E VALID NOTICE 1-2010 リレー、ハイブリッド、高信頼性、二極双投、低レベル~1.0アンペア ツェナーダイオードゲート保護付き内蔵MOSFETドライバ(電気機械出力) ダイオードコイル抑制および0.100グリッドリード間隔の端子
  • DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 マイクロ回路、リニア、バイポーラ、AGC 付き RF/IF アンプ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-89490 REV C-2006 デュアル正および負の 15 ボルト、12 ボルト、および 5 ボルト レギュレータ リニア ハイブリッドマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89554 REV A-2005 シリコン モノリシック デュアル 4 入力正およびチャネル ショットキー TTL により、バイポーラ デジタルマイクロ回路が容易になります
  • DLA DSCC-DWG-87109 REV C-2002 コネクタ、ソケット、電気、ラッチハウジング、分極性、2列ベース、.025POSTS
  • DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 シリコンモノリシック高速電圧コンパレータ、バイポーラリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 シリコンモノリシックバイポーラヘックスNTDSドライバリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 シリコンモノリシックバイポーラ16進数NTDSレシーバーリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高性能 10 ビット バッファ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、8 ビット等価コンパレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-90541 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー、TTL、デュアル キャリー セーブ全加算器、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-PRF-39016/20 J VALID NOTICE 1-2010 リレー、電磁式、高信頼性、DPDT、低レベル~1.0アンペア、コイル過渡現象抑制および極性反転保護用の内部ダイオード付き
  • DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 マイクロ回路、デジタル、32,768 ビット ショットキー ダイオード、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、8 ビット双方向汎用シフト レジスタ、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-PRF-39016/43 E VALID NOTICE 1-2010 リレー、電磁、高信頼性、DPDT、低レベルから 1.0 アンペア、コイル過渡現象抑制および極性反転保護端子用の内部ダイオード付き 0.100 インチ グリッド パターン (高感度、60 mW、コイル動作電力は 25
  • DLA MIL-PRF-39016/30 F VALID NOTICE 1-2010 リレー、電磁式、高信頼性、DPDT、低レベル~1.0アンペア(ラッチング)、コイル過渡現象抑制および極性反転保護用の内部ダイオード付き
  • DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 シリコンモノリシックバイポーラヘックスNTDS高速ドライバリニアマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-39016/18 H VALID NOTICE 1-2010 リレー、電磁式、高信頼性、DPDT、低レベル~1.0アンペア、コイル過渡現象抑制用の内部ダイオード付き、端子0.100インチのグリッドパターン
  • DLA MIL-PRF-39016/38 C VALID NOTICE 1-2010 リレー、電磁式、高信頼性、DPDT、低レベルから 2 アンペア (端子間隔 0.150 インチ)、コイル過渡現象抑制および逆極性保護用の内部ダイオード付き
  • DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 倍 2 入力ポジティブ AND ゲート シリコン モノリシック デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 倍 2 入力ポジティブ AND ゲート シリコン モノリシック デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 トリプル 3 入力ポジティブ AND ゲートシリコンモノリシックデジタルバイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 シリコンモノリシックバイポーラ電界効果トランジスタ計算用ラウドスピーカー、リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 バイポーラ トランジスタ クワッド 2 入力ポジティブ シリコン モノリシック回路線形マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 8入力正ANDゲートトランジスタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、D タイプ レジスタ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 シリコンモノリシックバイポーラクワッドヘックスNTDS高速/再受信機リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 倍 2 入力正 AND ゲート トランジスタ シリコン モノリシック回路デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 トリプル 3 入力正 AND ゲート トランジスタ シリコン モノリシック回路デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、バス インターフェイス フリップフロップ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 シリコンモノリシックポジティブ NAND チャネル低電力ショットキー TTL により、二重分極デジタルマイクロ回路が容易になります
  • DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 シリコンモノリシックポジティブ NAND チャネル低電力ショットキー TTL により、二重分極デジタルマイクロ回路が容易になります
  • DLA SMD-5962-97580 REV A-2006 調整可能なデュアル JK ポジティブトリガー スリーステート出力 双安定マルチバイブレータ シリコンモノリシック回路 デジタルバイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 シリコンモノリシック、四重極バイポーラ接合電界効果トランジスタ、オペアンプ、リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89526 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、同期 8 ビット、アップ/ダウン カウンタ、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-PRF-39016/29 G VALID NOTICE 1-2011 リレー、ソレノイド、高信頼性、DPDT、低レベル~1.0アンペア(ラッチング)、コイル過渡現象抑制用の内部ダイオード付き
  • DLA SMD-5962-97541 REV A-2006 バイポーラ低電圧クワッド 2 入力ポジティブ AND ゲート バッファシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-39016/16 G VALID NOTICE 1-2010 リレー、電磁式、高信頼性、DPDT、低レベルから 1.0 Amp (高感度、60 mW)、コイル過渡現象抑制用の内部ダイオード付き
  • DLA MIL-PRF-39016/42 E VALID NOTICE 1-2011 リレー、電磁式、高信頼性、DPDT、低レベルから 1.0 アンペア、コイル過渡現象抑制用の内部ダイオード付き、端子。 100 インチ グリッド パターン (感度 60 mW、コイルは 25°C の電力で動作)
  • DLA MIL-PRF-39016/37 C VALID NOTICE 1-2010 リレー、電磁式、高信頼性、DPDT、低レベルから 2 アンペア (端子間隔 0.150 インチ)、コイル過渡現象抑制用の内部ダイオード付き
  • DLA MIL-PRF-39016/55 B VALID NOTICE 1-2011 リレー、電磁式、高信頼性、DPDT、低レベルから 2 アンペア (端子間隔 0.200 インチ)、コイル過渡現象抑制用の内部ダイオード付き
  • DLA SMD-5962-97549 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、トライステート出力付きオクタル D タイプ エッジ トリガ フリップフロップ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-90910 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、クロック イネーブル付きオクタル エッジ トリガー D タイプ フリップフロップ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー、TTL、トライステート出力付き 8 ビット バス インターフェイス フリップフロップ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-90780 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、非反転および反転入力を備えた 10 ビット バス インターフェイス フリップフロップ、モノリシック シリコン

Association Francaise de Normalisation, 双極性人格

British Standards Institution (BSI), 双極性人格

  • BS EN 62639:2012 無電極蛍光ランプ 性能仕様
  • BS EN 60081:1998+A11:2018 両端蛍光灯の性能仕様
  • BS EN 2593-001:2014 航空宇宙シリーズ 2 極および 4 極双投用の 10 A 電磁プラグイン中継局 技術仕様
  • PD IEC/TR 62152:2009 カスケードデュアルポートまたは四重極の伝送特性の背景と用語と定義
  • BS EN 60838-2-3:2017 その他のランプソケット 詳細な要件 両端リニア発光ダイオード (LED) 照明器具用のランプソケット
  • BS IEC 60404-8-5:2020 磁性材料 個別材料の仕様 指定された機械的性質および着磁を有する電磁鋼板および電磁鋼板
  • BS ISO 366-3:2009 繊維機械および付属品 リード パート 3: ダブル弾性ビームワイヤ結束リードの寸法、仕様、およびマーキング
  • BS PD IEC/TS 62607-4-1:2014 ナノ加工、主要な制御特性、リチウムイオン電池用正極ナノ材料、電気化学的特性評価、デュアルモーター電池アプローチ

PL-PKN, 双極性人格

  • PN T01210-01-1992 半導体デバイス。 個別のデバイス。 バイポーラトランジスタ。 低周波アンプボックス定格バイポーラトランジスタブランク詳細仕様
  • PN T01207-01-1992 半導体デバイス。 ディスクリート デバイス、バイポーラ トランジスタ 低周波および高周波アンプ ボックス 環境定格バイポーラ トランジスタ ブランク詳細仕様

GOSTR, 双極性人格

AENOR, 双極性人格

German Institute for Standardization, 双極性人格

  • DIN EN 60081:2019-07 両端蛍光灯の性能仕様
  • DIN EN 2593-001:2015-03 航空宇宙シリーズ 10 A ソレノイド プラグイン リレー ベース 2 極および 4 極双投パート 001: 技術仕様
  • DIN 4000-18:1988-12 半導体ダイオードの製品特性の表レイアウト
  • DIN 4000-18:1988 第18部:半導体ダイオードの製品特性表の設計
  • DIN CEN/TS 13130-13:2005 食品と接触する材料および物品 プラスチック物質の許容限度 パート 13: 食品類似品中の 2,2-ビス-4-ヒドロキシフェニルプロパン (ビスフェノール A タイプ) の測定
  • DIN EN 62776:2015 線形蛍光ランプを改造するように設計された両端 LED ランプ安全仕様 (IEC 62776-2014+COR1-2015)、ドイツ語版 EN 62776-2015

ES-UNE, 双極性人格

International Electrotechnical Commission (IEC), 双極性人格

CU-NC, 双極性人格

  • NC 66-29-1984 電子回路。 バイポーラトランジスタの測定方法
  • NC 66-27-1984 電子回路。 高周波バイポーラトランジスタです。 モデル BF310 の品質仕様
  • NC 66-28-1984 電子回路。 高周波バイポーラトランジスタです。 BF199タイプの品質仕様。
  • NC 66-94-1987 電気技師および電気技術産業。 低周波かつ高出力のバイポーラ トランジスタ。 品質仕様
  • NC 66-25-1987 エレクトロニクスおよび電気産業。 高周波バイポーラトランジスタです。 品質仕様書
  • NC 66-93-1987 電気技師および電気技術産業。 低周波および中出力のバイポーラ トランジスタ。 品質仕様
  • NC 66-26-1984 電子回路。 高出力バイポーラ スイッチング トランジスタ、タイプ BU208。 品質仕様書
  • NC 66-23-1984 電子回路。 高出力、低周波バイポーラ トランジスタ 2N 3055。 品質仕様書
  • NC 66-17-1987 電気および電子産業。 高電圧および中出力のバイポーラ トランジスタ。 品質仕様書
  • NC 66-14-1987 エレクトロニクスおよび電気産業。 プラスチックパッケージのバイポーラトランジスタです。 一般的な品質仕様
  • NC 66-16-1987 電子回路および電気産業向けの低ノイズパワーバイポーラトランジスタ。 品質仕様書
  • NC 66-18-1984 電子回路。 中電力および高電圧バイポーラ トランジスタ BC328 および BC338。 品質仕様書
  • NC 66-20-1984 電子回路。 高出力および低周波バイポーラ トランジスタ BD 175、BD 176、BD 177、および BD 178。 品質仕様書
  • NC 66-22-1984 電子回路。 高出力および低周波バイポーラ トランジスタ BD 705; BD 707; BD 708; BD 709; y BD 710。 品質仕様書
  • NC 66-19-1984 電子回路。 中電力および高電圧バイポーラ トランジスタ BC135、BC136、3D 137、BD 138、BD 139、および BD 140。 品質仕様書
  • NC 66-24-1984 電子回路。 高出力および低周波数バイポーラ トランジスタ BD 533; BD 534; BD 535; BD 536; BD 537; BD 538 の品質仕様
  • NC 66-21-1984 電子回路。 高出力および低周波バイポーラ トランジスタ BD 233; BD 234; BD 235; BD 236; BD 237 y BD 238。 品質仕様書

Lithuanian Standards Office , 双極性人格

American Society for Testing and Materials (ASTM), 双極性人格

  • ASTM F1605-95 両面メッシュの性能に関する標準試験方法
  • ASTM F1605-14(2019) 両面メッシュの性能に関する標準試験方法
  • ASTM A1088-13 冷間圧延複合相(CP)鋼板、二相(DP)鋼板、変態誘起塑性(TRIP)鋼板の標準仕様
  • ASTM D7932-14 過酷な流通環境で使用される印刷ラベルおよび粘着ラベルの標準仕様
  • ASTM D7932-17 過酷な流通環境で使用される印刷ラベルおよび粘着ラベルの標準仕様
  • ASTM C1353-09 歩道用寸法石の耐摩耗性標準試験方法(回転テーブル両頭研磨機)
  • ASTM C1353/C1353M-09e1 歩道用寸法石の耐摩耗性標準試験方法(回転テーブル両頭研磨機)
  • ASTM E1855-96 2N2222A シリコン バイポーラ トランジスタを中性子スペクトル センサーおよび変位破壊モニターとして使用するための標準試験方法
  • ASTM E1855-15 2N2222A シリコン バイポーラ トランジスタを中性子スペクトル センサーおよび変位破壊モニターとして使用するための標準試験方法

Professional Standard - Electron, 双極性人格

  • SJ/Z 9184-1995 ビデオレコーダー用バイポーラアルミ電解コンデンサの認証規格
  • SJ 20973-2007 信頼性指標付きバイポーラ固体電解質 タンタルコンデンサの一般仕様
  • SJ 20208-1992 CAK70形信頼性表示付バイポーラ固定電解タンタルコンデンサ 詳細仕様
  • SJ 50063.1-1994 信頼性表示付きバイポーラ固体電解タンタルコンデンサ CAK72 形の詳細仕様
  • SJ/T 10504-1994 電子部品詳細仕様書 CA70 バイポーラ固体電解質固定タンタルコンデンサ 評価レベル E

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 双極性人格

  • GJB 605-1988 SD01A 双極電池パックのミサイル核兵器の技術的条件

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 双極性人格

  • KS C 5208-2002 信頼性を保証したトライアック(低電流)
  • KS C 5209-1980(2000) トライアックIM(電流)の信頼性保証一覧表
  • KS C 5209-1980 トライアックIM(電流)の信頼性保証一覧表
  • KS C IEC 62776:2020 線形蛍光ランプの後付け用に設計された二重層LEDランプ - 安全仕様
  • KS C 5209-2002 信頼性が保証されたトライアック(大電流および中電流)
  • KS C IEC 60747-7-2:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 7: バイポーラトランジスタ、セクション 2: 低周波増幅用の環境定格バイポーラトランジスタの詳細仕様は空白です。
  • KS C IEC TS 62607-4-1:2019 ナノ製造の重要な制御特性 パート 4-1: ナノ電気エネルギー貯蔵正極二極電池法のためのナノ材料の電気化学的特性評価
  • KS B ISO 1938-1:2020 幾何製品仕様書(GPS) - 寸法測定器 - 第1部:直線寸法用限界ゲージ
  • KS B ISO 16570:2013 幾何学的製品仕様 (GPS) 直線および角度の寸法および許容差: +/限界仕様 ステップ寸法、距離、角度寸法および半径

Danish Standards Foundation, 双極性人格

  • DS/IEC 747-7-2:1990 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 7: バイポーラトランジスタ、セクション 2: 低周波増幅用の環境定格バイポーラトランジスタの詳細仕様は空白です。

IN-BIS, 双極性人格

  • IS 10676-1983 スパチュラ仕様 脳型両端可塑性 オリーブクロナのパターン

YU-JUS, 双極性人格

  • JUS N.R1.391-1979 バイポーラ電界効果トランジスタ。 重要な評価と機能。 パワー管
  • JUS N.R1.373-1980 バイポーラ電界効果トランジスタ。 重要な評価と機能。 低電力信号用トランジスタ
  • JUS N.R1.390-1979 バイポーラ電界効果トランジスタ。 重要な評価と機能。 低電力信号用トランジスタ

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, 双極性人格

  • REPORT M.2175-2010 MSSシステム向けデジタル交差偏波キャンセルを使用した同時バイリニア偏波伝送技術

Group Standards of the People's Republic of China, 双極性人格

  • T/ZJCX 0034-2023 固体高分子型燃料電池用黒鉛双極板特性試験基準
  • T/CES 084-2021 フレキシブル DC 伝送用の絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) モジュールのアプリケーション信頼性テスト仕様
  • T/CEC 155-2018 柔軟な電力伝送を実現するプレスフィット絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) デバイスの一般要件

Indonesia Standards, 双極性人格

  • SNI 19-2967-1992 保護フロッピー ディスク、130 mm、1.9tpmm、両面、倍密度、未フォーマット、7958 bpr 使用

Aeronautical Radio Inc., 双極性人格

KR-KS, 双極性人格

  • KS C IEC 62776-2020 線形蛍光ランプの後付け用に設計された二重層LEDランプ - 安全仕様
  • KS C IEC TS 62607-4-1-2019 ナノ製造の重要な制御特性 パート 4-1: ナノ電気エネルギー貯蔵正極二極電池法のためのナノ材料の電気化学的特性評価
  • KS B ISO 1938-1-2020 幾何製品仕様書(GPS) - 寸法測定器 - 第1部:直線寸法用限界ゲージ

RU-GOST R, 双極性人格

  • GOST 26169-1984 無線電子機器の電磁適合性、高出力および高周波リニアバイポーラトランジスタの組み合わせ係数の仕様
  • PNST 116-2016 直管型蛍光灯を後付けできるように設計された両頭型LEDランプです。
  • GOST R IEC 60254-2-2009 自動車用鉛酸バッテリー パート 2: バッテリーの極性マーキングと端子の仕様
  • GOST 25347-2013 互換性に関する基本ガイドライン 幾何学的製品の技術仕様 直線寸法の公差システム 穴とシャフトの公差シリーズと限界偏差の表

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 双極性人格

  • GB/T 20042.6-2011 固体高分子形燃料電池 第 6 部:バイポーラプレート特性の試験方法

CZ-CSN, 双極性人格

  • CSN IEC 747-7:1994 半導体ディスクリート機器および集積回路。 パート 7: バイポーラ トランジスタ
  • CSN 01 4240 Zb-1982 チェコ国家規格 01 4240 *規格限界偏差の互換性に関する基本ガイドライン

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 双極性人格

  • CNS 14735-8-2003 ガイド穴付フレキシブル片面・両面プリント基板仕様
  • CNS 14735.8-2003 ガイド穴付フレキシブル片面・両面プリント基板仕様
  • CNS 14735-7-2003 ビアなしフレキシブル片面および両面プリント基板の仕様
  • CNS 14735.7-2003 ビアなしフレキシブル片面および両面プリント基板の仕様

Standard Association of Australia (SAA), 双極性人格

  • AS 4782.2:2019 二重口金蛍光ランプの性能仕様 パート 2: 最小エネルギー性能基準 (MEPS)
  • AS/NZS 4782.1:2020 両端蛍光ランプの性能仕様パート 1: 一般 (IEC 60081:1997+AMD1:2000 CSV (ED.5.1)、MOD)

International Organization for Standardization (ISO), 双極性人格

  • ISO 10575:2012 弾力性のある床材 二層ゴムシート床材仕様

American National Standards Institute (ANSI), 双極性人格

  • ANSI X3.121-1984 情報システム 両面未フォーマット 8 インチ (200 mm)、48TPI 倍密度フロッピー ディスク 一般的な物理要件および磁気要件 (13262FTPR デュアルヘッドに適用)
  • ANSI/INCITS 121-1984 情報システム 両面未フォーマット 8 インチ (200 mm)、48 tpi 倍密度フロッピー ディスク デュアルヘッド 13262 ftpr で ANSI X3.121-1984 に代わる物理的および磁気的一般要件
  • ANSI/INCITS 126-1986 片面および両面倍密度未フォーマット 5.25 インチ (130mm)、96TPI (3.8TPMM) フロッピー ディスク カートリッジ 7958BPR の一般、物理的および磁気要件
  • ANSI X3.125-1985 情報システム 両面、倍密度、フォーマットされていない 5.25 インチ (130 mm)、48 レーン/インチ (1.9 レーン/mm) フロッピー ディスク 一般的な物理要件および磁気要件 (7958BPR に適用)
  • ANSI/AWS B2.1-1-007:2002 バッキングプレートの有無にかかわらず、溶接条件下での 10 ~ 18 ゲージの亜鉛メッキ鋼のタングステン電極不活性ガスシールド溶接

PT-IPQ, 双極性人格

  • NP 2955/6-1985 電子部品。 モノリシック集積回路で使用するためのプログラム可能なバイポーラ読み取り専用メモリ、詳細な仕様

ANSI - American National Standards Institute, 双極性人格

  • X3.121-1984 情報システム デュプレックス 未フォーマット 8 インチ (200 mm) 48 tpi デュアル密度フレキシブル ディスク エンクロージャ 13 262 ftpr デュアルヘッド アプリケーションの一般的な物理要件と磁気要件
  • INCITS 121-1984 情報システム デュプレックス 未フォーマット 8 インチ (200 mm) 48 tpi デュアル密度フレキシブル ディスク エンクロージャ 13 262 ftpr デュアルヘッド アプリケーションの一般的な物理要件と磁気要件
  • INCITS 125-1985 情報システム 両面 倍密度 未フォーマット 5.25 インチ (130 mm) 48-tpi (1 9-tpmm) 7958 bpr で使用されるフレキシブル ディスク カートリッジの一般的な物理的および磁気的要件
  • X3.125-1985 情報システム 両面 倍密度 未フォーマット 5.25 インチ (130 mm) 48-tpi (1 9-tpmm) 7958 bpr で使用されるフレキシブル ディスク カートリッジの一般的な物理的および磁気的要件
  • X3.126-1986 情報システム 片面または両面の倍密度、未フォーマット 5.25 インチ (130 mm) 96 tpi (3 8-tpmm) 7958 bpr で使用されるフレキシブル ディスク カートリッジの一般的な物理要件および磁気要件
  • INCITS 126-1986 情報システム 片面または両面の倍密度、未フォーマット 5.25 インチ (130 mm) 96 tpi (3 8-tpmm) 7958 bpr で使用されるフレキシブル ディスク カートリッジの一般的な物理要件および磁気要件
  • INCITS 126-2017 情報システム – 片面または両面 @ 倍密度 未フォーマット @ 5.25 インチ (130 mm) @ 96-tpi (3 @ 8 tpmm) @ 7958 bpr 用フロッピー ディスク カートリッジ – 一般 @ 物理要件および磁気要件

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  • STAS 7335/9-1988 地下金属構造物の防食。 金属活性剤による外部陰極防食。 一般仕様

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  • YD/T 2618.3-2014 40G b/s 位相変調光トランシーバ モジュール パート 3: コヒーレント受信とバイポーラ位相シフト キーイング変調

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 双極性人格

  • IEEE/ANSI N42.17C-1989 危険な放射線防護機器の性能仕様 極端な環境条件で使用するポータブル機器

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), 双極性人格

  • EN 60721-1:1995 環境条件の分類 パート 1: 極めて厳しい環境パラメータ (A2 を含む) (IEC 721-1-1990+A1-1992+A2-1995)

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