ZH
RU
EN
ES

半導体と光電流

半導体と光電流は全部で 500 項標準に関連している。

半導体と光電流 国際標準分類において、これらの分類：オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 半導体ディスクリートデバイス、 整流器、コンバータ、安定化電源、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 光学および光学測定、 金属材料試験、 造船と海洋構造物の一体化、 光ファイバー通信、 半導体材料、 開閉装置とコントローラー、 語彙、 トランス、リアクトル、インダクタ、 電子機器、 放射線測定、 航空宇宙用電気機器およびシステム、 電気および電子試験、 絶縁流体、 電子表示装置、 機械、設備、装置の特性と設計、 コンデンサ、 電子および通信機器用の電気機械部品、 総合電子部品、 航空宇宙製造用の材料、 電気機器部品、 環境試験。

CZ-CSN, 半導体と光電流

• CSN 35 8761-1973 半導体装置。 フォトトランジスタフォトダイオード。 光電流測定
• CSN 35 8762-1973 半導体装置。 フォトトランジスタフォトダイオード。 暗電流測定
• CSN 35 8773-1977 半導体デバイスの測定。 半導体サイリスタ。 阻止電流および逆阻止電流の測定
• CSN 35 8735-1964 半導体ダイオード。 直流電流および直流電圧の測定
• CSN 35 8732-1964 半導体ダイオード。 順電流測定
• CSN 35 8772-1970 半導体サイリスタ。 保持電流の測定方法
• CSN 35 8742-1973 半導体装置。 トランジスタ。 遮断電流の測定
• CSN 35 8770-1970 半導体サイリスタ。 オン電圧測定方法
• CSN 35 8734-1975 半導体デバイス。 ダイオード。 逆電流測定。
• CSN 35 8731-1975 半導体装置。 ダイオード。 直流順電圧の測定
• CSN 35 8771-1970 半導体サイリスタ。 ゲートトリガ電圧とゲートトリガ電流の測定方法
• CSN 35 8851-1987 半導体光電子デバイス。 パラメータ用語、定義および文字記号
• CSN 35 8804-1985 半導体光電子デバイスは機器に広く使用されています。 一般仕様
• CSN 35 8797 Cast.2 IEC 747-2:1990 半導体装置。 ディスクリートデバイスと集積回路。 パート 2: 整流ダイオード
• CSN 35 8746-1973 半導体装置。 トランジスタ。 順電流伝達率の絶対値と周波数fT、fh21b、fh21eの測定

British Standards Institution (BSI), 半導体と光電流

• BS IEC 60747-5-4:2022 半導体デバイス-光電子デバイス 半導体レーザー
• BS IEC 60747-5-4:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、光電子デバイス、半導体レーザー
• BS IEC 60747-6:2000 個別半導体デバイスおよび集積回路、半導体サイリスタ
• BS IEC 60747-6:2001 個別半導体デバイスおよび集積回路、半導体サイリスタ
• BS EN IEC 60747-5-5:2020 半導体デバイス 光電子デバイス フォトカプラ
• 19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4 半導体デバイス パート 5-4 光電子デバイス 半導体レーザー
• BS EN 62415:2010 半導体デバイスの定電流エレクトロマイグレーション試験
• 23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. 半導体デバイス パート 5-4 光電子デバイス 半導体レーザー
• BS IEC 60747-18-3:2019 半導体デバイス 半導体バイオセンサー レンズレスCMOSフォトニックアレイセンサーの流体流特性 流体システムを備えたパッケージモジュール
• BS EN 62007-2:2000 光ファイバーシステム用半導体光電子デバイス.測定方法
• BS IEC 60092-304:2002 船上電気設備および機器 - 半導体コンバータ
• BS EN 62007-2:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス。 測定方法
• BS EN 60747-5-5:2011 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、光電子デバイス、フォトカプラ
• BS IEC 60747-5-11:2019 半導体デバイス、光電子デバイス、発光ダイオード、発光ダイオードの放射電流および非放射電流の試験方法
• BS IEC 60747-5-16:2023 半導体デバイス - オプトエレクトロニクスデバイス 発光ダイオード GaNベースの発光ダイオード 光電流スペクトルに基づくフラットバンド電圧試験方法
• BS IEC 60747-18-2:2020 半導体デバイス 半導体バイオセンサー レンズレスCMOSフォトニックアレイセンサーパッケージモジュールの評価プロセス
• BS EN 62007-1:2000 光ファイバーシステム用半導体オプトエレクトロニクスデバイス 基本的な評価と特性
• BS IEC 60747-5-1:1998 個別半導体デバイスおよび集積回路、光電子デバイス、概要
• BS EN 60747-5-1:1998 半導体ディスクリートデバイスおよび集積回路光電子デバイスの一般原理
• BS EN 60747-5-1:2001 半導体ディスクリートデバイスおよび集積回路、光電子デバイス、一般原理
• 18/30361905 DC BS EN 60747-18-3 半導体デバイス パート 18-3 半導体バイオセンサー 流体システムを備えたレンズレス CMOS フォトニック アレイ センサー パッケージ モジュールの流体流動特性
• PD IEC TR 60747-5-12:2021 半導体デバイス・光電子デバイス・発光ダイオード・LED効率試験方法
• BS IEC 60747-5-8:2019 半導体デバイス、光電子デバイス、発光ダイオード、発光ダイオードの光電効率の試験方法
• BS IEC 60747-5-3:1998 個別半導体デバイスおよび集積回路、光電子デバイス、測定方法
• BS EN 60747-5-3:1998 半導体ディスクリートデバイスおよび集積回路光電子デバイスの測定方法
• BS EN 60747-5-3:2001 半導体ディスクリートデバイスおよび集積回路、光電子デバイス、測定方法
• 21/30440970 DC BS EN IEC 60747-5-16 半導体デバイス パート 5-16 光電子デバイス 発光ダイオード 光電流スペクトルに基づくフラットバンド電圧試験方法
• 18/30350443 DC BS EN 60747-5-5。 半導体デバイス。 パート5-5。 光電子デバイス。 フォトカプラ
• BS EN 61643-341:2002 低電圧サージ保護装置 サイリスタサージキラー（TSS）の仕様
• BS IEC 60747-2:2000 ディスクリート半導体デバイスおよび集積回路、整流ダイオード
• BS IEC 60747-5-15:2022 電気反射スペクトルに基づく半導体デバイス・光電子デバイス発光ダイオードのフラットバンド電圧試験方法
• BS 6493-1.5:1992 半導体デバイス、ディスクリート機器、光電子デバイスの推奨事項 セクション 5: 光電子デバイスの推奨事項
• 17/30355780 DC BS EN 60747-18-2 半導体デバイス パート 18-2 半導体バイオセンサー レンズレス CMOS フォトニック アレイ センサー パッケージ モジュールの評価プロセス
• 19/30392174 DC BS EN 60747-5-6 半導体デバイス パート 5-6 光電子デバイス 発光ダイオード
• 18/30388245 DC BS EN IEC 60747-5-11 半導体デバイス パート 5-11 光電子デバイス 発光ダイオード 発光ダイオード 放射電流および非放射電流の試験方法
• BS EN 120000:1996 電子部品の品質評価の調整システム 光電子および液晶半導体デバイスの一般仕様書
• BS EN 62007-1:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス 基本的なグレードと特性の仕様テンプレート
• BS EN 62007-1:2015 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス 基本的なグレードと特性の仕様テンプレート
• BS IEC 60747-5-13:2021 半導体デバイス・光電子機器・LEDパッケージの硫化水素腐食試験
• BS EN 60747-5-2:1998 個別半導体デバイスおよび集積回路光電子デバイスの基本定格と特性
• BS EN 60747-5-2:2001 個別半導体デバイスおよび集積回路、光電子デバイス、基本定格および特性
• PD IEC TR 62240-2:2018 アビオニクス機器のプロセス管理 電子部品の運用能力 半導体微細回路の寿命
• BS IEC 60747-5-9:2019 温度可変エレクトロルミネッセンスに基づく半導体デバイス光電子デバイス発光ダイオードの内部量子効率試験方法
• BS EN 60947-4-2:2000 低圧開閉装置および制御装置 電流接触器および電気スターター AC 半導体電気コントローラーおよび電流スターター
• BS EN 62047-9:2011 半導体デバイス、マイクロ電子機械デバイス、MEMSのウェハ間接合強度測定
• BS EN 62047-9:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイスMEMSのウェハ間接合強度測定
• BS EN 60947-4-3:2000 低電圧開閉装置および制御装置 電流コンタクタおよび電気スタータ 非モータ負荷用の AC 半導体コントローラおよび電流コンタクタ
• BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイスの基本的な定格と特性の仕様テンプレート
• 18/30367363 DC BS IEC 60747-5-8 半導体デバイス パート 5-8 光電子デバイス 発光ダイオード 発光ダイオードの光電効率の試験方法

Professional Standard - Electron, 半導体と光電流

• SJ 2214.10-1982 半導体フォトダイオードおよび三極管の光電流のテスト方法
• SJ 2214.3-1982 半導体フォトダイオードの暗電流試験方法
• SJ 2214.8-1982 半導体フォトトランジスタの暗電流試験方法
• SJ 2215.10-1982 半導体フォトカプラの直流電流伝達率の試験方法
• SJ 1795-1981 50～1000mA 小電流半導体サイリスタ（仮）
• SJ 20642-1997 半導体光電子モジュールの一般仕様
• SJ 20786-2000 半導体光電子部品の一般仕様
• SJ 2215.3-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の順電流試験方法
• SJ 2215.4-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の逆電流試験方法
• SJ 50033/109-1996 半導体光電子デバイス 半導体レーザーダイオード タイプ GJ9031T、GJ9032T、GJ9034T 詳細仕様
• SJ/T 2214-2015 半導体フォトダイオードおよびフォトトランジスタの試験方法
• SJ 2355.3-1983 半導体発光素子の試験方法 逆電流試験方法
• SJ/T 2215-2015 半導体フォトカプラの試験方法
• SJ 2247-1982 半導体光電子デバイスの寸法
• SJ 2215.9-1982 半導体フォトカプラ（トランジスタ）の逆方向遮断電流の試験方法
• SJ 50033/111-1996 半導体光電子デバイス詳細仕様 GTI6型シリコンNPNフォトトランジスタ
• SJ 20642.5-1998 半導体光電子モジュール GH82型光カプラ詳細仕様
• SJ 20642.4-1998 半導体光電子モジュール GH81型フォトカプラ詳細仕様
• SJ 20642.6-1998 半導体光電子モジュール GH83型光カプラ詳細仕様
• SJ 50033/112-1996 半導体光電子デバイス GD3251Y型フォトダイオード詳細仕様
• SJ 50033/113-1996 半導体光電子デバイス GD3252Y型フォトダイオード詳細仕様
• SJ/T 11856.3-2022 光ファイバ通信用半導体レーザチップの技術仕様 第3部：光源用電力吸収変調半導体レーザチップ
• SJ 20644.1-2001 半導体光電子デバイスの詳細仕様 GD3550Y型PINフォトダイオード
• SJ 20644.2-2001 半導体光電子デバイスの詳細仕様 GD101型PINフォトダイオード
• SJ 20786.1-2002 半導体光電子部品 CBGS2301小型双方向光電ポジショナ 詳細仕様
• SJ 2214.5-1982 半導体フォトダイオードの接合容量の試験方法
• SJ 20642.3-1998 半導体光電子モジュール GD83タイプ PIN-FET光受信モジュール 詳細仕様
• SJ 20642.2-1998 半導体光電子モジュール GD82タイプ PIN-FET光受信モジュール 詳細仕様
• SJ 50597.3-1994 半導体集積回路 JH009、JH2010 HTL NAND ゲートの詳細仕様
• SJ 50033/136-1997 半導体光電子デバイス GF116赤色発光ダイオードの詳細仕様
• SJ 50033/143-1999 半導体光電子デバイス GF1120型赤色発光ダイオードの詳細仕様
• SJ 50033/137-1997 半導体光電子デバイス GF216オレンジ色発光ダイオードの詳細仕様
• SJ 20642.1-1998 半導体光電子モジュールの詳細一般仕様 GD81 タイプ DIN-FET 光受信モジュール
• SJ/T 11405-2009 光ファイバーシステム用の半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
• SJ 50033/139-1998 半導体光電子デバイス GF4111緑色発光ダイオードの詳細仕様
• SJ 50033/138-1998 半導体光電子デバイス タイプ GF318 黄色発光ダイオードの詳細仕様
• SJ 50033/58-1995 半導体光電子デバイス GF413 緑色発光ダイオードの詳細仕様
• SJ/T 11393-2009 半導体光電子デバイスの発光ダイオードに電力を供給するための空白の詳細仕様
• SJ 50033/142-1999 半導体光電子デバイス GF4112緑色発光ダイオードの詳細仕様
• SJ 50033/57-1995 半導体光電子デバイス GF115 赤色発光ダイオードの詳細仕様
• SJ 2215.6-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）接合容量の試験方法
• SJ/T 11866-2022 半導体光電子デバイス - シリコン基板白色光パワー発光ダイオードの詳細仕様
• SJ/T 11400-2009 半導体光電子デバイス用低出力発光ダイオードの詳細仕様は空白
• SJ/Z 9014.3-1987 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 第 6 部: サイリスタ
• SJ 2214.4-1982 半導体フォトダイオードの逆耐圧試験方法
• SJ 2215.12-1982 半導体光カプラの入出力間の絶縁容量の試験方法
• SJ 50033/114-1996 半導体光電子デバイス GD3283Y型位置検出器 詳細仕様
• SJ 2215.13-1982 半導体光カプラの入出力間絶縁抵抗試験方法
• SJ 2355.4-1983 半導体発光素子の試験方法 接合容量の試験方法
• SJ 50033/99-1995 半導体光電子デバイス GF511 オレンジ/緑色 2 色発光ダイオードの詳細仕様
• SJ 20642.7-2000 半導体光電子デバイス GR1325J タイプ長波長発光ダイオードアセンブリの詳細仕様
• SJ/T 11817-2022 半導体光電子デバイス用発光ダイオード、フィラメントランプの詳細仕様は空白
• SJ 20281-1993 半導体集積回路 JT54LS13、JT54LS14、JT54LS132タイプ LS-TTL NANDゲート 詳細仕様
• SJ 50033/140-1999 半導体光電子デバイス 3DA502 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
• SJ 50033/117-1997 半導体ディスクリートデバイス 2CK38タイプ シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• SJ 50033/115-1997 半導体ディスクリートデバイス 2CK28型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• SJ 50033/116-1997 半導体ディスクリートデバイス 2CK29型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• SJ 50033/110-1996 半導体光電子デバイス詳細仕様 GR9413型赤外発光ダイオード
• SJ 2215.5-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の逆耐圧試験方法
• SJ 53930/1-2002 半導体光電子デバイス GR8813型赤外線発光ダイオードの詳細仕様
• SJ 2658.4-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 静電容量の試験方法
• SJ 2215.7-1982 半導体フォトカプラのコレクタ・エミッタ間逆耐圧試験方法
• SJ/T 10947-1996 電子部品 FG341052、FG343053型半導体緑色発光ダイオードの詳細仕様
• SJ 2658.3-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 逆電圧試験方法
• SJ 20279-1993 半導体集積回路 JT54LS08、JT54LS09、JT54LS11、JT54LS15、JT54LS11、JT54LS15、JT54LS21タイプ LS-TTL ANDゲート 詳細仕様
• SJ 50597/51-1999 半導体集積回路 電流モードパルス幅変調コントローラ JW1846/JW1847 詳細仕様
• SJ 2214.6-1982 半導体フォトトランジスタのコレクタ・エミッタ逆耐圧試験方法
• SJ/T 10042-1991 電子部品詳細仕様 半導体集積回路 CT54LS00/CT74LS00タイプ 2入力NANDゲート4個
• SJ/T 10823-1996 電子部品 半導体集積回路 詳細仕様書 CH2009型 HTL 3入力 NANDゲート
• SJ/T 10084-1991 電子部品詳細仕様 半導体集積回路 CT54H20/CT74H20タイプ デュアル4入力NANDゲート
• SJ/T 10824-1996 電子部品用半導体集積回路 詳細仕様書 CH2010型 HTL 2入力NANDゲート4個
• SJ/T 10822-1996 電子部品用半導体集積回路 詳細仕様書 CH2008タイプ HTL デュアル4入力NANDゲート
• SJ/T 10820-1996 電子部品用半導体集積回路 詳細仕様書 CH2001型 HTL デュアル4入力NANDゲート
• SJ 1488-1979 逆阻止高周波半導体サイリスタの定格高周波オン平均電流ITの試験方法
• SJ/T 2658.3-2015 半導体赤外発光ダイオードの測定方法 第3部 逆電圧・逆電流
• SJ/T 11067-1996 赤外線検出材料のうち、半導体光電子材料と焦電材料の共通用語と用語
• SJ/T 10827-1996 電子部品用半導体集積回路 詳細仕様書 CJ0451タイプ HTLデュアルペリフェラルポジティブANDドライバ
• SJ/T 10826-1996 電子部品 半導体集積回路 CJ0450 タイプ HTL デュアルペリフェラルポジティブおよびドライバーの詳細仕様
• SJ/T 2658.16-2016 半導体赤外発光ダイオードの測定方法 第16回 光電変換効率
• SJ/T 10948-1996 電子部品詳細仕様 FG313052、FG314053、FG313054、FG314055型半導体赤色発光ダイオード
• SJ/T 10828-1996 電子部品の詳細仕様 半導体集積回路 CJ0452 タイプ HTL デュアルペリフェラル ポジティブおよび非ドライバ
• SJ 2658.5-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 順直列抵抗の試験方法
• SJ 20280-1993 半導体集積回路 JT54LS00（03、04、05、10、12、20、22、30）タイプ LS-TTL NANDゲート 詳細仕様
• SJ/T 10815-1996 電子部品用詳細仕様書 半導体集積回路 CT1030タイプ TTL8入力NANDゲート（認証可能）

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体と光電流

• DB52/T 844-2013 半導体電流レギュレータ

American National Standards Institute （ANSI), 半導体と光電流

• ANSI/TIA/EIA 455-128-1996 半導体レーザーの閾値電流測定手順
• ANSI/IEEE C57.18.10:1998 半導体電力整流トランスの要件と標準的な慣行
• ANSI/IEEE 1534:2009 サイリスタ制御の直列コンデンサの仕様に関する推奨事項

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 半導体と光電流

• GJB 33/17-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 GO11型半導体フォトカプラ
• GJB 33/16-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 3DU32型半導体フォトトランジスタ
• GJB 5018-2001 半導体光電子デバイスのスクリーニングと受け入れに関する一般要件
• GJB 33/18-2011 半導体光電子デバイスの詳細仕様 GO417 双方向半導体光電結合アナログスイッチ
• GJB/Z 41.3-1993 軍用半導体ディスクリートデバイスシリーズスペクトル半導体光電子デバイス
• GJB 8121-2013 半導体光電子部品の一般仕様
• GJB 8120-2013 半導体光電子モジュールの一般仕様
• GJB 8119-2013 半導体光電子デバイスの一般仕様
• GJB 33/15-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 BT401型半導体赤外発光ダイオード
• GJB 597/2A-1994 半導体集積回路CMOS ANDゲート、NANDゲートの詳細仕様
• GJB 33/20-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 GH302型フォトカプラ
• GJB 33/22-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 GO103型フォトカプラ
• GJB 33/21-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様 フォトカプラ GD310Aシリーズ
• GJB 33/23-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 GH3201Z-4型フォトカプラ
• GJB 33/19-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 GH302-4型フォトカプラ
• GJB 597/2-1988 半導体集積回路CMOS（正論理）NANDゲートの詳細仕様
• GJB 33/12A-2021 半導体ディスクリートデバイス 2CK36型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• GJB 33/13A-2021 半導体ディスクリートデバイス 2CK37型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• GJB 33A/13-2003 半導体ディスクリートデバイス 2CK37型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• GJB 33A/12-2003 半導体ディスクリートデバイス 2CK36型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
• GJB/Z 42.3-1993 軍用超小型回路シリーズ型スペクトラム半導体集積回路マイコンおよびメモリ集積回路

RU-GOST R, 半導体と光電流

• GOST 18986.3-1973 半導体ダイオード 定直流電圧と定直流電流の決定方法
• GOST R 50471-1993 半導体発光素子の半値角の測定方法
• GOST 18986.1-1973 半導体ダイオード 逆直流電流の求め方
• GOST 29283-1992 半導体機器 ディスクリートデバイス機器および集積回路 パート 5 光電子機器
• GOST 26282-1984 5kVA以内の電力を備えた半導体パワーコンバータ。
• GOST 29209-1991 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2. 整流ダイオード
• GOST 19656.2-1974 超高周波混合半導体ダイオード 平均整流電流の測定方法
• GOST 18986.14-1985 半導体ダイオード、微分抵抗および動的抵抗の測定方法
• GOST R 59605-2021 光学およびフォトニクス 半導体光検出器 オプトエレクトロニクスおよび受光デバイス 用語と定義
• GOST 27299-1987 半導体光電子デバイス - 用語、定義、パラメータのアルファベット順コード
• GOST 18986.16-1972 半導体整流ダイオードの平均直流電圧、平均逆電流の測定方法
• GOST 25953-1983 5kVA以上の電力を備えた半導体パワーコンバータ パラメータ
• GOST 17704-1972 半導体デバイス、光電子放射エネルギー受信機、分類およびコーディング システム
• GOST 17772-1988 半導体光検出器および受光器、光電パラメータの測定および特性の決定方法
• GOST 19656.7-1974 超高周波検出用半導体ダイオード 電流感度測定法
• GOST 20766-1975 電離放射線半導体スペクトル検出器の種類と基本パラメータ
• GOST 21934-1983 半導体オプトエレクトロニクスおよび光放射受信デバイス 用語と定義
• GOST R 59607-2021 光学およびフォトニクス 半導体光検出器 光電子および受光デバイス 光電子パラメータの測定および特性の決定方法
• GOST 29210-1991 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 3. 信号ダイオード (コンバータを含む) および電流および電圧制御ダイオード
• GOST 18986.13-1974 トンネル型半導体ダイオード。 ピーク電流、バレー電流、ピーク電圧、バレー電圧、溶液電圧の測定方法
• GOST 26830-1986 電力5kVA以下の半導体パワーコンバータ 一般的な技術条件
• GOST 18230-1972 電離放射線半導体検出器用分光器用電源の種類と基本パラメータ
• GOST 19868-1974 電離放射線の半導体検出器用分光器用リニアアンプ パラメトリック測定法

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体と光電流

• IEC 60747-5-4:2022 半導体デバイス パート 5-4: 光電子デバイス 半導体レーザー
• IEC 60747-5-4:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 5-4: 光電子デバイス、半導体レーザー
• IEC TR 60146-6:1992 半導体コンバータ パート 6: ヒューズを使用して半導体コンバータを過電流から保護するためのアプリケーション ガイドライン
• IEC 62415:2010 半導体デバイスの定電流エレクトロマイグレーション試験
• IEC TR2 60146-6:1992 半導体コンバータ 第 6 部: ヒューズによる過電流保護のための半導体コンバータの適用ガイドライン
• IEC 60700:1981 高電圧直流伝送用半導体真空管の試験
• IEC 60747-5-7:2016 半導体装置、パート 5-7: オプトエレクトロニクス装置、フォトダイオードおよびフォトトランジスタ
• IEC 60747-18-3:2019 半導体デバイス パート 18-3: 半導体バイオセンサー 流体システムを備えたレンズレス CMOS フォトニック アレイ センサー コンポーネントの流体の流れ特性
• IEC 60747-5-11:2019 半導体デバイス - パート 5-11: 光電子デバイス、発光ダイオード、発光ダイオードの放射電流および非放射電流の試験方法
• IEC 60747-5-5:2020 半導体デバイス パート 5-5: 光電子デバイス オプトカプラ
• IEC 60747-5-6:2016 半導体装置、パート 5-6: オプトエレクトロニクス装置、発光ダイオード
• IEC 60747-5-6:2021 半導体装置、パート 5-6: オプトエレクトロニクス装置、発光ダイオード
• IEC 62007-2:1997 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
• IEC 60747-5-6:2021 RLV 半導体デバイス パート 5-6: 光電子デバイス 発光ダイオード
• IEC 60092-304:1980 船舶電気設備 パート 304: 機器の半導体コンバータ
• IEC 60146-1-2:1991 半導体コンバータおよび系統整流型コンバータの一般要件 パート 1-2: アプリケーション ガイドライン
• IEC 60700-1:1998/AMD2:2008 高電圧直流 (HVDC) 送電用のサイリスタ バルブ パート 1: 電気試験
• IEC 60747-5-5:2007/AMD1:2013 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 5-5: 光電子デバイス、オプトカプラ
• IEC 60747-5-5:2013 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 5-5: 光電子デバイス、オプトカプラ
• IEC 60747-5-16:2023 半導体デバイス、パート 5-16: 光電子デバイス、発光ダイオード、光電流分光法に基づく GaN ベースの発光ダイオードのフラットバンド電圧の試験方法
• IEC 60747-5-5:2007 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 5-5: 光電子デバイス、オプトカプラ
• IEC 62007-2:1999 光ファイバーシステム用半導体光電子デバイス 第 2 部: 測定方法
• IEC 60747-5-5:2007+AMD1:2013 CSV 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 5-5 光電子デバイス機器 - フォトカプラ
• IEC 60092-304/AMD1:1980 船舶電気設備パート 304: 機器半導体コンバーターの修正 1
• IEC 60092-304:1980/AMD1:1995 船舶電気設備パート 304: 機器半導体コンバーターの修正 1
• IEC 62007-2/AMD1:1998 光ファイバーシステム用の半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法 修正 1
• IEC 62007-1:1999 光ファイバーシステム用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性。
• IEC 62007-2:2009 光ファイバーシステム用途向けの半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
• IEC 62007-1:1997 光ファイバーシステム用半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性
• IEC 60747-5:1992 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 5: オプトエレクトロニクスデバイス
• IEC 60146-5:1988 半導体コンバータ 第5部 無停電電源装置スイッチ(UPSスイッチ)
• IEC 60747-5-8:2019 半導体デバイス 第5部-8：光電子デバイス 発光ダイオード 発光ダイオード 光電効率試験方法
• IEC 60146-1-3:1991 半導体コンバータおよび系統整流コンバータの一般要件 パート 1-3: 変圧器およびリアクトル
• IEC 60747-5-1:1997/AMD2:2002 半導体ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 5-1: オプトエレクトロニクスデバイス 一般原則
• IEC 60747-5-1:1997+AMD1:2001+AMD2:2002 CSV 個別半導体デバイスと集積回路 パート 5-1: 一般的な光電子デバイス
• IEC 60747-5-1:2002 半導体ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 5-1: オプトエレクトロニクスデバイス 一般原則
• IEC 60747-2:2000 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 第 2 部: 整流ダイオード
• IEC 60747-5-3:2009 個別半導体デバイスおよび集積回路 パート 5-3: 光電子部品 測定方法
• IEC 60747-5-1:1997 半導体ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 5-1: オプトエレクトロニクスデバイスの一般仕様
• IEC 60146-1-1:1991 半導体コンバータおよび系統整流型コンバータの一般要件 パート 1-1: 基本要件仕様
• IEC 60747-5-3:1997/AMD1:2002 個別半導体デバイスおよび集積回路 第5-3部：光電子デバイスの測定方法
• IEC 60747-5-3:1997+AMD1:2002 CSV 個別半導体デバイスおよび集積回路 第5-3部：光電子デバイスの測定方法
• IEC 60747-5-3:1997 半導体ディスクリートデバイスおよび集積回路 第5-3部：光電子デバイスの試験方法
• IEC 62007-1/AMD1:1998 光ファイバーシステム用半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性 修正 1
• IEC TR 60747-5-12:2021 半導体デバイス パート 5-12: 光電子デバイスの試験方法 発光ダイオード (LED) の効率
• IEC 60747-5-15:2022 半導体デバイス パート 5-15: 電気反射分光法に基づく光電子デバイス発光ダイオードのフラットバンド電圧試験方法
• IEC 60747-12-3:1998 半導体デバイス パート 12-3: オプトエレクトロニクス デバイスで使用されるディスプレイ用発光ダイオードの空白の詳細仕様
• IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV 光ファイバーシステムで使用する半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
• IEC 60747-5-13:2021 半導体デバイス パート 5-13: オプトエレクトロニクス デバイス LED パッケージの硫化水素腐食試験
• IEC 60146-1-1/AMD1:1996 半導体コンバータおよび系統整流型コンバータの一般要件 パート 1-1: 基本要件仕様改訂 1
• IEC 60747-5-1:1997/AMD1:2001 半導体個別デバイスおよび集積回路 第 5-1 部：光電子デバイスの一般規格の改訂 1

(U.S.) Telecommunications Industries Association , 半導体と光電流

• TIA-455-128-1996 FOTP 128 半導体レーザーのしきい値電流の測定手順
• TIA-455-128-1996(2014) FOTP 128 半導体レーザーのしきい値電流の測定手順

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体と光電流

• GB/T 10236-2006 半導体コンバータと電源システム間の互換性と干渉保護に関するガイドライン
• GB/T 17950-2000 半導体コンバータ パート 6: 半導体コンバータを過電流から保護するためのヒューズの使用に関するアプリケーション ガイドライン
• GB 15651.4-2017 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第5-4部：光電子デバイス 半導体レーザー
• GB/T 13422-2013 半導体コンバータの電気的試験方法
• GB/T 13422-1992 半導体パワーコンバータの電気的試験方法
• GB/T 3859.3-1993 半導体コンバータトランスおよびリアクトル
• GB/T 6616-2023 半導体ウエハの比抵抗や半導体膜のシート抵抗を非接触で検査する渦電流法
• GB 12565-1990 半導体デバイスおよび光電子デバイスの仕様
• GB/T 22193-2008 船舶電気機器用半導体コンバータ
• GB/T 15651.6-2023 半導体デバイス パート 5-6: 光電子デバイス 発光ダイオード
• GB/T 3859.2-2013 半導体コンバータおよび系統整流型コンバータの一般要件 パート 1-2: アプリケーション ガイドライン
• GB/T 36359-2018 半導体光電子デバイス用低出力発光ダイオードの詳細仕様は空白
• GB/T 36360-2018 半導体光電子デバイスのパワー発光ダイオードの空白の詳細仕様
• GB/T 6616-1995 半導体シリコンウェーハの抵抗率とシリコン薄膜のシート抵抗を測定するための非接触渦電流法
• GB/T 15651-1995 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 第5部：光電子デバイス
• GB/T 3859.3-2013 半導体コンバータおよび系統整流コンバータの一般要件 パート 1-3: 変圧器およびリアクトル
• GB/T 4023-2015 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 第 2 部: 整流ダイオード
• GB/T 4023-1997 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2; 整流ダイオード
• GB/T 6616-2009 半導体シリコンウェーハ抵抗率およびシリコン薄膜シート抵抗試験方法 非接触渦電流法
• GB/T 3859.1-2013 半導体コンバータおよび系統整流型コンバータの一般要件 パート 1-1: 基本要件仕様
• GB/T 8446.2-2004 パワー半導体デバイス用ヒートシンク 第2部 熱抵抗と流動抵抗の試験方法
• GB/T 15651.3-2003 半導体ディスクリートデバイスおよび集積回路 第5-3部 光電子デバイスの試験方法
• GB/T 1553-1997 シリコンおよびゲルマニウムの少数キャリア寿命を測定するための光導電率減衰法
• GB/T 1553-2009 シリコンおよびゲルマニウムの少数キャリア寿命を測定するための光導電率減衰法
• GB/T 18904.3-2002 半導体デバイス パート 12-3; オプトエレクトロニクス デバイスで使用されるディスプレイ用発光ダイオードの空白の詳細仕様
• GB/T 1553-2023 シリコンおよびゲルマニウムの少数キャリア寿命の決定 光導電率減衰法

ZA-SANS, 半導体と光電流

• SANS 60146-6:1992 半導体コンバーター。 第6部：半導体コンバータヒューズ過電流保護応用マニュアル
• SANS 60146-1-3:1991 半導体コンバーター。 アクティブコンバータの一般要件。 パート 1.3: 変圧器とリアクトル

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, 半導体と光電流

• NEMA RI 6-1959 電解処理半導体整流装置

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体と光電流

• GB/T 15651.4-2017 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第5-4部：光電子デバイス 半導体レーザー

Professional Standard - Machinery, 半導体と光電流

• JB/T 7063-1993 パワー半導体デバイスの定格電圧および定格電流
• JB/T 1505-1975 半導体電力変換器のモデル作成方法
• JB/T 6307.1-1992 パワー半導体モジュールの試験方法 整流器アームペア
• JB/T 6307.2-1992 パワー半導体モジュールの試験方法 整流器単相ブリッジ
• JB/T 6307.3-1992 パワー半導体モジュールの試験方法 整流器三相ブリッジ
• JB/T 8453-1996 半導体コンバータ その5 無停電電源装置用スイッチ（UPSスイッチ）

Danish Standards Foundation, 半導体と光電流

• DS/EN 62415:2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
• DS/IEC 747-12:1993 半導体デバイス。 パート 12: 光電子機器の仕様
• DS/EN 60747-5-5:2011 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 5-5: 光電子デバイス オプトカプラ
• DS/IEC 747-5:1986 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 5: 光電子デバイス
• DS/IEC 747-6:1993 半導体デバイス。 ディスクリートデバイスと集積回路。 パート 6: サイラトロン
• DS/IEC 92-304:1994 船舶への電気機器の設置。 パート304: 装備。 半導体コンバータ
• DS/EN 62007-2:2009 光ファイバーシステム用途向けの半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
• DS/EN 60747-5-1/A2:2002 個別半導体デバイスと集積回路 パート 5-1: 一般的な光電子デバイス
• DS/EN 60747-5-1/A1:2002 個別半導体デバイスと集積回路 パート 5-1: 一般的な光電子デバイス
• DS/EN 60747-5-1:2002 個別半導体デバイスと集積回路 パート 5-1: 一般的な光電子デバイス
• DS/EN 60747-5-3/A1:2002 個別半導体デバイスおよび集積回路 第 5-3 部: 光電子デバイスの測定方法
• DS/EN 60747-5-3:2002 個別半導体デバイスおよび集積回路 第 5-3 部: 光電子デバイスの測定方法

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 半導体と光電流

• EN 62415:2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
• EN 62007-2:2000 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
• EN 60747-5-5:2011 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 5-5: 光電子デバイス オプトカプラ (統合修正 A1: 2015)
• EN 62007-1:2000 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性

Association Francaise de Normalisation, 半導体と光電流

• NF EN 62415:2010 半導体デバイス – 定電流エレクトロマイグレーション試験
• NF C80-201*NF EN 62415:2010 半導体デバイスの定電流エレクトロマイグレーション試験。
• NF C86-503:1986 半導体デバイス、電子部品の統一品質評価システム、フォトトランジスタ、太陽電池複合トランジスタおよび光電子半導体回路、空白の詳細仕様書 CESS 20 003
• NF C96-005-5*NF EN IEC 60747-5-5:2020 半導体装置パート5-5: 光電子機器オプトカプラ
• NF EN IEC 60747-5-5:2020 半導体デバイス - パート 5-5: 光電子デバイス - オプトカプラ
• NF C53-228:1989 半導体コンバータ、無停電電源装置用スイッチ
• NF C53-225:1985 直流高圧送電用半導体真空管の試験
• NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 光ファイバーシステム用半導体光電子デバイス 第 2 部: 測定方法
• NF C96-005-5*NF EN 60747-5-5:2012 半導体デバイス ディスクリート部品 パート 5-5: 光電子デバイス オプトカプラ
• NF EN 62007-1/A1:2022 光ファイバーシステム用光電子半導体デバイス 第1部：基本値と特性に関する仕様モデル
• NF EN 62007-1:2015 光ファイバーシステム用光電子半導体デバイス 第1部：基本値と特性に関する仕様モデル
• NF C96-005-5/A1*NF EN 60747-5-5/A1:2015 半導体装置 個別装置 第5-5部：光電子機器用フォトカプラ
• NF EN 62007-2:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス - パート 2: 測定方法
• NF C96-006:1984 電子部品、半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路、パート 6: サイリスタ
• NF C96-005-1/A1*NF EN 60747-5-1/A1:2002 個別半導体デバイスと集積回路 パート 5-1: 一般的な光電子デバイス
• NF C96-005-1*NF EN 60747-5-1:2001 個別半導体デバイスと集積回路 パート 5-1: 一般的な光電子デバイス
• NF EN 60747-5-1/A1:2002 個別半導体デバイスおよび集積回路 - パート 5-1: 光電子デバイス - 概要
• NF EN 60747-5-1/A2:2002 個別半導体デバイスおよび集積回路 - パート 5-1: 光電子デバイス - 概要
• NF EN 60747-5-1:2001 個別半導体デバイスおよび集積回路 - パート 5-1: 光電子デバイス - 概要
• NF C96-005-1/A2*NF EN 60747-5-1/A2:2002 個別半導体デバイスと集積回路 パート 5-1: 一般的な光電子デバイス
• NF C86-506:1986 半導体デバイス 電子部品の統一品質評価システム 光ファイバー用ピン型フォトダイオード ブランク詳細仕様書 仕様 CECC 20 006
• NF C96-002:2001 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2: 整流ダイオード
• NF C54-143-4*NF EN 60143-4:2011 電力システム用の直列コンデンサ パート 4: サイリスタ制御の直列コンデンサ
• NF C96-005-3*NF EN 60747-5-3:2001 個別半導体デバイスおよび集積回路 第 5-3 部: 光電子デバイスの測定方法
• NF C96-005-3/A1*NF EN 60747-5-3/A1:2002 個別半導体デバイスおよび集積回路 第 5-3 部: 光電子デバイスの測定方法
• NF EN 60747-5-3:2001 個別半導体デバイスおよび集積回路 - パート 5-3: 光電子デバイス - 測定方法
• NF EN 60747-5-3/A1:2002 個別半導体デバイスおよび集積回路 - パート 5-3: 光電子デバイス - 測定方法
• NF C96-002:1984 電子部品、半導体デバイス、ディスクリート部品および集積回路 パート 2: 整流ダイオード
• NF C53-213:1993 半導体コンバータ 一般要件とライン変換コンバータ パート 1-3: トランスとリアクトル
• NF C86-504:1988 半導体デバイス 電子デバイスの品質評価のための連携システム フォトトランジスタ出力を備えた指定周囲温度フォトカプラ 詳細仕様は空白
• NF C96-017*NF EN 62374:2008 半導体デバイスのゲート絶縁膜の経時絶縁破壊 (TDDB) 試験
• NF C86-505:1986 半導体デバイス 電子部品の品質評価調整システム フォトダイオード、フォトダイオード配列 ブランク詳細仕様書 CECC 20 005
• NF C93-801-1:2009 光ファイバーシステム用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
• NF C93-801-1*NF EN 62007-1:2015 光ファイバーシステム用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
• NF C53-211:1993 半導体コンバータ グリッド位相整流コンバータおよび一般要件 第 1 部、セクション 1: 基本要件の仕様
• NF EN 60747-5-2:2001 個別半導体デバイスと集積回路 - パート 5-2: 光電子デバイス - 限界と基本特性
• NF EN 60747-5-2/A1:2003 個別半導体デバイスと集積回路 - パート 5-2: 光電子デバイス - 限界と基本特性

ES-UNE, 半導体と光電流

• UNE-EN 62415:2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
• UNE-EN IEC 60747-5-5:2020 半導体デバイス パート 5-5: 光電子デバイス オプトカプラ
• UNE-EN 60747-5-5:2011/A1:2015 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 5-5: 光電子デバイス オプトカプラ
• UNE-EN 60747-5-5:2011 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 5-5: 光電子デバイス オプトカプラ
• UNE-EN 62007-2:2009 光ファイバーシステム用途向けの半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
• UNE-EN 60747-5-3:2001 個別半導体デバイスおよび集積回路 第 5-3 部: 光電子デバイスの測定方法
• UNE-EN 60747-5-3:2001/A1:2002 個別半導体デバイスおよび集積回路 第 5-3 部: 光電子デバイスの測定方法

German Institute for Standardization, 半導体と光電流

• DIN EN 62415:2010-12 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
• DIN 50447:1995 半導体プロセス材料の検査、渦電流法による半導体層の表面抵抗の非接触測定
• DIN 41777:1986 静止型電力変換器、鉛蓄電池のトリクル充電用半導体整流装置
• DIN 41772 Beiblatt 2:1979-02 静止型電力コンバータ、半導体整流デバイス、バッテリと並列動作する場合のデバイス特性曲線の例
• DIN 41752:1982 静止型電力変換器、半導体整流装置、定格コード
• DIN 41772 Bb.2:1979 静止型電力コンバータ、半導体整流デバイス、バッテリと並列動作する整流デバイスの特性曲線の例
• DIN EN 62007-2:2009-09 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体光電子デバイス - パート 2: 測定方法
• DIN 50440:1998 半導体プロセス材料の検査 シリコン単結晶のキャリア寿命測定 光導電法によるマイクロジェットの複合キャリア寿命測定
• DIN EN 62415:2010 半導体デバイス、定電流エレクトロマイグレーション試験 (IEC 62415-2010)、ドイツ語版 EN 62415-2010
• DIN 4000-20:1988 パート 20: 光電子半導体部品の製品特性テーブルの設計
• DIN 41772 Beiblatt 1:1979-02 静止型電力コンバータ、半導体整流装置、バッテリ充電器の特性曲線の例
• DIN IEC 60747-2:2001 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2: 整流ダイオード
• DIN IEC 60747-2:2001-02 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 第 2 部: 整流ダイオード
• DIN 41772 Bb.1:1979 静止型電力変換器、半導体整流装置、充電器の特性曲線例
• DIN EN 60146-1-3:1994 半導体コンバータ パート 1: 系統整流型コンバータと一般要件 セクション 3: 変圧器とリアクトル
• DIN 41776:1983-01 静止型電力コンバータ、バッテリ充電用の I 特性を備えた半導体整流デバイス、要件
• DIN 41776:1983 静止型電力コンバータ バッテリ充電用の I 特性曲線を備えた半導体整流器 要件
• DIN 41773-1:1979 静止型電力コンバータ パート 1: 鉛蓄電池のトリクル充電用の IU 特性を備えた半導体整流装置のガイドライン
• DIN EN 62374:2008 半導体デバイス、ゲート絶縁膜の時間依存性絶縁破壊 (TDDB) 試験
• DIN 41772:1979-02 静止型電力変換器、半導体整流装置、特性曲線の形状と文字記号
• DIN EN IEC 60747-5-5:2021 半導体機器パート 5-5: 光電子機器用オプトカプラ (IEC 60747-5-5:2020)、ドイツ語版 EN IEC 60747-5-5:2020

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体と光電流

• CNS 13805-1997 光電子半導体ウェーハの光レーザースペクトル測定方法
• CNS 7011-1981 多極半導体デバイスの電極番号と多素子半導体デバイスの部品名称
• CNS 5751-1980 電子部品および半導体用途におけるセラミックの見掛け密度試験方法
• CNS 6122-1988 半導体デバイス単体の環境検査方法と耐久性検査方法 ～サイリスタの連続通電試験～
• CNS 6126-1988 半導体デバイス単体の環境検査方法と耐久性検査方法 ～サイリスタの高温通電試験～
• CNS 6124-1988 半導体デバイス単体の環境検査方法と耐久性検査方法 ～サイリスタの間欠通電試験～

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 半導体と光電流

• IEEE 444-1973 サイリスタコンバータおよびモータドライブの実施基準と要件 - パート 1: DC モータ電機子電力コンバータ
• IEEE Std C57.18.10-1998 半導体電力整流トランスの要件と仕様
• IEEE Std C57.18.10/COR-2006 半導体電力整流器トランスの実施基準と要件
• IEEE Std C57.18-10-1998 半導体電力整流器トランスに関する IEEE 標準の実践と要件
• IEEE Std C57.18.10-2021 半導体電力整流器トランスに関する IEEE 標準の実践と要件
• PC57.18.10/D11, July 2021 半導体電力整流器変圧器に関する IEEE 草案標準の実践と要件
• IEEE PC57.18.10/D11, July 2021 半導体電力整流器変圧器に関する IEEE 標準慣行および要件の草案

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導体と光電流

• KS C IEC 60146-6-2002(2012) 半導体コンバータ パート 6: ヒューズを使用して半導体コンバータを過電流から保護するためのアプリケーション ガイド
• KS C IEC 60146-6:2002 半導体コンバータ パート 6: 過電流を防止するヒューズを使用した半導体コンバータ保護のアプリケーション ガイド
• KS C IEC 60146-6:2013 半導体コンバータ パート 6: 過電流を防止するヒューズを使用した半導体コンバータ保護のアプリケーション ガイド
• KS C IEC 62007-2:2003 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
• KS C IEC 60092-304-2007(2012) 船舶電気設備 パート 304: 機器の半導体コンバータ
• KS C IEC 60747-5:2020 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第5部：光電子デバイス
• KS C IEC 60146-1-2:2002 半導体コンバータ グリッド位相整流コンバータおよび一般要件 パート 1-2: アプリケーション ガイドライン
• KS C IEC 62007-2-2003(2018) 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体光電子デバイス - パート 2: 測定方法
• KS C IEC 60747-5:2004 半導体ディスクリートデバイスと集積回路 第5部：光電子デバイス
• KS C IEC 62007-1:2003 光ファイバーシステム用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 2: 基本的な定格と特性。
• KS C IEC 60747-5-1:2020 個別半導体デバイスと集積回路 パート 5-1: 光電子デバイスの一般原理
• KS C IEC 60146-1-3-2002(2017) 半導体コンバータおよび整流コンバータの一般要件 パート 1-3: 変圧器およびリアクトル
• KS C IEC 60146-1-3:2002 半導体コンバータ 系統整流型コンバータと一般要件 パート 1-3: 変圧器とリアクトル
• KS C IEC 62007-1-2003(2018) 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス - パート 1: 基本的な定格と特性
• KS C IEC 60747-2:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2: 整流ダイオード
• KS C IEC 60747-2-2006(2016) 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 第 2 部: 整流ダイオード
• KS C IEC 60747-5-1:2004 半導体ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 5-1: オプトエレクトロニクスデバイスの一般仕様
• KS C IEC 60747-5-3:2020 個別半導体デバイスおよび集積回路 - 第 5-3 部: 光電子デバイス - 測定方法
• KS C IEC 60146-1-1:2002 半導体コンバータ グリッド位相整流コンバータおよび一般要件 パート 1-1: 基本要件仕様
• KS C IEC 60747-5-3:2004 半導体ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 5-3: オプトエレクトロニクスデバイス テスト方法
• KS C IEC 60146-1-3-2002(2022) 半導体コンバータ - 一般要件とライン整流コンバータ - パート 1 ～ 3: トランスとリアクトル

RO-ASRO, 半導体と光電流

• STAS 12258/3-1985 光電子半導体デバイス。 フォトトランジスタの用語と基本的な特性
• STAS 12258/7-1987 光電子半導体デバイス。 太陽光発電の用語と基本的な特性
• STAS 12258/2-1984 光電子半導体デバイス。 フォトダイオードの用語と基本的な特性
• STAS 12258/4-1986 光電子半導体装置。 発光ダイオードの用語と主な特徴
• STAS 12258/5-1986 オプトエレクトロニクス半導体。 装備品の展示。 用語と基本的な特徴
• STAS 12258/1-1984 光電子半導体デバイスの全体的な基本パラメータの一般的な用語と命名法
• STAS 7128/5-1985 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 整流ダイオードの記号
• STAS 12123/1-1982 半導体デバイス整流ダイオードの電気的および熱的特性の測定方法
• STAS 12258/6-1987 光電子半導体デバイス。 赤外発光ダイオードの用語と基本特性

Professional Standard - Aerospace, 半導体と光電流

• QJ 3092-1999 半導体集積回路HCT ANDゲート、NANDゲートの詳細仕様
• QJ 260-1977 半導体集積位相感応整流回路の試験方法

International Organization for Standardization (ISO), 半導体と光電流

• ISO/TS 17915:2013 光学およびオプトエレクトロニクス - センシング用の半導体レーザーの測定方法

Lithuanian Standards Office , 半導体と光電流

• LST EN 62415-2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験 (IEC 62415:2010)
• LST EN IEC 60747-5-5:2020 半導体装置パート 5-5: 光電子機器用オプトカプラ (IEC 60747-5-5:2020)
• LST EN 60747-5-5-2011 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 5-5: 光電子デバイス オプトカプラ (IEC 60747-5-5:2007)
• LST EN 62007-2-2009 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 2: 測定方法 (IEC 62007-2:2009)

IN-BIS, 半導体と光電流

• IS 3895-1966 単結晶半導体整流器セルおよびスタックの仕様
• IS 1885 Pt.7/Sec.6-1984 電気用語パート 7 半導体デバイスセクション 6: 光電子デバイス

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 半導体と光電流

• EN IEC 60747-5-5:2020 半導体デバイス パート 5-5: 光電子デバイス オプトカプラ
• EN 62007-2:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
• EN 120000:1996 一般仕様: 半導体光電子デバイスおよび液晶デバイス; EN 61747-1-1999 に置き換えられます。
• EN 62374:2007 半導体デバイス、ゲート絶縁膜の時間依存性絶縁破壊 (TDDB) 試験

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体と光電流

• DB13/T 5120-2019 光通信用FPおよびDFB半導体レーザチップのDC性能試験仕様

SE-SIS, 半導体と光電流

• SIS SS IEC 700:1984 パワーエレクトロニクス。 高電圧直流伝送用半導体電子管。 テスト
• SIS SS CECC 20000-1983 一般的な仕様。 半導体光電子デバイスおよび液晶デバイス

工业和信息化部, 半導体と光電流

• YS/T 679-2018 外部半導体における少数キャリア拡散長を測定するための表面光起電力法

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体と光電流

• T/GSEE 0011-2023 高圧交流回路用半導体スイッチング装置の技術仕様
• T/CESA 1266-2023 半導体集積回路光インターコネクトインターフェースの技術要件

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 半導体と光電流

• IEEE C57.18.10-1998 半導体電力整流器トランスの標準的な慣行と要件
• IEEE C57.18.10 ERTA-2006 半導体電力整流器トランスの標準的な慣行と要件

KR-KS, 半導体と光電流

• KS C IEC 60747-5-2020 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第5部：光電子デバイス
• KS C IEC 62007-2-2003(2023) 光通信システム用半導体光電子部品 - パート 2: 測定方法
• KS C IEC 62007-1-2003(2023) 光通信システム用半導体オプトエレクトロニクス部品 - パート 1: 重要度および特性
• KS C IEC 60747-5-1-2020 個別半導体デバイスと集積回路 パート 5-1: 光電子デバイスの一般原理
• KS C IEC 60747-5-3-2020 個別半導体デバイスおよび集積回路 - 第 5-3 部: 光電子デバイス - 測定方法

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体と光電流

• GB/T 36358-2018 半導体光電子デバイスの発光ダイオードに電力を供給するための空白の詳細仕様
• GB/T 39771.1-2021 半導体発光ダイオードの光放射線安全性 第 1 部: 要件と分類方法
• GB/T 8446.2-2022 パワー半導体デバイス用ヒートシンク その2：熱抵抗と流れ抵抗の測定方法

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 半導体と光電流

• YS/T 679-2008 外部半導体における少数キャリア拡散長の定常状態表面光起電力測定法

PL-PKN, 半導体と光電流

• PN-EN IEC 60747-5-5-2021-04 E 半導体デバイス パート 5-5: 光電子デバイス オプトカプラ (IEC 60747-5-5:2020)

Defense Logistics Agency, 半導体と光電流

• DLA DSCC-DWG-03021-2003 TX および TXV タイプ 1N5597、1N56001、N5603、高電圧整流器モジュール、整流器シリコン ダイオード半導体デバイス
• DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 シリコンモノリシック、8ビットAC/DCコンバータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 シリコンモノリシック、12ビットAC/DCコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89638-1989 シリコンモノリシック、酸化物半導体電流モードコントローラー、リニアマイクロ回路
• DLA DSCC-DWG-85006 REV E-2008 1.0アンペア、60ボルトDC、相補型金属酸化膜半導体入力を備えた光学的に絶縁された密閉型ソリッドステートリレー
• DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 シリコンモノリシック、8ビットビデオDC/ACコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 シリコンモノリシック、12ビット高速AC/DCコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 シリコンモノリシック、12ビットDC/ACコンバータ、デュアル酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/259 A NOTICE 2-1999 JAN-1N1130、JAN-1N1131 電力整流用シリコンダイオード半導体デバイス
• DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 シリコンモノリシックトリプルNANDゲートバッファ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96610 REV B-1997 耐放射線相補型金属酸化膜半導体 8 入力 NAND ゲート シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 耐放射線性相補型金属酸化物半導体および非シリコンモノリシック回路デジタル超小型回路
• DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 耐放射線相補型金属酸化膜半導体ANDゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 耐放射線相補型金属酸化膜半導体ANDゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93262 REV D-2006 シリコンモノリシック、6ビットアニメーションファイルAC/DCコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89777 REV C-2007 シリコンモノリシック、8ビットAC/DCアニメーションファイルコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 シリコンモノリシック、8入力NANDゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 シリコンモノリシック、デュアルクワッド電流フィードバックスピーカー、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96696 REV D-2005 耐放射線性相補型金属酸化物半導体、8ビットACおよびDCコンバータシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/286 H-2008 半導体デバイス、シリコン ダイオード電力整流器、モデル 1N4245 ～ 1N4249、JAN、JANTX、JANTXV、および JANHC
• DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 シリコンモノリシック、トリプル 3 入力 AND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 シリコンモノリシック、4重直列インターフェース8ビットAC/DCコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/359 H-2008 1N4942、1N4944、1N4946、1N4947、1N4948、JAN、JANTX、JANTXV 電力整流器、ファストリカバリシリコンダイオード半導体デバイス
• DLA MIL-S-19500/484 VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、電力整流器、汎用TXおよび非TXタイプ1N5835および1N5836
• DLA SMD-5962-96846 REV B-2004 相補型金属酸化膜半導体、単電源 600KSPS12 ビット AC または DC コンバータ、シリコンモノリシック回路デジタルリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 シリコンモノリシック、デュアル 4 入力 NAND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 シリコンモノリシック、トリプル 3 入力 NAND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 シリコンモノリシック、デュアル 2 入力ポジティブ AND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 シリコンモノリシック、クアドルプル2入力NANDゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 シリコンモノリシック、トリプル 3 入力 NAND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 シリコンモノリシック、デュアル 2 入力 NAND ゲート、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 デュアル NAND ゲート シリコン モノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 耐放射線性相補型金属酸化膜半導体非シリコンモノリシック回路を備えた 8 入力デジタルマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/646 E VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、電力整流器、超高速、タイプ 1N6774 ～ 1N6777、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
• DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 デュアルチャネルフォトカプラ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ電源用のリニアハイブリッドマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 シリコンモノリシック、デュアル 12 ビットバッファ多重酸化物半導体 DC/AC コンバータ、リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 放射線耐性 相補型金属酸化膜半導体 4重専用ANDゲート シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96816-1996 相補型金属酸化膜半導体、4連2入力専用ANDゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96820 REV B-1999 相補型金属酸化物半導体、4倍2入力正ANDゲート、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96822-1996 相補型金属酸化物半導体、4倍2入力正ANDゲート、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96825-1996 相補型金属酸化物半導体、4倍2入力正ANDゲート、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路

Government Electronic & Information Technology Association, 半導体と光電流

• GEIA-STD-0002-1-2005 航空宇宙認定電子部品、第 1 巻: 集積回路と半導体

Professional Standard - Post and Telecommunication, 半導体と光電流

• YD/T 2001.2-2011 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: テスト方法
• YD/T 2001.1-2009 光ファイバーシステム用半導体オプトエレクトロニクスデバイス 第 1 部: 基本特性と評価

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 半導体と光電流

• JEDEC JESD77C-2009 ディスクリート半導体および光電子デバイスの用語、定義、およびアルファベット記号
• JEDEC JESD77D-2012 ディスクリート半導体および光電子デバイスの用語、定義、およびアルファベット記号
• JEDEC JESD4-1983 サイリスタと整流ダイオードの分離 半導体パッケージの外部清浄度と沿面距離の定義

未注明发布机构, 半導体と光電流

• BS EN 60747-5-1:2001(2003) 個別半導体デバイスおよび集積回路 - パート 5-1: 光電子デバイス - 概要
• BS EN 60747-5-3:2001(2003) 個別半導体デバイスおよび集積回路 第 5-3 部: 光電子デバイスの測定方法
• BS 6493-1.5:1992(2003) 半導体デバイス パート 1: ディスクリートデバイス セクション 1.5 オプトエレクトロニクスデバイスに関する推奨事項

TH-TISI, 半導体と光電流

• TIS 1670-2009 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2: 整流ダイオード

Indonesia Standards, 半導体と光電流

• SNI IEC 60747-2:2009 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2: 整流ダイオード

American Society for Testing and Materials (ASTM), 半導体と光電流

• ASTM F28-91(1997) シリコンおよびゲルマニウムの少数キャリア寿命を測定するための光導電率減衰法
• ASTM F673-90(1996)e1 非接触渦電流計を使用して半導体ダイアフラムの抵抗率を測定する標準的な試験方法
• ASTM F391-96 定常状態の表面光起電力測定による外部半導体の少数キャリア拡散長の決定のための標準試験方法

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), 半導体と光電流

• ICEA T-32-645-2012 防水コンポーネントと押出成形半導体シールド材料の体積抵抗適合性を決定するための試験方法

Standard Association of Australia （SAA）, 半導体と光電流

• AS/NZS 3947.4.3:2000 低圧開閉装置および制御装置。 コンタクタと電気スタータ。 非モーター負荷用のAC半導体コントローラーおよびコンタクター

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 半導体と光電流

• PQC 8 ISSUE 1-1996 半導体光電子デバイスの空白の詳細仕様: フォトトランジスタ出力を備えた環境またはエンクロージャ定格オプトカプラの評価レベル カテゴリ I II または III
• QC 720103-1998 半導体デバイス パート 12-3: 光電子デバイスのブランク詳細仕様 ディスプレイ用途の発光ダイオード (初版、IEC 60747-12-3 と同じ、代替品なし)

AT-OVE/ON, 半導体と光電流

• OVE EN IEC 60747-5-5:2021 半導体装置パート 5-5: 光電子機器用オプトカプラ ((IEC 60747-5-5:2020) EN IEC 60747-5-5:2020) (ドイツ語版)

その他：   半導体光電流, 半導体と光触媒, 半導体光電流の測定, 半導体光電流, 光電流半導体, 超純水と半導体, 半導体光電流, イオンクロマトグラフィーと半導体, 光触媒と半導体光触媒, 半導体と光電流, 光触媒と半導体, 半導体デバイスと温度, 光電子材料と半導体照明, 新しい半導体材料とデバイス, 半導体と紫外線, 半金属および半導体材料.