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DE반도체 신소재 및 소자
모두 148항목의 반도체 신소재 및 소자와 관련된 표준이 있다.
국제 분류에서 반도체 신소재 및 소자와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 반도체 개별 장치, 전송 및 배전망, 정류기, 변환기, 조정된 전원 공급 장치, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 전자 장비용 기계 부품, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 반도체 소재, 전기 장치.
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체 신소재 및 소자
British Standards Institution (BSI), 반도체 신소재 및 소자
- BS IEC 62951-5:2019 반도체소자 유연 및 신축성 반도체소자 유연재료 열특성 시험방법
- BS EN 62047-2:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 인장 시험 방법
- BS EN 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 굽힘 시험 방법
- BS EN 62047-21:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 MEMS 재료에 대한 포아송 비 테스트 방법
- BS EN 60749-39:2006 반도체 소자, 기계적 및 기후적 시험 방법, 반도체 소자에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
- BS EN IEC 60749-39:2022 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도를 측정하기 위한 반도체 장치 기계적 및 기후적 테스트 방법
- BS IEC 62047-31:2019 반도체 소자 및 미세 전자기계 소자용 적층형 MEMS 재료의 계면 접착 에너지에 대한 4점 굽힘 시험 방법
- BS EN 62047-11:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 미세 전자 기계 장치에 대한 지지대가 없는 재료의 선형 열팽창 계수에 대한 테스트 방법
- 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용성 측정
Professional Standard - Machinery, 반도체 신소재 및 소자
机械电子工业部, 반도체 신소재 및 소자
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 반도체 신소재 및 소자
International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체 신소재 및 소자
Defense Logistics Agency, 반도체 신소재 및 소자
- DLA MIL-PRF-19500/672-2001 반도체 장치, 트랜지스터, 플라스틱, NPN, 실리콘, 스위치, 2N2222AUE1 유형 JAN, JANTX, JANJ
- DLA MIL-PRF-19500/672 VALID NOTICE 2-2011 반도체 장치, 트랜지스터, 플라스틱, NPN, 실리콘, 스위치, 유형 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
- DLA MIL-PRF-19500/686 VALID NOTICE 2-2011 반도체 장치, 트랜지스터, 플라스틱, PNP, 실리콘, 스위치, 유형 2N2907AUE1 JAN, JANTX, JANJ
- DLA MIL-PRF-19500/695 VALID NOTICE 2-2011 반도체 장치, 트랜지스터, 플라스틱, PNP, 실리콘, 스위치, 유형 2N4033UE1 JAN, JANTX, JANJ
- DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, 플라스틱, N-채널, 실리콘, 유형 2N7537, 2N7537A, JAN 및 JANTX
- DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, 플라스틱, N-채널, 실리콘, 유형 2N7537, 2N7537A, JAN 및 JANTX
- DLA MIL-PRF-19500/714-2009 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, 포장 플라스틱, N-채널, 실리콘, 유형 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX 및 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/715-2009 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, 포장 플라스틱, N-채널, 실리콘, 유형 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX 및 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, 포장 플라스틱, N-채널, 실리콘, 유형 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX 및 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, 포장 플라스틱, N-채널, 실리콘, 유형 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX 및 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 2N3700UE1, JAN, JANTX, JANJ 에너지 스위칭 반도체 장치용 트랜지스터, 플라스틱, 트랜지스터 및 실리콘 웨이퍼에 대한 표준 사양
Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 신소재 및 소자
Professional Standard - Aerospace, 반도체 신소재 및 소자
Association Francaise de Normalisation, 반도체 신소재 및 소자
Danish Standards Foundation, 반도체 신소재 및 소자
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 반도체 신소재 및 소자
ES-UNE, 반도체 신소재 및 소자
German Institute for Standardization, 반도체 신소재 및 소자
- DIN EN 62047-2:2007-02 반도체 장치 미세 전자기계 장치 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법
- DIN EN 62047-10:2012-03 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 10부: MEMS 재료의 미세기둥 압축 테스트
- DIN EN 62047-18:2014-04 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 18: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
- DIN EN 62047-6:2010-07 반도체 장치 및 미세 전자기계 장치 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법
- DIN EN 62047-14:2012-10 반도체소자 미세전자기계소자 14부: 금속박막재료의 형성한계 측정방법
- DIN EN 60749-39:2007 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
- DIN EN 60749-39:2007-01 반도체 소자의 기계적 및 기후적 시험 방법 제39부: 반도체 부품에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정
- DIN EN 62047-21:2015-04 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법(IEC 62047-21:2014)
- DIN EN 62047-12:2012-06 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 12부: MEMS 구조 공명을 이용한 박막 재료의 굽힘 피로 시험 방법
- DIN EN IEC 60749-39:2021-07 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정(IEC 47/2652/CDV:2020)
- DIN EN 62047-11:2014-04 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 파트 11: 미세 전자기계 시스템용 자립 재료의 선형 열팽창 계수 테스트 방법
- DIN EN 62047-18:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 파트 18: 박막 재료의 굽힘 테스트 방법(IEC 62047-18-2013), 독일어 버전 EN 62047-18-2013
- DIN EN 62047-21:2015 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 21부: 박막 MEMS 재료의 포아송비 테스트 방법(IEC 62047-21:2014), 독일 버전 EN 62047-21:2014
- DIN EN 62047-10:2012 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 10부: MEMES 재료의 미소극 압축 테스트(IEC 62047-10-2011) 독일어 버전 EN 62047-10-2011
- DIN EN IEC 60749-39:2021 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용성 측정(IEC 47/2652/CDV:2020), 영어 버전 prEN IEC 60749-39:2020
- DIN EN IEC 60749-39:2023-10 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용성 측정(IEC 60749-39:2021), 독일 버전 EN IEC 60749-39:2022 / 참고: DIN ...
- DIN 49018-1:1972 전기 장비용 도관 및 부품 1부: 중압 및 저압 부하용 단열재 및 커플러가 포함된 유연한 주름형 도관 및 가연성 도관
- DIN EN 62047-12:2012 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 12부: MEMS 구조 공명을 이용한 박막 재료의 굽힘 피로 테스트 방법(IEC 62047-12-2011) 독일 버전 EN 62047-12-2011
- DIN EN 62047-11:2014 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 파트 11: 미세 전자 기계 장치에 대한 지지대가 없는 재료의 선형 열팽창 계수에 대한 테스트 방법(IEC 62047-11-2013), 독일어 버전 EN 62047-11-2013
- DIN EN 62047-6:2010 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 6부: 박막 재료의 축방향 피로 테스트 방법(IEC 62047-6: 2009), 독일어 버전 EN 62047-6: 2010
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 반도체 신소재 및 소자
Lithuanian Standards Office , 반도체 신소재 및 소자
Professional Standard - Electron, 반도체 신소재 및 소자
- SJ/T 10827-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CJ0451 유형 HTL 이중 주변 장치 포지티브 AND 드라이버에 대한 상세 사양
- SJ/T 10826-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CJ0450 유형 HTL 이중 주변 장치 양극 및 드라이버에 대한 상세 사양
- SJ/T 10828-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CJ0452 유형 HTL 이중 주변 장치 포지티브 및 비 드라이버에 대한 상세 사양
- SJ/T 10042-1991 전자부품 상세사양 반도체 집적회로 CT54LS00/CT74LS00 4형 2입력 NAND 게이트
- SJ/T 10823-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CH2009 유형 HTL 3개의 3입력 NAND 게이트에 대한 상세 사양
- SJ/T 10084-1991 전자부품 상세사양 반도체 집적회로 CT54H20/CT74H20형 듀얼 4입력 NAND 게이트
- SJ/T 10824-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CH2010 유형 HTL 4개의 2입력 NAND 게이트 세부 사양
- SJ/T 10822-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CH2008 유형 HTL 듀얼 4입력 NAND 게이트 세부 사양
- SJ/T 10820-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CH2001 유형 HTL 듀얼 4입력 NAND 게이트 세부 사양
- SJ/T 10815-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CT1030 유형 TTL8 입력 NAND 게이트 세부 사양 (인증 가능)
- SJ/T 10842-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CE10104 유형 ECL 4개의 2입력 AND 게이트에 대한 상세 사양(인증 가능)
- SJ/T 10816-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CT1040 유형 TTL 이중 4 입력 및 Non-Buffer 세부 사양 (인증 가능)
- SJ/T 10808-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CT1000 유형 TTL 4개의 2입력 NAND 게이트 세부 사양(인증 가능)
- SJ/T 10809-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CT1002 유형 TTL 4개의 2입력 NAND 게이트 세부 사양(인증 가능)
- SJ/T 10811-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CT1008 유형 TTL 4개의 2입력 NAND 게이트 세부 사양(인증 가능)
- SJ/T 10813-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CT1020 유형 TTL 듀얼 4 입력 NAND 게이트 세부 사양 (인증 가능)
- SJ/T 10814-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CT1027 유형 TTL 3개의 3입력 NAND 게이트 세부 사양(인증 가능)
- SJ/T 10812-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 CT1010 유형 TTL 3개의 3입력 NAND 게이트 세부 사양(인증 가능)
- SJ/T 10849-1996 전자 부품 상세 사양 반도체 집적 회로 CE10121 유형 ECL 4-way 3-3-3-3 입력 OR AND/OR NAND 게이트(인증 가능)
- SJ/T 10848-1996 전자 부품 반도체 집적 회로 세부 사양 CE10117 Type ECL Dual 2-way 2-3 입력 OR AND/OR NAND 게이트(인증 가능)
- SJ/T 10817-1996 전자부품 상세사양 반도체집적회로 CT1054형 TTL 4-way 2-2-2-2 입력 NOR 게이트(인증가능)
Insulated Cable Engineers Association （ICEA), 반도체 신소재 및 소자
KR-KS, 반도체 신소재 및 소자
IEC - International Electrotechnical Commission, 반도체 신소재 및 소자
- IEC 62047-31:2017 반도체 장치 "Microelectromechanical Devices" 31부: 적층 MEMS 재료의 인터페이스 접착 에너지에 대한 4점 굽힘 테스트 방법(버전 1.0)
AT-OVE/ON, 반도체 신소재 및 소자