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반도체 및 광전류

모두 500항목의 반도체 및 광전류와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 반도체 및 광전류와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 광전자공학, 레이저 장비, 반도체 개별 장치, 정류기, 변환기, 조정된 전원 공급 장치, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 광학 및 광학 측정, 금속 재료 테스트, 조선 및 해양 구조물 통합, 광섬유 통신, 반도체 소재, 개폐 장치 및 컨트롤러, 어휘, 변압기, 리액터, 인덕터, 전기 장치, 방사선 측정, 항공우주 전기 장비 및 시스템, 전기 및 전자 테스트, 절연유체, 전자 디스플레이 장치, 기계, 설비 및 장비의 특성 및 설계, 콘덴서, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 종합 전자 부품, 항공우주 제조용 재료, 전기 장비 부품, 환경 테스트.


CZ-CSN, 반도체 및 광전류

  • CSN 35 8761-1973 반도체 장비. 포토트랜지스터 포토다이오드. 광전류 측정
  • CSN 35 8762-1973 반도체 장비. 포토트랜지스터 포토다이오드. 암전류 측정
  • CSN 35 8773-1977 반도체 장치 측정. 반도체 사이리스터. 차단 전류 및 역방향 차단 전류 측정
  • CSN 35 8735-1964 반도체 다이오드. DC 전류 및 전압 측정
  • CSN 35 8732-1964 반도체 다이오드. 순방향 전류 측정
  • CSN 35 8772-1970 반도체 사이리스터. 유지 전류 측정 방법
  • CSN 35 8742-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 차단 전류 측정
  • CSN 35 8770-1970 반도체 사이리스터. 온 상태 전압 측정 방법
  • CSN 35 8734-1975 반도체 장치. 다이오드. 역전류 측정.
  • CSN 35 8731-1975 반도체 장비. 다이오드. DC 순방향 전압 측정
  • CSN 35 8771-1970 반도체 사이리스터. 게이트 트리거 전압 및 게이트 트리거 전류 측정 방법
  • CSN 35 8851-1987 반도체 광전자 장치. 매개변수 용어, 정의 및 문자 기호
  • CSN 35 8804-1985 반도체 광전자 장치는 장비에 널리 사용됩니다. 일반사양
  • CSN 35 8797 Cast.2 IEC 747-2:1990 반도체 장비. 개별 장치 및 집적 회로. 2부: 정류기 다이오드
  • CSN 35 8746-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 순방향 전류 전달 비율 및 주파수 fT, fh21b, fh21e의 절대값 측정

British Standards Institution (BSI), 반도체 및 광전류

  • BS IEC 60747-5-4:2022 반도체 장치-광전자 장치 반도체 레이저
  • BS IEC 60747-5-4:2006 반도체 장치 디스크리트 장치 광전자 장치 반도체 레이저
  • BS IEC 60747-6:2000 개별 반도체 장치 및 집적 회로 반도체 사이리스터
  • BS IEC 60747-6:2001 개별 반도체 장치 및 집적 회로 반도체 사이리스터
  • BS EN IEC 60747-5-5:2020 반도체 장치 광전자 장치 광커플러
  • 19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4 반도체 장치 파트 5-4 광전자 장치 반도체 레이저
  • BS EN 62415:2010 반도체 장치, 정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • 23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. 반도체 장치 5-4부 광전자 장치 반도체 레이저
  • BS IEC 60747-18-3:2019 반도체 장치 반도체 바이오 센서 유체 시스템을 갖춘 무렌즈 CMOS 광 어레이 센서 패키지 모듈의 유체 흐름 특성
  • BS EN 62007-2:2000 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치.측정 방법
  • BS IEC 60092-304:2002 선상 전기 설비 및 장비-반도체 변환기
  • BS EN 62007-2:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치.측정 방법
  • BS EN 60747-5-5:2011 반도체 장치 디스크리트 장치 광전자 장치 광커플러
  • BS IEC 60747-5-11:2019 반도체 장치, 광전자 장치, 발광 다이오드, 발광 다이오드의 방사 및 비방사 전류에 대한 테스트 방법
  • BS IEC 60747-5-16:2023 반도체 소자 - 광전자 소자 발광 다이오드 GaN 기반 발광 다이오드 광전류 스펙트럼 기반 플랫 밴드 전압 테스트 방법
  • BS IEC 60747-18-2:2020 반도체 소자 반도체 바이오센서 렌즈리스 CMOS 포토닉 어레이 센서 패키지 모듈 평가 프로세스
  • BS EN 62007-1:2000 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 기본 등급 및 특성
  • BS IEC 60747-5-1:1998 개별 반도체 장치 및 집적 회로 광전자 장치 개요
  • BS EN 60747-5-1:1998 반도체 개별 장치 및 집적 회로 광전자 장치의 일반 원리
  • BS EN 60747-5-1:2001 반도체 개별 장치 및 집적 회로, 광전자 장치, 일반 원리
  • 18/30361905 DC BS EN 60747-18-3 반도체 장치 파트 18-3 반도체 바이오센서 유체 시스템을 갖춘 무렌즈 CMOS 광 어레이 센서 패키지 모듈의 유체 흐름 특성
  • PD IEC TR 60747-5-12:2021 반도체소자 광전자소자 발광다이오드 LED 효율 시험 방법
  • BS IEC 60747-5-8:2019 반도체소자, 광전자소자, 발광다이오드, 발광다이오드의 광전효율 시험방법
  • BS IEC 60747-5-3:1998 개별 반도체 장치 및 집적 회로, 광전자 장치, 측정 방법
  • BS EN 60747-5-3:1998 반도체 개별 장치 및 집적 회로 광전자 장치의 측정 방법
  • BS EN 60747-5-3:2001 반도체 개별 장치 및 집적 회로, 광전자 장치, 측정 방법
  • 21/30440970 DC BS EN IEC 60747-5-16 반도체 장치 파트 5-16 광전자 장치 발광 다이오드 광전류 스펙트럼을 기반으로 한 플랫 밴드 전압 테스트 방법
  • 18/30350443 DC BS EN 60747-5-5. 반도체 장치. 파트 5-5. 광전자 장치. 광커플러
  • BS EN 61643-341:2002 저전압 서지 보호 장치 사이리스터 서지 억제기(TSS) 사양
  • BS IEC 60747-2:2000 개별 반도체 장치 및 집적 회로 정류 다이오드
  • BS IEC 60747-5-15:2022 전기반사스펙트럼을 기반으로 한 반도체소자-광전자소자 발광다이오드 플랫밴드 전압 테스트 방법
  • BS 6493-1.5:1992 반도체 장치 개별 장비 광전자 장치 권장 사항 섹션 5: 광전자 장치 권장 사항
  • 17/30355780 DC BS EN 60747-18-2 반도체 장치 파트 18-2 반도체 바이오센서 무렌즈 CMOS 포토닉 어레이 센서 패키지 모듈에 대한 평가 프로세스
  • 19/30392174 DC BS EN 60747-5-6 반도체 장치 파트 5-6 광전자 장치 발광 다이오드
  • 18/30388245 DC BS EN IEC 60747-5-11 반도체 장치 파트 5-11 광전자 장치 발광 다이오드 발광 다이오드 방사 및 비방사 전류에 대한 테스트 방법
  • BS EN 120000:1996 전자 부품의 품질 평가를 위한 조정 시스템, 광전자 및 액정 반도체 장치의 일반 사양
  • BS EN 62007-1:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿
  • BS EN 62007-1:2015 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿
  • BS IEC 60747-5-13:2021 반도체 소자 광전자 장비 LED 패키징 황화수소 부식 시험
  • BS EN 60747-5-2:1998 개별 반도체 장치 및 집적 회로 광전자 장치 기본 등급 및 특성
  • BS EN 60747-5-2:2001 개별 반도체 장치 및 집적 회로, 광전자 장치, 기본 등급 및 특성
  • PD IEC TR 62240-2:2018 항공전자장비 공정관리 전자부품 운용능력 반도체 미세회로 수명
  • BS IEC 60747-5-9:2019 온도변화 전계발광 기반 반도체소자 광전자소자 발광다이오드 내부양자효율 시험 방법
  • BS EN 60947-4-2:2000 저전압 개폐 장치 및 제어 장치 전류 접촉기 및 전기 시동기 AC 반도체 전기 컨트롤러 및 전류 시동기
  • BS EN 62047-9:2011 반도체 장치, 마이크로 전자 기계 장치, MEMS의 웨이퍼 간 결합 강도 측정
  • BS EN 62047-9:2013 반도체소자 미세전자기계소자 MEMS의 웨이퍼간 결합강도 측정
  • BS EN 60947-4-3:2000 저전압 개폐 장치 및 제어 장치 전류 접촉기 및 전기 시동기 비모터 부하용 AC 반도체 컨트롤러 및 전류 접촉기
  • BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 광섬유 시스템 응용 분야용 반도체 광전자 장치의 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿
  • 18/30367363 DC BS IEC 60747-5-8 반도체 장치 5-8부 광전자 장치 발광 다이오드 발광 다이오드의 광전 효율 테스트 방법

Professional Standard - Electron, 반도체 및 광전류

  • SJ 2214.10-1982 반도체 포토다이오드 및 삼극관의 광전류 테스트 방법
  • SJ 2214.3-1982 반도체 포토다이오드의 암전류 테스트 방법
  • SJ 2214.8-1982 반도체 포토트랜지스터의 암전류 테스트 방법
  • SJ 2215.10-1982 반도체 광커플러의 DC 전류 전달 비율 테스트 방법
  • SJ 1795-1981 50~1000mA 소전류 반도체 사이리스터(임시)
  • SJ 20642-1997 반도체 광전자 모듈의 일반 사양
  • SJ 20786-2000 반도체 광전자 부품에 대한 일반 사양
  • SJ 2215.3-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 순방향 전류 테스트 방법
  • SJ 2215.4-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 역전류 테스트 방법
  • SJ 50033/109-1996 반도체 광전자 장치 반도체 레이저 다이오드 유형 GJ9031T, GJ9032T 및 GJ9034T 세부 사양
  • SJ/T 2214-2015 반도체 포토다이오드 및 포토트랜지스터 테스트 방법
  • SJ 2355.3-1983 반도체 발광소자 시험방법 역전류 시험방법
  • SJ/T 2215-2015 반도체 광커플러 테스트 방법
  • SJ 2247-1982 반도체 광전자 장치 치수
  • SJ 2215.9-1982 반도체 광커플러(트랜지스터)의 역방향 차단 전류 테스트 방법
  • SJ 50033/111-1996 반도체 광전자소자 GTI6형 실리콘 NPN 포토트랜지스터 상세사양
  • SJ 20642.5-1998 반도체 광전자 모듈 GH82 형 광 커플러 상세 사양
  • SJ 20642.4-1998 반도체 광전자 모듈 GH81형 광커플러 상세 사양
  • SJ 20642.6-1998 반도체 광전자 모듈 GH83 형 광 커플러 상세 사양
  • SJ 50033/112-1996 반도체 광전자소자 GD3251Y형 포토다이오드 상세사양
  • SJ 50033/113-1996 반도체 광전자소자 GD3252Y형 포토다이오드 상세사양
  • SJ/T 11856.3-2022 광섬유 통신용 반도체 레이저 칩 기술 사양 제3부: 광원용 전기 흡수 변조 반도체 레이저 칩
  • SJ 20644.1-2001 반도체 광전자 장치 GD3550Y 유형 PIN 포토 다이오드의 세부 사양
  • SJ 20644.2-2001 반도체 광전자 장치 GD101 유형 PIN 포토다이오드의 세부 사양
  • SJ 20786.1-2002 반도체 광전자 부품 CBGS2301 소형 양방향 광전 포지셔너 상세 사양
  • SJ 2214.5-1982 반도체 포토다이오드 접합 용량 테스트 방법
  • SJ 20642.3-1998 반도체 광전자 모듈 GD83 유형 PIN-FET 광수신 모듈 세부 사양
  • SJ 20642.2-1998 반도체 광전자 모듈 GD82 형 PIN-FET 광수신 모듈 상세 사양
  • SJ 50597.3-1994 반도체 집적 회로 JH009 및 JH2010 HTL NAND 게이트의 세부 사양
  • SJ 50033/136-1997 반도체 광전자소자 GF116 적색발광다이오드 상세사양
  • SJ 50033/143-1999 반도체 광전자 장치 유형 GF1120 적색 발광 다이오드의 상세 사양
  • SJ 50033/137-1997 반도체 광전자소자 GF216 주황색 발광다이오드 상세사양
  • SJ 20642.1-1998 반도체 광전자 모듈 GD81 유형 DIN-FET 광 수신기 모듈에 대한 자세한 일반 사양
  • SJ/T 11405-2009 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • SJ 50033/139-1998 반도체 광전자소자 GF4111 녹색발광다이오드 상세사양
  • SJ 50033/138-1998 반도체 광전자 장치 유형 GF318 노란색 발광 다이오드의 상세 사양
  • SJ 50033/58-1995 반도체 광전자소자 GF413 녹색발광다이오드 상세사양
  • SJ/T 11393-2009 반도체 광전자소자 전력발광다이오드의 빈칸 상세사양
  • SJ 50033/142-1999 반도체 광전자소자 GF4112 녹색발광다이오드 상세사양
  • SJ 50033/57-1995 반도체 광전자소자 GF115 적색발광다이오드 상세사양
  • SJ 2215.6-1982 반도체 광커플러(다이오드) 접합 용량 테스트 방법
  • SJ/T 11866-2022 반도체 광전자 장치 - 실리콘 기판 백색광 전력 발광 다이오드의 세부 사양
  • SJ/T 11400-2009 반도체 광전자소자용 저전력 발광다이오드의 빈칸 상세사양
  • SJ/Z 9014.3-1987 반도체 장치 개별 장치 및 집적 회로 6부: 사이리스터
  • SJ 2214.4-1982 반도체 포토다이오드의 역항복 전압 테스트 방법
  • SJ 2215.12-1982 반도체 광 커플러의 입력과 출력 사이의 절연 용량 테스트 방법
  • SJ 50033/114-1996 반도체 광전자 장치 GD3283Y 유형 위치 감지 검출기의 세부 사양
  • SJ 2215.13-1982 반도체 광커플러의 입력과 출력간 절연저항 시험방법
  • SJ 2355.4-1983 반도체 발광소자 시험방법, 접합용량 시험방법
  • SJ 50033/99-1995 반도체 광전자소자 GF511 주황색/녹색 이중색상 발광다이오드 상세사양
  • SJ 20642.7-2000 반도체 광전자소자 GR1325J형 장파장 발광다이오드 어셈블리 상세사양
  • SJ/T 11817-2022 반도체 광전자소자용 발광다이오드, 필라멘트램프 상세사양 공란
  • SJ 20281-1993 반도체 집적 회로 JT54LS13, JT54LS14 및 JT54LS132 유형 LS-TTL NAND 게이트의 세부 사양
  • SJ 50033/140-1999 반도체 광전자 장치의 세부 사양 3DA502 실리콘 마이크로파 펄스 전력 트랜지스터
  • SJ 50033/117-1997 반도체 개별 장치 2CK38 유형 실리콘 고전류 스위칭 다이오드 세부 사양
  • SJ 50033/115-1997 반도체 개별 장치 2CK28 유형 실리콘 고전류 스위칭 다이오드 세부 사양
  • SJ 50033/116-1997 반도체 개별 장치 2CK29 유형 실리콘 고전류 스위칭 다이오드 세부 사양
  • SJ 50033/110-1996 반도체 광전자소자 GR9413형 적외선 방출다이오드 상세사양
  • SJ 2215.5-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 역항복 전압 테스트 방법
  • SJ 53930/1-2002 반도체 광전자 장치 GR8813 적외선 방출 다이오드 유형의 상세 사양
  • SJ 2658.4-1986 반도체 적외선 발광다이오드의 시험방법, 정전용량의 시험방법
  • SJ 2215.7-1982 반도체 광커플러의 컬렉터-이미터 역항복 전압 테스트 방법
  • SJ/T 10947-1996 전자부품 FG341052, FG343053형 반도체 녹색발광다이오드 상세사양
  • SJ 2658.3-1986 반도체 적외선 발광다이오드 시험방법 역전압 시험방법
  • SJ 20279-1993 반도체 집적 회로 JT54LS08, JT54LS09, JT54LS11, JT54LS15, JT54LS11, JT54LS15, JT54LS21 유형 LS-TTL AND 게이트의 세부 사양
  • SJ 50597/51-1999 반도체 집적 회로 JW1846/JW1847 전류 모드 펄스 폭 변조 컨트롤러의 세부 사양
  • SJ 2214.6-1982 반도체 광트랜지스터의 컬렉터와 이미터의 역항복전압 테스트 방법
  • SJ/T 10042-1991 전자부품 상세사양 반도체 집적회로 CT54LS00/CT74LS00 4형 2입력 NAND 게이트
  • SJ/T 10823-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CH2009 유형 HTL 3개의 3입력 NAND 게이트에 대한 상세 사양
  • SJ/T 10084-1991 전자부품 상세사양 반도체 집적회로 CT54H20/CT74H20형 듀얼 4입력 NAND 게이트
  • SJ/T 10824-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CH2010 유형 HTL 4개의 2입력 NAND 게이트 세부 사양
  • SJ/T 10822-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CH2008 유형 HTL 듀얼 4입력 NAND 게이트 세부 사양
  • SJ/T 10820-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CH2001 유형 HTL 듀얼 4입력 NAND 게이트 세부 사양
  • SJ 1488-1979 역 차단 고주파 반도체 사이리스터의 정격 고주파 온 상태 평균 전류 IT 테스트 방법
  • SJ/T 2658.3-2015 반도체 적외선 방출 다이오드의 측정 방법 3부: 역전압 및 역전류
  • SJ/T 11067-1996 적외선탐지재료 중 반도체광전자재료와 초전재료의 공통용어
  • SJ/T 10827-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CJ0451 유형 HTL 이중 주변 장치 포지티브 AND 드라이버에 대한 상세 사양
  • SJ/T 10826-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CJ0450 유형 HTL 이중 주변 장치 양극 및 드라이버에 대한 상세 사양
  • SJ/T 2658.16-2016 반도체 적외선 방출 다이오드의 측정 방법 제16부: 광전 변환 효율
  • SJ/T 10948-1996 전자부품 FG313052, FG314053, FG313054, FG314055형 반도체 적색발광다이오드 상세사양
  • SJ/T 10828-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CJ0452 유형 HTL 이중 주변 장치 포지티브 및 비 드라이버에 대한 상세 사양
  • SJ 2658.5-1986 반도체 적외선 발광 다이오드 테스트 방법 순방향 직렬 저항 테스트 방법
  • SJ 20280-1993 반도체집적회로 JT54LS00(03, 04, 05, 10, 12, 20, 22, 30)형 LS-TTL NAND 게이트 상세사양
  • SJ/T 10815-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CT1030 유형 TTL8 입력 NAND 게이트 세부 사양 (인증 가능)

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 및 광전류

American National Standards Institute （ANSI), 반도체 및 광전류

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 반도체 및 광전류

  • GJB 33/17-2011 반도체 광전자 장치 상세 사양 GO11형 반도체 광커플러
  • GJB 33/16-2011 반도체 광전자소자 3DU32형 반도체 포토트랜지스터 상세사양
  • GJB 5018-2001 반도체 광전자 장치의 심사 및 승인을 위한 일반 요구 사항
  • GJB 33/18-2011 반도체 광전자 장치 GO417 양방향 반도체 광전 결합 아날로그 스위치의 세부 사양
  • GJB/Z 41.3-1993 군용 반도체 개별 장치 시리즈 스펙트럼 반도체 광전자 장치
  • GJB 8121-2013 반도체 광전자 부품에 대한 일반 사양
  • GJB 8120-2013 반도체 광전자 모듈의 일반 사양
  • GJB 8119-2013 반도체 광전자 장치의 일반 사양
  • GJB 33/15-2011 반도체 광전자소자 BT401형 반도체 적외선 방출다이오드 상세사양
  • GJB 597/2A-1994 반도체 집적 회로 CMOS AND 게이트 및 NAND 게이트의 세부 사양
  • GJB 33/20-2011 반도체 광전자소자 GH302형 광커플러 상세사양
  • GJB 33/22-2011 반도체 광전자 장치 GO103형 광커플러 상세 사양
  • GJB 33/21-2011 반도체 광전자 장치 GD310A 시리즈 광 커플러의 세부 사양
  • GJB 33/23-2011 반도체 광전자소자 GH3201Z-4형 광커플러 상세사양
  • GJB 33/19-2011 반도체 광전자소자 GH302-4형 광커플러 상세사양
  • GJB 597/2-1988 반도체 집적회로 CMOS(정논리) NAND 게이트의 상세 사양
  • GJB 33/12A-2021 반도체 개별 장치 2CK36 유형 실리콘 고전류 스위칭 다이오드 세부 사양
  • GJB 33/13A-2021 반도체 개별 장치 2CK37 유형 실리콘 고전류 스위칭 다이오드 세부 사양
  • GJB 33A/13-2003 반도체 개별 장치 2CK37 유형 실리콘 고전류 스위칭 다이오드 세부 사양
  • GJB 33A/12-2003 반도체 개별 장치 2CK36 유형 실리콘 고전류 스위칭 다이오드 세부 사양
  • GJB/Z 42.3-1993 군용 마이크로 회로 시리즈 유형 스펙트럼 반도체 집적 회로 마이크로컴퓨터 및 메모리 집적 회로

RU-GOST R, 반도체 및 광전류

  • GOST 18986.3-1973 반도체 다이오드 일정한 DC 전압 및 일정한 DC 전류를 결정하는 방법
  • GOST R 50471-1993 반도체 광 방출기. 반값 각도 측정 방법
  • GOST 18986.1-1973 반도체 다이오드.역직류 결정 방법
  • GOST 29283-1992 반도체 장비, 개별 장치 장비 및 집적 회로, 5부. 광전자 장비
  • GOST 26282-1984 5kVA 이내의 전력을 갖는 반도체 전력 변환기.
  • GOST 29209-1991 반도체 장치, 개별 장치 및 집적 회로 2부. 정류 다이오드
  • GOST 19656.2-1974 초고주파 혼합 반도체 다이오드. 평균 정류 전류의 측정 방법
  • GOST 18986.14-1985 반도체 다이오드 차동 및 동적 저항 측정 방법
  • GOST R 59605-2021 광학 및 포토닉스 반도체 광검출기 광전자 및 수광 장치 용어 및 정의
  • GOST 27299-1987 반도체 광전자 장치 - 용어, 정의 및 매개변수에 대한 알파벳순 코드
  • GOST 18986.16-1972 반도체 정류기 다이오드.평균직류전압 및 평균역전류 측정방법
  • GOST 25953-1983 5kVA 이상의 전력을 갖춘 반도체 전력 변환기.
  • GOST 17704-1972 반도체 장치, 광전자 복사 에너지 수신기, 분류 및 코딩 시스템
  • GOST 17772-1988 반도체 광검출기 및 광수신기, 광전 매개변수 측정 및 특성 결정 방법
  • GOST 19656.7-1974 초고주파 검출용 반도체 다이오드 전류감도 측정방법
  • GOST 20766-1975 전리 방사선 반도체 스펙트럼 검출기 유형 및 기본 매개변수
  • GOST 21934-1983 반도체 광전자 및 광 방사 수신기 장치 용어 및 정의
  • GOST R 59607-2021 광학 및 포토닉스 반도체 광검출기 광전자 및 수광 장치 광전자 매개변수 측정 및 특성 결정 방법
  • GOST 29210-1991 반도체 장치, 개별 장치 및 집적 회로 3부. 신호 다이오드(컨버터 포함) 및 전류 및 전압 제어 다이오드
  • GOST 18986.13-1974 터널형 반도체 다이오드.피크전류, 밸리전류, 피크전압, 밸리전압, 용액전압의 측정방법
  • GOST 26830-1986 5kVA 이하 전력의 반도체 전력 변환기 일반 기술 조건
  • GOST 18230-1972 이온화 방사선 반도체 검출기용 분광계용 전원 공급 장치 유형 및 기본 매개변수
  • GOST 19868-1974 전리 방사선 반도체 검출기용 분광계용 선형 증폭기 파라메트릭 측정 방법

International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체 및 광전류

  • IEC 60747-5-4:2022 반도체 장치 파트 5-4: 광전자 장치 반도체 레이저
  • IEC 60747-5-4:2006 반도체 장치 디스크리트 장치 5-4부: 광전자 장치 반도체 레이저
  • IEC TR 60146-6:1992 반도체 변환기 6부: 과전류로부터 반도체 변환기를 보호하기 위해 퓨즈를 사용하기 위한 애플리케이션 지침
  • IEC 62415:2010 반도체 장치, 정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • IEC TR2 60146-6:1992 반도체 컨버터 6부: 퓨즈로 인한 과전류 보호를 위한 반도체 컨버터 적용 지침
  • IEC 60700:1981 고전압 직류 전송용 반도체 진공관 테스트
  • IEC 60747-5-7:2016 반도체 장비 5-7부: 광전자 장비 포토다이오드 및 포토트랜지스터
  • IEC 60747-18-3:2019 반도체 장치 18-3부: 반도체 바이오센서 유체 시스템을 갖춘 무렌즈 CMOS 광 어레이 센서 부품의 유체 흐름 특성
  • IEC 60747-5-11:2019 반도체 장치 - 파트 5-11: 광전자 장치, 발광 다이오드, 발광 다이오드 방사 전류 및 비방사 전류에 대한 테스트 방법
  • IEC 60747-5-5:2020 반도체 장치 파트 5-5: 광전자 장치 광커플러
  • IEC 60747-5-6:2016 반도체 장비 5-6부: 광전자 장비 발광 다이오드
  • IEC 60747-5-6:2021 반도체 장비 5-6부: 광전자 장비 발광 다이오드
  • IEC 62007-2:1997 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 파트 2: 측정 방법
  • IEC 60747-5-6:2021 RLV 반도체 장치 5-6부: 광전자 장치 발광 다이오드
  • IEC 60092-304:1980 선박 전기 설비 파트 304: 장비 반도체 변환기
  • IEC 60146-1-2:1991 반도체 컨버터 및 그리드 정류형 컨버터에 대한 일반 요구 사항 파트 1-2: 애플리케이션 지침
  • IEC 60700-1:1998/AMD2:2008 고전압 직류(HVDC) 전력 전송용 사이리스터 밸브 파트 1: 전기 테스트
  • IEC 60747-5-5:2007/AMD1:2013 반도체 장치 디스크리트 장치 5-5부: 광전자 장치 광커플러
  • IEC 60747-5-5:2013 반도체 장치 디스크리트 장치 5-5부: 광전자 장치 광커플러
  • IEC 60747-5-16:2023 반도체 소자 5-16부: 광전자 소자 발광 다이오드 광전류 분광법을 기반으로 한 GaN 기반 발광 다이오드의 플랫 밴드 전압 테스트 방법
  • IEC 60747-5-5:2007 반도체 장치 디스크리트 장치 5-5부: 광전자 장치 광커플러
  • IEC 62007-2:1999 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • IEC 60747-5-5:2007+AMD1:2013 CSV 반도체 장치 개별 장치 파트 5-5 광전자 장치 장비 - 광커플러
  • IEC 60092-304/AMD1:1980 선박 전기 설비 파트 304: 장비 반도체 변환기 수정 1
  • IEC 60092-304:1980/AMD1:1995 선박 전기 설비 파트 304: 장비 반도체 변환기 수정 1
  • IEC 62007-2/AMD1:1998 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법 수정 1
  • IEC 62007-1:1999 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성.
  • IEC 62007-2:2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • IEC 62007-1:1997 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성
  • IEC 60747-5:1992 반도체 장치, 개별 장치 및 집적 회로 5부: 광전자 장치
  • IEC 60146-5:1988 반도체 변환기 5부: 무정전 전원 공급 장치 시스템 스위치(UPS 스위치)
  • IEC 60747-5-8:2019 반도체 장치 5-8부: 광전자 장치 발광 다이오드 발광 다이오드 광전 효율 시험 방법
  • IEC 60146-1-3:1991 반도체 변환기 및 그리드 정류 변환기에 대한 일반 요구 사항 1-3부: 변압기 및 리액터
  • IEC 60747-5-1:1997/AMD2:2002 반도체 개별 장치 및 집적 회로 파트 5-1: 광전자 장치 일반 원칙
  • IEC 60747-5-1:1997+AMD1:2001+AMD2:2002 CSV 개별 반도체 장치 및 집적 회로 5-1부: 일반 광전자 장치
  • IEC 60747-5-1:2002 반도체 개별 장치 및 집적 회로 파트 5-1: 광전자 장치 일반 원칙
  • IEC 60747-2:2000 반도체 장치 개별 장치 및 집적 회로 2부: 정류기 다이오드
  • IEC 60747-5-3:2009 개별 반도체 장치 및 집적 회로 5-3부: 광전자 부품 측정 방법
  • IEC 60747-5-1:1997 반도체 개별 장치 및 집적 회로 5-1부: 광전자 장치에 대한 일반 사양
  • IEC 60146-1-1:1991 반도체 컨버터 및 그리드 정류형 컨버터에 대한 일반 요구 사항 1-1부: 기본 요구 사항 사양
  • IEC 60747-5-3:1997/AMD1:2002 개별 반도체 장치 및 집적 회로 5-3부: 광전자 장치 측정 방법
  • IEC 60747-5-3:1997+AMD1:2002 CSV 개별 반도체 장치 및 집적 회로 5-3부: 광전자 장치 측정 방법
  • IEC 60747-5-3:1997 반도체 개별 장치 및 집적 회로 파트 5-3: 광전자 장치의 테스트 방법
  • IEC 62007-1/AMD1:1998 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성 수정 1
  • IEC TR 60747-5-12:2021 반도체 장치 파트 5-12: 광전자 장치의 테스트 방법 발광 다이오드(LED) 효율
  • IEC 60747-5-15:2022 반도체소자 5-15부: 전기반사분광법을 기반으로 한 광전자소자 발광다이오드의 플랫밴드 전압 시험방법
  • IEC 60747-12-3:1998 반도체 장치 12-3부: 광전자 장치의 디스플레이용 발광 다이오드에 대한 공백 상세 사양
  • IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 1부: 기본 정격 및 특성에 대한 사양 템플릿
  • IEC 60747-5-13:2021 반도체 장치 파트 5-13: 광전자 장치 LED 패키지에 대한 황화수소 부식 테스트
  • IEC 60146-1-1/AMD1:1996 반도체 변환기 및 그리드 정류형 변환기에 대한 일반 요구사항 제1-1부: 기본 요구사항 사양 개정 1
  • IEC 60747-5-1:1997/AMD1:2001 반도체 개별 장치 및 집적 회로 5-1부: 광전자 장치 일반 사양 개정 1

(U.S.) Telecommunications Industries Association , 반도체 및 광전류

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체 및 광전류

  • GB/T 10236-2006 반도체 컨버터와 전원 공급 시스템 간의 호환성 및 간섭 보호에 대한 지침
  • GB/T 17950-2000 반도체 컨버터 6부: 과전류로부터 반도체 컨버터를 보호하기 위한 퓨즈 사용에 대한 적용 지침
  • GB 15651.4-2017 반도체 장치 개별 장치 5-4부: 광전자 장치 반도체 레이저
  • GB/T 13422-2013 반도체 컨버터의 전기적 테스트 방법
  • GB/T 13422-1992 반도체 전력 변환기의 전기적 테스트 방법
  • GB/T 3859.3-1993 반도체 변환기 변압기 및 리액터
  • GB/T 6616-2023 반도체 웨이퍼의 저항률 및 반도체 필름의 면저항을 테스트하기 위한 비접촉 와전류 방법
  • GB 12565-1990 반도체 장치 및 광전자 장치 사양
  • GB/T 22193-2008 선박 전장품 반도체 컨버터
  • GB/T 15651.6-2023 반도체 장치 파트 5-6: 광전자 장치 발광 다이오드
  • GB/T 3859.2-2013 반도체 컨버터 및 그리드 정류형 컨버터에 대한 일반 요구 사항 파트 1-2: 애플리케이션 지침
  • GB/T 36359-2018 반도체 광전자소자용 저전력 발광다이오드의 빈칸 상세사양
  • GB/T 36360-2018 반도체 광전자소자용 전력발광다이오드의 빈칸 상세사양
  • GB/T 6616-1995 반도체 실리콘 웨이퍼 저항률 및 실리콘 박막 시트 저항 측정을 위한 비접촉 와전류 방법
  • GB/T 15651-1995 반도체 장치 개별 장치 및 집적 회로 5부: 광전자 장치
  • GB/T 3859.3-2013 반도체 변환기 및 그리드 정류 변환기에 대한 일반 요구 사항 1-3부: 변압기 및 리액터
  • GB/T 4023-2015 반도체 장치 개별 장치 및 집적 회로 2부: 정류기 다이오드
  • GB/T 4023-1997 반도체 장치 개별 장치 및 집적 회로 2부, 정류기 다이오드
  • GB/T 6616-2009 반도체 실리콘 웨이퍼 저항률 및 실리콘 박막 시트 저항 테스트 방법 비접촉 와전류 방법
  • GB/T 3859.1-2013 반도체 컨버터 및 그리드 정류형 컨버터에 대한 일반 요구 사항 1-1부: 기본 요구 사항 사양
  • GB/T 8446.2-2004 전력반도체 소자용 히트싱크 제2부: 열저항 및 유동저항 시험방법
  • GB/T 15651.3-2003 반도체 개별 장치 및 집적 회로 5-3부, 광전자 장치 테스트 방법
  • GB/T 1553-1997 실리콘 및 게르마늄의 소수 캐리어 수명을 측정하기 위한 광전도성 붕괴 방법
  • GB/T 1553-2009 실리콘 및 게르마늄의 소수 캐리어 수명을 측정하기 위한 광전도성 붕괴 방법
  • GB/T 18904.3-2002 반도체 장치 12-3부: 광전자 장치의 디스플레이용 발광 다이오드에 대한 공백 상세 사양
  • GB/T 1553-2023 실리콘 및 게르마늄의 소수 캐리어 수명 결정 광전도성 붕괴 방법

ZA-SANS, 반도체 및 광전류

  • SANS 60146-6:1992 반도체 변환기. 6부: 반도체 컨버터 퓨즈 과전류 보호 애플리케이션 매뉴얼
  • SANS 60146-1-3:1991 반도체 변환기. 활성 변환기에 대한 일반 요구 사항. 1.3부: 변압기 및 리액터

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, 반도체 및 광전류

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 및 광전류

  • GB/T 15651.4-2017 반도체 장치 개별 장치 5-4부: 광전자 장치 반도체 레이저

Professional Standard - Machinery, 반도체 및 광전류

  • JB/T 7063-1993 전력 반도체 소자의 정격 전압 및 전류
  • JB/T 1505-1975 반도체 전력변환기 모델 컴파일 방법
  • JB/T 6307.1-1992 전력 반도체 모듈의 테스트 방법 정류기 암 쌍
  • JB/T 6307.2-1992 전력 반도체 모듈 테스트 방법 정류기 단상 브리지
  • JB/T 6307.3-1992 전력 반도체 모듈 테스트 방법 정류기 3상 브리지
  • JB/T 8453-1996 반도체 컨버터 5부: 무정전 전원 공급 장치용 스위치(UPS 스위치)

Danish Standards Foundation, 반도체 및 광전류

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 반도체 및 광전류

  • EN 62415:2010 반도체 장치-정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • EN 62007-2:2000 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 파트 2: 측정 방법
  • EN 60747-5-5:2011 반도체 장치 개별 장치 파트 5-5: 광전자 장치 광커플러(통합 개정 A1: 2015)
  • EN 62007-1:2000 광섬유 시스템 응용을 위한 반도체 광전자 장치 1부: 기본 정격 및 특성

Association Francaise de Normalisation, 반도체 및 광전류

ES-UNE, 반도체 및 광전류

German Institute for Standardization, 반도체 및 광전류

  • DIN EN 62415:2010-12 반도체 장치-정전류 일렉트로마이그레이션 테스트
  • DIN 50447:1995 반도체 공정 재료 검사, 와전류법에 의한 반도체층의 표면저항 비접촉 측정
  • DIN 41777:1986 정적 전력 변환기 납산 배터리의 세류 충전용 반도체 정류기 장비
  • DIN 41772 Beiblatt 2:1979-02 정적 전력 변환기, 반도체 정류기 장치, 배터리와 병렬 작동을 위한 장치 특성 곡선의 예
  • DIN 41752:1982 정적 전력 변환기, 반도체 정류기 장비, 등급 코드
  • DIN 41772 Bb.2:1979 정적 전력 변환기 반도체 정류기 장치 배터리와 병렬로 작동하는 정류기 장치의 특성 곡선 예
  • DIN EN 62007-2:2009-09 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 - 2부: 측정 방법
  • DIN 50440:1998 반도체 공정 재료 테스트 실리콘 단결정의 캐리어 수명 측정 광전도법에 의한 마이크로젯의 복합 캐리어 수명 측정
  • DIN EN 62415:2010 반도체 장치 정전류 전자 이동 테스트(IEC 62415-2010), 독일어 버전 EN 62415-2010
  • DIN 4000-20:1988 파트 20: 광전자 반도체 부품의 물품 특성표 설계
  • DIN 41772 Beiblatt 1:1979-02 정적 전력 변환기, 반도체 정류기 장치, 배터리 충전기 특성 곡선의 예
  • DIN IEC 60747-2:2001 반도체 장치, 개별 장치 및 집적 회로, 2부: 정류기 다이오드
  • DIN IEC 60747-2:2001-02 반도체 장치 개별 장치 및 집적 회로 2부: 정류기 다이오드
  • DIN 41772 Bb.1:1979 정적 전력 변환기, 반도체 정류 장비, 배터리 충전기 특성 곡선의 예
  • DIN EN 60146-1-3:1994 반도체 변환기 1부: 그리드 정류 변환기 및 일반 요구 사항 섹션 3: 변압기 및 리액터
  • DIN 41776:1983-01 정적 전력 변환기, 배터리 충전을 위한 I 특성을 갖는 반도체 정류 장치, 요구 사항
  • DIN 41776:1983 정적 전력 변환기 배터리 충전을 위한 I 특성 곡선이 있는 반도체 정류기 요구 사항
  • DIN 41773-1:1979 정적 전력 변환기 1부: 납산 배터리의 세류 충전을 위한 IU 특성을 갖춘 반도체 정류기 장비에 대한 지침
  • DIN EN 62374:2008 반도체 장치 게이트 유전막의 시간 의존적 유전 파괴(TDDB) 테스트
  • DIN 41772:1979-02 정전력 변환기, 반도체 정류 장비, 특성 곡선 형상 및 문자 기호
  • DIN EN IEC 60747-5-5:2021 반도체 장비 파트 5-5: 광전자 장비용 광커플러(IEC 60747-5-5:2020), 독일 버전 EN IEC 60747-5-5:2020

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 및 광전류

  • CNS 13805-1997 광전자 반도체 웨이퍼의 광학 레이저 스펙트럼 측정 방법
  • CNS 7011-1981 다극 반도체 소자의 전극 번호 및 다중 소자 반도체 소자의 부품 명명
  • CNS 5751-1980 전자 부품 및 반도체 응용 분야의 세라믹 겉보기 밀도 테스트 방법
  • CNS 6122-1988 단일 반도체 소자의 환경 검사 방법 및 내구성 검사 방법 - 사이리스터의 연속 통전 시험
  • CNS 6126-1988 단일 반도체 소자의 환경 검사 방법 및 내구성 검사 방법 - 사이리스터의 고온 통전 시험
  • CNS 6124-1988 단일 반도체 소자의 환경 검사 방법 및 내구성 검사 방법 - 사이리스터의 간헐 통전 시험

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 반도체 및 광전류

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 반도체 및 광전류

RO-ASRO, 반도체 및 광전류

  • STAS 12258/3-1985 광전자 반도체 장치. 포토트랜지스터 용어 및 기본 특성
  • STAS 12258/7-1987 광전자 반도체 장치. 태양광발전 용어 및 기본 특성
  • STAS 12258/2-1984 광전자 반도체 장치. 포토다이오드 용어 및 기본 특성
  • STAS 12258/4-1986 광전자 반도체 장비. 발광 다이오드 용어 및 주요 특징
  • STAS 12258/5-1986 광전자 반도체. 장비 전시. 용어 및 기본 특성
  • STAS 12258/1-1984 광전자 반도체 장치의 전반적인 기본 매개변수에 대한 일반 용어 및 명명법
  • STAS 7128/5-1985 반도체 장비 및 집적 회로 매개변수 기호. 정류기 다이오드 기호
  • STAS 12123/1-1982 반도체소자 정류다이오드의 전기적 및 열적 특성을 측정하는 방법
  • STAS 12258/6-1987 광전자 반도체 장치. 적외선 방출 다이오드 용어 및 기본 특성

Professional Standard - Aerospace, 반도체 및 광전류

  • QJ 3092-1999 반도체 집적 회로 HCT AND 게이트 및 NAND 게이트의 세부 사양
  • QJ 260-1977 반도체 일체형 위상 감응 정류기 회로 테스트 방법

International Organization for Standardization (ISO), 반도체 및 광전류

  • ISO/TS 17915:2013 광학 및 광전자공학 - 감지용 반도체 레이저 측정 방법

Lithuanian Standards Office , 반도체 및 광전류

  • LST EN 62415-2010 반도체 장치 - 정전류 전자 이동 테스트(IEC 62415:2010)
  • LST EN IEC 60747-5-5:2020 반도체 장비 파트 5-5: 광전자 장비용 광커플러(IEC 60747-5-5:2020)
  • LST EN 60747-5-5-2011 반도체 장치 개별 장치 5-5부: 광전자 장치 광커플러(IEC 60747-5-5:2007)
  • LST EN 62007-2-2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법(IEC 62007-2:2009)

IN-BIS, 반도체 및 광전류

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 반도체 및 광전류

  • EN IEC 60747-5-5:2020 반도체 장치 파트 5-5: 광전자 장치 광커플러
  • EN 62007-2:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 파트 2: 측정 방법
  • EN 120000:1996 일반 사양: 반도체 광전자 장치 및 액정 장치, EN 61747-1-1999로 대체됨
  • EN 62374:2007 반도체 장치 게이트 유전막의 시간 의존적 유전 파괴(TDDB) 테스트

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 및 광전류

  • DB13/T 5120-2019 광통신용 FP 및 DFB 반도체 레이저칩의 DC 성능시험 규격

SE-SIS, 반도체 및 광전류

工业和信息化部, 반도체 및 광전류

  • YS/T 679-2018 외부 반도체의 소수 캐리어 확산 길이를 측정하기 위한 표면 광전압 방법

Group Standards of the People's Republic of China, 반도체 및 광전류

  • T/GSEE 0011-2023 고전압 AC 회로용 반도체 스위칭 장비 기술 사양
  • T/CESA 1266-2023 반도체 집적 회로 광 상호 연결 인터페이스에 대한 기술 요구 사항

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 반도체 및 광전류

KR-KS, 반도체 및 광전류

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 및 광전류

  • GB/T 36358-2018 반도체 광전자소자 전력발광다이오드의 빈칸 상세사양
  • GB/T 39771.1-2021 반도체 발광다이오드의 광방사 안전성 제1부: 요구사항 및 분류방법
  • GB/T 8446.2-2022 전력 반도체 소자용 방열판 2부: 열저항 및 유동저항 측정 방법

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 반도체 및 광전류

  • YS/T 679-2008 외부 반도체의 소수 캐리어 확산 길이에 대한 정상 상태 표면 광전압 측정 방법

PL-PKN, 반도체 및 광전류

Defense Logistics Agency, 반도체 및 광전류

  • DLA DSCC-DWG-03021-2003 TX 및 TXV 유형 1N5597, 1N56001, N5603, 고전압 정류기 모듈, 정류기 실리콘 다이오드 반도체 장치
  • DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 실리콘 모놀리식, 8비트 AC/DC 컨버터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 실리콘 모놀리식, 12비트 AC/DC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89638-1989 실리콘 모놀리식, 산화물 반도체 전류 모드 컨트롤러, 선형 미세 회로
  • DLA DSCC-DWG-85006 REV E-2008 1.0Amp, 60V DC 광학적으로 분리된 밀폐형 솔리드 스테이트 계전기(상보형 금속 산화물 반도체 입력 포함)
  • DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 실리콘 모놀리식, 8비트 비디오 DC/AC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 실리콘 모놀리식, 12비트 고속 AC/DC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 실리콘 모놀리식, 12비트 DC/AC 컨버터, 이중 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA MIL-PRF-19500/259 A NOTICE 2-1999 JAN-1N1130 및 JAN-1N1131 전력 정류기용 실리콘 다이오드 반도체 장치
  • DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 실리콘 모놀리식 삼중 NAND 게이트 버퍼, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96610 REV B-1997 방사선 하드 상보형 금속 산화물 반도체 8입력 NAND 게이트 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체 및 비실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 및 문 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 및 문 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-93262 REV D-2006 실리콘 모놀리식, 6비트 애니메이션 파일 AC/DC 변환기, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89777 REV C-2007 실리콘 모놀리식, 8비트 AC/DC 애니메이션 파일 변환기, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 실리콘 모놀리식, 8입력 NAND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 실리콘 모놀리식, 듀얼 쿼드 전류 피드백 스피커, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-96696 REV D-2005 방사선 하드 상보성 금속 산화물 반도체, 8비트 AC 및 DC 변환기 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA MIL-PRF-19500/286 H-2008 반도체 장치, 실리콘 다이오드 전력 정류기, 모델 1N4245~1N4249, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANHC
  • DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 실리콘 모놀리식, 삼중 3입력 AND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 실리콘 모놀리식, 쿼드러플 시리즈 인터페이스 8비트 AC/DC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA MIL-PRF-19500/359 H-2008 1N4942, 1N4944, 1N4946, 1N4947 및 1N4948, JAN, JANTX 및 JANTXV 전력 정류기 빠른 복구 실리콘 다이오드 반도체 장치
  • DLA MIL-S-19500/484 VALID NOTICE 4-2011 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 전력 정류기, 범용 TX 및 비TX 유형 1N5835 및 1N5836
  • DLA SMD-5962-96846 REV B-2004 상보형 금속 산화물 반도체, 단일 공급 600KSPS12-BIT AC 또는 DC 변환기, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 실리콘 모놀리식, 듀얼 4입력 NAND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 실리콘 모놀리식, 삼중 3입력 NAND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 실리콘 모놀리식, 듀얼 2입력 포지티브 AND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 실리콘 모놀리식, 4중 2입력 NAND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 실리콘 모놀리식, 삼중 3입력 NAND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 실리콘 모놀리식, 듀얼 2입력 NAND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 듀얼 NAND 게이트 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 비실리콘 모놀리식 회로를 갖춘 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체 8입력 디지털 마이크로회로
  • DLA MIL-PRF-19500/646 E VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 전력 정류기, 초고속, 유형 1N6774 ~ 1N6777, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
  • DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 듀얼 채널 광커플러 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 전원 공급 장치용 선형 하이브리드 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 실리콘 모놀리식, 듀얼 12비트 버퍼 다중 산화물 반도체 DC/AC 컨버터, 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 4배 독점적인 AND 문 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-96816-1996 상보형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 전용 AND 게이트 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96820 REV B-1999 상보형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 포지티브 AND 게이트, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96822-1996 상보형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 포지티브 AND 게이트, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96825-1996 상보형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 포지티브 AND 게이트, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로

Government Electronic & Information Technology Association, 반도체 및 광전류

Professional Standard - Post and Telecommunication, 반도체 및 광전류

  • YD/T 2001.2-2011 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 2부: 테스트 방법
  • YD/T 2001.1-2009 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 특성 및 등급

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 반도체 및 광전류

  • JEDEC JESD77C-2009 개별 반도체 및 광전자 장치에 대한 용어, 정의 및 알파벳 기호
  • JEDEC JESD77D-2012 개별 반도체 및 광전자 장치에 대한 용어, 정의 및 알파벳 기호
  • JEDEC JESD4-1983 사이리스터와 정류다이오드 분리 반도체 패키지의 외부 청정도 및 연면거리 정의

未注明发布机构, 반도체 및 광전류

TH-TISI, 반도체 및 광전류

  • TIS 1670-2009 반도체 장치, 개별 장치 및 집적 회로, 2부: 정류기 다이오드

Indonesia Standards, 반도체 및 광전류

  • SNI IEC 60747-2:2009 반도체 장치, 개별 장치 및 집적 회로, 2부: 정류기 다이오드

American Society for Testing and Materials (ASTM), 반도체 및 광전류

  • ASTM F28-91(1997) 실리콘 및 게르마늄의 소수 캐리어 수명을 측정하기 위한 광전도성 붕괴 방법
  • ASTM F673-90(1996)e1 비접촉 와전류 측정기를 사용하여 반도체 다이어프램의 저항률을 측정하는 표준 테스트 방법
  • ASTM F391-96 정상 상태 표면 광전압 측정을 통해 외부 반도체의 소수 캐리어 확산 길이를 결정하기 위한 표준 테스트 방법

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), 반도체 및 광전류

  • ICEA T-32-645-2012 방수 부품 및 압출 반도체 차폐 재료의 체적 저항 호환성을 결정하는 테스트 방법

Standard Association of Australia （SAA）, 반도체 및 광전류

  • AS/NZS 3947.4.3:2000 저전압 개폐 장치 및 제어 장비. 접촉기 및 전기 시동기. 비모터 부하용 AC 반도체 컨트롤러 및 접촉기

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 반도체 및 광전류

  • PQC 8 ISSUE 1-1996 반도체 광전자 장치에 대한 빈 세부 사양: 광트랜지스터 출력 평가 수준 카테고리 I II 또는 III이 있는 환경 또는 인클로저 등급 광커플러
  • QC 720103-1998 반도체 장치 12-3부: 광전자 장치에 대한 빈 세부 사양 디스플레이 응용 분야용 발광 다이오드(초판, IEC 60747-12-3과 동일, 교체 없음)

AT-OVE/ON, 반도체 및 광전류

  • OVE EN IEC 60747-5-5:2021 반도체 장비 파트 5-5: 광전자 장비용 광커플러((IEC 60747-5-5:2020) EN IEC 60747-5-5:2020)(독일어 버전)

  반도체 광전류, 반도체 및 광촉매, 반도체 광전류 측정, 반도체 광전류, 광전류 반도체, 초순수 및 반도체, 반도체 광전류, 이온 크로마토그래피 및 반도체, 광촉매 및 반도체 광촉매, 반도체 및 광전류, 광촉매 및 반도체, 반도체 소자 및 온도, 광전자 재료 및 반도체 조명, 반도체 신소재 및 소자, 반도체와 자외선, 반금속 및 반도체 소재.

 



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